Libro

LIBRO DE PRÁCTICAS DE
LABORATORIO DE
ELECTRÓNICA
ANALÓGICA
Autores
Hernán Paz Penagos
David Mosquera Duarte
Giovanni Aldemar Baquero Rozo
Johnny A. Arévalo Niño
Programa de Ingeniería Electrónica

Escuela Colombiana de Ingeniería
JULIO GARAVITO
Septiembre del 2016
ÍNDICE
1. Prácticas de laboratorio de electrónica analógica 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3

1.1. Rectificación de media onda con diodos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2. Rectificación de onda completa con diodos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.3. Otras aplicaciones con diodos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
1.4. Filtrado de una señal rectificada y regulación de la señal filtrada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .37
1.5. Identificación de BJT, concepto de punto de trabajo, rectas de carga. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
1.6. Diseño de un amplificador de señal con BJT: emisor común, y su respuesta en frecuencia. . . .64
1.7. Amplificación de señal con BJT en configuración colector común. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .81
1.8. Amplificación de señal con BJT en configuración base común: respuesta en frecuencia. . . . . . 90
1.9. Amplificación multietapas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
1.10. Características del JFET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
1.11. Amplificadores con JFET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
1.12. Amplificación Darlington. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .149
2. Prácticas de laboratorio de electrónica analógica 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155

2.1. Diodo y transistor en conmutación. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
2.2. Amplificador con retroalimentación. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 174
2.3. Amplificadores Operacionales 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .192
2.4. Amplificadores Operacionales 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .209
2.5. Características del JFET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226
2.6. Amplificadores con JFET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 244
2.7. Comparadores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 266
2.8. Osciladores no sinusoidales de relajación. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 281
2.9. Temporizador 555. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 293
2.10. Osciladores onda Seno. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .305
2.11. Rectificadores de precisión. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 317
2.12. Filtros Activos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 330
2.13. Conversores Análogo a Digital y Digital a Análogo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .349
2.14. Amplificadores de potencia de audio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 385
3. Prácticas de laboratorio de electrónica de potencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 406

3.1. Características de conmutación. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .420
3.1.1. Parte A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .420
3.1.2. Parte B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .428
3.2. Rectificadores Monofásicos: Carga RC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 442
3.3. Rectificadores Monofásicos: Carga RL. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .459
3.4. Rectificadores Trifásicos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .479
3.5. Características de los tiristores: El SCR en DC y en AC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .489
3.6. Control de fase de tiristores: Dimer con UJT y SCR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 496
1
3.7. Control de fase DIAC TRIAC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 503
3.8. Control de fase por PWM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .510
3.9. Generadores PWM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 521
3.10. Inversor de voltaje y modulación SPWM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .527
3.11. Inversor de voltaje y modulación SPWM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .536
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CAPÍTULO 1
PRÁCTICAS DE
LABORATORIO DE
ELECTRÓNICA
ANALÓGICA 1
Elaborado por:
Hernán Paz Penagos
Johnny A. Arévalo Niño
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NOTAS DE SEGURIDAD
Las normas de seguridad son un conjunto de medidas destinadas a proteger la salud de todos,
prevenir accidentes y promover el cuidado del material de laboratorio. Son un conjunto de
prácticas de sentido común. A continuación se mencionarán algunas de ellas:
 Áreas de trabajo deben tener equipos electrónicos debidamente protegidos,

buena ventilación e iluminación. Componentes, herramientas y materiales deben
estar almacenados en áreas adecuadas.
 En general los espacios de trabajo deben estar limpios y descongestionados para
no bloquear y darles prioridad a las salidas de emergencia.
 Un cuerpo mal aislado es un buen conductor de la electricidad. Siempre que sea
necesario se debe utilizar una base aislante sobre la superficie de trabajo.
 La protección de los tomacorrientes se hace a través de un elemento llamado
“puesta a tierra”, que suele ser una varilla de cobre enterrada en el suelo por la
cual se deben desviar las descargas eléctricas no deseadas. Por lo anterior,
debemos fijarnos siempre que la conexión a los tomacorrientes tengan un
correcto contacto a tierra (especialmente en equipos con carcasas metálicas).
Figura I. Puesta a tierra
 Evitar los “cortocircuitos” (aumento brusco de la intensidad en la corriente

eléctrica por la unión de dos conductores de distinta fase) entre la fuente de
alimentación y el circuito a montar. Verificar que no haya terminales o cables
sueltos que puedan hacer un contacto accidental. Los fusibles cumplen la función
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de proteger los equipos pero nosotros debemos cumplir la función de
protegernos.
 Los circuitos eléctricos pueden producir descargas eléctricas, por lo tanto, no hay
que trabajar con circuitos en funcionamiento, especialmente cuando hay altos
voltajes, aún voltajes pequeños pueden causar accidentes bajo ciertas
condiciones.
 Anillos, relojes, herramientas u objetos metálicos pueden entrar en contacto con
los conductores que transportan electricidad, pudiendo producir daños a la
persona o al circuito. Lo recomendable es alejar estos objetos de la práctica.
 Se deben conocer la ubicación de los elementos de seguridad, tales como:
extintores, salidas de emergencia, accionamiento de alarmas, etc…
 Nunca debe tocar un artefacto eléctrico si usted está mojado o descalzo.
 No usar instalaciones provisionales.
Figura II. Instalaciones temporales
Protección de dispositivos semiconductores:
Las tensiones máximas que pueden soportar las uniones PN inversamente polarizadas se denominan
tensiones de ruptura. Cuando se alcanza estas tensiones existe peligro de ruptura del transistor debido a
dos fenómenos: ruptura por avalancha y ruptura por perforación. El fabricante proporciona dos tensiones
máximas (VCEO, VCES) que limitan de alguna manera las tensiones máximas de polarización en continua
los transistores.
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La VCEO define la tensión máxima entre el colector y emisor, estando la base en circuito abierto, antes de
que se produzca fenómenos de multiplicación de avalancha que incrementa exponencialmente la 𝐼𝐶𝑂 a
través de la unión de colector. La VCES define la tensión máxima del colector, estando la base en
cortocircuitada al emisor, antes de que la anchura de la región de transición alcance el emisor perforando
la región de base. Gráficamente, en la figura III se muestra la definición de ambas tensiones. Por ejemplo,
el transistor BC547 tiene VCES=50 V y VCEO=45 V, y son estas tensiones las que limitan las propias tensiones
máximas de alimentación.
Figura III. Ubicación de las tensiones VCEO y VCES del transistor.
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LECTURA DE ELEMENTOS
PRÁCTICA # 1.1
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RECTIFICACIÓN DE MEDIA ONDA CON DIODOS
1. INTRODUCCIÓN.
Esta práctica tiene como objetivo poner en práctica una de las mayores aplicaciones de los diodos: la
rectificación. El comportamiento de la señal eléctrica en un circuito eléctrico depende de la conexión del
diodo en el mismo circuito.
2. OBJETIVOS.
Objetivo General
Comprender y analizar el comportamiento del diodo sobre una señal senoidal en un circuito rectificador
de media onda.
Objetivos específicos
 Identificar y medir las características de diodos.

 Usar diodos semiconductores para la rectificación de media onda.
 Comprobar de manera experimental la función del diodo semiconductor como rectificador de media
onda.
3. MARCO TEÓRICO
Diodos Semiconductores:
Los diodos más comunes son los diodos semiconductores que están formados por la unión de un
semiconductor tipo n (ánodo: portadores de cargas negativas, electrones) y un semiconductor tipo p
(cátodo: portadores de cargas positivas, huecos). El extremo que tiene una raya es el cátodo. Los
materiales más utilizados para construir estos diodos son silicio y germanio. El diodo tiene la propiedad de
facilitar el paso de corriente del ánodo a cátodo (forward) y bloquearla en el otro sentido (reverse).
Polarizar un elemento semiconductor significa proporcionar valores adecuados de voltaje y de corriente

a dichos elementos electrónicos a partir de resistores, para que éstos funcionen en forma correcta.
Curva característica del diodo semiconductor:
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Algunos de los rasgos más importantes de la operación del diodo de unión de silicio, pueden ser
observados en la curva característica i-v de la figura 1.1. Para voltajes menores que el voltaje umbral (VT)
el diodo conduce una corriente de magnitud despreciable. El comportamiento del diodo en esta área se
puede modelar como una resistencia de gran magnitud o un circuito abierto.
Figura 1.1. Curva característica del diodo
Fuente: https://lizarragablog.wordpress.com
La pendiente pronunciada de la curva en la región forward indica que la resistencia que ofrece el diodo es
mínima. De la curva característica del diodo se puede identificar el valor del voltaje umbral (VT), e inferir
la resistencia en conducción (RF) dibujando una línea tangente de la curva y calculando su pendiente e
intercepto.
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En la región directa, la relación i-v se aproxima a la siguiente expresión:
𝑒𝑉
𝑖(𝑉) = 𝑖𝑠𝑎𝑡 {𝑒 𝑛𝐾𝑇 − 1}
Donde e es la carga del electrón (1.6 x 10-19 C), k es la constante de Boltzman (1.38 x 10-23 J/K), V es el
voltaje a través de la unión e isat es la corriente de saturación. Esta última depende del tipo de material,
temperatura y geometría de la unión. La constante n depende del tipo de diodo y varía entre 1 y 2, aunque
el valor típico es 2.
Línea de carga:
Otro tipo de análisis que permite estudiar el comportamiento de circuitos con diodos semiconductores es
grafico mediante línea de carga. La corriente en el circuito de la figura 1.2 puede representarse con la
(𝑉𝑖 −𝑉𝐷 )
siguiente expresión: 𝐼(𝑣) = , donde Vi es el voltaje de la fuente y VD el voltaje en el diodo. Esta
𝑅
ecuación corresponde a una línea recta con intercepto en I=Vi/R y Vi=VD. Se le llama línea de carga porque
depende exclusivamente de la resistencia (carga) y de la fuente. La línea es independiente del valor de la
impedancia.
Figura 1.2. Línea de carga del diodo
El punto donde la ecuación exponencial de la corriente y la línea de carga coinciden se conoce como punto
de equilibrio o punto de operación del circuito. Este punto se especifica en la figura 1.2, como Q.
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Diodo rectificador:
Los rectificadores son circuitos electrónicos no lineales capaces de convertir la corriente alterna en
corriente continua. Este tipo de circuitos se utilizan en todo equipo electrónico, ya que constituyen la
fuente de energía para alimentar al resto del circuito electrónico que requiere corriente continua.
La rectificación es el primer paso para convertir una señal ac en dc. En el circuito rectificador la corriente
fluye en una sola dirección; debido a este comportamiento, se podría hacer la analogía del diodo
semiconductor con una válvula que permite el paso de fluido en una sola dirección. Este comportamiento
del diodo hace que se le conozca también como diodo rectificador.
Rectificadores de media onda: Los rectificadores de media onda eliminan la parte negativa o positiva de la
señal. Según el circuito utilizado se puede obtener rectificación de media onda o de onda completa. En la
rectificación de media onda, solo la mitad de la señal de entrada llega a la salida.
Para una señal de entrada, V𝑖𝑛 = V𝑚 sin(𝜔𝑡 + 𝜑), el voltaje pico en la salida del circuito es: 𝑉𝑝 = 𝑉𝑚 − 𝑉𝑇 ,
donde VT es el voltaje de barrera del diodo. El voltaje medio (dc) de la señal de salida están dados por V dc
= (Vm−VT)/π, y la frecuencia de la señal es igual a la frecuencia de la señal de entrada (𝑓𝑜 = 𝑓𝑖 ). En la figura
1.3, se muestra un ejemplo de un circuito rectificador de media onda.
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Figura 1.3. Circuito rectificador de media onda y forma de la señal.
Modelo del diodo en alta frecuencia
El modelo del diodo a pequeña señal desarrollado hasta aquí es resistivo; aplica cuando la
frecuencia de señal es baja, para este caso los efectos de almacenamiento de carga del diodo se
pueden despreciar. Los efectos de almacenamiento de carga se pueden modelar para pequeñas
señales como las capacitancias Cj, de la capa de agotamiento y la capacitancia Cd de la capa de
difusión. Al incluir estas dos capacitancias en paralelo con la resistencia rd resulta en el modelo del
diodo que se muestra en la figura 1.4.
Figura 1.4. Modelo del diodo a pequeña señal y alta frecuencia

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Las fórmulas que modelan al diodo en alta frecuencia, se muestran a continuación:
Punto de polarización
𝑉𝑇
𝑟𝑑 = 𝑛
𝐼𝐷
𝜏𝑇
𝐶𝑑 = ( )𝐼𝐷
𝑉𝑇
𝐶𝑗𝑜
𝐶𝑗 =
𝑉
(1 − 𝑉𝐷 )𝑚
0
Para VD<0
𝐶𝑗 ≅ 2𝐶𝑗0
Para VD>0
Este modelo se puede usar en el análisis de circuitos con diodos cuando se alimentan con señales
a frecuencias altas.
Referencias Comerciales.
VS-MBR160, diodo rectificador Schottky, 1A, 60V, voltaje en directo muy bajo, alta frecuencia.
MBR10150CT, rectificador Schottky, 150V, 10A, cátodo común doble, TO-220AB, 3 Pines, 980mV.
4. MATERIALES Y EQUIPOS
 Resistencias de 10KΩ (0.5W), 1KΩ (0.5W).

 1 diodos rectificador (1N4004)
 1 diodo LED
 1 Transformador de 110 a 6 V con tap central. Corriente en el secundario 2A.
 2 m de cable AWG 12
 1 interruptor
 1 Toma para 110 VRMS
 1 Protoboard
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 5 cables con caimanes
 1 multímetro digital
 1 osciloscopio
5. SIMULACIÓN
En la figura 1.5 se muestra un circuito de rectificación de media onda con carga de 1KΩ. El
objetivo es simularlo y mostrar la forma de onda salida (figura 1.6).
Figura 1.5. Circuito rectificador de media onda con carga de 1KΩ
Figura 1.6. Forma de onda de entrada/salida de circuito de la figura 1.5.
En la figura 1.7, se muestra un circuito de rectificación de media onda con carga de 1Ω.
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Figura 1.7. Circuito rectificador de media onda con carga de 1Ω
El objetivo es simularlo, mostrar la forma de onda entrada/salida (figura 1.8) y hallar tres
similitudes y diferencias entre las rectificaciones halladas con las dos resistencias de los circuitos
de las figuras 1.5 y 1.7.
Figura 1.8. Grafica de entrada-salida del circuito de la figura 1.7.
6. PROCEDIMIENTO PARA LA PRÁCTICA
Para la realización de la práctica se deben seguir los siguientes pasos:
1. Prueba de diodo
2. Construya la curva característica del diodo
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3. Trace la línea de carga y halle el punto de operación
4. Experimente con diodos emisores de luz
5. Practique la rectificación de media onda.
1. Pruebas de funcionamiento de dos diodos con el multímetro:
Seleccione un diodo, desconéctelo de cualquier circuito y conéctelo cómo se muestra la figura 1.9.
Encienda el multímetro, y seleccione la función con el símbolo de diodo/continuidad.
Figura 1.9. Prueba del diodo
Fuente: www.circuitstoday.com
Forward: Conecte el terminal positivo al ánodo y el negativo al cátodo como muestra la figura de
la izquierda.
Reverse: Conecte el terminal positivo al cátodo y el negativo al ánodo como muestra la figura de
la derecha.
El diodo está funcionando correctamente si la lectura es 1 o OL (Open) en reverse. La lectura

forward debe corresponder al voltaje de la unión PN, cuando se le aplica una corriente de 0.5mA.
El multímetro emitirá un pitido cuando el voltaje sea menor a 0.7V o mostrará el valor de ese
voltaje umbral. Si el diodo tiene un corto circuito, ambas lecturas (forward y reverse) serán 0V y
se emitirán muchos pitidos. Si el diodo tiene un circuito abierto, ambas lecturas serán OL (Open).
Repita el proceso con el segundo diodo. Busque las hojas de datos (data sheet) de los dos diodos
utilizados, identifique el voltaje máximo en forward, y compárelo con el voltaje forward medido.
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2. Construya la curva característica del diodo:
Implemente el circuito de la figura 1.10, utilice un diodo de propósito general.
Figura 1.10. Circuito rectificador de media onda
Varíe el voltaje de suministro desde 0.25V hasta 1V en intervalos de 0.25V, y continúe

incrementando en intervalos de 1V hasta llegar a 12V. Para cada voltaje de entrada, mida el voltaje
en el resistor. Para cada medida, calcule la corriente en el circuito (resistor) y el voltaje en el diodo.
Trace la curva característica del diodo y estime los valores de VT y RF. En el informe registre las
medidas y cálculos, e incluya las gráficas. Compare los resultados con los esperados. De acuerdo
al valor del voltaje umbral, ¿de qué semiconductor está hecho el diodo?
3. Trace la recta de carga y halle el punto de operación
Usando la curva característica del paso anterior, trace la recta de carga; para hacerlo, determine
los cortes en el eje x y eje y, una los dos puntos, e identifique el intersecto con la curva hallada,
este punto corresponde al de operación Q del diodo. Mida el voltaje y la corriente a través del
diodo, y compare con el procedimiento teórico. Compare los resultados medidos con los teóricos
y concluya.
4. Experimentación con diodos emisores de luz (LEDs):
Construya el circuito de la figura 1.11 utilizando cualquier LED policromático. El ánodo

corresponde al terminal más largo, y el cátodo, el terminal opuesto. ¿Qué sucede cuando el
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circuito con el LED esta polarizado en directo? Intercambie las polaridades de la fuente y observe
qué sucede con el LED. Regrese el diodo a la posición forward. Mida los voltajes en el LED y el
resistor. Repita cambiando los resistores con valores de 330Ω, 1KΩ, 10KΩ y 100 KΩ. En su informe
registre los valores de voltajes medidos para cada resistor y los cambios en la luz que emite el LED.
Explique los resultados.
Figura 1.11. Circuito serie com diodo emissor de luz: LED.
5. Rectificación de media onda:
Implemente en el protoboard el circuito de la figura 1.12. Utilice como señal de entrada una onda
sinodal de 6VRMS, 60 Hz, un diodo 1N4001 y un resistor de 10 𝐾Ω (0.5 w). Realice el mismo
procedimiento con una resistencia 10Ω (10W). Compare las mediciones y explique el “por qué” de
los resultados en el informe.
Figura 1.12. Circuito rectificador
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Utilice los dos canales del osciloscopio, observe los voltajes de entrada y salida, y el efecto de
rectificación. Mida con el osciloscopio el voltaje pico y la frecuencia de la señal rectificada a la
salida. Utilice el multímetro digital para medir el voltaje dc y rms en la salida del circuito. En el
informe, compare los resultados medidos con los calculados. Para lograr esto, tenga en cuenta las
ecuaciones para calcular voltaje medio o promedio, voltaje eficaz o rms y el factor de forma.
Discuta con sus compañeros de grupo los resultados.
Voltaje medio o promedio, también llamado de corriente continua:
𝑉 1 𝑇 1 𝑇 𝑉
𝑐𝑑= 𝜗 (𝜛𝑡)𝑑(𝜛𝑡)= 𝑉 sin 𝜛𝑡 𝑑(𝜛𝑡)=− 𝑚 {[− cos 𝜛𝑡]+𝑑(𝜛𝑡)}
𝑇 ∫0 𝑠 2𝜋 ∫0 𝑖𝑛 2𝜋
𝑉 𝑉 𝑉
𝑐𝑑= − 𝑚 (−1−1)= 𝑚 =0.318𝑉𝑚
2𝜋 𝜋
Voltaje eficaz o rms de la onda rectificada media onda:
1 𝑇 𝑣𝑚 2 1 1 𝑣𝑚 2 𝜋
𝑉𝑒𝑓 = √ ∫ 𝑣𝑚 2 (𝜔𝑡)𝑑(𝜔𝑡) = √ [ 𝜔𝑡 − sin 2𝜔𝑡] = √ [ ]
𝑇 0 2𝜋 2𝜋 4 2𝜋 2
𝑣𝑚
𝑉𝑒𝑓 = = 0.5𝑣𝑚
2
En resumen:
𝑣𝑝𝑖𝑐𝑜 𝑣𝑝𝑖𝑐𝑜
𝑉𝑑𝑐 = 𝑉𝑟𝑚𝑠 =
𝜋 2
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El factor de forma de la onda rectificada de media onda:
𝑣𝑒𝑓 0.5𝑉𝑚
𝑓. 𝑑𝑒𝑓 = = = 1.57
𝑉𝑐𝑑 0.318𝑉𝑚
ASPECTOS PARA EVALUAR EN EL INFORME
 Explique la ecuación que representa la relación corriente-voltaje en un diodo.

 Explique con un gráfico el comportamiento del voltaje vs el tiempo en la resistencia de carga.
 Deduzca las series de Fourier para una onda sinusoidal rectificada en media onda (investigarlo y
regístralo en el informe).
 Deduzca la fórmula del valor promedio de una onda sinusoidal rectificada en media onda.
 Deduzca la fórmula del valor rms de una onda sinusoidal rectificada media onda.
 Deduzca el factor de rizado tomando en cuenta los tres primeros armónicos.
Preguntas de repaso:
¿Cuál es el voltaje mínimo para el funcionamiento de un diodo?
¿Qué significa polarizar un elemento semiconductor?
¿Qué es un diodo semiconductor y cuáles son sus características más importantes?
¿Cuáles son las diferencias entre los diodos rectificadores y LEDs? ¿Para qué se usa cada uno de
estos diodos?
¿Cuál es la función de un circuito rectificador?
7. BIBLIOGRAFÍA
Malvino, A. (2007). Principios de Electrónica. Séptima Edición. McGraw-Hill
Boylestad, R.; Nashelsky, L. (2003). Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. Octava
Edición. Pearson Educación.
C. J. Savant Jr; Martin S., Roden; Gordon, L. (2000). Diseño Electrónico. Tercera Edición. Prentice-Hall.
Millman, J; Halkias, Christos C. (1978). Microelectrónica. Segunda Edición. Hispano Europea.
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PRACTICA # 1.2
RECTIFICACION DE ONDA COMPLETA CON DIODOS
1. INTRODUCCIÓN.
El nivel de cd obtenido a partir de una entrada senoidal se puede mejorar 100% mediante un proceso
llamado rectificación de onda completa. La red más conocida para realizar tal función es con cuatro
diodos en una configuración de puente.
2. OBJETIVOS.
Objetivo General
 Comprender y analizar circuitos rectificadores de onda completa
 Identificar y medir características de diodos rectificadores.

 Usar diodos semiconductores para la rectificación de onda completa mediante la estrategia de
puente y con TAB central.
3. MARCO TEÓRICO
Diodo Rectificador:
El primer paso para construir un rectificador (convertir una señal ac en dc) es hacer que la corriente
fluya en una sola dirección; el diodo se comporta como una válvula que permite el paso de corriente
en una sola dirección.
Rectificadores de onda completa: Como usted esperaría los rectificadores de onda completa también
eliminan la parte positiva o negativa de la señal pero en la salida se recupera la onda completa. Por
esta razón estos rectificadores son mucho más eficientes que los primeros. En este rectificador si el
voltaje en la entrada es igual al anterior: V𝑖𝑛 = V𝑚 sin(𝜔𝑡 + 𝜑), el voltaje en la salida está dado por
VP = Vm−2VT, donde VT es el voltaje de barrera del diodo. En el rectificador de onda completa los
voltajes rms y dc (promedio) están representados por Vdc = 2(Vm−VT)/π, y la frecuencia de salida es el
doble de la frecuencia de entrada (𝑓𝑜 = 2𝑓𝑖 ).
21
En la rectificación con puente rectificador, las polaridades resultantes a través de los diodos ideales
revelan que D2 y D3 están conduciendo, mientras que D1 y D4 están “apagados”. Como los diodos son
ideales, el voltaje de carga es 𝑉𝑜 = 𝑉𝑖 .
 Resistencias de 10KΩ (0.5W), 1KΩ (0.5W).

 4 diodos rectificadores (1N4004)
 Conjunto de conexión a la red eléctrica: clavija, transformador, cables e interruptor.
 1 Protoboard
 5 cables con caimanes
 1 multímetro digital
 1 osciloscopio
5. SIMULACIÓN
A continuación se construirán dos circuitos de rectificación de onda completa: con TAB central y
puente, posteriormente se simulará para hallar la forma de onda de salida.
En la figura 1.13 se muestra el esquemático del circuito rectificador de onda completa mediante TAB
central.
Figura 1.13 Rectificación onda completa con tap central
El objetivo de la simulación es hallar la forma de la señal de salida e identificar en esa señal sus
principales características.
22
Figura 1.14. Formas de onda entrada/salida del circuito de la figura 1.13.
En la figura 1.14, se muestra un circuito rectificador de onda completa con puente y utilizando
cuatro diodos de propósito general (1N4004).
Figura 1.14. Circuito rectificador de onda completa con puente de diodos.
En la figura 1.15, se muestra la forma de onda y magnitud de la señal de entrada con referencia en el
TAB central.
23
Figura 1.15. Onda medida en la entrada con la referencia en el TAB central.
En la figura 1.16, se muestra el esquemático del rectificador de onda completa con puente de diodos.
Figura 1.16. Circuito rectificador de onda completa con puente de diodos y medición de la salida con
referencia en el negativo del puente.
En la figura 1.17, se muestra la forma de onda y magnitud de la señal de salida con referencia en el
negativo del puente.
24
Figura 1.17. Onda medida en la salida con la referencia en el negativo del puente.
Para la realización de la práctica se deben seguir los siguientes pasos:
 Practique la rectificación de onda completa: inicialmente simule los circuitos 1.18 y 1.19; después
monte en el protoboard el rectificador de onda completa con puente de diodos (figura 1.18) y
posteriormente lo hace con el rectificador con TAB central (figura 1.19). Para ambos casos utilice
la misma señal de entrada que utilizó en la práctica anterior (rectificador de media onda), cuatro
diodos 1N4001 y un resistor de 1kΩ.
Figura 1.18. Rectificador de onda completa con puente.
25
Figura 1.19. Rectificación de onda completa con TAB central.
Utilice los dos canales de su osciloscopio, con las sondas del osciloscopio conecte y observe las señales
de entrada y salida del circuito. Mida el voltaje pico y frecuencia de la señal rectificada. En su informe,
compare ambas señales y discuta los resultados. Compare estos resultados con los simulados. Utilice
el multímetro digital para medir el voltaje dc en la salida del circuito.
 Calcule teóricamente los voltajes promedio, eficaz, factores de forma y rizado de las formas de
onda rectificadas onda completa. A continuación encontrará las ecuaciones que le permitirá
hallarlas.
Voltaje medio o promedio, también llamado de corriente continua:
𝑉 1 𝑇 𝑉 𝑉 2𝑉
𝑐𝑑= 𝜗 sin(𝜛𝑡)𝑑(𝜛𝑡)= − 𝑚 [cos 𝜔𝑡]=− 𝑚 (−1−1)= 𝑚
𝑇 ∫0 𝑚 𝜋 𝜋 𝜋
𝑉𝑐𝑑= 0.636𝑉𝑚
Voltaje eficaz o rms de la forma de onda está dado por:
1 𝜋 𝑣𝑚 2 1 1 𝑣𝑚 2 1 1
𝑉𝑒𝑓 = √ ∫ 𝑣𝑚 2 𝑠𝑖𝑛2 𝑑(𝜔𝑡) = √ [ 𝜔𝑡 − 𝑠𝑖𝑛2 𝜔𝑡] = √ [ 𝜋 − 0]
𝜋 0 𝜋 2𝜋 4 𝜋 2 2
𝑉𝑚
𝑉𝑒𝑓 = = 0.707𝑉𝑚
√2
26
En resumen:
2 ∗ 𝑉𝑝𝑖𝑐𝑜 𝑉𝑝𝑖𝑐𝑜
𝑉𝑑𝑐 = 𝑉𝑟𝑚𝑠 =
𝜋 √2
El factor de forma está dado por:
0.707𝑉𝑚
𝑓. 𝑑𝑒𝑓 = = 1.1
0.636𝑉𝑚
Factor de rizado:
𝑟 = √(𝑓. 𝑑𝑒𝑓)2 − 1 = √(1.11)2 − 1 = 0.48
𝑟 = 48%
 Compare los resultados de voltajes promedio y eficaz de una onda senoidal rectificada
completamente, obtenida mediante: cálculos matemáticos, procedimiento de simulación y obtenidos
en la práctica de laboratorio.
 Deduzca el factor de rizado de una onda rectificada onda completa, teniendo en cuenta sólo dos
armónicos.
 Compare el factor de rizado de una onda sinusoidal rectificada en media onda contra el factor de
rizado de una onda sinusoidal rectificada en onda completa.
 Anexar al pre-informe los PDFs con las características de los diodos rectificadores. Estos los pueden
descargar de internet e imprimirlos.
 ¿Cuál es la función de un circuito rectificador?

 Consulte y explique mediante el funcionamiento en un circuito la aplicación de diodos como
dobladores, triplicadores, etc. de voltaje
 Cambie la resistencia de carga por una de 10Ω, 10W. Explique porque se presenta una caída de tensión
y una deformación en los picos de la onda rectificada
27
7. BIBLIOGRAFÍA
Malvino, A. (2007). Principios de Electrónica. Septima Edición. McGraw-Hill
Edición. Pearson Educación
28
PRACTICA # 1.3
OTRAS APLICACIONES CON DIODOS
1. INTRODUCCIÓN
Los recortadores son redes que emplean diodos para “recortar” una parte de una señal de entrada sin
distorsionar la parte restante de la forma de onda aplicada. El rectificador de media onda es un ejemplo
de la forma más sencilla de un recortador de diodo: un resistor y un diodo. Dependiendo de la orientación
del diodo, se “recorta” la región positiva o negativa de la señal aplicada. Existen dos categorías generales
de recortadores: en serie y en paralelo. La configuración en serie es aquella donde el diodo está en serie
con la carga, en tanto que la configuración en paralelo tiene el diodo en una rama paralela a la carga.
2. OBJETIVOS
OBJETIVO GENERAL
 Comprender y analizar sujetadores, recortadores y limitadores
OBJETIVOS ESPECÍFICOS
 Identificar y medir los diferentes tipos de ondas.

 Diseñar los circuitos con diodos sujetadores, recortadores y limitadores.
3. MARCO TEÓRICO
Recortadores: los circuitos recortadores son utilizados para eliminar una parte de algún tipo de onda de
acuerdo a un nivel de referencia que se encuentre por encima o por debajo de la onda. Los recortadores
requieren por lo menos dos elementos (diodo y resistor). También los hay con una o más fuentes de
voltaje. Los recortadores son circuitos capaces de disminuir el semiciclo positivo o el semiciclo negativo
de una señal eléctrica cualquiera.
Tipos de recortadores:
Se clasifican en circuitos: serie simple, serie polarizada, paralelo simple y paralelo polarizado (figura
1.20).
29
Figura 1.20. Tipos de recortadores
Sujetadores:
Estos circuitos tienen como finalidad sujetar o fijar un voltaje a una referencia dada. Están integrados por
un capacitor, un resistor y un diodo y pueden poseer fuentes de voltaje de polarización.
El resistor y el capacitor (el cual se coloca tal y como se muestra a continuación, ya que la placa positiva
va conectada al generador de señales, cuyo punto es más positivo que la placa derecha, que es negativa)
se fijan de tal manera que 𝜏 = 𝑅𝐶 (constante de tiempo) sea lo suficientemente grande para garantizar
que el voltaje del capacitor no cambie significativamente durante el intervalo determinado por la señal
de entrada.
Dada una señal de entrada, como se muestra en la figura 1.21.
Figura 1.21. Señal de entrada
30
El circuito sujetador de la figura 1.22a, trasforma la señal de entrada en la forma de onda 1.22b.
Figura 1.22. a) Circuito sujetador, b) Onda obtenida del circuito sujetador
En el semiciclo positivo el diodo se p.d. y conduce. Al hacerlo, tendrá una resistencia pequeña y no habrá
mayor caída de potencial a través de él, de modo que el voltaje de salida será prácticamente cero voltios.
Por otra parte, el capacitor se carga a +5 V: C = +5V y Vo = 0V.
Ahora, si se toma de derecha a izquierda (capacitor) y de arriba a abajo, (-), (+) de entrada, tendremos +5
V almacenados en el capacitor, +5 V de Vin, lo que nos da - 10 V, que aparecen en la salida. Por esto,
dichos circuitos no recortan prácticamente nada de voltaje; lo único que hacen es fijar el voltaje de
entrada con una referencia diferente de la original.
La resistencia R, usada en todos los sujetadores (figura 1.22a), está dada por la media geométrica:
𝑅 = √𝑟𝑟 𝑟𝑓 .
Donde:
𝑟𝑓 : resistencia directa = 100Ω
𝑟𝑟 : resistencia inversa = 15MΩ
Circuito multiplicador de tensión:
A veces hay cargas que necesitan una tensión muy alta y que absorben una corriente pequeña. Entonces
hay que elevar la tensión de la red. Primero se pone un transformador elevador con todos los diodos y
condensadores que necesite.
El mayor problema es que el transformador elevador sería muy voluminoso porque necesitaría muchas
espiras, además el campo eléctrico sería grande, mucha tensión en el C, etc. Por eso no se usa un
transformador elevador, sino que se utiliza un multiplicador de tensión.
Un multiplicador de tensión es un circuito eléctrico que convierte tensión desde una fuente de corriente
alterna a otra de corriente continua de mayor voltaje mediante etapas de diodos y condensadores.
31
Este tipo de circuito aprovecha el principio de carga de capacitores en paralelo, a partir de la entrada de
Corriente Alterna y añadiendo voltaje a través de ellos en serie se obtiene voltajes de CD más alto que el
voltaje de la fuente. Circuitos individuales de multiplicadores de Voltaje (a menudo llamados etapas) se
pueden conectar en serie para obtener aún más altos voltajes de salida.
Este circuito se utiliza para la generación del alto voltaje requerido en los tubos de rayos catódicos, tubos
de rayos X, para alimentar fotomultiplicadores para detectores de rayos gamma. También se utiliza para
la generación de altos voltajes para experimentos de física de alta energía.
 Resistencias de distintos valores normalizados al 10% de precisión en potencias de ¼ W y ½ W.

 Diodos rectificadores (14N007)
 Fuente de voltaje y corriente
 Generador de Señales
 Osciloscopio
 Multímetro digital
 Cables de multímetro, de generador de señales, de fuente; sondas para el osciloscopio.
5. SIMULACION
Obtenga las formas de onda de salida de los circuitos de las figuras 1.23 a 1.26, e identifique el tipo de
circuito. Se recomienda utilizar diodos fast recovery 1N4148 dada la frecuencia de operación.
Figura 1.23. Primer circuito a simular.
Figura 1.24. Segundo circuito a simular.
32
Figura 1.25. Tercer circuito a simular.
Figura 1.26. Cuarto circuito a simular.
En las figuras 1.27 a 1.30 se muestran las formas de onda de salida y se da el nombre del tipo de circuito
simulado:
Figura 1.27. Onda de salida del primer circuito que es recortador de señal.
Figura 1.28. Onda de salida del segundo circuito que es limitador de señal.
33
Figura 1.29. Onda de salida del tercer circuito que es sujetador de señal.
Figura 1.30. Onda de salida del cuarto circuito que es sujetador de señal.
34
Diseñe y dé el nombre del tipo de circuito (recortador, sujetador o limitador) que permitan obtener las
señales de salida mostradas en las figuras 1.31 a 1.33; simule y monte en el protoboard los mismos
circuitos.
35
Figura 1.31. Señal de salida obtenida del diseño 1.
Para comprobar los resultados de sus diseños compare las formas de onda obtenida en el osciloscopio y
simuladas con las figuras proporcionadas en esta guía (figuras 1.31 a 1.33).
Diseños y nombres de los tres circuitos que permitan obtener las señales de salida mostradas en las figuras
1.31 a 1.33.
Comparación de los resultados de simulación y prácticos, es decir, semejanzas y diferencias de las dos
formas de onda obtenidas para los tres circuitos diseñados.
7. BIBLIOGRAFÍA
Boylestad R. L. and L. Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory 10/e, Cap. 15. (2009).

36
PRACTICA # 1.4
FILTRADO DE UNA SEÑAL RECTIFICADA Y REGULACION DE LA SEÑAL FILTRADA
1. INTRODUCCIÓN
La mayor parte de los dispositivos electrónicos requieren de voltajes continuos para operar. Las
baterías son una opción útil, pero tienen un tiempo de operación limitado. Otra opción es construir
una fuente de alimentación DC, utilizando la energía que procede de la red eléctrica (120 VRMS). Esta
tensión puede ser manipulada fácilmente usando un transformador y circuitos rectificadores, los que
sumados a un dispositivo regulador proporcionan diferentes valores de tensión DC.
2. OBJETIVOS
OBJETIVO GENERAL
Conocer y comprobar el comportamiento electrónico de un diodo ZENER como regulador de voltaje.
 Evaluar los tipos de rizados, de ondas de entrada rectificadas, generados por filtros con
capacitancias de distinto valor.
 Comprender la curva voltaje-corriente de un diodo ZENER y apropiar los conceptos de IZmin e IZmáx
del diodo ZENER.
 Usar un diodo ZENER para alimentar una carga a voltaje constante (casi constante) a pesar de que
la carga sea variable.
 Comprobar mediante simulación, y en la práctica, el comportamiento de los circuitos de filtrado y
regulación.
3. MARCO TEÓRICO
Rizado:
El rizado, algunas veces llamado fluctuación o ripple (del inglés), es el pequeño componente
de alterna que queda tras rectificarse una señal a corriente continua. El rizado puede reducirse
notablemente mediante un filtro de condensador, este proceso es llamado a veces "filtrar", y debe
entenderse como la reducción a un valor mucho más pequeño de la componente alterna remanente
tras la rectificación, pues, de no ser así, la señal resultante incluye un zumbido a 60 o 50 Hz muy
molesto, por ejemplo, en los equipos de audio.
37
𝐼𝐿
𝑉𝑟 =
𝑓𝐶
(𝑣𝑟 )𝑃𝑃 es el voltaje de rizado de pico a pico. Recordar que (𝑣𝑟 )𝑃𝑃 = 2√2(𝑣𝑟 )𝑒𝑓 .
 𝐼𝐿 es la corriente continua que demanda la carga.

 𝑓 es la frecuencia del rizado. Esta frecuencia es igual a 𝑓𝑟𝑒𝑑 en un rectificador de media onda e
igual a 2𝑓𝑟𝑒𝑑 en un rectificador de onda completa.
 𝐶 es la capacidad del condensador.
El factor de rizado es un indicador de la efectividad del filtro y se define como:

𝑣𝑟
𝑟 = 100
𝑉𝑐𝑑
Vr es el voltaje de rizado eficaz (rms, valor medio cuadrático) y Vcd es el valor de CD (corriente
continua promedio) del voltaje de salida del filtro. Cuanto menor sea el factor de rizado, mejor será el
filtro. El factor de rizado puede reducirse incrementando el valor del condensador del filtro.
La figura 1.34 muestra el rizo de salida de un filtro que recibió a la entrada una señal rectificada
𝑉𝑆 (𝑟𝑒𝑐𝑡𝑖𝑓𝑖𝑐𝑎𝑑𝑜) :
𝑉𝑆 (𝑟𝑒𝑐𝑡𝑖𝑓𝑖𝑐𝑎𝑑𝑜) = 𝑉𝑝 (𝑠𝑒𝑐𝑢𝑛𝑑𝑎𝑟𝑖𝑜) − 2𝑉𝐷
Dónde 𝑉𝐷 es el voltaje de conducción de un diodo.
Figura 1.34. Señal de rizo
𝑉𝑆 (𝑟𝑒𝑐𝑡𝑖𝑓𝑖𝑐𝑎𝑑𝑜) = 𝑉𝑝 (𝑠𝑒𝑐𝑢𝑛𝑑𝑎𝑟𝑖𝑜) − 2𝑉𝐷
38
El voltaje de rizo oscila entre un 𝑉𝑆𝑚𝑎𝑥 y 𝑉𝑆𝑚𝑖𝑛
Regulación:
Los reguladores permiten mantener el voltaje de la salida fijo independiente de las variaciones de
carga u ondulación de la entrada (ripple). Las características se especifican a través del porcentaje de
regulación. Los reguladores pueden ser tipo serie o paralelo, con o sin realimentación. Los reguladores
de voltaje pueden ser implementados usando componentes discretos e integrados. Los elementos
más importantes del regulador serán la referencia, basada en un zener, usada para fijar la salida y el
transistor regulador que permitirá proveer la corriente.
Una fuente regulada está conformada por una entrada AC, un rectificador, un filtro y un regulador.
La misión del rectificador es distorsionar la sinusoide de entrada para que su salida tenga una
componente de continua. Mediante el filtro se rechazan en gran medida los armónicos de la salida del
rectificador, pero por lo general, una vez filtrada la señal, suele permanecer una componente que se
conoce como rizado o ripple.
El regulador debe eliminar el ripple y, por otro lado, debe poseer una impedancia de salida adecuada,
con el fin de que la tensión regulada a la salida se mantenga independiente de la carga, siempre que
ésta varíe entre los límites exigidos del diseño. En otras palabras, a la salida de la fuente de
alimentación no estabilizada, se aplica a un dispositivo de control que regula la tensión para dar una
salida de régimen continuo.
La efectividad de los reguladores se mide mediante dos parámetros: la regulación de línea y la

regulación de carga.
Regulación de línea: indica cuan efectivo es el regulador para cambios en el voltaje de entrada. Se
calcula de la siguiente forma:
𝛥𝑣0
𝑅𝑒𝑔𝑢𝑙𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑖𝑛𝑒𝑎 = × 100
𝛥𝑣𝑖
𝑉0 es el voltaje nominal del suministro de potencia.
𝛥𝑣𝑖 y 𝛥𝑣0 son el cambio en el voltaje en la entrada y el cambio correspondiente en el voltaje de salida.
Regulación de carga: indica cuan efectivo es el regulador para cambios en la resistencia de carga (y
corriente en la carga). La manera más común de expresar la regulación de carga es como sigue:
𝑣𝑁𝐿 − 𝑣𝐹𝐿
𝑅𝑒𝑔𝑢𝑙𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = × 100
𝑣𝐹𝐿
39
𝑣𝑁𝐿 es el voltaje de salida del regulador sin carga (o con la resistencia de carga más alta) y 𝑣𝐹𝐿 es el
voltaje de salida del regulador con carga máxima (es decir, con la resistencia de carga menor para la
cual haya sido diseñado).
Los reguladores pueden ser tipo serie (el dispositivo de control se conecta en serie con la carga y para
regular la salida en todos los casos debe absorber parte de la tensión de alimentación) o paralelo
(regulador en derivación o shunt, el dispositivo de control está en paralelo con la carga y para efectuar
la regulación, debe dejar pasar corriente en todos los casos). Cuando la corriente a través del
dispositivo de control cae a cero, la acción de regulación cesa. La regulación de voltaje con diodo zener
hace parte de la segunda tipología.
Requerimientos de un regulador:
 Mantener la tensión de salida constante independiente de las fluctuaciones de la entrada y la

temperatura.
 Mantener la tensión constante de salida, a las exigencias de corriente de carga.
 El voltaje de salida no debe contener componentes alternos (ripple=0).
 La fuente debe poseer un sistema para limitar la corriente de salida (protección).
Operación en la región de ruptura en inversa: diodo zener
La curva pronunciada i-v que el diodo exhibe en la región de ruptura, y la caída de voltaje casi
constante que indica la misma curva de la figura 1.35, sugiere que los diodos que operan en la región
de ruptura se pueden usar en el diseño de reguladores de voltaje: ésta resulta ser una aplicación
importante de los diodos.
Figura 1.35. Curva característica i-v de un diodo con la región de ruptura
40
En la figura anterior se muestra que al cambio de corriente 𝛥𝐼, le corresponde un voltaje de zener
que cambia en ΔV, que se relaciona en la siguiente ecuación:
𝛥𝑣 = 𝛥𝐼𝑟𝑧
Donde 𝑟𝑧 , es la resistencia dinámica o incremental del zener y su valor se especifica en las hojas de
datos del dispositivo. Típicamente, su valor oscila entre unos pocos ohms a varias decenas de ohms.
Cuanto menor sea el valor de 𝑟𝑧 , más constante permanece el voltaje del zener a medida que varía
su corriente, y de este modo su operación se aproxima más a su comportamiento ideal.
Se fabrican diodos especiales para operar en la región de ruptura, estos reciben el nombre de diodos
de ruptura o, más comúnmente, diodos zener. La figura 1.36 muestra la representación y el modelo
del diodo zener.
Figura 1.36. Modelo diodo zener
𝑉𝑍 = 𝑉𝑍0 + 𝑟𝑧 𝐼𝑍
En aplicaciones normales, la corriente de zener circula en el cátodo y ésta es positiva con respecto al
ánodo; en consecuencia 𝐼𝑍 y 𝑉𝑍 tienen valores positivos.
 Transformador
 Puente de diodos
 Condensadores de 100,220, 470, 1000, 2200, 3300 y 4700 microfaradios a 25 voltios.
 Resistencias de distintos valores normalizados al 10% de precisión en potencias de ¼ W y ½
W.
 Una resistencia de 10 Ω, 10W.
 Diodos rectificadores (1N4004)
 Diodos zener: 2 de 3,3V y 2 de 5,1V, a 1W.
41
5. SIMULACIÓN
La figura 1.37, muestra el esquemático de un circuito rectificador de onda completa más filtro de
rizado de la onda continua.
Figura 1.37. Circuito rectificador de onda completa con puente de diodos y Filtrado de la señal con
condensador.
La figura 1.38, muestra la onda filtrada.
Figura 1.38. Forma de onda de salida con condensador de filtrado.
La figura 1.39, muestra distintas ondas filtradas, que dependen del valor del condensador utilizado
como filtro.
42
Figura 39. Formas de onda de salida con barrido de valores de condensador desde 1μF hasta 200μF con
pasos de 4μF.
Para el circuito de la figura 1.40, obtener la señal de salida sobre la carga.
Figura 1.40. Circuito de la práctica
1) Determine el valor del capacitor del filtro 𝐶1 para un rizado inferior al 5% teniendo en cuenta que
𝑇
la corriente máxima de carga debe ser de 𝐼𝐿 = 1𝐴 teniendo en cuenta que 𝐶1 = 𝐼𝐿 ( /𝑉𝑟 ), donde
2
𝑉𝑟 es de 95% del voltaje pico de la onda rectificada.
2) Determine la corriente pico máxima de los diodos rectificadores teniendo en cuenta que 𝐼𝑃 =
𝑇 1
𝐼𝐿 ( ), donde ∆𝑇 = ( )(√(2𝑉𝑟 /𝑉𝑃 )), para una frecuencia F=60Hz.
∆𝑇 2𝜋𝑓
43
Como se muestra en la figura 1.41, al circuito con puente rectificador y capacitor, que entrega a la
carga un voltaje con rizo, se le agrega un circuito regulador con zener.
Figura 1.41. Comparación voltaje de salida con y sin zener
El circuito general que se implementará se muestra en la figura 1.42.
Figura 1.42. Esquemático de rectificación con Zener
3) Para determinar el valor de R3, se hace mediante la siguiente ecuación:
𝑅3 = (𝑉𝑆 − 𝑉𝑍 )/𝐼𝑅3
IR3=Iz+IL
𝑉𝑆 𝑚𝑖𝑛 − 𝑉𝑍 𝑉𝑆 𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑍
𝑅𝑖 = =
𝑉𝐿 𝑚𝑎𝑥 + 𝐼𝑍 𝑚𝑖𝑛 𝐼𝐿 𝑚𝑖𝑛 + 𝐼𝑍 𝑚𝑎𝑥
44
Donde IZmin es la corriente de zener mínima; ésta se presenta cuando Vs es mínima e IL es máxima. IZmax
circula por el diodo zener, cuando la corriente de carga es mínima y el voltaje Vs es máximo.
Se asume el siguiente criterio:
𝐼𝑍 𝑚𝑖𝑛 = 0.1𝐼𝑍 𝑚𝑎𝑥

Es razonable suponer que en la práctica se conoce el intervalo del voltaje de entrada: Vsmax y Vsmin;
el intervalo de las corrientes de carga: ILmax e ILmin y el voltaje del zener. Con las dos ecuaciones
anteriores se plantea y se remplaza:
(𝑉𝑆 𝑚𝑖𝑛 − 𝑉𝑍 )(𝐼𝐿 𝑚𝑖𝑛 + 𝐼𝑍 𝑚𝑎𝑥 ) = (𝑉𝑆 𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑍 )(𝐼𝐿 𝑚𝑎𝑥 + 𝐼𝑍 min )
𝐼𝐿 𝑚𝑖𝑛 (𝑉𝑍 − 𝑉𝑆 𝑚𝑖𝑛 ) + 𝐼𝐿 𝑚𝑎𝑥 (𝑉𝑆 𝑚𝑎𝑥 + 𝑉𝑍 )

𝐼𝑍 𝑚𝑎𝑥 =
𝑉𝑆 𝑚𝑖𝑛 + 0.9𝑉𝑍 − 0.1𝑉𝑆 𝑚𝑎𝑥
Después se resuelve con respecto a la corriente del zener máxima, el valor de R3
Otra forma de calcularse es mediante la ecuación:

𝑉𝑆 𝑚𝑖𝑛 − 𝑉𝑍0 − 𝑟2 𝐼𝑍 𝑚𝑖𝑛
𝑅=
𝐼𝑍 𝑚𝑖𝑛 + 𝐼𝐿 𝑚𝑎𝑥
4) La potencia que disipa el zener es un dato conocido, así como su voltaje de inversa. Calcule
entonces la corriente máxima que puede circular por el zener mediante la fórmula de la potencia.
𝐼𝑍 = 𝑃𝐷 /𝑉𝑍
Considere que el puente de diodos entrega un voltaje de directa o VE. A su vez, el voltaje del zener (VZ)
ya se conoce. Calcule entonces la caída de tensión en la resistencia.
𝑉𝑅 = 𝑉𝐸 − 𝑉𝑍
Ya se conoce la corriente que debe circular por la resistencia, así como la caída de tensión en la misma.
Calcule entonces el valor de la resistencia mediante la ley de Ohm.
𝑅 = 𝑉𝑅 /𝐼𝑍
5) Si se desea hallar las regulaciones de línea y de carga cuando se cuenta con un regulador de voltaje
con diodo zener, se pueden encontrar con las siguientes ecuaciones:
𝑟𝑧
𝑅𝑒𝑔𝑢𝑙𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑖𝑛𝑒𝑎 =
𝑅 + 𝑟𝑧
45
𝑅𝑒𝑔𝑢𝑙𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = −(𝑟𝑧 //𝑅)
La rz es la resistencia dinámica del zener, y su valor se especifica en las hojas de datos del diodo.
Generalmente rz <<R, y la regulación de carga está determinada por el valor de rz. Si se selecciona un
zener con una menor resistencia incremental se reduce tanto la regulación de carga, como la de línea.
Nota: El circuito regulador con resistencia y diodo es la forma más básica e ineficiente de regulación de
voltaje. El diodo zener, al avanzar el tiempo disipa una gran cantidad de energía y que no será
transmitida al circuito que se polarice con esta fuente.
 Deducción de las fórmulas para cálculo de la resistencia de protección del ZENER (resistencia que
permite el paso de la corriente de carga, pero protege el diodo ZENER de no exceder su 𝐼𝑍 𝑚𝑎𝑥 y nunca
deja que 𝐼𝑍 𝑚𝑖𝑛 sea menor que la especificada por los datos del fabricante del ZENER)
 Deducción de las fórmulas para el cálculo de la potencia de la resistencia de protección del diodo
ZENER
 Deducción de las fórmulas para el cálculo de la potencia del diodo ZENER
 Los estudiantes deben anexar al pre-informe los pdf’s con las características de los diodos
rectificadores y el diodo ZENER usado. Estos los pueden descargar de internet e imprimirlos.
Cuestionario previo:
¿Cuál es la potencia máxima que disipa el diodo zener (PD)?
¿Cuál es el voltaje de ruptura del zener (o simplemente el voltaje de zener)?
Considerando el puente de diodos con capacitor que implementó en la práctica pasada ¿Cuánto fue
el voltaje que midió en los extremos de la resistencia?
7. BIBLIOGRAFÍA
Boylestad R. L. and L. Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory 10/e, Cap. 15. (2009).
Hermosa Donate, "Principios de Electricidad y Electrónica II", Capítulo 7: Rectificación de la corriente

alterna, (1999).
N. B. Tufillaro, R. Ramshankar, and J. P. Gollub, Order-disorder transition in capillary ripples, Physical

Review Letters 62(4), 422 (1989).
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema4/Paginas/Pagina7.htm
46
PRACTICA # 1.5
IDENTIFICACION DE BJT, CONCEPTO DE PUNTO DE TRABAJO, RECTAS DE CARGA
1. INTRODUCCIÓN
Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar y si éste es
NPN o PNP, sin embargo, se recomienda que siempre se consulten las hojas de especificaciones que
proporciona el fabricante y que nos indican como están ubicadas las terminales de emisor, colector y base.
La estabilidad de funcionamiento de los circuitos con transistores es un aspecto fundamental en el diseño

de los mismos. El diseñador no sólo ha de asegurar que el circuito funciona, sino que lo hace dentro de
los límites máximos y mínimos indicados por las especificaciones del mismo. Además, ha de prever
posibles eventualidades al funcionamiento que puedan hacer que el circuito deje de funcionar.
2. OBJETIVOS
OBJETIVO GENERAL
Identificar al transistor bipolar y comprender los conceptos de punto de trabajo y rectas de carga.
OBJETIVOS ESPECÍFICOS:
 Reconocer físicamente un transistor bipolar (identificar sus terminales)

 Diferenciar los transistores NPN y PNP
 Diseñar el punto de trabajo y construir las rectas de carga de un transistor BJT en configuración emisor
común.
 Comprender el proceso de análisis y diseño de una polarización para BJT.
3. MARCO TEÓRICO
BJT: El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal de uno de los
terminales controla las otras dos. Los transistores se utilizan para amplificación, regulación de potencia y
como interruptores. Los transistores han sido uno de los componentes claves en la electrónica moderna
gracias a su confiabilidad y bajo costo. Miles de transistores son utilizados en circuitos integrados que
componen la mayoría de los equipos digitales y electrónicos hoy día. Reemplazaron los tubos de vacío en
el siglo XX por su pequeño tamaño y bajo costo, habilidad para controlar corrientes altas, alta eficiencia,
largo periodo de vida, baja disipación de potencia entre otras características.
47
Figura 1.43. Transistor BJT con terminales y terminales BJT visto desde arriba.
Tipos de transistores: existen varios tipos de transistores dependiendo de sus materiales y
configuración interna. Los más comunes son los transistores de unión bipolar (bipolar junction) o
BJT y los transistores de efecto de campo (field effect) o FET. Los BJT son usados para amplificar
y switching su nombre es derivado de su funcionamiento interno que utiliza el movimiento de
electrones y huecos. El transistor de unión bipolar (BJT) está formado por la unión de dos
semiconductores tipo n y uno tipo p, o dos tipos p y uno tipo n. Se conoce como transistor bipolar
ya que la corriente es producida tanto por electrones como por huecos. La figura 1.44a, muestra
la construcción de un BJT tipo NPN (dos semiconductores tipo n separados por un semiconductor
tipo p) y su correspondiente símbolo esquemático. Los terminales del transistor se identifican
como Colector (C), Emisor (E) y Base (B). La figura 1.44b, muestra un BJT tipo PNP.
Figura 1.44. a) BJT en configuración NPN, b) BJT en configuración PNP.
Los NPN tiene dos capas de material tipo N y una de tipo P entre medio. Estos BJT son los más
comúnmente utilizados, ya que el movimiento de los electrones es mucho más rápido que el movimiento
de huecos y esto permite controlar mayores valores de corriente y producen mayor rapidez de operación.
Los PNP tienen dos capas de material tipo P y un tipo N entre medio. Estos BJT funcionan con el
movimiento de huecos. Los últimos BJT están compuestos por materiales semiconductores distintos al
material N y P. son utilizadas por su habilidad de controlar frecuencias bien altas varios cientos de GHz.
48
Regiones de operación:
Los transistores bipolares contienen cuatro regiones principales de operación, parecido a los diodos. En
cada región, la corriente es controlada de forma distinta y las uniones o “diodos” internos están en un
modo distinto.
• Forward active o activa: unión E-B en polarización directa, unión B-C en polarización inversa, corriente
del C-E es proporcional a la corriente de la base, para variaciones pequeñas de corriente de base la
proporción es grande.
• Reverse active o inversa: unión E-B en polarización directa, unión B-C en polarización inversa, relación
de corriente es inversa al modo activo.
• Saturation o saturación: ambas uniones en polarización inversa, BJT funciona como un switch abierto
dejando pasar toda la corriente por ella.
• Cutoff o corte: ambas uniones en polarización inversa, BJT funciona como un switch cerrado bloqueando
toda corriente por ella.
Concepto de punto de trabajo:
El transistor BJT que opera en la región lineal tiene unas características eléctricas lineales que son utilizadas
para amplificación. En estos circuitos, las señales de entrada son amplificadas a la salida y, por
consiguiente, hay un aporte de energía realizado a través de fuentes de tensión externas denominadas
fuentes de alimentación o fuentes de polarización. Las fuentes de alimentación cubren dos objetivos:
proporcionar las corrientes y tensiones en continuas necesarias para que el transistor opere en la región
lineal y suministrar energía al transistor de la que parte de ella va a ser convertida en potencia
(amplificación). Los valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un transistor se
denomina punto de trabajo y se suele expresar por la letra Q (Quiescent operating point).
Rectas de carga:
Los diseños de amplificadores de pequeña señal con transistores se hacen ubicando el punto 𝑄 de
funcionamiento en el centro de la recta de carga 𝐷𝐶 cuando no se da una carga 𝑅𝐿, sino que la carga es
𝑅𝐶 𝑜 𝑅𝐸.
Cuando se da 𝑅𝐿 se debe trazar una recta de carga en 𝐴𝐶 y en el centro de ella se debe ubicar el punto 𝑄,
denominado 𝑄𝐴𝐶. Es decir que ahora se consideran dos rectas de carga, la recta de carga 𝐷𝐶 o estática y
la recta de carga AC o dinámica.
Para AC se plantea la malla de salida: 𝑣𝑐𝑒 + 𝑖𝑐 𝑅𝑎𝑐 = 0
De donde
𝑣𝑐𝑒
𝑖𝑐 = −
𝑅𝑎𝑐
Teniendo en cuenta que
𝑖𝑐 = 𝑖𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 y que 𝑣𝑐𝑒 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑄

49
Reemplazando:
(𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑄 )
𝑖𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 = −
𝑅𝑎𝑐
𝑉𝐶𝐸𝑄 𝑉𝐶𝐸
𝑖𝐶 = 𝐼𝐶𝑄 + −
𝑅𝑎𝑐 𝑅𝑎𝑐
La ecuación anterior define la ecuación para la recta de carga en AC, así:
Para transistor la saturación por causa de la señal, 𝑉CE=0
𝑖𝑐𝑠=𝐼𝐶𝑄+𝑉𝐶𝐸𝑄/𝑅𝑎𝑐
Para transistor en corte por causa de la señal, 𝑖𝑐=0
𝑉𝐶𝐸𝐶=𝑅𝑎𝑐𝐼𝐶𝑄+𝑉𝐶𝐸𝑄
La figura 1.45 muestra las rectas de carga 𝐴𝐶 y 𝐷𝐶
Figura 1.45. Rectas de carga AC y DC
50
Cómo se obtiene la recta en DC?
Para saturación:
𝑉𝐶𝐸=0
𝐼𝐶𝑆=𝑉𝑐𝑐/(𝑅𝐶+𝑅𝐸)
Para corte:
𝐼𝐶 = 0
𝑉𝐶𝐸𝐶 = 𝑉𝐶𝐶
En adelante, la resistencia vista en la salida cuando se hace análisis DC se escribirá como:
𝑅𝐷𝐶 = 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
Algunas observaciones de la figura 1.45 son:
1. La recta de carga AC es de mayor pendiente que la recta de carga DC.
2. Implica que 𝑖𝑐𝑠 ≥ 𝐼𝐶𝑆 y 𝑉𝐶𝐸𝐶 ≥ 𝑉𝐶𝐸𝐶
3. Las igualdades se dan cuando 𝑅𝐿 → ∞ y 𝑅𝐷𝐶 = 𝑅𝑎𝑐
4. El corte de las dos rectas de carga es el punto de funcionamiento 𝑄.
La máxima señal en voltaje que se obtiene a la salida se obtiene del siguiente análisis:
𝑣𝑜𝑝=𝑣𝐶𝐸𝐶−𝑣𝐶𝐸𝑄
Como: 𝑉𝐶𝐸𝐶=𝑅𝑎𝑐𝐼𝐶𝑄+𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑉𝑜𝑝 = 𝑅𝑎𝑐 𝐼𝐶𝑄 + 𝑉𝐶𝐸𝑄 − 𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑉𝑜𝑝 = 𝑅𝑎𝑐 𝐼𝐶𝑄
51
El máximo voltaje pico-pico sin distorsión es:
𝑉𝑜𝑝𝑝 = 2𝑅𝑎𝑐 𝐼𝐶𝑄
Este voltaje también se puede expresar como:
𝑉𝑜𝑝𝑝 = 2𝑉𝐶𝐸𝑄
De las ecuaciones 𝑉𝑜𝑝𝑝 = 2𝑅𝑎𝑐 𝐼𝐶𝑄 y 𝑉𝑜𝑝𝑝 = 2𝑉𝐶𝐸𝑄 , se tomara la de menor valor.
Para el circuito emisor común con bypass, 𝑅𝑎𝑐 = 𝑍𝐿
Pero si el circuito amplificador EC no tiene bypass, 𝑅𝑎𝑐 será:
𝑅𝑎𝑐 = 𝑍𝐿 + 𝑅𝐸
Para el diseño, el punto 𝑄 que se ubica en el centro de la recta de carga 𝐴𝐶 por lo que se cumple
que:
𝑖𝑐𝑠 = 2𝐼𝐶𝑄
Como 𝑖𝑐𝑠=𝐼𝐶𝑄+𝑉𝐶𝐸𝑄/𝑅𝑎𝑐
𝑉𝐶𝐸𝑄
Entonces: 2𝐼𝐶𝑄 = 𝐼𝐶𝑄 + 𝑅𝑎𝑐
𝑉𝐶𝐸𝑄
Reemplazando 𝐼𝐶𝑄 = 𝑅𝑎𝑐
en la ecuación que define la malla de salida en DC:
52
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝑅𝐷𝐶 𝐼𝐶𝑄
𝑅𝐷𝐶
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝑉𝐶𝐸𝑄 ∗
𝑅𝑎𝑐
𝑉 ∗𝑅
De donde: 𝑉𝐶𝐸𝑄 = (𝑅 𝐶𝐶+𝑅𝑎𝑐 )
𝑎𝑐 𝑑𝑐
𝑉𝐶𝐶
E, 𝐼𝐶𝑄 = 𝑅
𝑎𝑐 +𝑅𝑑𝑐
La última ecuación solo se utiliza en el diseño y asegura que el punto 𝑄 quede en el centro de la recta de
carga en 𝐴𝐶.
Polarización:
En transistor del circuito de la figura 1.46, esta polarizado con dos resistencias y una fuente de
tensión en continua VCC. En este circuito se verifica que:
Figura 1.46. a) Transistor polarizado, b) Recta de carga.
53
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
Si suponemos que el transistor se encuentra en la región directa lineal, entonces se puede relacionar las
intensidades de base y colector a través de la hFE y asignar una tensión base-emisor típica de 0.7 V. El
cálculo de las tensiones e intensidades del transistor proporciona su punto de trabajo Q. Para este circuito,
Q viene definido por las siguientes ecuaciones:
(𝑉𝐶𝐶 − 0.7𝑣)
𝐼𝐵𝑄 =
𝑅𝐵
𝐼𝐶𝑄 = ℎ𝐹𝐸 ∗ 𝐼𝐵𝑄
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 ∗ 𝑅𝐶
Esta ecuación define la recta de carga obtenida al aplicar LVK al circuito de polarización.
En la figura 1.46b se muestra la representación gráfica del punto de trabajo Q del transistor,
especificado a través de tres parámetros: ICQ, IBQ y la VCEQ. Este punto se encuentra localizado
dentro de una recta denominada recta de carga estática: si Q se encuentra en el límite superior
de la recta el transistor estará saturado, en el límite inferior en corte y en los puntos intermedios
en la región lineal. Esta recta se obtiene a través de la ecuación del circuito que relaciona la IC con
la VCE que, representada en las curvas características del transistor de la figura 1.46b corresponde
a una recta.
Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor se selecciona dos
𝑉𝐶𝐶
puntos: a) VCE=0, entonces 𝐼𝐶 = , b) IC=0, entonces 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐶
Estos puntos se pueden identificar en la figura 1.46b, y representan los cortes de la recta descarga
estática con los ejes de coordenadas. Una de las primeras decisiones relacionadas con la
polarización de un transistor es seleccionar la situación del punto Q. La selección más práctica es
situarle en la mitad de la recta de carga estática para que la corriente de colector sea la mitad de
54
su valor máximo, condición conocida como excursión máxima simétrica. Evidentemente esta es
una condición de diseño que asegurara el máximo margen del punto Q a incrementos de cualquier
signo de la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones de operación del
transistor que exige un desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En estos casos la situación
del punto Q estará definida por las diferentes restricciones.
La selección del punto de trabajo Q de un transistor se realiza a través de diferentes circuitos de

polarización que fijen sus tensiones y corrientes. En las figuras 1.47 a 1.50, se muestran los circuitos de
polarización más típicos basados en resistencias y fuentes de alimentación; además, se indican las
ecuaciones que permiten obtener el punto de trabajo de los transistores. Estos circuitos presentan
diferencias en algunos casos importantes. Por ejemplo, el circuito de la figura 1.47, es poco recomendable
por carecer de estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede producir deriva térmica que autodestruye
el transistor. La polarización de corriente de base de la figura 1.49, es mucho más estable, aunque el que
más se utiliza con componentes discretos es el circuito de auto polarización. La polarización de colector-
base asegura que el transistor nunca entra en saturación al mantener su tensión colector-base positiva.
Circuitos de polarización de transistores de unión bipolar:
Polarización de corriente de base

𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (1 + ℎ𝐹𝐸 )𝑅𝐸
𝐼𝐶 = ℎ𝐹𝐸 𝐼𝐵
1 + ℎ𝐹𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
ℎ𝐹𝐸
Si 𝐼𝐵 ≪ 𝐼𝐶 (ℎ𝐹𝐸 ≫ 1)
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (ℎ𝐹𝐸 )𝑅𝐸
55
Figura 1.47. Polarización de corriente de base
Polarización de tensión de base constante

𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (1 + ℎ𝐹𝐸 )𝑅𝐸
1 + ℎ𝐹𝐸
ℎ𝐹𝐸
Figura 1.48. Polarización de tensión de base constante.
Polarización de colector-base
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (1 + ℎ𝐹𝐸 )(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
𝑉𝐶𝐸 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
El transistor nunca entra en saturación
56
Figura 1.49. Polarización de colector-base
Autopolarización
Idénticas formulas al caso anterior, siendo

𝑅𝐵1 𝑅𝐵2
𝑅𝐵 = 𝑅𝐵1 ||𝑅𝐵2 =
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
𝑅𝐵1
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 𝐶𝐶
Figura 1.50. Autopolarización.
 Transistor BJT NPN (2N2222 o 2N3904) y BJT PNP (2N3906)

 Resistencias
 Condensadores
 Sondas para osciloscopio
 Multímetro
Medición de transistores:
Traiga al laboratorio dos transistores NPN y PNP: BJT NPN (2N2222 o 2N3904) y BJT PNP (2N3906)
57
Figura 1.51. Medición de transistor PNP
Con ayuda de los “datasheets” del transistor NPN, revise cuales son los terminales. Llene la siguiente tabla
con los valores del multímetro, repita el procedimiento con el transistor PNP, ingrese los datos en una
tabla igual.
Figura 1.52. Medición de transistor NPN
Tabla 5.1. Tabla para registro de los voltajes de multímetro.
Punta ROJA Punta NEGRA Voltaje en el Multímetro
Base Emisor
Base Colector
Colector Emisor
Emisor Colector
Emisor Base
Colector Base
58
Curvas de caracterización del transistor (para hacerlo en laboratorio):
Monte el siguiente circuito, con los siguientes valores: 𝑅𝐵 = 100𝐾Ω 𝑅𝐶 = 1𝑘Ω
V𝐶𝐶 = 15𝑉 𝑉𝐵𝐵 : 𝑉𝐴𝑅𝐼𝐴𝐵𝐿𝐸

A continuación, complete la siguiente tabla (no olvide que los valores de corriente se calculan. Lo
mismo que el valor de ℎ𝐹𝐸.
Figura 1.53. Transistor polarizado.

Tabla 5.2. Características polarización
VBB VBE VCE IC=(VCC-VCE)/RC IB=(VBB-VBE)/RB hFE=Ic/Ib
10
Grafique en Excel o en papel milimetrado (𝐼𝐶 𝑉𝑠 𝑉𝐶𝐸) e (𝑉𝐵𝐸 𝑉𝑠 𝐼𝐵)
59
Figura 1.54. Variables a graficar en Excel.
Responda las siguientes preguntas:
Cuál es la diferencia del transistor PNP y NPN?
Qué significa ℎ𝐹𝐸 ?
¿Un transistor es un elemento que amplifica corriente o voltaje? Justifique su respuesta.
 Tablas de resultados
 Gráficas en Excel
 Análisis del tercer punto, partes: a y b: graficas. Como se los indique arriba traerlos ya desarrollado en
la bitácora
 Comparación de resultados teóricos con resultados prácticos obtenidos en el laboratorio: Tablas
comparativas.
 Conclusiones de la práctica para los cuatro aspectos desarrollados en esta guía.
6. BIBLIOGRAFÍA
https://archive.org/stream/ElectronicaTeoriaDeCircuitosYDispositivosElectronicosEdicion10RobertL.
BoylestadLouisNashelsky/Electr%C3%B3nica%20teor%C3%ADa%20de%20circuitos%20y%20dispositi
vos%20electr%C3%B3nicos%20-%20Edicion%2010%20-
%20Robert%20L.%20Boylestad%2C%20Louis%20Nashelsky#page/n213/mode/1up
60
PRACTICA # 1.6
DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DE SEÑAL CON BJT: EMISOR COMUN, Y SU RESPUESTA EN FRECUENCIA
1. INTRODUCCION
La polarización de un transistor es estrictamente una operación de cd. El propósito de la polarización es

establecer un punto Q sobre el que las variaciones de corriente y voltaje puedan ocurrir en respuesta a
una señal de entrada de ca. En aplicaciones en las que voltajes de señal pequeños deben ser amplificados
—tales como los provenientes de una antena o un micrófono—, las variaciones con respecto al punto Q
son relativamente pequeñas. Los amplificadores diseñados para manejar estas señales pequeñas de cd a
menudo se conocen como amplificadores de señal pequeña, dado que en la práctica siempre existen
tolerancias en los valores de los componentes y fuentes utilizadas se requiere de un sistema lo más estable
posible, para ello la construcción del divisor de voltaje aporta una estabilidad óptima del sistema, dado
que no depende de la corriente de alimentación si no del voltaje.
Esta práctica de laboratorio consiste en comprender el comportamiento de un amplificador con transistor

BJT en configuración emisor común. Se trabajará en diseño y la resolución de un problema.
2. OBJETIVOS
Objetivo principal:
- Diseñar, simular e implementar un amplificador emisor común.
Objetivos específicos:
- Identificar las características de operación del amplificador en configuración de emisor común:

ganancia de corriente, ganancia de voltaje, impedancia de entrada e impedancia de salida.
- Comparar los resultados arrojados analíticamente y mediante simulación por computadora con
los obtenidos al realizar mediciones reales en los circuitos bajo prueba.
3. MARCO TEORICO
Transistor BJT: El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de
germanio o silicio. En ambos casos el dispositivo tiene tres patillas y son: el emisor, la base y el colector.
61
Figura 1.55. Símbolo y terminales del transistor NPN y PNP
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica
la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor. El transistor es un dispositivo de tres terminales
con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E).
El transistor bipolar posee tres configuraciones, base común, emisor común y colector común, pero la más
usada es la configuración emisor común.
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad
de corriente por la entrada (base), el entregará por otra (emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor
que se llama amplificación.
Este factor de amplificación se llama ß (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces:
 Ic (corriente que pasa por el colector) es igual a ß (factor de amplificación) por Ib (corriente que circula
por la base): 𝐼𝑐 = 𝛽 ∗ 𝐼𝑏
 Ie (corriente que pasa por el emisor) es igual a (𝛽 + 1) ∗ 𝐼𝑏 , pero se redondea al mismo valor que Ic.
Análisis de una pequeña señal en el transistor BJT:
Al aplicar la señal al transistor se espera obtener una señal amplificada y de alta fidelidad es decir sin
distorsión. Ambas características se obtienen cuando el transistor se polariza en la zona activa y en la
región lineal de las características de salida. En estas condiciones el transistor opera con valores bajos de
corriente, voltajes y potencia, en otras palabras amplificación de señales pequeñas.
- Protoboard
- Resistencias
- Transistor BJT PNP o NPN
- Fuente DC variable
62
5. SIMULACIÓN
Ejemplo de diseño práctico:
Diseñar un amplificador como el de la fig. 3.2, si el punto Q se ubica en VCEQ= 5V, ICQ= 10mA, VBEQ=
0.65 V, IBQ= 51.5 MA. En ese punto de funcionamiento se midieron los siguientes parámetros híbridos:
hie: 1.5K, hfe= 150, hre=2.5 x 10-4, hoq=30MA/V. Se deben cumplir las siguientes condiciones: AiT=60,
Zi= 1.5K
Figura 1.56. Amplificador en configuración de emisor común.
Figura 1.57. Circuito equivalente híbrido.
Solución
El proceso para obtener los datos del problema se detalla posteriormente en el respectivo laboratorio.
Ecuaciones de las que se dispone:
63
DC:
Malla de salida:
𝑅
Malla de entrada: 𝑉𝐵𝐵 = ( 𝛽𝐵 + 𝑅𝐿 ) 𝐼𝐶𝑄 + 𝑉𝐵𝐸𝑄
Resistencias de polarización:
𝑅𝐵 𝑉𝐶𝐶
𝑅2 =
𝑉𝐵𝐵
𝑅𝐵 𝑉𝐶𝐶
𝑅1 =
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐵
CRITERIOS DE DISEÑO
Punto QDC en el centro de la recta de carga DC, esto implica que:
𝑉𝐶𝐶 = 2 𝑉𝐶𝐸𝑄
Se debe aclarar que cuando el amplificador tiene una resistencia de carga RL o tenga otra etapa, este
criterio no es recomendable usarlo puesto que, resultará una nueva recta de carga denominada recta de
carga AC. Cuando el circuito no tiene RL, sino que la carga es la resistencia de colector RC, como en este
ejemplo, las dos rectas de carga coinciden.
El objetivo de ubicar el punto Q en el centro de la recta de carga es obtener la máxima señal en la salida
o, en otras palabras, aprovechar al máximo las características del transistor.
Otros criterios:
𝑉𝑅𝐶 ≈ 4𝑉𝑅𝐸
𝑅𝐵 ≤ 0.1𝑅𝐸 𝛽
Con el último criterio se asegura que la corriente por el divisor R1 * R2 sea mayor que la corriente de base;
esto aumenta la estabilidad de este tipo de polarización. Con las ecuaciones, los criterios y los datos del
problema se inician el diseño.
Por criterio:
𝑉𝐶𝐶 = 2 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 10𝑉
Por criterio:
𝑉𝑅𝐶 ≈ 4𝑉𝑅𝐸
Y=
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝐼𝐶𝐸𝑄 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
64
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶𝐸𝑄 5
Luego: 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 = 𝐼𝐶𝑄
= 10 𝐾Ω
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 = 0.5𝐾Ω
𝑅𝐶 = 4𝑅𝐸
Entonces:
4𝑅𝐸 + 𝑅𝐸 = 0.5𝐾
Así que:
𝑅𝐸 = 0.1𝐾
Y= 𝑅𝑐 = 0.4𝐾
𝑍𝐿 = 𝑅𝐶 = 0.4𝐾
Para trabajar con las ecuaciones simplificadas se tiene que:
ℎ𝑜𝑒𝑍𝐿 = 0.03 ∗ 0.4 = 0.012

hre hre = 2.5*10−4 ∗ 150 = 0.0375
𝑍𝐼 = ℎ𝑖𝑒 = 1.5 𝐾Ω
Del divisor de corriente:

𝑅𝐵
𝐴𝐿𝑇 = ℎ𝑓𝑒
𝑅𝐵 + 𝑍𝐼
Reemplazando:
𝑅𝐵
60 = 150
𝑅𝐵 + 1.5
Dejando 𝑅𝐵 : 𝑅𝐵 = 1𝑘
𝐼 𝐶𝑄 10
De los datos 𝛽 = 𝐼𝐵𝑄
= 51.5
𝛽 = 194.2
Observar que β≠ hre, aunque no siempre.
65
De la malla de entrada:
𝑅𝐵 1
𝑉𝐵𝐵 = ( + 𝑅𝐸 ) 𝐼𝐶𝑄 + 𝑉𝐵𝐸𝑄 = ( + 0.1) 10 + 0.62 𝑣
𝛽 194.2
𝑉𝐵𝐵 = 1.7𝑉
Las resistencias de polarización
𝑅𝐵 𝑉𝐶𝐶 1 ∗ 10
𝑅2 = = 𝐾Ω
𝑉𝐵𝐵 1.7
𝑅2 = 5.9𝐾Ω
Y:
𝑅𝐵 𝑉𝐶𝐶 1 ∗ 10
𝑅1 = = 𝐾Ω
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐵 10 − 1.7
𝑅1 = 1.2𝐾Ω
𝑅𝐵 ℎ𝑖𝑒 1.5
𝑍1′ = =
𝑅𝐵 + ℎ𝑖𝑒 2.5
𝑍1′ = 0.6𝐾Ω
𝑍𝑖 = 𝑍1 ′ + 𝑅𝑆
Reemplazando:
1.5 = 0.6 + 𝑅𝑆
𝑅𝑆 = 0.9𝐾Ω
En esta forma se obtiene el diseño, cumpliendo con las condiciones preestablecidas (se recomienda
verificar condiciones). En resumen:
𝑅𝐶 = 0.4𝐾Ω
𝑅𝐸 = 0.1𝐾Ω
𝑅1 = 1.2𝐾Ω
𝑅2 = 5.9𝐾Ω
𝑅3 = 0.9𝐾Ω
Ahora se ajustan las resistencias obtenidas a valores comerciales:
𝑅𝐶 = 0.4𝐾Ω 𝑎 𝑅𝐶 = 0.39𝐾Ω
𝑅𝐸 = 0.1𝐾Ω 𝑎 𝑅𝐸 = 0.1𝐾Ω
66
𝑅1 = 1.2𝐾Ω 𝑎 𝑅1 = 1.2𝐾Ω
𝑅2 = 5.9𝐾Ω 𝑎 𝑅2 = 5.6𝐾Ω ó 𝑅2 = 6.2𝐾Ω
Para Rs, se debe conocer la resistencia que presenta el generador de señal. Normalmente la resistencia
del generador es de 600 Ohm, luego se colocará una resistencia en serie e 300 Ohm para completar los
900 Ohm obtenida en el diseño.
Para escoger R2, del equivalente de Thévenin:

𝑅 𝑅
Para 𝑅1 = 1.2𝐾Ω ∶ 𝑅𝐵 = 𝑅 1+𝑅2 = 0.988𝐾
1 2
Para 𝑅2 = 6.2𝐾Ω; 𝑅𝐵 = 1𝐾
Luego el valor para 𝑅2 es: 𝑅2 = 6.2𝐾Ω
Por último, se efectúa el análisis del circuito 𝐷𝐶:
𝑅1 𝑉𝐶𝐶 1.2 ∗ 10
𝑉𝐵𝐵 = = 𝑌
𝑅1 +𝑅2 1.2 + 6.2
𝑉𝐵𝐵 = 1.62𝑉
𝑅𝐵 = 1𝐾
Malla de entrada:
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 = ( + 𝑅𝐸 ) 𝐼𝐶𝑄 + 𝑉𝐵𝐸𝑄
𝛽
De donde:
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸𝑄 1.62 − 0.65

𝐼CQ= = 𝑚𝐴
𝑅𝐵 1
+ 𝑅𝐸
𝛽 194.2 + 0.1
𝐼CQ= 9.22 𝑚𝐴
Malla de salida:
𝑉CC = 𝐼CQ (Rc+RE)𝑉cEQ
67
𝑉CEQ = 𝑉CC - I CQ ( Rc + RE) = 10 − 9.22 × 0.49
𝑉CEQ = 5.48 𝑉
Así que:
𝑉CEQ 5.48
QDC= =
𝑉CC 10
QDC = 0.55
El punto Q se desplazó del centro hacia corte, debido al ajuste de las resistencias a valores comerciales.
𝑍í = ℎ𝑖𝑒 = 1.5 𝐾𝛺
1 × 1.5
𝑍í =
2.5
𝑍í = 0.6 𝐾
𝑍𝑖 = 𝑅𝑠 + 𝑍í = 0.9 + 0.6 𝐾𝛺
𝑍𝑖 = 1.5 𝐾𝛺
𝑅B 150 × 1
𝐴iT = 𝐴𝑖 =
𝑅B + 𝑍𝑖 2.5
𝐴iT = 60
Las dos condiciones impuestas se satisfacen un 100%. Desafortunadamente el punto QDC no quedó en el
centro de la recta de carga en DC, por lo que no se obtendrá la máxima señal de salida. Recordar que la
resistencia que más se alteró fue R2, por lo tanto, si se quiere más exactitud, se puede colocar un reóstato
y de esta forma, acercar el punto QDC al centro como se deseaba inicialmente.
68
Adicionalmente se puede determinar AVT y Zo.
Del divisor de voltaje:
Zí −ℎ𝑓𝑒𝑍𝐿 𝑍í
AVT = AV =
𝑍𝑖 hie 𝑍𝑖
-150 ×0.4×0.6
AVT =
1.5×1.5
AVT = -16
𝑍𝑜 ≈ 𝑍L = 0.4 𝐾
Es necesario, para completar el diseño, el cálculo de los condensadores. Su valor será tal que, a la
frecuencia de operación, la reactancia es aproximadamente cero. Para el cálculo de Ci, la reactancia Xc se
hace igual a la suma de las resistencias, así que:
𝑍𝑖 = 𝑅𝑠 + 𝑍𝑖
1
𝑍𝑖 =
𝑓𝐿
2 𝜋 10 𝐶𝑖
FL es la frecuencia más baja de operación del amplificador. Para audio, la frecuencia varía, teóricamente,
entre 20Hz a 20KHz. Luego FL= 20Hz. El condensador Co tiene sentido cuando el circuito tiene en la salida
una resistencia de carga RL o alguna carga neta resultante de una segunda etapa.
El cálculo de CE se realiza en la siguiente forma: Se determina Rg a la resistencia equivalente entre:
𝑅𝑔 = 𝑅𝑠 // 𝑅B
Observar que si Rs= 0, entonces Rg= 0.
69
Rg queda en serie con hie, así que:
𝑍𝐵𝑆 = 𝑅𝑔 + ℎ𝑖𝑒
Se denomina ZBS la impedancia vista en la base. Ahora, la impedancia ZBS se refleja al emisor, es decir:
𝑍BS
𝑍E =
ℎ𝑓𝑒
La impedancia proyectada al emisor queda en paralelo con RE:
𝑍ET = 𝑍E // 𝑅E
La impedancia total viste en el emisor ZET se hace igual a la reactancia del condensador CE, luego:
1
𝑍ET =
2 𝜋 𝑓𝐿 𝐶E
Para el diseño, asumiendo FL= 20 Hz se tiene:
1 1
𝐶𝑖 ≥ = 𝐹
𝑓𝐿 2 𝜋 × 2.0 × 1500
2 𝜋 10 𝑍𝑖
𝐶𝑖 ≥ 53 𝜇𝐹
Por otro lado:
𝑅𝑔 = 𝑅𝑠 // 𝑅B = 0.9 //1.9
𝑅𝑔 = 0.474 𝐾𝛺
𝑍BS = 𝑅𝑔 + ℎ𝑖𝑒 = 0.474 + 1.5 𝐾𝛺

70
𝑍BS = 1.974 𝐾𝛺
𝑍BS 1.974
𝑍E = = 𝐾𝛺
ℎ𝑓𝑒 150
𝑍E = 13.2 𝛺
13.2 × 100
𝑍ET = 𝛺
113.2
𝑍ET = 11.7 𝛺
1 1
𝐶E ≥ = 𝐹
2 𝜋 𝑓𝐿 𝑍ET 2 𝜋 × 20 × 11.7
𝐶E ≥ 680 𝜇𝐹
Para comprobar que las reactancias son muy pequeñas a frecuencias medias. Supóngase que la frecuencia
de operación es: 𝐹 = 1𝐾𝐻𝑧, entonces:
1 1
𝑋𝑐𝑖 = = 𝛺
2 𝜋 𝐹𝐶𝑖 2 𝜋 1000 × 53 × 10−6
𝑋𝑐𝑖 = 3 𝛺
Así que la impedancia de entrada Zi se ve alterada en 3𝛺 y:
1
𝑋CE = 𝛺
2 𝜋 1000 × 680 × 10−6
71
𝑋CE = 0.23 𝛺
Que corresponde a un valor muy pequeño. Las desigualdades en el cálculo de los condensadores dan
libertad para la escogencia del capacitor prefiriendo valores superiores al calculado.
Los resultados de la simulación del diseño se muestran a continuación:
Figura 1.58. Onda de respuesta de entrada, salida del circuito de la figura 1.55.
La ganancia de corriente del amplificador en emisor común se muestra a continuación:
72
Figura 1.59. Circuito amplificador en configuración de emisor común.
Figura 1.60.1 Grafica de respuesta de entrada-salida de corriente del circuito de la figura 1.58.
73
Ejercicio de simulación:
Utilizando el mismo transistor del diseño anterior con punto de funcionamiento y características iguales,
diseñar el amplificador E.C de la Figura 1.56, pero suprimiendo el condensador CE y cumpliendo con las
siguientes condiciones:
AiT = 20, AvT= -2, Zi = 4K
6. PROCEDIMIENTO PARA LA PRACTICA
Parte a)
Analizar un amplificador como el que se muestra en la siguiente figura. Si R s = 1KΩ, R 2 = 10KΩ, R1 =

2.2KΩ, R C = 3.6KΩ, R E = 1KΩ, hFE = 100, VBE = 0.7 v, β = hFE . Efectuar análisis DC, AC y grafico;
determinar Vopp ,Vcc = 10v.
Figura 1.61. Esquemático parte a
Parte b)
Analice el circuito que se muestra en la siguiente figura para determinar𝑅𝐵 , 𝑉𝐵𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝑉𝐶𝐸 y 𝑉𝐶 , para el
transistor PNP utilizado en la práctica anterior, mida su B (ℎ𝐹𝐸 ) con el multímetro, compárelo con el valor
teórico especificado en su data sheet y téngalo en cuenta en su análisis. Asuma 𝑉𝐵𝐸 = −0.7 𝑉
74
Figura 1.62. Esquemático parte b.
Montaje en el protoboard de los circuitos analizados en el punto anterior
Traiga para el laboratorio los circuitos montados en el protoboard. Compare los resultados teóricos
obtenidos del análisis con los resultados de las mediciones hechas en el laboratorio.
Parte c)
Siguiendo el libro de Boylestad, pág. 240, 10ª edición, resuelva los tres diseños siguientes:
Operaciones de diseño
- Determine 𝑅𝐶 y 𝑅𝐵 para la configuración de polarización fija si 𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉, 𝛽 = 80, y 𝐼𝐶𝑄 =

2.5𝑚𝐴 con 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 6𝑉. Use valores estándar.
1 1
- Diseñe una red estabilizada por emisor con 𝐼𝐶𝑄 = 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 y 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 . Use 𝑉𝐶𝐶 = 20𝑉, 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
2 2
10𝑚𝐴, 𝛽 = 120, y 𝑅𝐶 = 4𝑅𝐸 . Use valores estándar.
- Diseñe una red de polarización por medio del divisor de voltaje con una fuente de 24V, un
transistor beta de 110 y un punto de operación de 𝐼𝐶𝑄 = 4𝑚𝐴 y 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 8𝑉. Seleccione 𝑉𝐸 =
1
𝑉 . Use valores estándar.
2 𝐶𝐶
Resolver el siguiente circuito determinar ganancias e impedancias si hie=3.5KΩ, hre= 0.00013, hfe=120,
hoe=8.5 µA/v.
75
ASPECTOS PARA EVALUAR EN EL INFORME:
Primera parte:
 Tabla con resultados del diseño. Dejar en blanco columnas de corrientes y voltajes a medir en la práctica
de laboratorio
 Compare y analice los resultados teórico vs prácticos
 Conclusiones de la práctica para los tres diseños desarrollados en esta guía.
Segunda parte: Resuelva las siguientes preguntas:
 Tipo de configuración del amplificador

 Qué función cumple el condensador de bypass que se coloca en paralelo con RE
 Dibuje el equivalente en AC
 Traiga los valores para implementar el amplificar en el laboratorio y se pueda verificar los valores de
ganancias teóricas obtenidas
 Consulte el procedimiento para diseñar los condensadores de paso y bypass.
7. BIBLIOGRAFIA:
R.L. Boylestad, L. Nashelsky, "Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos", Pearson
N.R. Malik, "Circuitos electrónicos. Análisis, simulación y diseño", Prentice Hall.
76
PRACTICA # 1.7
AMPLIFICACION DE SEÑAL CON BJT EN CONFIGURACIÓN COLECTOR COMUN
1. INTRODUCCIÓN
Normalmente se hace referencia al amplificador en colector común (CC) como seguidor-emisor (SE). La
entrada se aplica a la base por medio de un capacitor de acoplamiento y la salida es por el emisor. La
ganancia de voltaje de un amplificador en CC es aproximadamente 1 y sus ventajas principales son sus
altas resistencia de entrada y ganancia de corriente.
También llamada seguidor emisor. Su principal aplicación es como acople de impedancias (presenta una
alta impedancia de entrada: 20K a 50K, y baja impedancia de salida: 20Ω a 1.5k), y amplificador de
corriente. No amplifica voltaje más de la unidad. Esta práctica de laboratorio consiste en reconocer el
comportamiento del transistor BJT en configuración colector común.
2. OBJETIVOS
 OBJETIVO GENERAL
77
Comprobar experimentalmente el funcionamiento de un transistor (en configuración emisor seguidor)
como amplificador de señal en región activa.
 OBJETIVOS ESPECÍFICOS
 Diseñar, simular e implementar el circuito amplificador colector común con transistor bipolar.
 Comparar los resultados (en términos de ganancia de corriente y voltaje, impedancia de entrada y
salida) obtenidos analíticamente, por simulación y en la práctica. Resumir y concluir.
3. MARCO TEÓRICO
Su nombre se deriva del hecho de que el colector es común tanto a la entrada como a la salida de la
configuración.
Figura 1.63. Junturas y terminales que conforman el colector común.
El nombre de emisor seguidor viene porque el emisor sigue a la base, lo que significa que al aplicarse una
tensión en la base va a ser reproducida por el emisor. Este tipo de amplificador tiene un comportamiento
muy bueno frente a las variaciones de temperatura (se logra baja distorsión sobre la señal de salida), y es
debido a que tiene conectada una resistencia RE. El problema que puede tener este tipo de circuitos es
que disipa mucha potencia.
Normalmente, en la configuración colector común, y como se muestra en la figura 1.64, el colector se

conecta directamente a la fuente de polarización Vcc; sin embargo, en algunas ocasiones se coloca una
resistencia entre el colector y Vcc.
78
Figura 1.64. Polarización del colector común.
La resistencia Rc para propósitos de análisis AC no tiene ninguna influencia puesto que ella no tiene que
ver con el circuito de entrada ni con el circuito de salida. Su influencia se reduce solo al análisis DC; se
puede utilizar como herramienta para el ajuste de punto QDC de funcionamiento.
Si se toma salida por colector y emisor a la vez y se hace que
𝑅𝑐 = 𝑅𝐸
El circuito entregará dos señales de igual amplitud pero desfasadas entre sí 180°. En esta forma el circuito
recibe el nombre de Partidor de fase o splitter. El spliiter se utiliza, entre otras aplicaciones, para excitar
un amplificador de señal grande denominado amplificador push-pull.
Para el caso del amplificador colector común, sin resistencia de colector, su circuito equivalente en
parámetros híbridos es el mostrado en la figura 1.65.
Figura 1.65. Circuito equivalente en parámetros híbridos.
79
La salida de este amplificador está conectada, a través de la unión colector-emisor, a la resistencia del
emisor RE. El voltaje de salida “sigue” al voltaje en el emisor, sólo que es de un valor ligeramente menor
(aproximadamente 0.6 V).
𝑉𝑒 = 𝑉𝐵𝐵 − 0.6𝑉
4. SIMULACION
Simulación del amplificador en colector común.
Figura 1.66.2 Circuito amplificador en configuración de colector común.
80
Figura 1.67. Grafica de respuesta de entrada-salida del circuito de la figura 1.66.
Figura 1.67.3 Grafica de respuesta de entrada-salida de corriente del circuito de la figura 1.66.
- Protoboard
81
- Resistencias
1. Estudie el siguiente ejemplo de diseño de un amplificador colector común:
Ejemplo: Diseñe un amplificador C.C de la figura 1.68, con las siguientes especificaciones: VCEQ = 5V, Vcc =
2VCEQ = 10 V, ICQ = 10mA, VBEQ = 0.68V, β = 232, hoc = 0,485mA/V, hic = 6.9KΩ, hfc = 257, RE=ZL.
Condiciones: AIT = 50, Zi = 27,27K.
Figura 1.68. Circuito amplificador colector común
SOLUCION:
Para DC, las ecuaciones que se pueden plantear son:
Vcc = 2VCEQ = 10 V
Vcc = VCEQ + VE
VE = 5 V
Por ley de Ohm y asumiendo ICQ ≈ IEQ:
RE = VE /ICQ = 5/10 KΩ
RE = 0.5 KΩ
Se podría fijar punto Q en el centro de la recta de carga en D.C cuando no se da RL, y:
RB ≤ 0.1*β*RE
Sin embargo, se diseña teniendo en cuenta la ganancia de corriente, que la dan:
82
Para AC:
AiT se halla mediante divisores de corriente:
ZL= RE = 0.5 KΩ y Z1=hic+hfc(hoc‖RE)
AiT = hfc/(1+hoc ZL) * RB/( RB +Z1)
Se diseña para la ganancia de corriente deseada, y se despeja RB:
50 = 257/(1+0.485*0.5) * RB /( RB +110.32)
RB = 35.17 KΩ
VBB = [(RB /β)+RE ]ICQ + VBEQ = [(35.17 / 232)+0.5]*10+ 0.68
VBB = 7.2 V
Así que:
R2 = RB *VCC /VBB = 35.17 KΩ *10/7.2
R2 = 48.85 KΩ
R1 = RB *VCC / (VCC -VBB) = 35.17 KΩ *10/(10-7.2)
R1 = 125.6 KΩ
Del paralelo:
Z1’ = RB || Z1 = 35.17 KΩ *110.32 KΩ /145.49 KΩ
Z1’ = 26.67 KΩ
Para cumplir la condición:
Zi = Rs + Z1’
27,27KΩ = Rs + 26.67KΩ
De donde:
Rs = 0.6KΩ
2. Diseñe, simule y monte en el protoboard el amplificador seguidor de emisor con las siguientes
especificaciones: el punto QDC se ubica en: VCEQ = 5v, ICQ =10mA, VBEQ = 0.65 v, IBQ = 51.5µA. La medida
de los parámetros híbridos: hic= 1,5KΩ, hfc = 151, hoc = 30µA/V se fijan las siguientes condiciones: AiT
= 50, Zi = 80 K.
83
3. Para el circuito diseñado, coloque entre el colector y Vcc una resistencia de colector de manera que
𝑅𝑐 = 𝑅𝐸 . ¿Qué hacer para asegurar que el punto de funcionamiento quede en zona activa? Coloque
las sondas del osciloscopio en el colector y el emisor, y observe las señales resultantes, ¿Cómo es su
amplitud? ¿Cómo es la fase de las dos señales? ¿Cómo se denomina este circuito?
4. En el circuito original, efectuar el siguiente análisis: suponer que la resistencia de emisor se

descompone en dos: RE y RE2 y a la segunda se coloca un bypass. ¿Se altera el punto Q? ¿Qué ocurre
con las ganancias e impedancias? ¿la señal de salida sufrirá alguna alteración? Realizar en forma
práctica lo propuesto y verificar sus respuestas. Anotar conclusiones y observaciones.
5. Colocar un bypass a RE. ¿Cómo es la señal de salida de Vo? Explicar lo que sucede.
Traiga para el laboratorio los circuitos montados en el protoboard y simulados en Altium. Compare los
resultados teóricos obtenidos del análisis con los resultados de las mediciones hechas en el laboratorio.
¿Cómo son los resultados prácticos comparados con los resultados teóricos?

 Diseño de las resistencias y los condensadores del amplificador ES.
 Simulación en Altium el diseño.
 Comparación de resultados teóricos, simulados y prácticos (en términos de ganancia de corriente y
voltaje, impedancia de entrada y salida).
 Resolución de preguntas de cuestionario y conclusiones.
Cuestionario:
 ¿Cómo son las fases de las señales Vi y Vo?
 Deduzca las ecuaciones de ganancias, cuando se tiene con RL:
Ganacia de voltaje:
𝑉𝑜 𝑅𝐸‖𝑅𝐿
𝐴𝑣 = =−
𝑉𝑖 𝑟𝑒 + (𝑅𝐸‖𝑅𝐿)
𝐴𝑣 ≡ 1
Ganacia de corriente:
𝐼𝑜 𝑅𝐵 𝑅𝐸
𝐴𝑖 = = ∙
𝐼𝑖 𝑅𝐵
+ 𝑟𝑒 + (𝑅𝐸‖𝑅𝐿) 𝑅𝐸 + 𝑅𝐿
𝛽
 ¿Cómo se diseñan los condensadores en baja frecuencia, y cómo se determina la frecuencia de corte
en altas frecuencias del amplificador emisor seguidor?
 ¿Cómo se determina el ancho de banda?
84
 Si RE es el doble del valor diseñado. ¿Cómo se afecta el punto Q?, y ¿la señal de salida?, ¿hacia qué zona
de operación se desplaza el transistor?, ¿Qué ocurre con las ganancias de voltaje y corriente e impedancias
de salida y entrada?
 Si se coloca una RL=RE acoplada con un condensador, ¿se altera el punto Q?, ¿Cómo se alteran las
ganancias e impedancias?
6. BIBLIOGRAFÍA
Neamen, D.A. (2007). Microelectronics; Circuit Analysis and Design (Chapter 5 and 6), McGraw Hill, 3rd
Edition.
Floyd, Th.L. (2002). Electronic Devices (Chapter 4 and 6), Prentice Hall, 6th Edition.
Hermosa Donate, A. (1999). Principios de Electricidad y Electrónica II, capítulo 7: Rectificación de la

corriente alterna.
PRACTICA # 1.8
AMPLIFICACION DE SEÑAL CON BJT EN CONFIGURACIÓN BASE COMUN: RESPUESTA EN FRECUENCIA
1. INTRODUCCIÓN
El análisis de amplificadores de pequeña señal con transistores planteado hasta ahora, ha estado limitado
en un rango de frecuencias, que normalmente permite ignorar los efectos de los elementos capacitivos,
considerando únicamente elementos resistivos y fuentes. En esta práctica se estudia los efectos en
frecuencia introducidos por condensadores de gran valor, generalmente externos, que limitan la
frecuencia baja de operación del amplificador, y condensadores internos o por alambrado presentes en
las junturas del dispositivo activo o circuito que limitan su comportamiento en alta frecuencia.
Esta práctica de laboratorio consiste en reconocer el comportamiento en frecuencia del transistor BJT en
configuración base común.
2. OBJETIVOS
OBJETIVO GENERAL
Comprobar experimentalmente el funcionamiento de un transistor (en configuración base común) como

amplificador de señal en región activa y su respuesta en frecuencia.
 Diseñar, simular e implementar el circuito amplificador base común con transistor bipolar.
 Evaluar la respuesta en ancho de banda del BC
 Comparar los resultados (en términos de ganancia de corriente, voltaje y ancho de banda) obtenidos
analíticamente, por simulación y en la práctica. Resumir y concluir.
85
3. MARCO TEÓRICO
La tercera y última configuración del BJT que se va a considerar en amplificación de pequeña señal, es base
común (BC). En ésta, el circuito de entrada se toma por emisor y la salida por colector. La configuración B-
C presenta baja impedancia de entrada, alta impedancia de salida, la ganancia de voltaje es grande: mayor
que 1, la ganancia de corriente es menor que 1 (idealmente Ai=1), y su ancho de banda es muy elevado.
Las señales de voltaje y corriente de salida están en fase respecto a las correspondientes de entrada.
Tal y como se muestra en la figura 1.69, el nombre base común se deriva del hecho de que la base es
común tanto a la entrada como a la salida de la configuración.
Figura 1.69. Amplificación de voltaje básica del transistor base común
Polarización del transistor base común:
La polarización del BJT por base se puede hacer en dos formas (A y B), como se indica en la figura 1.70.
Figura 1.70. Dos configuraciones posibles de la polarización del amplificador base común.
86
En la configuración A, el amplificador se polariza con dos fuentes de alimentación +Vcc y –Vcc, así que la
base se lleva directamente a tierra. En la configuración B, la polarización es el clásico divisor conformado
por 𝑅1 y 𝑅2 . En ambos circuitos se ha añadido 𝑅𝐿 . Por ahora, 𝑅𝐿 no se considera para el diseño, sólo para
el análisis en AC.
Circuito equivalente hibrido del transistor base común
Para el caso del amplificador base común, con divisor resistivo, su circuito equivalente en parámetros
híbridos es el mostrado en la figura 1.71.
Figura 1.71. Circuito equivalente híbrido del amplificador de pequeña señal base común.
Respuesta en frecuencia de un amplificador BJT
La presencia de condensadores en un amplificador hace que la ganancia de éste dependa de la frecuencia.

Los condensadores de acoplo y desacoplo limitan su respuesta a baja frecuencia, y los parámetros de
pequeña señal de los transistores que dependen de la frecuencia, así como las capacidades parásitas
asociadas a los dispositivos activos limitan su respuesta a alta frecuencia. Además, un incremento en el
número de etapas amplificadoras conectadas en cascada también limita a su vez la respuesta a bajas y
altas frecuencias.
En la región de baja frecuencia, los condensadores externos de acoplo, desacoplo y paso fijan la frecuencia
de corte inferior. Estos se presentan como circuitos abiertos para tensiones de polarización. Cuando se
analiza los efectos de un condensador para determinar la ƒL de un amplificador, las reactancias del resto
de los condensadores son muy bajas, prácticamente un cortocircuito, en comparación con las impedancias
del circuito. Bajo esta hipótesis, se puede deducir una ecuación basada en el principio de superposición en
la cual la ƒL se obtiene analizando la aportación individual de cada uno de los condensadores supuesto el
resto de los condensadores externos en cortocircuito. Los modelos que se utilizan para determinar esta ƒL
están basados en el análisis de redes RC. Por ejemplo, para hallar Ci: la resistencia asociada a este
condensador está constituida por RS en serie con la resistencia equivalente vista a la entrada del
amplificador, supuesto el resto de los condensadores en cortocircuito, que corresponde con la impedancia
de entrada del amplificador.
En el comportamiento de frecuencia alta de un amplificador con transistores bipolares, hay dos factores
que definen su comportamiento: la dependencia de la hfe con la frecuencia y los condensadores internos
87
(capacidades inter-terminales asociadas al BJT). En frecuencia alta, también se recomienda tener en
cuenta las capacitancias por alambrado.
Por ejemplo, para un amplificador BJT en configuración EC, La capacitancia parásita de realimentación
conectada entre la entrada y la salida influye de una manera significativa sobre la frecuencia de corte
superior y limita su ancho de banda. Este fenómeno se denomina efecto Miller. Similar al análisis realizado
para frecuencias bajas, se hace para frecuencias altas: análisis de redes RC.
En la figura 1.72 se muestra la ganancia de un amplificador en función de la frecuencia. Claramente se

identifican tres zonas: de frecuencias bajas, frecuencias medias y frecuencias altas. A frecuencias bajas, el
efecto de los condensadores de acoplo y desacoplo es importante. A frecuencias medias, esos
condensadores presentan una impedancia nula pudiéndose ser sustituidos por un cortocircuito. A
frecuencias altas, las limitaciones en frecuencia de los dispositivos activos condicionan la frecuencia
máxima de operación del amplificador. Esas zonas están definidas por dos parámetros: frecuencia de corte
inferior o ƒL y frecuencia de corte superior o ƒH. Ambos parámetros se definen como la frecuencia a la cual
la ganancia del amplificador decae en 0.707Vm con respecto a la ganancia del amplificador a frecuencias
medias. El ancho de banda del amplificador (BW: BandWidth) se define como BW= ƒH -ƒL
Figura 1.72. Circuito equivalente
Generalmente, el análisis en frecuencia de un amplificador se realiza sobre un rango muy variable de

valores de frecuencia; su comportamiento se puede describir como una función compleja que proporciona
la respuesta en magnitud y en desplazamiento de fase para cada frecuencia. Para facilitar su
caracterización se utiliza escalas logarítmicas en términos de decibelio (La representación gráfica en
términos de líneas asintóticas y puntos asociados se denomina diagrama de Bode).
- Protoboard
- Resistencias
1. Estudie el siguiente ejemplo de diseño de un amplificador base común (también se simulara):

88
Diseñar un amplificador base común, según la polarización que se muestra en la figura 1.73. El punto Q de
operación arroja los siguientes datos: 𝑉𝐶𝐸 = 5𝑉, 𝐼𝑐 = 2𝑚𝐴, 𝑉𝐵𝐸 = 0.65𝑉, 𝛽 = 100. Los parámetros
híbridos en AC medidos son: ℎ𝑓𝑏 = −1, ℎ𝑖𝑏 = 9.9𝛺 , ℎ𝑟𝑏 = 1.45𝑥10−4 , ℎ𝑜𝑏 = 0.43𝜇𝐴/𝑉. Sin 𝑅𝐿 , se
fijan las siguientes condiciones para el circuito diseñado: 𝐴𝑖 = 0.9 , 𝐴𝑉 = 70. Asuma Rs=600Ω.
Figura 1.73. Polarización por divisor resistivo del amplificador base común.
Solución:
Para asegurar máxima señal de salida se fija el punto de funcionamiento en el centro de la recta de carga
DC. De la malla de salida para DC, del circuito de la figura 1.74:
89
Figura 1.74. Malla de entrada y salida para DC.
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐵𝑄 + 𝑉𝐵𝐸𝑄
𝑉𝐶𝐵𝑄 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 − 𝑉𝐵𝐸𝑄 = 5 − 0.65
𝑉𝐶𝐵𝑄 = 4.35𝑉
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐵𝑄 − 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐵
Con esta ecuación se determinan los extremos de la recta de carga DC.
Para saturación: 𝑉𝐶𝐵𝑆 = 0, luego:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐵
𝐼𝐶𝑆 =
𝑅𝐶 − 𝑅𝐵 /𝛽
Para corte, 𝐼𝐶 = 0 , entonces:
𝑉𝐶𝐵𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐵

Para que el punto Q quede en el centro de la recta de carga, se cumple que:
𝑉𝐶𝐵𝐶 = 2𝑉𝐶𝐵𝑄 = 2 ∗ 4.35𝑉 (Criterio)
𝑉𝐶𝐵𝐶 = 8.7𝑉
Luego:
𝑉𝐶𝐶 = 8.7 + 𝑉𝐵𝐵
90
Remplazando en la malla de salida:
𝑅𝐵
8.7 + 𝑉𝐵𝐵 = (𝑅𝐶 − ) 𝐼 + 𝑉𝐶𝐵𝑄 + 𝑉𝐵𝐵
𝛽 𝐶𝑄
Simplificando:
𝑅𝐶 = 2175 + 0.01𝑅𝐵
Aunque no se conoce 𝑍𝐿 , además, asumiendo una ganancia de voltaje del híbrido del transistor que
tenga valor.
𝐴𝑣 = 70
Así que:
𝑅𝑐
𝐴𝑣 =
𝑅𝐵
ℎ𝑖𝑏 +
𝛽
De la expresión:
𝑅𝑐 = 2175 + 0.01𝑅𝐵
o:
𝑅𝐵 = 100(𝑅𝑐 − 2175)
Remplazando:
𝑅𝑐
70 =
100
9.9 + 100 (𝑅𝑐 − 2175)
Despejando 𝑅𝑐 :
𝑅𝑐 = 2196.5Ω
𝑅𝐵 = 100(2196.5 − 2175)Ω
𝑅𝐵 = 2.1𝐾Ω
De la ecuación de impedancia de entrada: 𝑅𝐿 = 𝑅𝑐 :
𝑅𝐵 2100
𝑍1 = ℎ𝑖𝑏 + = 9.9 +
𝛽 100
91
𝑍1 = 30.9Ω
𝑅𝐸
𝐴𝑖 =
𝑅𝐸 + 𝑍1
Remplazando:
𝑅𝐸
0.9 =
𝑅𝐸 + 30.9
De donde:
𝑅𝐸 = 278.1Ω
En esta forma se satisfacen las dos condiciones fijadas para el diseño.
Por otro lado, de la malla de entrada:

𝑅𝐵 2100
𝑉𝐵𝐵 = ( + 𝑅𝐸 ) 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 = ( + 278.1) 2𝑥10−3 + 0.65 𝑉
𝛽 100
𝑉𝐵𝐵 = 1.25𝑉
𝑅𝑐 = 2196.5 ≡ 2.2𝐾Ω
𝑅𝐵 2.5
𝑉𝐶𝐶 = (𝑅𝐶 − ) 𝐼𝐶𝑄 + 𝑉𝐶𝐵𝑄 + 𝑉𝐵𝐵 = (2.2 − ) 2 + 4.35 + 1.25 𝑉
𝛽 100
𝑉𝐶𝐶 = 9.95 𝑉
𝑅𝐵 𝑉𝐶𝐶 2.1 ∗ 9.95

𝑅2 = = 𝐾Ω
𝑉𝐵𝐵 1.25
𝑅2 = 16.7𝐾Ω
𝑅𝐵 𝑉𝐶𝐶 2.1 ∗ 9.95

𝑅1 = = 𝐾Ω
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐵 9.95 − 1.25
𝑅1 = 2.4𝐾Ω
92
278.1 ∗ 30.9
𝑍𝑖 = 𝑅𝐸 //𝑍1 = Ω
278.1 + 30.9
𝑍𝑖 = 27.8Ω
Ajustando resistencias a valores comerciales:
𝑅1 = 2.4 𝐾Ω 𝑎 𝑅1 = 2.4 𝐾Ω 𝑜 𝑅1 = 2.7 𝐾Ω

𝑅2 = 16.7 𝐾Ω 𝑎 𝑅2 = 18 𝐾Ω 𝑜 𝑅2 = 20 𝐾Ω
𝑅𝐶 = 2.2 𝐾Ω 𝑎 𝑅𝐶 = 2.2 𝐾Ω
𝑅𝐸 = 278.1 Ω 𝑎 𝑅𝐸 = 270 Ω
Considerando 𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉, el análisis del circuito resulta:

(2.7 ∗ 20)
𝑅𝐵 = 𝑅1 //𝑅2 = 𝐾Ω
22.7
𝑅𝐵 = 2.38𝐾𝛺
𝑅1 𝑉𝐶𝐶 2.7 ∗ 10
𝑉𝐵𝐵 = = 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 22.7
𝑉𝐵𝐵 = 1.19𝑉
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 1.19 − 0.65
𝐼𝐶𝑄 = = 𝑚𝐴
𝑅𝐵 2.38
+ 𝑅𝐸 + 0.27
𝛽 100
𝐼𝐶𝑄 ≡ 2𝑚𝐴
De la malla de salida:
𝑅𝐵
𝑉𝐶𝐵𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝑅𝐶 − ) 𝐼 − 𝑉𝐵𝐵
𝛽 𝐶𝑄
2.38
𝑉𝐶𝐵𝑄 = 10 − (2.2 − ) 2 − 1.19
100
𝑉𝐶𝐵𝑄 = 4.46 𝑉
Para determinar 𝑄𝐷𝐶 :
𝑉𝐶𝐵𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐵 = 10 − 1.19 𝑉

𝑉𝐶𝐵𝐶 = 8.81 𝑉
93
Así que:
𝑉𝐶𝐵𝑄 4.46
𝑄𝐷𝐶 = = = 0.5
𝑉𝐶𝐵𝐶 8.81
Se cumple lo supuesto inicialmente de ubicar el punto 𝑄𝐷𝐶 en el centro de la recta de carga en DC.
Para el análisis AC:

𝑅𝐵 2380
𝑍1 = ℎ𝑖𝑏 + = 9.9 + Ω
𝛽 100
𝑍1 = 33.7 Ω
270 ∗ 33.7
𝑍𝑖 = 𝑅𝐸 //𝑍1 = Ω
303.7
𝑍𝑖 = 29.96 Ω
𝑅𝑐 𝑅𝑐
𝐴𝑣 = =
𝑅𝐵 𝑍1
ℎ𝑖𝑏 +
𝛽
𝐴𝑣 = 65.28
𝑅𝐸
𝐴𝑖 =
𝑅𝐸 + 𝑍1
𝐴𝑖 = 0.889
Dado el valor tan bajo de la impedancia de entrada, al efectuar la práctica y conectar el generador, él verá
una resistencia muy baja, tan baja que el voltaje del generador se disminuye. Por esta razón, se debe
conectar en serie con el generador una resistencia de valor tal que se suprima el “corto” que le presenta
el amplificador, como se indica en la figura 1.75.
94
En la figura anterior, R es la resistencia que se añade como protección para el generador; las medidas para
ganancias e impedancias se hacen desde los puntos A-B.
Para el cálculo de 𝐶𝑖 , se tiene en cuenta 𝑅𝑆 , y considerando 𝑓𝐿 = 20𝐻𝑧:
1 1
𝐶𝑖 ≥ = 𝐹
2𝜋(𝑓𝐿 )(𝑍𝑖 + 𝑅𝑆 ) 2𝜋 ∗ 20/10 ∗ (29.96 + 600)
𝐶𝑖 ≥ 126.3 µ𝐹
95
Figura 1.77.4 Grafica de respuesta de entrada-salida del circuito de la figura 1.76.
2. Consulte los temas relacionados con análisis en frecuencia de un amplificador BJT en pequeña señal,
a saber: teorema de Miller, capacitancias parásitas presentes entre las junturas de un BJT, cálculo de
las frecuencias de corte en altas debido a la presencia de capacitancias parasitas, respuesta en ancho
de banda de un BJT
3. Diseñe, simule y monte en el protoboard el amplificador base común con las siguientes
especificaciones: el punto QDC se ubica en: VCEQ = 5v, ICQ =2mA, VBEQ = 0.6V. Mida el β a su transistor y
trabaje con ese valor en el diseño. Los parámetros híbridos en AC medidos son: ℎ𝑓𝑏 = −1, ℎ𝑖𝑏 =
8𝛺 , ℎ𝑟𝑏 = 1.45𝑥10−4 , ℎ𝑜𝑏 = 0.43𝜇𝐴/𝑉. Sin 𝑅𝐿 , se fijan las siguientes condiciones para el circuito
diseñado: 𝐴𝑖 = 0.8 , 𝐴𝑉 = 40. Asuma Rs=50Ω.
Traiga para el laboratorio los diseños y el circuito montado en el protoboard y simulado en Altium.
Compare los resultados teóricos obtenidos del análisis con los resultados de las mediciones hechas en el
laboratorio.
 Diseño de las resistencias y los condensadores del amplificador BC.

 Cálculo de las frecuencias de corte en altas.
 Simulación en Altium de las ganancias para las cuales se diseñó, y la respuesta en frecuencia del
amplificador (diagrama de Bode).
 Comparación de resultados teóricos, simulados y prácticos (en términos de ganancia de corriente y
voltaje, y ancho de banda).
 Resolución de preguntas de cuestionario y conclusiones.
96
Cuestionario:
 ¿Cómo son las fases de las señales Vi y Vo?

 Explique en un párrafo en teorema de Miller
 Deduzca las ecuaciones de ganancias de voltaje y corriente para un BC, cuando se cuenta con RL:
 ¿Cómo se evalúan las frecuencias de corte en altas para un BC?
 ¿Cómo se determina la frecuencia de corte en altas frecuencias del amplificador base común?
 Explique lo siguiente: El fabricante proporciona el valor de ƒT en función de la corriente de colector,
siendo éste un parámetro importante que fija el ancho de banda del transistor. Especifique el ƒT del
transistor que está utilizando en su práctica.
 ¿Cómo se determina el ancho de banda?
6. BIBLIOGRAFÍA
Microelectronics; Circuit Analysis and Design (Chapter 5 and 6) Donal A. Neamen, McGraw Hill, 3rd Edition,
2007.
97
PRACTICA # 1.9
AMPLIFICACIÓN MULTIETAPAS
1. INTRODUCCIÓN.
Una vez estudiado el transistor BJT en sus distintas configuraciones EC, CC y BC de una sola etapa, ahora
se interconectan varias de estas etapas para formar amplificadores multietapas o en cascada. El análisis
de este tipo de amplificador es sencillo, siempre y cuando, se domine la teoría de amplificación con una
sala etapa. Este análisis se realizará para frecuencias medias
2. OBJETIVOS.
Objetivo General
Diseñar, simular e implementar un amplificador multietapas con BJT
 Identificar las características de operación del amplificador multietapas ganancia de corriente,

ganancia de voltaje, impedancia de entrada e impedancia de salida.
 Comparar los resultados arrojados analíticamente y mediante simulación por computadora con los
obtenidos al realizar mediciones reales en los circuitos bajo prueba.
 Identificar las ventajas y desventajas de la implementación de amplificadores multietapas.
3. MARCO TEÓRICO
Se llama amplificador multietapas a los circuitos o sistemas que tienen múltiples transistores y además
pueden ser conectadas entre sí para mejorar sus respuestas tanto en ganancia, impedancia de entrada
(Zin), impedancia de salida (Zout) o ancho de banda. Las aplicaciones pueden ser tanto de CC como de CA.
A menudo los amplificadores se conectan en cascada. La impedancia de carga en el primer amplificador

es la impedancia de entrada del segundo amplificador, y así sucesivamente. No es necesario que las
distintas etapas tengan la misma ganancia de tensión ni de corriente. En la práctica, las etapas iniciales
suelen ser amplificadores de tensión, y la última o dos últimas suelen ser amplificadores de corriente. La
ganancia en una etapa se determina por la impedancia de carga de esta, que se gobierna por la impedancia
de entrada de la siguiente etapa. Por tanto, cuando se diseñan amplificadores multietapas se inicia en la
salida y se continua hacia la entrada.
98
Figura 1.78. Amplificadores en cascada
Las ganancias totales se definen como:

AVT=AV1xAV2xAV3x…AVn
AIT=AI1xAI2xAI3x…AIn
APT= |AVT x AIT|
Tipos de acoplamiento.
El acoplamiento establece la forma a través de la cual se conectan las distintas etapas amplificadoras,
dependiendo de la naturaleza de la aplicación y las características de respuesta que se desean. Existen
distintos tipos de acoplamiento: directo, capacitivo, inductivo, óptico y por transformador.
Acoplamiento directo:
Las etapas se conectan en forma directa. Este tipo de acoplamiento permite una amplificación tanto de la
componente de señal AC, como de la componente continua del circuito. Tenga en cuenta que al hacer
análisis en cc, los efectos de la polarización de una etapa afectan a la otra.
Acoplamiento capacitivo:
El acoplamiento capacitivo o por condensador se usa para interconectar distintas etapas, en las cuales solo
se desea amplificar señal AC. La presencia del capacitor anula las componentes de CC, permitiendo solo la
amplificación de señales AC. El amplificador de corriente alterna usa acoplamiento capacitivo. Permite
mayor libertad en el diseño, pues la polarización de una etapa no afecta a la otra.
Acoplamiento inductivo:
En este acople se aumenta la eficiencia. La bobina se escoge de tal manera que, con señal, se aproxime a
un circuito abierto, para la frecuencia de operación, mientras que, sin señal, se comporte como un corto.
Acoplamiento por transformador:
Este acoplamiento es muy popular en el dominio de la radio frecuencia (RF). El transformador como carga
permitir aislar las señales, y además, dependiendo de la razón de transformación incrementar el voltaje y
corriente.
99
 Protoboard
 Resistencias
 Transistores BJT NPN
 Fuente DC
 Capacitores
Ejemplo de diseño y simulación
5. SIMULACION
En la figura 1.79 se muestra el esquemático del ejemplo de diseño, y en las figuras 1.80 a 1.83 se muestran
las simulaciones del mismo amplificador multietapas.
Figura 1.79. Amplificador multietapas: EC+ES
Datos del diseño:
AIT=27.7, AVT=-2, RL=1KΩ, VCC=18v, β1= β2=100, hfe1=hfe2=100, VBE1=VBE2=0.7V.
Se recomienda: AIES=4.5, AVES=0.99.
Valores diseñados de la etapa EC:
RE1=1KΩ
R12=110KΩ
R11=16KΩ
100
RC1=4KΩ
Valores diseñados de la etapa ES
Zi2=4.5KΩ
RE2=510Ω
R21=20KΩ
R22=51KΩ
Condensadores:
C1=12.1µF
CC=3300µF
Co=11.1 µF
Figura 1.80. Grafica de medición de voltajes de entrada y salida en etapa EC. Ganancia Av ≈ 2.9
101
Figura 1.81. Grafica de medición de voltajes de entrada y salida en etapa ES. Ganancia Av ≈ 1
Figura 1.82. Grafica de medición de corrientes de entrada y salida en etapa ES. Ganancia AI ≈ 4.5
102
Figura 1.83. Gráfica de respuesta de frecuencia en la salida del circuito de la figura 1.79.
Diseñe el circuito amplificador multietapas de la figura 1.84, con las siguientes especificaciones:
hfe1=hfe2=100, β1= β2=100, hie1=1kΩ, hic2= 0.5kΩ, Vcc=18V, RL=1kΩ, AvT=-2, AIt=27.7, VBE1=VBE2=0.7V.
Figura 1.84. Esquemático de un circuitos multietapas: EC+ES.
103
Nota: asuma AV2=0.99, AI2=10, ZL1=Zi2
El punto de operación ICQ para un amplificador con carga se halla teniendo en cuenta la Rdc+Rac, así:
ICQ1=Vcc/(Rdc1+Rac1)
Para hallar RB2 asuma el criterio: RB2≡0.1β2RE2
El diseño de cualquier amplificador multietapas se inicia desde la salida hacia la entrada.
Simule y monte en el protoboard el circuito diseñado.
 Hallar los puntos de operación de los dos transistores, a saber: ICQ2 y VCEQ2; ICQ1 y VCEQ1.
 Diseñar las resistencias
 Diseñar los condensadores.
 Simular
 Comparar valores de ganancias de voltaje y corriente e impedancias de entrada y salida del multietapas
simulado con el montado en el laboratorio.
¿Cómo se construyen las rectas de carga en DC y en AC para el amplificador diseñado?
¿Cómo se calculan las potencias y eficiencias del amplificador diseñado?
¿Cómo se halla el ancho de banda de un amplificador multietapas?
¿Cómo es el acople óptico de varias etapas amplificadoras?
7. BIBLIOGRAFÍA
Amplificadores multietapa, R. Carrillo, J.I. Huircan disponible en

http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/MultIee2.pdf
104
PRÁCTICA # 1.10
CARACTERÍSTICAS DEL JFET
1. INTRODUCCIÓN
El Transistor a Efecto de Campo de Unión - JFET (del inglés Juntion Field Effect Transistor) - Figura 1.85,
es un dispositivo electrónico semiconductor de tres terminales con el cual se puede amplificar. A
diferencia del transistor BJT en el que la corriente principal es el resultado del flujo de huecos y
electrones, por lo cual se le llama bipolar, y es controlada por la corriente en el terminal de Base, en el
JFET la corriente principal es unipolar, debido al flujo de un solo tipo de portadores, huecos o electrones,
y es controlada por el campo eléctrico que se forma al aplicar un voltaje en el terminal de Compuerta
(Gate).
FIGURA 1.85 - JFET

2. OBJETIVOS
2.1 OBJETIVOS GENERALES
Determinar las características eléctricas principales del JFET
Identificar los terminales del JFET.

Determinar la corriente de saturación Idss.
Determinar el voltaje de pinch-off (cut-off) Vp (VTO).
Trazar la curva de transconductancia del JFET.
Trazar la curva de salida ID contra VDS.
105
3. MARCO TEÓRICO
Los FET utilizan el campo eléctrico para controlar la conductividad de los canales semiconductores,
pueden ser construidos de una variedad de materiales, pero el más común es el silicio. Los FET tienen tres
terminales de importancia para su funcionamiento y análisis, los cuales son: gate (G), drain (D) y source
(S). Hay varios tipos de FET, por ejemplo: MOSFET, JFET, CMOS, MESEF, entre otros. Vienen de dos
variedades: canal P y canal N. dado que en este manual no se utilizan los FET, no entraremos en detalle
sobre las ecuaciones de funcionamiento interno.
Figura 1.86: Transistor FET
Construcción.- El JFET está construido por una barra de material semiconductor con dopado N o P que
constituye el canal, rodeada en su parte central por material semiconductor de dopado diferente P o N,
creando así una unión PN. A los dos extremos del canal se le colocan terminales Fuente (Source) y
Drenador (Drain), y al material diferente al canal se le coloca un terminal que forma la Compuerta (Gate)
– Figura 1.87.
106
Figura 1.87. Construcción del JFET
La similitud con un sistema hidráulico donde una fuente (Source) suministra un líquido de una sola
naturaleza, controlado por una llave o compuerta (Gate), que llega a un drenaje (Drain), dio origen al
nombre de los terminales en el JFET - Figura 1.88.
107
Figura 1.88. Fuente - Drenador - Compuerta
Operación.- Dada la naturaleza óhmica del canal D-S y que la unión diódica generalmente se ubica a la
mitad del canal, en muchos JFETs, Drain y Source son intercambiables. Sin embargo, los fabricantes marcan
los terminales de tal forma que entre D y G se tenga la menor capacitancia para que la respuesta en
frecuencia de un amplificador inversor no se vea disminuida por el efecto Miller.
Figura 1.89. Vista transversal JFET canal N
La Figura 1.89 muestra la sección transversal de un JFET canal N con las fuentes de voltaje para su
polarización. El voltaje entre Drain y Source VDS es positivo, y el voltaje entre Gate y Sourse VGS siempre
es negativo o cero voltios. Debido a que hay una unión PN, siempre hay una zona de agotamiento. Si VGS
es 0V y se aplica un voltaje creciente VDS, por la naturaleza óhmica del canal, la corriente IDS inicialmente
comenzará a aumentar linealmente con el voltaje VDS aplicado. A medida que la corriente crece, se
desarrolla un voltaje entre el canal y Gate, éste último está al mismo potencial que Source. Este es un
voltaje que progresivamente polariza en inverso la unión PN causando un aumento en la zona de
agotamiento y una disminución en el área efectiva del canal, lo que equivale a un aumento en la resistencia
del canal. La corriente IDS ya no crece linealmente con el voltaje VDS aplicado. Llega un momento en que
el voltaje inverso en la unión PN se incrementa al punto de estrangular el canal (Pinch-off o Cut-off) – Figura
1.90. A partir de ese momento la corriente IDS permanece casi constante a pesar del incremento de VDS.
108
Esta corriente es la máxima corriente que puede circular por el JFET en condiciones normales y es llamada
la corriente de saturación IDSS. La zona donde la corriente de drenador es estable se llama Zona de
Saturación. Si se sigue aumentando VDS, en algún momento se presentará el fenómeno de ruptura donde
se da un rápido incremento de la corriente de drenador.
Figura 1.90. JFET con canal estrangulado
Si estando el JFET conduciendo con IDSS, y con un valor alto de voltaje VDS, es decir, dentro de la Zona de
Saturación, se aplica progresivamente un voltaje negativo entre Gate y Source de tal manera que el canal
se vaya angostando, se van a tener valores únicos de corriente IDS para cada valor de VGS, los cuales al
graficarse dan la Curva de Transconductancia del JFET, la cual indica cómo varía la corriente de drenador
con respecto a las variaciones de voltaje entre Gate y Source; haciendo VGS cada vez más negativo, se llega
al punto de estrangulamiento en el que la corriente se anula. El voltaje VGS al cual se presenta este
fenómeno es el voltaje de estrangulamiento o Pinch-off o Cut-off, Vp o VGS (off). Pueden también obtenerse
curvas de comportamiento de IDS para distintos valores de VDS, usando valores fijos de VGS. La Figura
1.91 ilustra esas curvas.
109
Figura 1.91. Curvas y ecuaciones características del JFET
El JFET en la Zona de Saturación se comporta como una fuente de corriente controlada por el voltaje entre
Gate y Source.
En la Zona Óhmica el JFET se comporta como una resistencia controlada por el voltaje entre Gate y Source.
Para valores pequeños de VDS, por debajo de 0.1Vp, el comportamiento de la resistencia es más lineal, y
es en esa zona donde el JFET se usa como resistencia variable controlada por voltaje – Figura 1.92.
110
Figura 1.92. JFET como resistencia
Ventajas del JFET
 Produce menos ruido interno pues los portadores no tienen que atravesar uniones PN; por esta razón
es ampliamente utilizado como amplificador de entrada en audio, instrumentación y radiofrecuencia.
 Presenta muy alta impedancia de entrada, típico mayor de 100MΩ, pues la entrada es una unión PN
polarizada en inverso.
 Tiene un alto grado de aislamiento entre la entrada y la salida.
 Su corriente es controlada por voltaje.
 En su construcción se emplea menos espacio que con un transistor BJT.
 Son marcadamente menos alterados por radiación, ya que su funcionamiento no depende de
portadores minoritarios.
 Son menos afectados por cambios de temperatura; presentan coeficiente de temperatura negativo a
niveles altos de corriente.
 Son más veloces en conmutación ya que no sufren los efectos de almacenamiento de portadores
minoritarios.
 Puede ser usado como resistencia controlada por voltaje.
111
Desventajas del JFET
 Tienen menor producto Ganancia X Ancho de Banda.

 Son más costosos de producir.
Definiciones
 Polarizar: Aplicar voltajes o corrientes adecuados a un componente, o a un circuito para que funcione
en la forma deseada.
 Efecto Miller: Incremento en la capacitancia de entrada equivalente de un amplificador inversor de
voltaje debido a la amplificación de la capacitancia entre los terminales de entrada y salida.
 Ruido de un componente: Señales eléctricas aleatorias no deseadas producidas por el componente.
 Transconductancia: Relación entre las variaciones de corriente a la salida de un sistema con respecto
a las variaciones de voltaje a la entrada del sistema.
 MOSFET: Dispositivo semiconductor de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D),
compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente
al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres
terminales. Es usado como amplificador con características similares al JFET.
Para la práctica de laboratorio se requiere la siguiente lista de materiales:
Protoboard
JFET canal N
Condensadores de 10µF/25V electrolíticos, 10nF y 100nF cerámicos
Resistencias de 100Ω, 1kΩ
Potenciómetro de 10kΩ
Los equipos necesarios son los siguientes:
1 Multímetro
1 Osciloscopio digital
1 Generador de señales
 Identificación de terminales
Colocar un JFET canal N en el protoboard y verificar los terminales según las indicaciones de la
Figura 1.93.
112
Figura 1.93. Identificación de terminales del JFET
Usando el multímetro digital en el modo “DIODO”, el terminal Gate se identifica al colocar fija una
de las puntas en ese terminal, hay conducción cuando la otra punta toca los otros dos terminales,
pero no hay conducción intercambiando la posición de las puntas. Si la punta que se mueve es la
Negativa, el canal es N; si la punta que se mueve es la Positiva, el canal es P.
Como generalmente Drain y Source pueden intercambiarse, porque Gate está a la mitad del canal,
es difícil identificar esos terminales, aunque en muchos JFETs, la medida con “DIODO” es
ligeramente mayor entre Gate y Drain.
Midiendo en “Ω” con el multímetro entre DS y SD, las medidas son parecidas y con valores entre
20Ω y 4kΩ, pero siempre debe conectarse Gate con el supuesto Source.
 Determinación de IDSS
NOTA DE SEGURIDAD
Muchos JFETs tienen baja capacidad de disipación de potencia PD, en el orden de 100mW; si este
tipo de JFETs tienen además una corriente IDSS alta, superior a 7mA, los métodos descritos abajo
para la determinación de IDSS y Vp, los pueden colocar en riesgo de falla por alta disipación de
potencia, ya que la potencia disipada máxima puede ser:
𝑃𝐷 = 12𝑉𝑥𝐼𝐷𝑆𝑆
113
Por eso es conveniente hacer una prueba preliminar del JFET usando los circuitos de la Figura
1.94a para determinar Vp, y de la Figura 1.94b para determinar IDSS. En las figuras se indican las
ecuaciones que se deben emplear.
Figura 1.94a. Determinación de Vp del JFET Figura 1.94b. Determinación de IDSS
Los valores de IDSS y Vp que se obtienen, normalmente están dentro de un 2% de desviación con
respecto a los valores que se obtienen por los otros métodos, lo cual es aceptable para
aplicaciones prácticas.
En la Figura 1.93-1 el voltímetro, en modo DC, debe tener una impedancia de entrada de 10MΩ.
El voltímetro es usado aquí con la doble función de resistencia de 10MΩ y voltímetro, la corriente
en el circuito se mantiene cerca de 1µA, lo cual hace que el voltaje entre Gate y Source sea cercano
a Vp.
En la Figura 1.93-2, el voltaje en el voltímetro es proporcional a la corriente ID y al inverso del

voltaje entre Gate y Source . El valor de IDSS es calculado a partir de la ecuación de ID en la zona de
saturación, donde la magnitud de ID es reemplazada por la magnitud del voltaje que registra el
voltímetro.
Si el valor encontrado de IDSS es menor de 7mA, se puede continuar con el procedimiento

indicado a continuación.
 Montar en el protoboard el circuito de la Figura 1.95.
114
Figura 1. 95. Medida de IDSS
 Medir con un voltímetro digital el voltaje a través de la resistencia de 100Ω, el cual es proporcional
a la corriente en el JFET.
 Calcular la corriente en el JFET, ese valor es IDSS.
Obtención de datos para graficar la curva de transconductancia y determinación de Vp
 Montar en el protoboard el circuito de la figura 1.96. El potenciómetro R2 de 10kΩ debe ser

multivuelta para facilitar las mediciones.
115
Figura 1. 96. Circuito para obtener la curva de transconductancia y Vp
 Utilizar un voltímetro para medir el voltaje en la resistencia R1 de 100Ω, el cual es proporcional a

la corriente ID, y otro voltímetro para medir el voltaje entre Gate y Source, lo que equivale a medir
entre G y tierra.
 Comenzar con VGS = 0V para el cual la corriente ID = IDSS. Luego, por medio del potenciómetro
de 10KΩ, aumentar el voltaje negativo en G hasta que la corriente ID sea 0.75IDSS y registrar el
valor de VGS.
 De nuevo aumentar el voltaje negativo en G hasta que la corriente ID sea 0.5IDSS y registrar el
valor de VGS.
 Repetir el procedimiento anterior hasta que la corriente ID sea 0.25IDSS y registrar el valor de
VGS.
 Repetir el procedimiento hasta que el voltaje en la resistencia R1 de 100Ω sea 0.1mV, lo cual
equivale a una corriente ID de 1µA; registrar el valor de VG y tomar este valor como Vp.
 Graficar la curva de transconductancia - ID vs VGS. Esta curva muestra el comportamiento del
JFET cuando está en la zona de saturación.
 Comparar esta gráfica con la obtenida aplicando la ecuación de ID en la Zona de Saturación.
NOTA: En los programas de simulación de circuitos electrónicos, el modelo SPICE usado para el JFET es el
mismo que el del MOSFET, con ecuación 𝐼𝐷 = 𝛽(𝑉𝐺𝑆 – 𝑉𝑇𝑂 )2 (1 + 𝜆𝑉𝐷𝑆 ), donde VTO es el voltaje de
umbral, equivalente a Vp, expresado en voltios; β es igual a IDSS/Vp2, expresado en A/V2, y λ expresado en
1/V, tiene en cuenta el incremento de ID con VDS, debido a la resistencia de Drain a Source, rDS.
Determinación de la curva ID vs VDS
 Montar en el protoboard el circuito de la Figura 1.97. La fuente V1 es una fuente DC variable.
116
Figura 1.97. Montaje
 Usar un voltímetro para medir el voltaje en R1 de 100Ω, el cual es proporcional a la corriente ID.
 Usar otro voltímetro para medir el voltaje entre D y S
 Comenzando con V1 = 0V, lo cual corresponde con IDS = 0mA, incrementar este voltaje hasta que
VDS sea 0.1V y registrar IDS.
 Continuar este procedimiento incrementando consecutivamente VDS en 0.1V y determinando IDS
hasta que VDS sea igual al valor absoluto de Vp. Este punto establece la separación entre la Zona
Óhmica y la Zona de Saturación para VGS = 0V
Nota: Si Vp del JFET tiene una magnitud pequeña, se deben usar incrementos de 50mV en VDS mientras
se esté en la Zona Óhmica.
 Se continúa este procedimiento, incrementando consecutivamente VDS en 1.0V y determinando

IDS hasta que VDS sea 11V.
 Graficar la curva IDS vs VDS con base en los datos registrados.
Se pueden obtener más curvas, por ejemplo con VGS = Vp/2, entre otros, para tener una información
más completa del JFET bajo estudio.
Estos juegos de curvas son fácilmente obtenidos con equipos especializados para este propósito - Figura
1.98.
117
Figura 1.98. Equipo especializado para obtención de curvas características
 Comparar la curva en la Zona Óhmica con la que resulta de aplicar la ecuación de corriente ID en
esa zona.
Determinación de la resistencia interna entre Drain y Source – rDS
 De los datos obtenidos de la curva ID vs VDS tomar dos datos dentro de la Zona de Saturación,
apartados de la Zona Óhmica, con una diferencia de voltaje - ∆VDS - de 3.0V; a esos valores de
voltaje deben corresponder sendos valores de corriente IDS. La relación ∆VDS/∆IDS es ~ rDS.
Determinación de la curva de transconductancia usando el osciloscopio
 Montar en el protoboard el circuito de la Figura 1.99. Seguir las indicaciones con respecto a señal
aplicada y sondas del osciloscopio. En este montaje manejar tierra común para fuente DC,
Generador y Osciloscopio, el Osciloscopio debe estar en modo XY. En este circuito se aplica a G
un voltaje negativo que varía linealmente entre 0V y 1.2Vp (Vp es negativo).
118
Figura 1. 99. Circuito para curva de transconductancia
 Ajustar las posiciones y las sensibilidades de los canales del osciloscopio para obtener el máximo
de información en la pantalla.
Curva ID vs VDS usando el osciloscopio
 Usar el circuito de la Figura 1.100. (Osciloscopio en modo XY y debe estar conectado a la red AC
por medio de un adaptador 3 a 2)
119
Figura 1. 100. Circuito para curva ID Vs VDS
 Comenzar con VGS = 0V, por medio del ajuste del potenciómetro multivuelta.
 Ajustar los controles de sensibilidad vertical y de posición de los canales, para obtener el máximo
 Hacer observaciones con otros voltajes entre G y S, por ejemplo 0.3Vp y 0.5Vp con los que se
logran corrientes en la Zona de Saturación de aproximadamente 0.5IDSS y 0.25IDSS,
respectivamente. Las curvas aparecerán con VDS incrementando hacia la derecha si el canal 1 tiene
la opción de ser invertido.
120
6. EJEMPLO
Figura 1. 101. Curva de transconductancia 2SK30
Figura 1. 102. Curva IDS Vs VDS 2SK30
121
PRÁCTICA # 1.11
AMPLIFICADORES CON JFET
1. INTRODUCCIÓN
El Transistor a Efecto de Campo de Unión - JFET, puede realizar funciones de amplificación de manera
similar al transistor bipolar, BJT. La Figura 1.103 muestra un diagrama funcional de los dos dispositivos.
En el transistor, el terminal de control es la Base. Un cambio en la corriente de Base IB, produce un
cambio mayor en la corriente de Colector IC, con un factor de amplificación β. En el JFET el terminal de
control es la Compuerta (Gate – G). Un cambio en el voltaje aplicado entre Compuerta y Fuente (Source
– S) VGS, produce un cambio en la corriente de Drenador ID. Este cambio depende de la
transconductancia gm del JFET.
Figura 1. 103. Diagrama funcional del transistor BJT y del JFET
2. OBJETIVOS
Determinar las características operativas de los amplificadores con JFET
Determinar las características operativas del amplificador Fuente común sin retroalimentación.
Determinar las características operativas del amplificador Fuente común con retroalimentación.
Determinar las características operativas del amplificador Drenador común.
Determinar la impedancia de salida de un amplificador Drenador común.
122
3. MARCO TEÓRICO
El JFET como amplificador.- El JFET puede ser usado en configuraciones de amplificación similares a las del
transistor BJT. Con el BJT se tienen amplificadores Emisor común, Base común y Colector común. Con el
JFET se tienen amplificadores Fuente común, Compuerta común y Drenador común.
En el JFET el parámetro más importante para efectos de la amplificación es la Transconductancia gm, la

cual indica cómo varía la corriente en Drenador frente a las variaciones de voltaje aplicado entre
Compuerta y Fuente.
La Figura 1.104 ilustra la Curva de Transconductancia de un JFET canal N. La Transconductancia gm es la

pendiente de la curva en cualquier punto sobre ella, lo cual significa que gm depende de las condiciones
de polarización del JFET. A mayor corriente ID de polarización, mayor es gm; a menor ID, menor es gm.
Figura 1. 104. Efecto de la transconductancia en la corriente de salida del JFET
gm es la derivada de ID en el punto de trabajo determinado por el circuito de polarización del JFET.
POLARIZACIÓN DEL JFET.- La polarización del JFET establece el punto de trabajo Q sobre la Curva de
Transconductancia y por consiguiente define el valor de la Transconductancia gm.
Ya que los JFETs ofrecen menos amplificación que los BJT, generalmente se busca operarlos con ID grande
para tener mayor gm, pero cuidando que la unión PN entre Gate y Source nunca vaya a conducir – con
señales de entrada muy pequeñas hasta algunas decenas de mV se puede operar con VGSQ = 0V. Otro
123
aspecto que debe cuidarse es que las variaciones de voltaje entre Drenador y Fuente deben mantenerse
alejadas de la Zona Óhmica y de la condición de corte del JFET.
Independientemente del tipo de amplificador que se use, comúnmente se usan las polarizaciones Auto
polarización por resistencia en Fuente (S), Polarización por divisor de voltaje y Polarización por fuente de
corriente en Fuente (S).
Como las características de los JFETs varían bastante entre unidades, así sean de un mismo lote de
fabricación, para la producción en serie de dispositivos que usan JFETs se prefieren las dos últimas
polarizaciones mencionadas anteriormente.
Auto polarización por resistencia en Fuente (S).- La Figura 1.105 muestra el circuito de auto polarización
por resistencia en Fuente (S) y la ecuación para calcular la resistencia Rs requerida.
Figura 1. 105. Auto polarización por Rs
La señal a amplificar puede ser aplicada a G (Amplificadores Fuente común y Drenador común) o a S
(Amplificador Compuerta común). RD es cero para el Amplificador Drenador común. RG de valor elevado
(1MΩ típico) se requiere para dar paso a la corriente inversa de la unión DG.
En este circuito 𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝐷𝑥𝑅𝑠 = 0𝑉.
124
Polarización por divisor de voltaje.- La Figura 1.106 muestra el circuito de polarización por divisor de
voltaje. Al igual que la polarización similar con BJTs, el diseñador escoge Vs entre 1/10 y 1/3 de VDD,
teniendo en cuenta que VG siempre será menor que Vs en la magnitud de VGSQ. Las resistencias R1 y R2,
aparte de fijar el valor de VG, determinan también la impedancia de entrada del amplificador cuando la
entrada de señal es por Compuerta (G). De nuevo la ecuación de la Curva de Transconductancia del JFET es
usada para calcular los valores de corriente y voltaje en el punto de trabajo Q. En el gráfico se dan las
ecuaciones relacionadas con la polarización y el cálculo de Rs.
Figura 1.106. Polarización por divisor de voltaje
Polarización por fuente de corriente en Fuente (S).- En este tipo de polarización, muy usada para la
configuración amplificadora Drenador común, una fuente de corriente conectada entre Fuente (S) y un
voltaje de alimentación negativo (para JFETs canal N) – aunque también hay diseños con una sola fuente
de alimentación - establece la corriente que va a circular por el JFET amplificador, a la cual corresponde un
voltaje único entre Compuerta y Fuente – VGS, según la ecuación de la Curva de Transconductancia.
La Figura 1.107 ilustra este tipo de polarización. La fuente de corriente puede ser construida con
transistores BJT o con FETs en la configuración auto polarización con resistencia en Fuente (S).
125
Figura 1. 107. Polarización por fuente de corriente
Configuraciones de amplificadores con JFET.- Los tres tipos básicos de amplificadores - Fuente común,
Compuerta común y Drenador común, son analizados para trabajo con señales de pequeña amplitud
usando los modelos del JFET para media y alta frecuencia mostrados en la Figura 1.108.
Modelo del JFET para frecuencias medias Modelo del JFET para altas frecuencias
Figura 1. 108. Modelos para señal pequeña del JFET
En los modelos, gm es la transconductancia, rd es la resistencia dinámica entre D y S, la cual modela el

efecto de aumento de la corriente ID en la Zona de Saturación debido al aumento del voltaje VDS; muchas
veces no se tiene en cuenta si su valor es mucho mayor que las resistencias del circuito en paralelo con ella.
Cgs es la capacitancia entre Compuerta (G) y Fuente (S), la cual establece el límite de la respuesta en alta
frecuencia para las configuraciones Drenador común y Compuerta común, y Cgd es la capacitancia entre
Compuerta y Drenador, la cual es aumentada por el efecto Miller y sumada a Cgs, en la configuración
Fuente común, determinando estas dos el límite de la respuesta en alta frecuencia.
126
Amplificador Fuente Común sin retroalimentación.- Características mostradas en la Figura 1.109.
Figura 1. 109. Amplificador fuente común sin retroalimentación

𝑉𝑜
𝐴𝑉 = 𝑉𝑖
= −𝑔𝑚(𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿)
𝑍𝑖 = 𝑅𝐺
𝑍𝑜 = 𝑅𝐷
Con rd
𝐴𝑉 = −𝑔𝑚(𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 ∥ 𝑟𝑑)
𝑍𝑖 = 𝑅𝐺
𝑍𝑜 = 𝑅𝐷 ∥ 𝑟𝑑
127
Este amplificador está auto polarizado por Rs, pero Fuente (S) está dinámicamente a tierra por la acción de
Cs.
En muchos diseños, si la señal de entrada es muy pequeña, Rs es 0Ω para dejar al JFET operando con ID =
IDSS, lográndose así la máxima transconductancia.
Amplificador Fuente Común con retroalimentación.- Características mostradas en la Figura 1.120b.
Figura 1.20. Amplificador fuente común con retroalimentación

𝑉𝑜 𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝐴𝑉 = 𝑉𝑖
= − 1+𝑔𝑚 𝑅𝑠
𝑍𝑖 = 𝑅𝐺
𝑉𝑜
𝑍𝑜 = 𝐼𝑜
= 𝑅𝐷
Con rd
𝐴𝑉 = 𝑉𝑖
= − 𝑅𝐷+𝑅𝑠
1+𝑔𝑚 𝑅𝑠+
𝑟𝑑
𝑍𝑖 = 𝑅𝐺
128
𝑅𝑠
𝑟𝑑
𝑍𝑜 = 𝑅𝑠 𝑅𝐷 𝑅𝐷
1+𝑔𝑚 𝑅𝑠+ +
𝑟𝑑 𝑟𝑑
En esta configuración, Rs podría estar dividida en dos secciones, una de ellas con un condensador en
paralelo. La resistencia total determina la polarización, pero sólo la resistencia sin el condensador en
paralelo es la que establece las características del amplificador y es la usada en las ecuaciones.
Para amplificadores polarizados por divisor de voltaje, lo único que cambia en las ecuaciones es que 𝑍𝑖 =
𝑅1//𝑅2.
Amplificador Compuerta común.- Este amplificador es usado para acoplar circuitos de baja impedancia
con circuitos de alta impedancia. Es común encontrarlo en aplicaciones de radiofrecuencia donde se
aprovecha también su bajo ruido y su capacidad para amplificar señales de voltaje a alta frecuencia sin que
se presente el efecto Miller.
También es usado en conjunto con un amplificador Fuente común para mejorar la respuesta en frecuencia
y la separación entre la salida y la entrada, en una configuración cascode.
La Figura 1.21 es un ejemplo de la topología cascode para mejorar el desempeño de un amplificador de

video.
FET Cascode Video Amplifier
Figura 1.21. Amplificador compuerta comun en cascode
La Figura 1.22 ilustra un circuito con amplificador Compuerta común usado por la NASA en su Proyecto
JOVE para estudiar el Plasma y los Campos Magnéticos de Júpiter, con miras a tener una mejor
comprensión de nuestro planeta Tierra.
129
Figura 1.22. Amplificador compuerta común 20.1 MHz
En la Figura 1.23 se muestran las características de un amplificador Compuerta común.
130
Figura 1.23. Amplificador compuerta común
𝐴𝑉 = 𝑔𝑚(𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿)
𝑍𝑖 ≅ 𝑅𝑠 ∥ 1/𝑔𝑚
𝑍𝑜 ≅ 𝑅𝐷
Con rd
𝑅𝐷∥𝑅𝐿
𝑉𝑜 𝑔𝑚 (𝑅𝐷∥𝑅𝐿)+
𝑟𝑑
𝐴𝑉 = = 𝑅𝐷∥𝑅𝐿
𝑉𝑖 1+
𝑟𝑑
𝑟𝑑+(𝑅𝐷∥𝑅𝐿)
𝑍𝑖 = 𝑅𝑠 ∥ 1+𝑔𝑚 𝑟𝑑
𝑍𝑜 = 𝑅𝐷 ∥ 𝑟𝑑
Amplificador Drenador común.- Este amplificador, también llamado seguidor de voltaje, es ampliamente
utilizado para acoplar circuitos de alta impedancia con circuitos de baja impedancia, actuando como
separador – Buffer. Es muy común encontrarlo a la entrada del sistema de procesamiento análogo de
131
muchos sistemas electrónicos. La Figura 1.24 ilustra el circuito de entrada de un osciloscopio con ancho de
banda de 100MHZ que usa un JFET como seguidor de voltaje polarizado por otro JFET que actúa como
fuente de corriente.
Figura 1.24. Entrada osciloscopio
En la Figura 1.25 se muestran las características de un amplificador Drenador común.
Figura 1.25. Amplificador Drenador comun

132
𝑉𝑜 𝑔𝑚 𝑅𝑠
𝐴𝑉 = ≅
𝑉𝑖 1+𝑔𝑚 𝑅𝑠
𝑍𝑖 = 𝑅𝐺
𝑍𝑜 ≅ 𝑅𝑠 ∥ 1/𝑔𝑚
Con rd
𝑉𝑜 𝑔𝑚 (𝑟𝑑∥𝑅𝑠)
𝐴𝑉 = 𝑉𝑖
= 1+𝑔𝑚 (𝑟𝑑∥𝑅𝑠)
𝑍𝑖 = 𝑅𝐺
𝑍𝑜 = 𝑟𝑑 ∥ 𝑅𝑠 ∥ 1/𝑔𝑚
Definiciones
 Impedancia: Oposición que presenta un circuito a una corriente cuando se le aplica un voltaje.
 Cascode: Palabra que tiene su origen en la tecnología de tubos al vacío, cuando se acopla la salida de
un tubo al cátodo de otro - “cascade to cathode”.
Protoboard
JFET canal N
Condensadores de 10µF/25V y 220µF/25V electrolíticos y 100nF cerámicos
Resistencias de distintos valores
133
1 Multímetro
5.1SIMULACIÓN
Circuito amplificador con transistor JFET
Figura 5.26. Circuito amplificador de señal con transistor JFET.
134
Figura 1.27. Gráfica de respuesta de entrada-salida del circuito de la figura 1.126.
Figura 1.28. Gráfica de respuesta de frecuencia en la salida del circuito de la figura 1.126.
135
5.2 DESARROLLO DE LA PRACTICA
Amplificador Fuente común
 Usando un JFET canal N de características conocidas, hacer los cálculos para operar el
amplificador Fuente común sin retroalimentación, auto polarizado por resistencia en Fuente, de
la Figura 1.29. Calcular Rs para que ID sea 0.75IDSS y calcular RD para que VDS sea |Vp| + 2V.
Figura 1.129. Amplificador fuente común
 Montar el circuito en el protoboard, medir los voltajes DC en VDD, S y D, y calcular la corriente ID.
Comparar los resultados con los cálculos teóricos para esos valores.
 Aplicar a la entrada una señal seno de 100mVpp 1kHz y medir el voltaje AC a la salida. Determinar
la ganancia de voltaje del amplificador y compararla con los resultados teóricos.
 Retirar el condensador C4 en paralelo con Rs, para trabajar ahora con el amplificador Fuente
común con retroalimentación. Aplicar a la entrada una señal seno de 100mVpp 1kHz y medir el
voltaje AC a la salida. Determinar la ganancia de voltaje del amplificador y compararla con los
resultados teóricos.
Amplificador Drenador común.-
amplificador Drenador común, polarizado por divisor de voltaje en compuerta, de la Figura 1.130.
Calcular Rs para que ID sea 0.75IDSS.
136
Figura 1.130. Amplificador drenador comun
 Montar el circuito en el protoboard, medir los voltajes DC en VDD, G y S, y calcular la corriente ID.
 Aplicar a la entrada una señal seno de 100mVpp 1kHz y medir el voltaje AC a la salida = Vo.
Determinar la ganancia de voltaje del amplificador y compararla con los resultados teóricos.
 Determinar la impedancia de salida Zo, conectando a la salida una resistencia de 1kΩ y midiendo
el voltaje AC a la salida = Vo’. Usar la fórmula de la Figura 1.131. Comparar el resultado con el
cálculo teórico.
137
Figura 1.131. Circuito para determinar Zo
6. EJEMPLO
La Figura 1.132 muestra los voltajes de entrada y salida de un amplificador Fuente común, con JFET 2SK30,
IDSS=2.97mA y Vp=-1.72V, operando a 0.75IDSS.
Sin retroalimentación Con retroalimentación
Figura 1.132. Amplificador fuente común
La Figura 1.133 muestra los voltajes de entrada y salida de un amplificador Drenador común, con JFET 2SK30,
IDSS=2.97mA y Vp=-1.72V, operando a 0.75IDSS.
138
Figura 1.133. Amplificador drenador común
139
PRACTICA # 1.12
AMPLIFICACIÓN DARLINGTON
1. INTRODUCCIÓN.
El par darlington un dispositivo semiconductor único que combina dos transistores bipolares en un
tándem. La configuración (originalmente realizada con dos transistores separados) fue inventada por el
ingeniero de los Laboratorios Bell, Sídney Darlington quien solicitó la patente el 9 de mayo de 1952. La idea
de poner dos o tres transistores sobre un chip fue patentada por él, pero no la idea de poner un número
arbitrario de transistores que originaría la idea moderna de circuito integrado.
2. OBJETIVOS.
Objetivo General
 Diseñar, implementar, simular y analizar un amplificador con par Darlington.
 Identificar las características de operación del amplificador: ganancia de corriente, ganancia de

voltaje, impedancia de entrada e impedancia de salida.
 Identificar las ventajas y desventajas de la implementación de un amplificador darlington.
 Comparar las formas de onda arrojadas por la simulación, las obtenidas con la práctica con los
modelos teóricos.
3. MARCO TEÓRICO
Una conexión muy popular de dos transistores de unión bipolar que opera como un transistor “súper
beta” es la conexión Darlington. La característica principal de este amplificador es que actúa como una
sola unidad con una ganancia de corriente que es el producto de las ganancias de corriente de los
transistores individuales. Si la conexión se hace con dos transistores distintos con ganancias de
corriente de β1 y β2, la conexión darlington proporciona una ganancia de corriente de 𝛽𝐷 = 𝛽1 𝛽2. Si
los dos transistores se acoplan de modo que β1=β2= β, la conexión Darlington proporciona una
ganancia de corriente de 𝛽𝐷 = β2
Esta combinación de transistores posee algunas características deseables que la hacen más útil que
un solo transistor en ciertas aplicaciones. Por ejemplo, el circuito tiene alta impedancia de entrada,
baja impedancia de salida y alta ganancia de corriente.
Zi= β1xβ2xRE
140
Una desventaja del par darlington es que la corriente de fuga del primer transistor es amplificada por
el segundo. La hic de ambos transistores no es la misma, ya que el punto de operación del primer
transistor es diferente del segundo.
Figura 1.134. Amplificador Darlington
 Protoboard
 Resistencias
 Transistores BJT NPN (2N2222 o 2N3904)
 Fuente DC dual
 Capacitores
5. SIMULACION:
Objetivos de la simulación:
- Comprobar el comportamiento de un amplificador AC diseñado teóricamente en la configuración

de polarización fija.
- Medir características del sistema como ganancia, frecuencias de corte, impedancias, entre otras.
Circuitos para la simulación:
141
Figura 1.135. Esquemático de un amplificador Darlington.
Componentes y librerías utilizados:
COMPONENTE REFERENCIA LIBRERÍA
Fuente DC VSRC Simulation Sources
Fuente AC VSIN Simulation Sources
Resistencia Res1 Miscellaneous Devices
Condensador Cap Miscellaneous Devices
Transistor Darlington BC517 Motorola Discrete BJT
Resultados de la simulación
Figura 1.136. Voltaje de entrada
142
Figura 1.137. Voltaje de salida
Respuesta en frecuencia del voltaje de salida
Figura 1.138. Bode del amplificador Darlington.
Conclusiones y observaciones: Los cálculos para el amplificador en DC se basaron en una corriente

de colector de 10mA y un VCE=Vcc/2, siendo Vcc=12V.
Diseñe un amplificador seguidor emisor Darlington como el de la figura 1.39, con un hfc combinado
de 10000, 2Vbe=1.4V, la carga es de 20Ω, Rin=40KΩ, Vcc=12v. Determinar las frecuencias de corte en
altas, grafique el bode. Frecuencia mínima de operación FL=20Hz.
143
Figura 1.139. Esquemático del amplificador Darlington ES
 Mencione las aplicaciones de la configuración Darlington

 Deduzca la ganancia de corriente, ganancia de voltaje, la impedancia de entrada y la impedancia
de salida para el amplificador de la figura 1.40.
Figura 1.140. Esquemático del amplificador Darlington EC
 Que características, ventajas y desventajas tiene la utilización de amplificadores Darlington.

144
 Consultar la función que cumple el condensador C2 en el amplificador Darlington de la figura 1.41,
y explique cómo se diseña el RB1, RB2 y RB3.
Figura 1.141. Esquemático del amplificador Darlington ES con realimentación.
7. BIBLIOGRAFÍA
Amplificadores multietapa, R. Carrillo, J.I. Huircan disponible en

http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/MultIee2.pdf
Transistor Darlington disponible en https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_Darlington.
145
CAPÍTULO 2
PRÁCTICAS DE
LABORATORIO DE
ELECTRÓNICA
ANALÓGICA 2
Elaborado por:
David Mosquera Duarte
146
PRÁCTICA # 2.1
DIODO Y TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN
1. INTRODUCCIÓN
La unión semiconductora p-n constituye el elemento fundamental de construcción de muchos

dispositivos semiconductores como los diodos, los transistores, las celdas solares, los diodos emisores
de luz, y diversos circuitos integrados, entre otros.
La unión p-n en condiciones ideales debería conducir cuando se polariza en directo y no conducir cuando
se polariza en inverso, pero cuando se emplea a frecuencias altas se hace evidente la presencia de
capacitancias que pueden afectar notablemente el desempeño del dispositivo del cual hace parte.
Figura 2. 1. Unión PN
2. OBJETIVOS
Estudiar el comportamiento de diodos y transistores en condiciones de conmutación.
147
2.2 OBJETIVOS ESPECÍFICOS
Observar el fenómeno de conducción inversa de un diodo 1N4004 en comparación con un diodo

1N4148 cuando son sometidos a cambios rápidos entre polarización en directo y polarización en
inverso.
Determinar el tiempo de recuperación en inverso de un diodo 1N4004.
Observar las demoras que se dan en la conmutación entre corte y saturación y viceversa de un
transistor debido a las capacitancias de las uniones p-n.
Estudiar un método para mejorar la conmutación del transistor operando en conmutación.
3. MARCO TEÓRICO
En la unión semiconductora p-n existen dos efectos de capacitancia que deben considerarse. Ambos tipos
de capacitancia se encuentran presentes en las regiones de polarización directa y polarización inversa, pero
una sobrepasa a la otra de tal manera que en cada región sólo se consideran los efectos de una sola
capacitancia.
En la región de polarización inversa se tiene la capacitancia de la región de transición o de agotamiento

(CT), mientras que en la región de polarización directa se tiene la capacitancia de difusión (CD) o de
almacenamiento.
Capacitancia de Transición.
Cuando una unión p-n es polarizada en inverso, el ancho de la zona de agotamiento aumenta, o sea que
hay más iones en la zona de agotamiento. Debido a esto, la región p y la región n actúan como las placas
de un condensador, mientras que la región de agotamiento que no tiene portadores libres, actúa como un
dieléctrico. Se tiene así una capacitancia en la unión p-n llamada capacitancia de transición, capacitancia
de unión, capacitancia espacio carga, capacitancia de barrera o capacitancia de la región de agotamiento,
llamada CT.
Cuando la magnitud del voltaje inverso aplicado aumenta, el ancho de la zona de agotamiento aumenta
produciendo una disminución en el valor de CT. Esta propiedad de variar la capacitancia con el voltaje
inverso aplicado es aprovechada en el diseño de los diodos varicap o varactor que se emplean como
148
condensadores controlados por voltaje. El valor típico de esta capacitancia para diodos normales (no
varicap) es de unos pocos pF.
Capacitancia de Difusión.
Cuando la unión p-n es polarizada en directo, se forma otra capacitancia llamada capacitancia de difusión
o capacitancia de almacenamiento – CD.
En condiciones de polarización directa, el ancho de la zona de agotamiento disminuye y huecos de la zona

p son difundidos en la zona n mientras que electrones de la zona n se mueven dentro de la zona p. La
capacitancia está dada por la velocidad con que cambia la carga con el voltaje aplicado, así, CD aumenta
con la corriente que circula en directo por la unión p-n. Esta capacitancia está en el orden de nF a µF.
Tiempo de recuperación inverso de un diodo.
Si a un diodo que está conduciendo en directo, repentinamente se le aplica un voltaje inverso, idealmente
el diodo debería cambiar de forma instantánea, del estado de conducción al de no conducción.
Sin embargo, debido a que un gran número de portadores minoritarios se localizan en cada material, es
decir huecos en el lado n y electrones en el lado p debido a la difusión por conducir en directo, la corriente
del diodo se invertirá como se muestra en la figura 2.2, y permanecerá en este nivel durante un tiempo ts
(tiempo de almacenamiento), el cual es requerido por los portadores minoritarios para retornar a su
estado de portadores mayoritarios dentro del material opuesto, de donde salieron. En esencia, el diodo
permanecerá en el estado de conducción con una corriente inversa determinada por los componentes
que haya en el circuito. En algún momento, una vez que ha pasado esta fase de almacenamiento, la
corriente se reducirá hasta llegar al valor asociado con el estado de no conducción. El tiempo comprendido
entre la terminación del tiempo de almacenamiento y un 0.25 del valor de la corriente inversa se llama tt
(intervalo de transición). El tiempo de recuperación inversa trr es la suma de estos dos intervalos: ts + tt.
El tiempo de recuperación trr es importante en las aplicaciones de conmutación de alta velocidad, como
es el caso de las fuentes de alimentación de conmutación (switching power supply). Casi todos los diodos
de conmutación disponibles en el mercado tienen un trr en el rango de unos cuantos ns. Sin embargo, hay
unidades disponibles con trr de sólo unos cuantos cientos de picosegundos.
149
Figura 2. 2. Tiempo de recuperación en inverso de un diodo
Como dato de comparación, los diodos 1N4148 para procesamiento de señal, y el 1N4004 rectificador
para aplicaciones de baja frecuencia, pueden tener trr para cambios de corriente entre 10mA y – 10mA,
de 4ns y 30ns, respectivamente.
La norma JESD41 de la organización JEDEC – Global Standards for the Microelectronics Industry – da las
pautas para la evaluación de los diodos de conmutación en condiciones típicas de trabajo.
Capacitancias en los transistores de unión BJT.
Los transistores NPN o PNP tienen dos uniones p-n y por lo tanto hay capacitancias asociadas con esas
uniones p-n. En operaciones típicas de amplificación, la unión base – emisor está polarizada en directo y
necesariamente en la unión están presentes la capacitancia de transición o simplemente capacitancia de
unión, y la capacitancia de difusión, siendo ésta la de mayor valor; por otra parte, la unión colector - base
está polarizada en inverso y en ella se presenta la capacitancia de transición o de unión.
150
Figura 2. 3. Modelo básico del transistor (Remplazar x con e, b o c para las configuraciones emisor
común, base común o colector común)
Operando el transistor hasta algunos cientos de kHz, el efecto de estas capacitancias no es de importancia
y se puede modelar el transistor con un circuito simple sin capacitancias – Figura 2.3; pero para frecuencias
más elevadas esas capacitancias causan una degradación en el comportamiento del transistor como
amplificador y el modelo del transistor debe ser modificado para considerar esas capacitancias y otros
factores como la resistencia de la región de base. Otras variables a considerar son el tipo de encapsulado
del transistor, el cual puede adicionar capacitancias, o las dimensiones de los terminales que pueden
adicionar inductancias.
Figura 2. 4. Resistencia de la región base
La Figura 2.4 muestra la resistencia de la región de base y la Figura 2.5 muestra un modelo del transistor
emisor común teniendo en cuenta las capacitancias y la resistencia de la región de base, donde Cµ es la
capacitancia de la unión colector – base, Cπ es la suma de las capacitancias de unión y difusión de la unión
base – emisor, y rx es la resistencia de la región de base.
151
Figura 2. 5. Modelo del transistor para alta frecuencia
A medida que se opera a frecuencias más elevadas, el transistor progresivamente disminuye su capacidad
de responder adecuadamente a las rápidas variaciones de la señal que se le aplique a la entrada.
El transistor como conmutador.
Una de las aplicaciones del transistor bipolar es la de actuar en conmutación. La Figura 2.6 muestra el
circuito básico, en el que la corriente de colector es la corriente del interruptor y el voltaje entre colector
y emisor es el voltaje del interruptor, Vo; Vi es la señal que controla el interruptor.
152
Figura 2. 6. Transistor en conmutación
El transistor siempre presentará retrasos en la conmutación causados principalmente por las

capacitancias presentes en las uniones p-n del transistor.
Las características del funcionamiento en conmutación del transistor se ilustran en la Figura 2.7.
153
Figura 2. 7. Funcionamiento del transistor en conmutación
Para t ˂ 0, Vi = 0, no hay corriente de base y la unión colector base está polarizada en inverso, luego el
transistor está en corte y el voltaje de salida es Vcc.
En el instante t = 0, el voltaje de control pasa a tomar el valor VON. Los voltajes de los condensadores no
pueden cambiar instantáneamente de ahí que exista un “tiempo de retardo” td hasta que la unión base-
emisor se polarice en directo (hasta que la capacidad de la unión base-emisor se cargue al valor de la
tensión del umbral de conducción) y el transistor conduzca. La corriente de base responde
instantáneamente a este cambio de voltaje, IB = VON/RB; no así la carga de portadores minoritarios
almacenada en base, la corriente de colector y el voltaje de salida. El tiempo transcurrido para que la
carga de minoritarios pase del 10% → 90% de su valor final, recibe el nombre de “tiempo de subida” tr. El
tiempo de conmutación en ON es, 𝒕𝑶𝑵 = 𝒕𝒅 + 𝒕𝒓.
En el instante t = T, el voltaje de control vuelve a cambiar bruscamente al valor VOFF, pero el voltaje en la
capacidad de difusión de la unión base-emisor no puede cambiar instantáneamente, puesto que se
154
encuentra a +0,7 V, por lo que el transistor no puede cortarse, permaneciendo saturado hasta que toda
la carga de minoritarios de base haya desaparecido. Durante este intervalo de tiempo, la corriente de
base es negativa y la corriente de colector y el voltaje de salida varían poco. El resultado es un retraso
denominado “tiempo de almacenamiento” ts. Sólo después de que la carga haya sido eliminada, el
transistor pasa del MODO ACTIVO a CORTE. Ahora las capacidades de unión se vuelven a cargar a sus
valores iniciales cuando Vi = VOFF. El tiempo invertido para ello recibe el nombre de “tiempo de caída” tf,
y el tiempo de conmutación en OFF es la 𝒕𝑶𝑭𝑭 = 𝒕𝒔 + 𝒕𝒇.
Efecto Miller.- Si en un amplificador hay una capacitancia Cf entre la entrada y la salida - Figura 2.8, esa
capacitancia básicamente se ve reflejada a la entrada como una capacitancia de mayor valor - Figura 2.9.
Figura 2. 8. Capacitancia entre la entrada y la salida de un amplificador
Figura 2. 9. Capacitancia de efecto Miller
La capacitancia por efecto Miller se suma a la capacitancia de la unión base – emisor y en conjunto con la
resistencia efectiva desde la fuente de señal, se forma un filtro pasa bajo – Figura 2.10, el cual afecta la
respuesta en alta frecuencia del amplificador.
155
Figura 2. 10. Circuito pasa bajo de entrada a un amplificador
En algunos diseños, los amplificadores incluyen adicionalmente y de manera intencional una capacitancia
externa que se suma a la de la unión colector-base con el objeto de restringir la respuesta en alta frecuencia
del amplificador.
Para transistores en operación en conmutación, el paso entre corte y saturación y viceversa, hace que el
transistor pase por la zona activa, y en esas condiciones funciona como un amplificador inversor
manifestándose el Efecto Miller.
Aumento de la velocidad de conmutación de transistores.
El circuito de la Figura 2.11 muestra una técnica para mejorar las velocidades de conmutación de un
transistor.
Figura 2. 11. Circuito para mejorar la velocidad de conmutación
Suponiendo C1 descargado, cuando aparece el pulso de entrada, la corriente de base es grande y limitada
por R2, esta corriente ayuda a cargar rápidamente la capacitancia de difusión. C1 debe cargarse rápidamente
para que la corriente de base quede entonces limitada por R1 + R2, pero de un valor tal que permita
mantener el transistor en saturación. Cuando el voltaje de entrada pasa a cero voltios, el voltaje almacenado
156
en C1 coloca un voltaje negativo hacia la base del transistor estableciendo una corriente inversa que ayuda
a remover las cargas de la capacitancia de difusión. El valor del condensador debe ser tal que el voltaje
negativo en base desaparezca y pase a un valor cercano a los 0 Voltios antes de que aparezca de nuevo el
pulso positivo de entrada.
Definiciones
 Polarizar: Aplicar voltajes o corrientes adecuados a un componente eléctrico o electrónico, o a un

circuito para que funcione en la forma deseada.
 Semiconductor: Es una substancia, usualmente un químico sólido o compuesto, que puede conducir
electricidad bajo ciertas condiciones, pero no en otras, constituyéndose en un buen medio para el
control de la corriente eléctrica.
 Unión semiconductora p-n: Elemento formado cuando en un semiconductor de alta pureza se
agregan trazas de otro material que permiten disponer fácilmente de electrones libres en él - n, y en
el sector contiguo a éste último se agregan trazas de otro material que permite aceptar fácilmente
electrones - p.
 Capacitancia: Elemento formado por dos materiales que permiten acumular cargas eléctricas,
separadas por un material no conductor.
 Diodo: Unión semiconductora p-n encapsulada y con terminales para conexionado externo.
 Voltaje de umbral de un diodo: Voltaje al cual una unión semiconductora p-n comienza a conducir.
 Transistor: Dispositivo electrónico de tres terminales, emisor, base y colector, formado por dos
uniones semiconductoras p-n, que permite controlar la corriente de emisor a colector por medio de
una corriente menor aplicada a la base.
Protoboard
Diodos 1N4148 y 1N4004
Condensadores 10µF/25V electrolítico, y 100nF (104), 100pF (101) y 47pF cerámicos
Resistencias de 1kΩ, 2.2kΩ, 10kΩ y 33kΩ
157
5.1SIMULACIÓN
Para la simulación se analizará un circuito de diodos en conmutación como se muestra en la figura 2.12.1
Este circuito tiene dos modos de operación: 1. Cuando actúa el diodo 1N4004 y 2. Cuando actúa el diodo
1N4148.
Realice la simulación del circuito 2.12.1 en ambos modos de operación; además analice los tiempos de
conmutación de ambos diodos, a distintas frecuencias y compare los resultados de las simulaciones.
Circuito de evaluación de velocidad de respuesta de un diodo 1N4004
Figura 2.12.1 Circuito de evaluación de diodo 1N4004 en conmutación.
Circuito de evaluación de velocidad de respuesta de un diodo 1N4148
158
Figura 2.6. Gráfica de respuesta de entrada-salida del circuito de la gráfica 2.11.
Figura 2.7. Circuito de evaluación de diodo 1N4148 en conmutación.
159
Figura 2.8. Gráfica de respuesta de entrada-salida del circuito de la gráfica 2.13.
Componente Referencia Librería
Resistencia Res1 Miscellaneous Devices
Diodo de propósito general 1N4004 Miscellaneous Devices
Diodo fast recovery 1N4148 Miscellaneous Devices
Fuente onda cuadrada VPULSE Simulation Sources
5.2DESARROLLO DE LA PRACTICA
Diodo semiconductor en conmutación
 Montar en el protoboard el circuito de la Figura 2.12
160
Figura 2. 12. Diodo semiconductor en conmutación
Aplicar una señal onda cuadrada de 10Vp, observada con el canal 1 del osciloscopio, al diodo 1N4148
(diodo para señal o conmutación)
 Observar la forma de onda sobre la resistencia de 10kΩ con el canal 2 del osciloscopio, con sonda
X10 previamente compensada
 Repetir el procedimiento pero aplicando la señal al diodo 1N4004 (diodo para rectificación de
baja frecuencia)
 Medir los tiempos de almacenamiento, transición y recuperación del diodo 1N4004
Transistor en conmutación
 Montar en el protoboard el circuito de la Figura 2.13
161
Figura 2. 13. Transistor en conmutación
 Debido a que las capacitancias entre terminales contiguos del protoboard pueden tener valores
entre 2pF y 25pF – ver: BB830, BB830T – Plug-in BreadBoards
https://www.jameco.com/Jameco/Products/ProdDS/2125026.pdf, montar el transistor de tal
forma que el colector quede en un sector del protoboard y la base y el emisor queden en el sector
opuesto al menos con una línea de separación entre éstos últimos
Figura 2. 14. Montaje del transistor en el protoboard
 Aplicar una señal de entrada TTL (0-5V) 100kHz, observada con el canal 1 del osciloscopio
 Observar el voltaje de colector con el canal 2 del osciloscopio con sonda X10 previamente
compensada
 Medir td, tr, tON, ts, tf y tOFF
 Colocar la sonda del canal 2 en la base y observar el voltaje de base
 Colocar un condensador de 100pF entre colector y base y observar con el canal 2 su efecto en la
salida - colector
162
Transistor con conmutación mejorada
 Montar en el protoboard el circuito de la Figura 2.15, el cual es una modificación del circuito de
la Figura 2.13 que incluye el condensador y la resistencia en el circuito de base para mejorar la
conmutación
Figura 2. 15. Transistor en conmutación mejorada
 Aplicar una señal de entrada TTL (0-5V) 100kHz, observada con el canal 1 del osciloscopio
 Observar los efectos de la modificación del circuito en la salida – colector - canal 2.
 Colocar la sonda del canal 2 en la base del transistor y observar el voltaje en la base
6. EJEMPLO
Montaje en el protoboard de un diodo en conmutación - Figura 2.16, y señales en el osciloscopio Figura

2.17:
163
Figura 2. 16. Diodo en conmutación
Figura 2. 17. Señal del diodo en conmutación
BIBLIOGRAFIA
 Gerald W. Neudeck. El transistor bipolar. Ed. Addison-Wesley Iberoamericana, 2ª edición, 1994.

 C.J. Savant, M.S. Roden y G.L. Carpenter. Diseño electrónico. Circuitos y sistemas. Ed. Addison-
Wesley Iberoamericana, 1ª edición, 1992
 B.G. Streetman, S. Banerjee. Solid State Electronic Devices. Prentice Hall, 2000.
 S. Dimitrijev. Understanding Semiconductor Devices. Oxford University Press, 2000.
164
PRÁCTICA # 2.2
AMPLIFICADOR CON RETROALIMENTACIÓN
1. INTRODUCCIÓN
Un amplificador es un dispositivo electrónico que aumenta el voltaje, la corriente o la potencia de una

señal.
Figura 2. 18. Amplificador para micrófono
La mayor parte de los sistemas electrónicos desde los más simples hasta los más complejos necesitan
amplificadores de una o más etapas para su funcionamiento.
Las características más importantes de un amplificador son la ganancia de voltaje, la impedancia de

entrada, la impedancia de salida y el ancho de banda. Estos parámetros son más o menos constantes para
un amplificador dado. A menudo estos parámetros tienen que ser cambiados, lo cual podría realizarse en
diferentes formas. Por ejemplo, la ganancia de voltaje podría reducirse usando un divisor de voltaje a la
entrada o a la salida. De una manera similar, la impedancia de entrada podría aumentarse colocando una
resistencia en serie con la entrada del amplificador. Pero estos métodos resultan en desperdicio de la
señal útil. Existe una técnica más eficiente para realizar esos cambios. La técnica consiste en introducir
retroalimentación en el circuito amplificador.
165
Figura 2. 19. Amplificador para radar
2. OBJETIVOS
Determinar la amplificación de los amplificadores no retroalimentado y retroalimentado

Determinar la respuesta en frecuencia de los amplificadores no retroalimentado y
retroalimentado.
Determinar las impedancias de entrada y de salida de los amplificadores no retroalimentado y
retroalimentado.
Determinar la ganancia de voltaje de un amplificador emisor común con y sin retroalimentación

de voltaje en serie con la entrada.
Determinar la respuesta de un amplificador emisor común con y sin retroalimentación de voltaje
en serie con la entrada.
Determinar las impedancias de entrada y de salida de un amplificador emisor común con y sin
retroalimentación de voltaje en serie con la entrada.
3. MARCO TEÓRICO
Retroalimentación
Retroalimentación es el proceso de tomar una parte o la totalidad de la salida de un amplificador para

aplicarla o alimentarla al circuito de entrada.
166
La Figura 2.20 muestra un amplificador de voltaje básico no retroalimentado. La ganancia de voltaje A del
amplificador es la relación entre el voltaje de la señal que se obtiene a la salida y el voltaje de la señal que
𝑉𝑜
se aplica a la entrada, 𝐴 = 𝑉𝑖
.
En este amplificador, la entrada no sabe lo que está sucediendo a la salida; si la salida cambia, el circuito
de entrada no se ve afectado. Este sistema es llamado de lazo abierto o no retroalimentado.
Figura 2. 20. Amplificador de voltaje
En la Figura 2.21, la salida del amplificador básico es llevada a la entrada a través de un circuito, el cual es
llamado circuito β o de retroalimentación. La fracción βVo’ de la salida es llevada a la entrada y esto afecta
el voltaje neto que es aplicado a la entrada del amplificador básico. En esta forma, la entrada es modificada
por la salida. La entrada en todo momento sabe cómo está la salida. Este sistema se llama sistema de lazo
cerrado o sistema retroalimentado.
Figura 2. 21. Amplificador retroalimentado
Puede mostrarse matemáticamente que la ganancia de lazo cerrado Af de un amplificador retroalimentado

𝐴
es 𝐴𝑓 = 1+𝛽𝐴 . En diseño de amplificadores retroalimentados negativamente, βA normalmente es mucho
1
mayor que la unidad de tal forma que 𝐴𝑓 = 𝛽, lo cual hace que la ganancia total del sistema no dependa
de las características del amplificador básico sino del circuito de retroalimentación.
167
Tipos de retroalimentación.- La señal retroalimentada a la entrada puede oponerse a la señal original de
entrada y en este caso el nivel neto de la señal aplicada a la entrada del amplificador básico disminuye,
dando lugar a una salida de menor valor. Este modo de retroalimentación se llama retroalimentación
negativa, inversa o degenerativa. Si, por el contrario, la señal retroalimentada ayuda a la señal aplicada a
la entrada general para aumentar el nivel de señal a la entrada del amplificador básico, la salida del sistema
tenderá a aumentar su valor. Este tipo de retroalimentación se llama retroalimentación positiva, directa o
regenerativa. La retroalimentación positiva en ocasiones es usada en condiciones controladas para lograr
ciertos resultados, pero debido a su tendencia a causar inestabilidad y aumentar la distorsión, es mucho
menos usada que la retroalimentación negativa.
Arquitecturas o topologías de retroalimentación.- De la salida de un amplificador se puede tomar el

voltaje o la corriente para aplicarse a la entrada como voltaje o corriente. Esto da origen a distintas
arquitecturas de diseño como lo ilustra la Figura 2.22.
a) Topologia serie – paralelo: b) Topologia paralelo – serie:
aplica voltaje – muestrea voltaje aplica corriente – muestrea corriente
aumenta la impedancia de entrada disminuye la impedancia de entrada
disminuye la impedancia de salida aumenta la impedancia de salida
c) Topologia serie – serie: d) Topologia paralelo – paralelo:
aplica voltaje – muestrea corriente aplica corriente – muestrea voltaje
aumenta la impedancia de entrada disminuye la impedancia de entrada
aumenta la impedancia de salida disminuye la impedancia de salida
Figura 2. 22. Amplificador retroalimentado

168
Ventajas de la retroalimentación negativa
 Estabilidad en la ganancia.- La ganancia queda dependiendo principalmente de las características

del circuito de retroalimentación; éste podría ser por ejemplo, un circuito totalmente resistivo. Un circuito
así es menos dependiente de las características del transistor usado como amplificador básico, o de los
cambios en la fuente de alimentación, por ejemplo.
 Reducción de la Distorsión por no linealidad.- La Figura 2.23 ilustra la curva característica

corriente – voltaje de la unión base emisor de un transistor.
Figura 2. 23. No linealidad en las características de la unión base - emisor de un transistor
En aplicaciones como amplificador, esta unión se polariza de tal forma que queda operando en un punto
de trabajo Q. Si la señal que se quiere amplificar produce muy pequeñas variaciones de voltaje entre base
y emisor, puede considerarse que el sistema está operando dentro de un tramo muy pequeño de la curva
característica, alrededor del punto Q, y en ese sector el comportamiento es casi lineal, con una pendiente
fija. Pero si las variaciones de señal son grandes, el transistor ya no opera dentro de una zona lineal, sino
dentro de una zona que tiene una marcada curvatura con sus correspondientes cambios en pendiente,
todo lo cual hace que la corriente de salida no sea linealmente proporcional al voltaje de entrada, y en
consecuencia se presenta distorsión D.
Cuando se aplica retroalimentación negativa, serie, por ejemplo, el nivel de señal neto aplicado a la
entrada del transistor es menor que cuando no hay retroalimentación; en estas condiciones el transistor
169
queda operando dentro de una zona más lineal y la distorsión disminuye. Puede demostrarse
𝐷
matemáticamente que la distorsión Df del sistema retroalimentado es 𝐷𝑓 = 1+𝛽𝐴
 Mejoramiento de la respuesta en frecuencia.
En un amplificador no retroalimentado negativamente, las capacitancias internas de los transistores, el

Efecto Miller, y otros factores hacen que el amplificador tenga una respuesta de frecuencia limitada.
Cuando se aplica retroalimentación negativa, la respuesta en frecuencia de todo el sistema es menos

dependiente de las características del amplificador básico.
Lo anterior hace que se aumente el ancho de banda, y que la ganancia del sistema permanezca constante
a pesar de que la ganancia del amplificador básico vaya disminuyendo.
En algún momento el producto βA ya no es mucho más grande que la unidad, y la respuesta en frecuencia
disminuye. En muchos diseños el producto Ganancia X Ancho de Banda se mantiene constante, es decir, a
mayor ganancia, menor ancho de banda, y viceversa.
La Figura 2.24 ilustra el comportamiento de la respuesta en frecuencia de un sistema retroalimentado

negativamente.
170
Figura 2. 24. Mejoramiento de la respuesta en frecuencia de un sistema retroalimentado negativamente
 Reducción del ruido.- El ruido producido dentro del amplificador también es reducido por el factor
1+ βA. Esto solo aplica al ruido producido por el amplificador; si la señal de entrada viene con ruido, esa
condición no puede ser mejorada.
 Modificación de las impedancias de entrada y de salida.- La retroalimentación negativa modifica

estas impedancias según como se tome la muestra de la salida y se aplique a la entrada:
 Aumento de la impedancia de entrada: Aplicando la retroalimentación en serie con la entrada
 Disminución de la impedancia de entrada: Aplicando la retroalimentación en paralelo con la
entrada
 Aumento de la impedancia de salida: Tomando la muestra en serie con la salida
 Disminución de la impedancia de salida: Tomando la muestra en paralelo con la salida con la
entrada
El circuito de la Figura 2.25 es un amplificador emisor común básico sin retroalimentación con su modelo
y ecuaciones correspondientes.
171
𝑍𝑏 = 𝛽 𝑟𝑒
𝑍𝑜 𝑟𝑜‖𝑅𝑐
𝑍𝑖 = 𝑅1‖𝑅2‖𝑍𝑏 𝐴=− =−
𝑟𝑒 𝑟𝑒
𝑍𝑜′ = 𝑟𝑜
𝑍𝑜 = 𝑍𝑜′‖𝑅𝑐
Figura 2. 25. Amplificador emisor común sin retroalimentación
La Figura 2.26 muestra el mismo circuito pero sin el condensador CE que mantenía el emisor
dinámicamente a tierra. Ahora RE está en serie con el circuito de salida de tal forma que la corriente en el
circuito de salida crea un voltaje conectado en serie y en oposición con el voltaje de la señal de entrada.
Esta topología serie – serie produce aumento tanto de la impedancia de entrada como de la impedancia
de salida.
172
Figura 2. 26. Amplificador emisor común con retroalimentación por resistencia de emisor
(𝛽+1)+𝑅𝑐⁄𝑟𝑜
𝑍𝑏 = 𝛽 𝑟𝑒 + ( ) 𝑅𝑒 (2.1)
1+(𝑅𝑐+𝑅𝑒)⁄𝑟𝑜
Si 𝑟𝑜 >> (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒) y 𝛽 >> 1 → 𝑍𝑏 ~ 𝛽(𝑟𝑒 + 𝑅𝑒) (2.2)
𝑍𝑖 = 𝑅1‖𝑅2‖𝑍𝑏 (2.3)
1
𝑍𝑜′ = 𝑟𝑜 (1 + 1 𝑟𝑒 ) (2.4)
+
𝛽 𝑅𝑒
𝑍𝑜 = 𝑍𝑜′‖𝑅𝑐 (2.5)
𝛽𝑅𝑐 𝑟𝑒 𝑅𝑐
− (1+ )+
𝑍𝑏 𝑟𝑜 𝑟𝑜
𝐴= 𝑅𝑐 (2.6)
1+
𝑟𝑜
𝑅𝑐
Si 𝑟𝑜 >> 𝑅𝑐 𝑦 𝑟𝑒, y 𝛽 >> 1 → 𝐴 =− (2.7)
𝑟𝑒+𝑅𝑒
173
𝑅𝑐
Si 𝑅𝑒 >> 𝑟𝑒 → 𝐴=− (2.8)
𝑅𝑒
Definiciones
 Capacitancia: Elemento formado por dos materiales que permiten acumular cargas eléctricas,
separadas por un material no conductor.
 Topología: Forma en que están interconectados los distintos elementos de un sistema electrónico.
Protoboard
Transistor 2N2222A
Condensadores de 10µF/25V, 33µF/25V y 47µF/25V electrolíticos, y 100nF (104 cerámico
Resistencias de 1kΩ, 4.7 kΩ, 39kΩ y 120kΩ
1 Multímetro
5.1SIMULACIÓN
Para la simulación se analizará un amplificador de emisor común como se muestra en la figura 2.26 con
un condensador de bypass total y parcial como se muestra en las figuras 2.26.1 y 2.26.3 respectivamente.
174
Calcule la ganancia de voltaje de ambos amplificadores y compárelos con las simulaciones, luego compare
las ganancias de voltajes entre el de bypass total y el de bypass parcial. ¿Qué diferencias encuentra?, ¿Qué
efectos tienen los condensadores de bypass en los amplificadores de emisor común?, ¿Qué es mejor,
bypass total o bypass parcial?, documente sus resultados.
Simulación de circuito amplificador con transistor y condensador haciendo Bypass total.
Figura 2.26.1. Circuito amplificador con transistor y condensador de bypass total
175
Figura 9.26.2 Graficas de entrada-salida del circuito de la figura 1.
176
Simulación de circuito amplificador con transistor y condensador haciendo Bypass parcial
Figura 2.26.3 Circuito amplificador con transistor y condensador de bypass parcial.
177
Figura 2.26.4 Graficas de entrada-salida del circuito de la figura 3.
Componentes y librerías utilizadas
Componente Referencia Librería
Resistor Res1 Miscellaneous Devices
Capacitor Cap2 Miscellaneous Devices
Transistor NPN 2N3904 Miscellaneous Devices
Fuente onda sinusoidal VSIN Simulation Sources
Fuente DC VSRC Simulation Sources
 Montar en el protoboard el circuito de la Figura 2.27, correspondiente al amplificador emisor

común sin retroalimentación negativa.
178
Figura 2. 27. Amplificador emisor común para la práctica
 Medir el hFE del transistor.

 Debido a que las capacitancias entre terminales contiguos del protoboard pueden tener valores
entre 2pF y 25pF, se debe montar el transistor de tal forma que el colector quede en un sector del
protoboard y la base y el emisor queden en el sector opuesto al menos con una línea de separación
entre éstos últimos. Así se disminuye el efecto de degradación en la respuesta en frecuencia del
amplificador causada por esas capacitancias.
Figura 2. 28. Montaje del transistor en el protoboard
 El canal 1 del osciloscopio se conecta permanentemente a la entrada del circuito; las demás
mediciones se hacen usando el canal 2 del osciloscopio con sonda X10 previamente compensada,
en acople AC.
 Medir los voltajes DC en VCC, base, emisor y colector. Determinar las corrientes en el circuito y
compararlas con los valores teóricos.
179
 Usando la señal del Generador, aplicar a la entrada una señal seno de 10mVp 1KHz y determinar la
ganancia de voltaje. Comparar la ganancia real con la teórica.
 Modificando la frecuencia del Generador, determinar las frecuencias inferior y superior a las cuales
la salida disminuye a 0.707 veces el valor de amplitud a 1kHz; esas dos frecuencias establecen los
límites del Ancho de Banda BW.
 Determinar la impedancia de entrada Zi usando el circuito de la Figura 2.29. La señal seno del
Generador de señales se cambia a 20mVp 1kHz; conectar una resistencia de 10kΩ entre el
Generador y la entrada del amplificador; medir el voltaje de la señal a la salida del Generador y a la
entrada del amplificador; la diferencia de esos dos voltajes es el voltaje a través de la resistencia de
10kΩ; aplicar la fórmula 2.9 para calcular Zi.
Figura 2. 29. Circuito para determinar Zi
𝑉𝑖 𝑉𝑖 𝑉𝑖
𝑍𝑖 = = 𝑉𝐺 −𝑉𝑖 = ∗ 10 𝑘Ω (2.9)
𝑖𝑖 𝑉𝐺 −𝑉𝑖
10 𝑘Ω
 Determinar la impedancia de salida Zo usando el circuito de la Figura 2.30. La señal seno del
Generador se cambia a 10mVp 1kHz y se mide el voltaje de la señal a la salida, Vo. Conectar la
resistencia de 10kΩ entre la salida y tierra y medir el voltaje de la señal a la salida, Vo’. Aplicar la
fórmula 2.10.
180
Figura 2. 30. Circuito para determinar Zo
𝑉𝑜−𝑉𝑜′
𝑍𝑜 = ∗ 10 𝑘Ω (2.10)
𝑉𝑜′
 Cambiar la posición del condensador C4 para que quede en paralelo solo con R5, quedando así un
amplificador con retroalimentación negativa. Para el resto de la práctica usar en todos los casos una
señal de entrada con amplitud de 50mVp.
 Usando la señal del Generador, aplicar a la entrada una señal seno de 50mVp 1KHz y determinar la
ganancia de voltaje. Comparar la ganancia real con la teórica.
 Determinar el Ancho de Banda BW.
 Determinar la impedancia de entrada Zi.
 Determinar la impedancia de salida Zo.
 En el Cuaderno de Laboratorio, para todos los puntos del procedimiento, explicar los resultados en
comparación con lo esperado teóricamente.
6. EJEMPLO
La Figura 2.31 muestra el montaje del amplificador en el protoboard.
181
Figura 2. 31. Montaje amplificador
182
PRÁCTICA # 2.3
AMPLIFICADORES OPERACIONALES 1
1. INTRODUCCIÓN
El Amplificador Operacional (AO) es en la actualidad el principal dispositivo activo para aplicaciones con
circuitos análogos. El término Amplificador Operacional fue usado por primera vez en un documento de
1947 por John R. Ragazzini y sus colegas, que informaba sobre el trabajo realizado por el Consejo Nacional
de Investigación de Defensa durante II Guerra Mundial. El documento describía circuitos amplificadores
de corriente directa (CD) de alta ganancia que realizaban operaciones matemáticas (suma, resta,
multiplicación, división, integración,etc.); de ahí el nombre de Amplificador Operacional. Durante más de
una década la mayoría de las aplicaciones importantes de los AO fueron las computadoras analógicas,
usando amplificadores con tubo al vacío. A comienzos de los años 60 se disponía de AO elaborados con
transistores discretos, y a la mitad de la década se introdujo el AO en circuito integrado. Para comienzos
de los 70 el AO en circuito integrado era el dispositivo activo dominante en la electrónica análoga.
Figura 2. 32. Amplificador operacional con tubos
El amplificador operacional actual es tan barato que la cantidad que anualmente se adquiere de ellos
asciende a millones. Su empleo se ha extendido más allá de las aplicaciones previstas por los primeros
diseñadores, gracias a su bajo costo, versatilidad y confiabilidad. Algunas de sus aplicaciones en nuestros
días están en los campos del acondicionamiento de señales, el control de procesos, las comunicaciones,
las computadoras, las fuentes de poder y de señales, las pantallas de visualización y los sistemas de prueba
y medición. El amplificador operacional es, en su forma básica, un excelente amplificador de CD (Corriente
Directa) de alta ganancia.
183
2. OBJETIVOS
Determinar las características básicas del amplificador operacional.

Determinar en el AO LF347 el voltaje offset, las corrientes de polarización, la velocidad de
respuesta, y el ancho de banda, usando el seguidor de voltaje y el amplificador no inversor.
3. MARCO TEÓRICO
Introducción.- El AO, siguiendo la arquitectura LIN, está conformado comúnmente por un amplificador
diferencial de entrada, una etapa de alta ganancia de voltaje y una salida en clase AB - Figura 2.33. Utiliza
fuente de poder positiva y negativa, aunque hay diseños que pueden operar con una sola fuente.
Figura 2. 33. Diagrama en bloques de un amplificador operacional
El modelo básico que representa al amplificador operacional es el de la Figura 2.34. La resistencia de

entrada Rin es muy alta, del orden de megohmios cuando el amplificador diferencial de entrada es
construido con transistores Darlington, y de miles de megohmios con JFETs y MOSFETs. La salida es la
entrada diferencial 𝑉𝑖𝑛 = (𝑉 + − 𝑉 −), multiplicada por la ganancia diferencial A de valor normalmente
mayor a 10000, pudiendo alcanzar valores superiores a 100000. La resistencia de salida es de algunas
centenas de ohmios.
184
Figura 2. 34. Modelo del AO
Aunque el AO tiene una enorme ganancia A, generalmente es usado aplicando retroalimentación negativa
para lograr ganancias netas del sistema retroalimentado Af muchísimo menores a A, tanto positivas como
negativas – Figura 2.35; puede inclusive tenerse ganancias menores a la unidad en magnitud.
Figura 2. 35. AO retroalimentado negativamente
Tipos de AO.- La disponibilidad de AOs en el mercado es muy amplia, hay unidades que pueden operar
con fuente de poder unipolar inferior a un voltio, hasta unidades capaces de operar con cientos de voltios;
las capacidades de corriente de salida van desde algunas decenas de mA hasta decenas de amperios.
Agunos AOs están diseñados para operar hasta algunas decenas de kHz, mientras que otras llegan hasta
los GHz. Las envolturas o encapsulados también son muy variados – Figura 2.36.
185
Figura 2. 36. Distintas envolturas de amplificadores operacionales
Características del AO
 Voltaje de alimentación (Power supply).- Hay AOs que operan con fuente dual o única. Los
fabricantes indican el rango de voltaje de operación. Para el LF347: ±18Vmax, ±5Vmin.
 Producto Ganancia X Ancho de Banda (GBW).- Indica la frecuencia máxima con ganancia 1. Para
el LF347 típico 4MHz. El producto ganancia x ancho de banda es más o menos constante, así, para el LF347
operando con ganancia 10, el ancho de banda sería de 400kHz.
 Ganancia de voltaje para señal grande (Avol).- Normalmente expresada en V/mV da una indicación
de la ganancia A en lazo abierto del AO en CD – frecuencia 0Hz. Para el LF347 es típica 100V/mV, esto es
A=100000. La Figura 2.37 muestra la variación de la ganancia con la frecuencia para el LF347 y la respuesta
de un amplificador retroalimentado negativamente, con Af =10.
186
Figura 2. 37. Respuesta en frecuencia LF347
 Entrada diferencial máxima.- Es el voltaje máximo que puede ser aplicado entre las dos entradas;
en algunos AOs puede ser tan grande como el valor de las fuentes de alimentación, pero en otros es menor.
En el LF347 alimentado con ±18V, este voltaje diferencial es ±30V, pero ninguno de los voltajes de entrada
puede ser mayor de +15V o menor de -15V.
 Resistencia de entrada RIN.- Es la resistencia vista desde los terminales de entrada con el
amplificador operando sin retroalimentación. Para entradas con transistores bipolares su valor va de 1MΩ
a 10MΩ. Para entradas con JFET o MOSFET está por encima de 1012Ω. Para el LF347 es de 1012Ω típica.
 Corriente de polarización IB.- Es la corriente necesaria para que operen los transistores del
amplificador diferencial de entrada. Está en el orden de nA para transistores bipolares, pA para JFETs y fA
para MOSFETs. En el LF347 es típica 50pA con un máximo de 200pA. Las corrientes de polarización al pasar
por las resistencias conectadas a las entradas, producen voltajes indeseados que afectan la respuesta del
amplificador.
 Corriente offset de polarización.- El estado ideal es que no hayan corrientes de polarización, y si

las hay, que fueran iguales en las dos entradas. La corriente offset es el valor absoluto de la diferencia de
las dos corrientes de entrada. Corrientes diferentes causan un pequeño voltaje diferente en las entradas
llamado Voltaje Offset. Así, si las dos entradas estuvieran a tierra, la presencia de ese pequeño voltaje
offset hace que la salida no sea cero. En el LF347 la corriente offset es de 25pA típica, y el voltaje offset es
de 5mV típico. La Figura 2.38 muestra el diagrama de un AO considerando sus offsets.
187
Figura 2. 38. AO con sus offsets
 Coeficientes de temperatura.- Ambos, la corriente y el voltaje offset varían con la temperatura.

Sus valores se dan en nA/ºC o pA/ºC y en µV/ºC, respectivamente.
 Velocidad de respuesta – Slew Rate - SR.- Es la máxima velocidad de cambio de la salida del AO
cuando se usa un escalón de voltaje a la entrada. Se expresa en V/µS. Para el LF347 es 13V/µs típico. La
velocidad de respuesta puede usarse para determinar la frecuencia máxima de una señal seno que puede
procesar un AO; 𝑓𝑚𝑎𝑥 = 𝑆𝑅/(2𝜋𝑉𝑝), donde Vp es el voltaje pico a la salida.
Si una onda cuadrada es aplicada a la entrada de un amplificador con ganancia 1, la salida debería ser
también una onda cuadrada; sin embargo, las rápidas subidas y bajadas de los flancos de la onda cuadrada
pueden hacer que el amplificador oscile en la subida o en la bajada – Figura 2.39. Para prevenir esto, el
circuito interno del amplificador puede incluir una pequeña capacitancia de compensación, que en
conjunto con las resistencias asociadas actúa como un filtro pasa bajo RC que evita la oscilación pero
disminuye la velocidad de respuesta del AO. En algunos AO la velocidad de respuesta no se puede
modificar, pero otros disponen de terminales para colocar un condensador solo o en serie con una
resistencia y así “compensar” el AO modificando su velocidad de respuesta.
188
Figura 2. 39. Compensación y velocidad en respuesta
 Relación de Rechazo en Modo Común – RRMC.- El AO en forma ideal solo debería amplificar la
señal diferencial a la entrada, pero en la realidad también amplifica la señal en modo común, la cual es el
promedio de las señales aplicadas a cada entrada, 𝑉𝑐 = (𝑉 + + 𝑉−)/2 . La eficiencia del AO para
amplificar el voltaje diferencial de entrada en lugar del voltaje de modo común está dada por 𝑅𝑅𝑀𝐶 =
𝐴𝑑/𝐴𝑐, donde Ad es la ganancia o amplificación diferencial y Ac es la ganancia en modo común. Como
RRMC normalmente es un valor muy grande, generalmente se expresa en dB como 𝑅𝑅𝑀𝐶 =
20𝑙𝑜𝑔(𝐴𝑑/𝐴𝑐).
 Voltaje y Corriente de Ruido (noise).- El ruido en un AO en forma simple es de dos naturalezas,

por encima de unos 20Hz predomina el ruido Blanco con un valor RMS más o menos constante en todas
las frecuencias. Por debajo de los 20Hz predomina el ruido Flicker o de parpadeo (por su similitud con el
parpadeo de la luz de una vela) el cual crece al disminuir la frecuencia aproximadamente 10dB/Dec, y por
eso es llamado también ruido 1/f o ruido rosado – Figura 2.40. El ruido Blanco en AO es una combinación
de ruido Térmico producido por la agitación de los electrones en cualquier medio de conducción y ruido
Shot, producido cuando los electrones vencen barreras de potencial. El ruido Flicker aún es campo de
investigación, pero está relacionado con la uniformidad de las estructuras cristalinas de los materiales
semiconductores.
189
Figura 2. 40. Ruido en AOs - Blanco y Flicker
Las fuentes de ruido son modeladas como en la Figura 2.41. Si las resistencias conectadas a las entradas
del AO son de bajo valor, los efectos de las corrientes de ruido son despreciables y solo prevalece el Voltaje
de Ruido. El valor total de Voltaje de Ruido a la entrada es la densidad espectral de voltaje de ruido, que es
el dato que da el fabricante, multiplicada por la raíz cuadrada del ancho de banda que se esté procesando.
En aplicaciones de bajo ruido, aparte de escogerse amplificadores de bajo ruido y usar resistencias de bajo
valor, el ancho de banda es reducido justo a lo necesario para procesar las señales, por medio de filtros. El
LF347 tiene reportado en=20nV/Hz1/2 a 1000Hz e in=0.01pA/Hz1/2 a 1000Hz. El AO LT1115FA, diseñado para
aplicaciones de bajo ruido tiene en=0.9nV/Hz1/2 a 1000Hz y en=1nV/Hz1/2 a 10Hz; in=1.2pA/Hz1/2 a 1000Hz
e in=4.7pA/Hz1/2 a 10Hz.
Figura 2. 41. Voltaje y corrientes de ruido en un AO
 Relación de Rechazo a las variaciones de voltaje en la fuente de poder – PSRR.- Es una medida de
cuan efectivo es el AO para soportar variaciones de voltaje en sus fuentes de alimentación y que éstas no
tengan efectos en la salida del AO. Está definida como la relación entre la variación en el voltaje offset de
190
entrada producida por la variación del voltaje en una de las fuentes de alimentación cuando la otra es
mantenida constante. Normalmente se expresa en dB. Para el LF347 es 100dB típico.
Amplificador no inversor.- En la Figura 2.42 se muestra el diagrama del amplificador no inversor. La

amplificación, como en todo sistema retroalimentado negativamente que opera a partir de un amplificador
de alta ganancia, queda determinada exclusivamente por el circuito de retroalimentación.
Un caso particular del amplificador no inversor se da cuando Rf es 0Ω y Ri es ∞Ω, Af es 1; este amplificador

es conocido como seguidor de voltaje o Buffer.
Figura 2. 42. Amplificador no inversor
Definiciones
Ruido de un componente: Señales eléctricas aleatorias no deseadas producidas por el componente.
Protoboard
Amplificador Operacional LF347
Condensadores de 10µF/25V electrolíticos; 100nF cerámicos
191
Resistencias de 22Ω, 220Ω, 2.2kΩ y 10MΩ
1 Multímetro
5.1SIMULACIÓN
- Implemente y simule el circuito amplificador seguidor de voltaje no-inversor que se muestra

en la figura 2.42.1. Tenga en cuenta las especificaciones de la señal de entrada que se
muestran en la figura. Analice la respuesta del amplificador operacional. ¿Qué problemas o
desventajas tiene? ¿Cómo podría solucionarlos?
- Implemente el circuito amplificador mostrado en la figura 2.42.3 analice la salida del circuito
y su respuesta en frecuencia. ¿Cuál es la frecuencia de corte baja y alta? ¿Qué ancho de banda
tiene? ¿Cómo afecta la ganancia al ancho de banda? Documente sus hallazgos.
Velocidad de respuesta de circuito amplificador LF353D
Figura 2.42.1 Circuito para evaluación de la velocidad de respuesta del amplificador operacional.
192
Figura 2.42.2 Gráfica de respuesta de entrada-salida del circuito de la figura 15.
Ancho de banda de amplificador operacional en configuración de amplificador no inversor
193
Figura 2.42.3 Circuito amplificador no inversor de ganancia 101.
Figura 2.42.4 Gráfica de respuesta de frecuencia en la salida del circuito de la figura 3.
194
 Montaje.- Para el experimento se usa el AO Nº1 de los cuatro que hay dentro del integrado LF347.
El diagrama simplificado del AO se muestra en la Figura 2.43. El AO LF347 se monta con
condensadores de filtraje en las líneas de alimentación como se muestra en la Figura 2.44.
Figura 2. 43. 1/4 LF347 Figura 2. 44. Montaje
 Voltaje Offset.- La Figura 2.45 muestra el circuito para determinación del Voltaje Offset. Debido
principalmente a que los transistores del amplificador diferencial a la entrada del AO no son
idénticos, si la entrada a un amplificador retroalimentado es 0V, la salida no es 0V.
El circuito usa un amplificador no inversor con ganancia 𝐴𝑓 = 1 + 𝑅𝑓/𝑅𝑖. Para los valores de los
componentes la ganancia Af es 101. Si el amplificador fuera ideal, con la entrada no inversora (+) a
tierra, la salida debería ser 0V, pero no lo es porque el voltaje offset siempre está presente y es
amplificado por el amplificador con ganancia Af. Los valores de las resistencias son de bajo valor
para que la corriente IBIAS- que en conjunto pasa por ellas no produzca ningún voltaje significativo;
la resistencia neta conectada a la salida del AO es mayor a 2kΩ, que es la resistencia mínima
permitida según las recomendaciones del fabricante del LF347.
195
Medir con un multímetro digital el voltaje DC a la salida y calcular el voltaje offset a la entrada.
Figura 2. 45. Determinación de Voffset
 Corriente IBIAS+.- El amplificador de la Figura 2.46 tiene ganancia Af = 1. El voltaje neto en la

entrada no inversora (+) es el voltaje offset más el voltaje en R1 producido por la corriente de
polarización IBIAS+.
Medir con un multímetro digital el voltaje DC a la salida y calcular la corriente de polarización de

la entrada no inversora (+) ― IBIAS+.
Figura 2. 46. Determinación de IBIAS+
 Corriente IBIAS- .- Usando el circuito de la Figura 2.47, medir con un multímetro digital el voltaje
DC a la salida y calcular la corriente de polarización de la entrada inversora. Tener en cuenta que
el voltaje en los terminales 3 y 2 es el voltaje offset.
196
Determinar IBIAS promedio (IBIAS+ + IBIAS-)/2 y la desviación de las corrientes de polarización IBIAS
Offset, como el valor absoluto de la diferencia entre las dos corrientes de polarización.
Figura 2. 47. Determinación de IBIAS-
 Velocidad de respuesta (Slew Rate).- Usando el circuito de la Figura 2.48, aplicar al seguidor de
voltaje (Af = 1) una señal onda cuadrada de 100kHz, 8Vp y medir con el osciloscopio los tiempos
que tarda la salida en subir y en bajar (10% - 90%); calcular la velocidad de respuesta en V/µs. Usar
sonda X10 previamente compensada para los dos canales del osciloscopio.
Figura 2. 48. Determinación de velocidad de respuesta
 Ancho de Banda con Ganancia 101.- Usando el amplificador no inversor con ganancia 101 de la
Figura 2.49, aplicar a la entrada una señal seno de 10KHz, de tal forma que la salida sea 1Vp. La señal
seno a la salida estará desplazada verticalmente debido al efecto del voltaje offset. Usar entonces
acople AC en el osciloscopio para visualizar la señal a la salida. Aumentar la frecuencia de la señal
del generador hasta que la salida disminuya su amplitud a 0.707 veces el valor de amplitud a 10kHz.
La frecuencia a la que se logra esta última condición es el ancho de banda del amplificador con
ganancia 101. Si hay dificultad en lograr 1Vp a la salida por limitaciones del Generador de Señales,
197
usar 2Vp o máximo 3Vp, pues la degradación de la señal a la salida es producida primero por
limitaciones del ancho de banda y no por la Velocidad de Respuesta.
Figura 2. 49. Ancho de banda Af=101
 Ancho de Banda con Ganancia 11.- Usando el amplificador no inversor con ganancia 11 de la
Figura 2.50, aplicar a la entrada una señal seno de 10KHz, de tal forma que la salida sea 1Vp. Usando
acople AC a la salida, aumentar la frecuencia de la señal del generador hasta que la salida disminuya
su amplitud a 0.707 veces el valor de amplitud a 10KHz. La frecuencia a la que se logra esta
última condición es el ancho de banda del amplificador con ganancia 11.
Comparar los productos Ganancia X Ancho de Banda en los pasos 6.5 y 6.6 del experimento.
198
Figura 2. 50. Ancho de banda Af=11
7. EJEMPLO
La Figura 2.51 muestra las formas de onda de entrada y salida para la determinación de la Velocidad de
Respuesta.
Figura 2. 51. Velocidad de respuesta
199
PRÁCTICA # 2.4
AMPLIFICADORES OPERACIONALES 2
1. INTRODUCCIÓN
El Amplificador Operacional (AO) es un dispositivo con muy variados usos dentro de la electrónica análoga.
Con el AO pueden realizarse las operaciones Seguidor de Voltaje, Amplificador no Inversor, Inversor,
Amplificador Inversor, Sumador Inversor, Restador, Diferenciador e Integrador, entre otras.
El amplificador operacional es, en su forma básica, un amplificador diferencial de alta ganancia, alta
impedancia de entrada y baja impedancia de salida.
Figura 2. 52. Distintas envolturas de AO Figura 2. 53. Modelo del AO
2. OBJETIVOS
Realizar operaciones matemáticas básicas con el Amplificador Operacional.
Comprobar el funcionamiento del AO LF347 como Seguidor de Voltaje, Amplificador no Inversor,

Inversor, Amplificador Inversor, Sumador Inversor, Restador, Diferenciador e Integrador.
200
3. MARCO TEÓRICO
 Amplificador no Inversor y Seguidor de Voltaje.- En la Figura 2.54 se muestra el diagrama del

amplificador no inversor. La amplificación, como en todo sistema retroalimentado negativamente que
opera a partir de un amplificador de alta ganancia, queda determinada exclusivamente por el circuito de
retroalimentación.
Un caso particular del amplificador no inversor se da cuando Rf es 0Ω y Ri es ∞Ω; la ganancia de voltaje

Af es 1; este amplificador es conocido como seguidor de voltaje o Buffer – Fig. 2.
Figura 2. 55. Seguidor de voltaje
 Inversor y Amplificador Inversor.- La Figura 2.56 muestra el circuito del Inversor y el Amplificador
Inversor. En el Inversor 𝑅𝑖 = 𝑅𝐹 . Si la ganancia A del AO es muy grande, el AO usará esa enorme
ganancia diferencial para hacer que el Voltaje Diferencial (V+ - V-) tienda a cero voltios. Esto hace que el
nodo X tenga un voltaje de 0V y se comporte como tierra sin serlo en realidad, por eso es llamado “Tierra
Virtual”. Como las corrientes que llegan al nodo X deben ser iguales a las corrientes que salen de el, y se
201
considera que no hay corrientes ni entrando ni saliendo del AO debido a su muy alta impedancia de
entrada, entonces Ii es igual a IF. El voltaje a la salida es el voltaje en la resistencia RF, o sea, −𝐼𝐹𝑅𝐹 =
−𝐼𝑖𝑅𝐹 = − (𝑉𝑖/𝑅𝑖)𝑅𝐹 . La ganancia de voltaje es 𝐴𝑓 = 𝑉𝑜/𝑉𝑖 = − 𝑅𝐹/𝑅𝑖. En el Inversor, como
𝑅𝑖 = 𝑅𝐹, 𝐴𝑓 = −1. Si RF es menor que Ri, se pueden lograr ganancias menores a la unidad y el sistema
actúa como un atenuador.
Figura 2. 56. Inversor y amplificador inversor
 Sumador Inversor.- La Figura 2.57 muestra el circuito del Sumador Inversor. En el diagrama se
están usando tres entradas para ser sumadas, pero podrían ser mucho más o tan solo dos. El circuito está
basado en el Amplificador Inversor básico. Si el AO está dentro de su zona normal de operación, es decir,
no saturado, el voltaje a la salida se encuentra aplicando Superposición: El voltaje a la salida es la suma
de los voltajes a la salida producidos por cada entrada cuando las demás entradas están anuladas.
Figura 2. 57. Sumador inversor
202
Para el circuito el voltaje a la salida es 𝑉𝑜 = – 𝑉1 – 𝑉2 – 𝑉3 = −(𝑉1 + 𝑉2 + 𝑉3), y por eso es
llamado Sumador Inversor, porque la salida es el inverso de la suma de los voltajes de entrada.
También puede analizarse el circuito considerando que 𝑉𝑜 = −𝐼𝐹𝑅, donde 𝐼𝐹 = 𝐼1 + 𝐼2 + 𝐼3 . Como

𝐼1 = 𝑉1/𝑅, 𝐼2 = 𝑉2/𝑅 e 𝐼3 = 𝑉3/𝑅 , entonces 𝐼𝐹 = (𝑉1 + 𝑉2 + 𝑉3)/𝑅 y 𝑉𝑜 = – (𝑉1 +
𝑉2 + 𝑉3). Uno los cuidados que debe tener el diseñador es no permitir que el amplificador se sature.
 Restador.- La Figura 2.58 muestra el circuito del restador.
Figura 2. 58. Restador
Utilizando Superposición, el efecto de V1 en la salida es determinado por el circuito de la Figura 2.59 donde
V2 se anula, es decir es tierra.
El circuito es un amplificador no inversor con ganancia 𝐴𝑓 = 2 ya que 𝑅𝐹 = 𝑅𝑖 y por lo tanto 𝐴𝑓 =

1 + 𝑅𝐹/𝑅𝑖 = 1 + 𝑅/𝑅 = 2. Como el voltaje aplicado a la entrada no inversora es V1/2 debido al
divisor de voltaje de entrada, el voltaje de salida 𝑉𝑜 = 𝑉1.
203
Figura 2. 59. Aplicando superposición a V1
Aplicando ahora Superposición a V2, anulando V1, el circuito queda como en la Figura 2.60. Las dos
resistencias R conectadas a la entrada no inversora tienen sus otros terminales conectados a tierra y como
no hay corriente por ellas, el voltaje en la entrada no inversora es 0V. Por la acción del amplificador
retroalimentado negativamente, la entrada inversora queda al mismo voltaje que la entrada no inversora,
o sea, es una tierra virtual.
Figura 2. 60. Aplicando superposición a V2
El circuito queda entonces como un Amplificador Inversor y el voltaje de salida 𝑉𝑜 = − 𝑉2.
El voltaje neto a la salida es la suma de los efectos individuales de cada entrada, 𝑉𝑜 = 𝑉1 – 𝑉2, lo que da
origen al nombre del circuito: Restador.
204
El Restador requiere que todas las resistencias sean lo más iguales posible y que las señales V1 y V2 tengan
bajísima impedancia de salida, para que realice correctamente su función. Por otra parte si un voltaje de
modo común es aplicado a las dos entradas, el Restador debe anular completamente su efecto en la salida,
por ejemplo, si el mismo voltaje se aplica a las dos entradas, o una misma señal de interferencia llega a las
dos entradas, sobreponiéndose a las señales que se quieren procesar. Expresado en otra forma, la Relación
de Rechazo en Modo Común debería ser infinita, y esto depende fundamentalmente de la igualdad de las
resistencias R. Lograr esa igualdad es difícil usando componentes discretos. Por eso en la fabricación de
circuitos integrados que requieren una altísima similitud entre estas resistencias, con igual variación por
temperatura, se usa la tecnología de ajuste por medio de rayos Laser (Laser Trimming). La Figura 2.61 ilustra
esta técnica. El ajuste se realiza automáticamente durante el proceso de verificación de la unidad restadora
dentro del microcircuito.
Figura 2. 61. Técnica de ajuste de resistencias por rayo laser
 Integrador.- Este circuito entrega a la salida un voltaje proporcional a la integral en el tiempo del
voltaje aplicado a la entrada. La Figura 2.62 muestra el circuito Integrador básico. El voltaje a la salida es el
negativo del voltaje en el condensador C (Formula 2.11).
Figura 2. 62. Integrador

1 1
𝑉𝑜 = −𝑉𝑐 = − 𝐶
∫ 𝐼𝐹 (𝑡) = − 𝑅𝑖 𝐶
∫ 𝑉𝑖 (𝑡) (2.11)
205
El circuito básico tiene la desventaja de que a frecuencia cero la reactancia del condensador es infinita y
así, la ganancia del sistema es la ganancia máxima del AO. El voltaje offset, que siempre está presente en
la entrada no inversora, es entonces amplificado enormemente y el amplificador siempre quedará saturado
e inhabilitado para cualquier uso. Para corregir este fenómeno se coloca una resistencia RF de valor alto en
paralelo con el condensador C – Figura 2.63. La relación entre RF y Ri fija la ganancia en corriente directa o
frecuencia cero a un valor tal que el voltaje offset no quede muy amplificado. El sacrificio que se paga por
esta corrección es que el integrador solo puede funcionar como integrador a partir de la frecuencia de
corte del circuito RF||C, o sea, 𝑓𝑚𝑖𝑛 = 1/(2𝜋𝑅𝐹𝐶).
Figura 2. 63. Integrador con ganancia corregida a 0Hz
 Diferenciador.- El circuito Diferenciador entrega a la salida un voltaje proporcional a la derivada

en el tiempo del voltaje aplicado a la entrada. La Figura 2.64 muestra el circuito Diferenciador básico. El
voltaje a la salida es el negativo del voltaje en la resistencia RF.
𝑉𝑜 = − 𝐼𝑓 𝑅𝑓 = − 𝐼𝑖 𝑅𝑓 (2.12)
𝑑𝑉𝑖
𝐼𝑖 = 𝐶 ( ) (2.13)
𝑑𝑡
𝑑𝑉𝑖
𝑉𝑜 = −𝑅𝑓 𝐶 ( 𝑑𝑡 ) (2.14)
206
Figura 2. 64. Diferenciador básico
El circuito básico tiene la desventaja de que el voltaje a la salida crece con la frecuencia del voltaje aplicado
a la entrada, así las componentes de alta frecuencia de las señales de ruido propio y de interferencia
externa pueden dejar en estado de saturación al AO, aunque éste tenga limitada su capacidad de respuesta
en alta frecuencia. Para corregir este problema se agrega una pequeña resistencia Ri en serie con el
condensador C.
La ganancia en alta frecuencia, considerando solo el Diferenciador, queda determinada por la relación
entre RF y Ri, hasta que la disminución natural en la ganancia del AO establezca el límite de ganancia,
aunque en muchos circuitos se incluye también un pequeño condensador CF en paralelo con RF para
disminuir la frecuencia a la que empieza a caer la ganancia – Figura 2.65, ya que el Diferenciador es un
circuito que tiende a ser inestable.
Figura 2. 65. Diferenciador con ganancia corregida a alta frecuencia
207
Definiciones

 Saturación de un AO: Estado en el que un AO permanece en su máximo valor de voltaje posible de
salida, sea positivo o negativo. Normalmente estos voltajes están aproximadamente a 1.2V del
voltaje de las fuentes de alimentación, aunque para AO con salidas “rail to rail” su valor es el mismo
que el de las fuentes de alimentación.
Protoboard
Amplificador Operacional LF347 o LF351
Condensadores de 10µF/25V electrolíticos, 100nF cerámicos y 10nF poliéster
Resistencias de 100Ω, 1kΩ, 10kΩ, 120kΩ y 1MΩ
1 Multímetro
5.1SIMULACIÓN
- Implemente el circuito integrador de dos etapas que se muestra en la figura 2.65.1, aplique una
señal de entrada con las características que se muestran en la figura, analice las señales de salida
Vout1 y Vout2.
- Implemente el circuito derivador que se muestra en la figura 2.65.3 aplique una señal triangular
y analice la señal de salida, repita el mismo procedimiento para una señal sinusoidal como se
muestra en la figura 2.65.5, para las señales de entrada tenga en cuenta las características
mostradas en las fuentes de las figuras.
- ¿Qué sucede si toma una señal DC la ingresa en un derivador y después en un integrador? ¿Es la
misma inicial? ¿Qué sucede si primero la integra y luego la deriva? documente sus hallazgos.
208
Simulación circuito Integrador
Figura 2.65.1. Circuito integrador de das etapas.
Figura 2.65.2. Graficas de respuesta de las dos etapas de integración de la figura 5.
Simulación circuito derivador con señal de onda triangular de entrada.
209
Figura 2.65.3 Circuito derivador con señal de onda triangular en la entrada.
Figura 2.65.4 Grafica de entrada–salida del circuito de la figura 7.
Simulación circuito derivador con señal de onda seno de entrada.
210
Figura 2.65.5 Circuito derivador con señal de onda seno en la entrada
Figura 2.65.6 Grafica de entrada–salida del circuito de la figura 5
El diagrama simplificado del AO se muestra en la Figura 2.66. El AO se monta con condensadores
211
de filtraje en las líneas de alimentación como se muestra en la Figura 2.67. Puede usarse también
el AO LF351 o similar, con entrada por JFET.
Figura 2. 66 1/4 LF347 Figura 2. 67 Montaje
 Seguidor de Voltaje.- Usando la configuración amplificador no inversor con ganancia 1, o sea

el seguidor de voltaje de la Figura 2.68, aplicar una señal seno de 1Vp, 1kHz a la entrada; observar
y medir la señal a la salida. Explicar los resultados.
Figura 2. 68. Seguidor de voltaje
 Amplificador no Inversor.- Usando la configuración amplificador no inversor con ganancia

11, Figura 2.69, aplicar una señal seno de 0.1Vp, 1kHz a la entrada; observar y medir la señal a la
salida. Explicar los resultados.
212
 Inversor y Amplificador Inversor.- Usando la configuración amplificador inversor con

ganancia -1, Figura 2.70, aplicar una señal seno de 1Vp, 1kHz a la entrada; observar y medir la
señal a la salida. Explicar los resultados.
Figura 2. 70. Inversor y amplificador inversor
 Cambiar Rf por una resistencia de 100kΩ, aplicar una señal seno de 0.1Vp, 1kHz a la entrada,
observar y medir la señal a la salida. Explicar los resultados.
 Sumador Inversor: Vo = - [V1 + (1/12)V2]

Usando el circuito de la Figura 2.71, aplicar una señal onda seno de 1Vp, 1KHz a V1, y conectar la
entrada V2 a +12V. Observar y medir la señal a la salida. Cambiar a entrada V2 a -12V y observar
y medir la señal a la salida. Explicar los resultados.
213
Figura 2. 71. Sumador inversor
 Restador.- Usar el circuito de la Figura 2.72. Escoger las cuatro resistencias de 10kΩ lo más
cercanas posible, aplicar en V1 un voltaje de +12V, y en V2 un voltaje de +5V, observar con el
osciloscopio y medir con un voltímetro digital la salida. Intercambiar las entradas, V1 = +5V y V2
= +12V, observar con el osciloscopio y medir con un voltímetro digital la salida. Explicar los
resultados.
Figura 2. 72. Restador
 Integrador.- Usar el circuito de la Figura 2.73. Medir C1. Colocar la entrada a tierra y medir el voltaje
DC a la salida con un voltímetro digital, explicar el resultado. Retirar la resistencia RF y medir el
voltaje DC a la salida con un voltímetro digital, explicar el resultado. Colocar de nuevo RF y aplicar a
la entrada una señal seno de 1Vp, 500Hz; observar la amplitud y el ángulo de fase a la salida. Cambiar
la frecuencia de la señal de entrada a 3000Hz; observar la amplitud y el ángulo de fase a la salida.
Variar la frecuencia de la señal hasta que las amplitudes a la entrada y a la salida sean iguales, medir
la frecuencia y explicar los resultados. Aplicar a la entrada una onda cuadrada de 1Vp, 1kHz;
observar la señal a la salida y explicar los resultados.
214
Figura 2. 73. Integrador
 Diferenciador.- Usar el circuito de la Figura 2.74. Medir Ci. Aplicar a la entrada una señal seno de
1Vp, 500Hz; observar la amplitud y el ángulo de fase a la salida. Cambiar la frecuencia de la señal
de entrada a 3000Hz; observar la amplitud y el ángulo de fase a la salida. Variar la frecuencia de la
señal hasta que las amplitudes a la entrada y a la salida sean iguales, medir la frecuencia y explicar
los resultados. Aplicar a la entrada una señal triangular de 1Vp, 1kHZ; observar la señal a la salida y
explicar los resultados.
Figura 2. 74. Diferenciador
6. EJEMPLO
La Figura 2.75 muestra las formas de onda de entrada y salida cuando una una señal onda cuadrada de
1Vp, 1kHz es aplicada al circuito Integrador.
215
Figura 2. 75. Onda cuadrada aplicada al integrador
216
PRÁCTICA # 2.5
CARACTERÍSTICAS DEL JFET
4. INTRODUCCIÓN
El Transistor a Efecto de Campo de Unión - JFET (del inglés Juntion Field Effect Transistor) - Figura 2.76,
es un dispositivo electrónico semiconductor de tres terminales con el cual se puede amplificar. A
diferencia del transistor BJT en el que la corriente principal es el resultado del flujo de huecos y
electrones, por lo cual se le llama bipolar, y es controlada por la corriente en el terminal de Base, en el
JFET la corriente principal es unipolar, debido al flujo de un solo tipo de portadores, huecos o electrones,
y es controlada por el campo eléctrico que se forma al aplicar un voltaje en el terminal de Compuerta
(Gate).
Figura 2. 76. JFET
5. OBJETIVOS
Determinar las características eléctricas principales del JFET
217
Identificar los terminales del JFET.
Determinar la corriente de saturación Idss.
Determinar el voltaje de pinch-off (cut-off) Vp (VTO).
Trazar la curva de transconductancia del JFET.
Trazar la curva de salida ID contra VDS.
6. MARCO TEÓRICO
Construcción.- El JFET está construido por una barra de material semiconductor con dopado N o P que
constituye el canal, rodeada en su parte central por material semiconductor de dopado diferente P o N,
creando así una unión PN. A los dos extremos del canal se le colocan terminales Fuente (Source) y
Drenador (Drain), y al material diferente al canal se le coloca un terminal que forma la Compuerta (Gate)
– Figura 2.77
218
Figura 2. 77. Construcción del JFET
La similitud con un sistema hidráulico donde una fuente (Source) suministra un líquido de una sola
naturaleza, controlado por una llave o compuerta (Gate), que llega a un drenaje (Drain), dio origen al
nombre de los terminales en el JFET - Figura 2.78.
219
Figura 2. 78. Fuente - Drenador - Compuerta
Operación.- Dada la naturaleza óhmica del canal D-S y que la unión diódica generalmente se ubica a la
mitad del canal, en muchos JFETs, Drain y Source son intercambiables. Sin embargo, los fabricantes
marcan los terminales de tal forma que entre D y G se tenga la menor capacitancia para que la respuesta
en frecuencia de un amplificador inversor no se vea disminuida por el efecto Miller.
Figura 2. 79. Vista transversal JFET canal N
La Figura 2.79 muestra la sección transversal de un JFET canal N con las fuentes de voltaje para su
polarización. El voltaje entre Drain y Source VDS es positivo, y el voltaje entre Gate y Sourse VGS siempre
es negativo o cero voltios. Debido a que hay una unión PN, siempre hay una zona de agotamiento. Si VGS
es 0V y se aplica un voltaje creciente VDS, por la naturaleza óhmica del canal, la corriente IDS inicialmente
comenzará a aumentar linealmente con el voltaje VDS aplicado. A medida que la corriente crece, se
desarrolla un voltaje entre el canal y Gate, éste último está al mismo potencial que Source. Este es un
voltaje que progresivamente polariza en inverso la unión PN causando un aumento en la zona de
agotamiento y una disminución en el área efectiva del canal, lo que equivale a un aumento en la resistencia
del canal. La corriente IDS ya no crece linealmente con el voltaje VDS aplicado. Llega un momento en que
el voltaje inverso en la unión PN se incrementa al punto de estrangular el canal (Pinch-off o Cut-off) – Figura
2.80. A partir de ese momento la corriente IDS permanece casi constante a pesar del incremento de VDS.
220
Esta corriente es la máxima corriente que puede circular por el JFET en condiciones normales y es llamada
la corriente de saturación IDSS. La zona donde la corriente de drenador es estable se llama Zona de
Saturación. Si se sigue aumentando VDS, en algún momento se presentará el fenómeno de ruptura donde
se da un rápido incremento de la corriente de drenador.
Figura 2. 80. JFET con canal estrangulado
Si estando el JFET conduciendo con IDSS, y con un valor alto de voltaje VDS, es decir, dentro de la Zona de
Saturación, se aplica progresivamente un voltaje negativo entre Gate y Source de tal manera que el canal
se vaya angostando, se van a tener valores únicos de corriente IDS para cada valor de VGS, los cuales al
graficarse dan la Curva de Transconductancia del JFET, la cual indica cómo varía la corriente de drenador
con respecto a las variaciones de voltaje entre Gate y Source; haciendo VGS cada vez más negativo, se llega
al punto de estrangulamiento en el que la corriente se anula. El voltaje VGS al cual se presenta este
fenómeno es el voltaje de estrangulamiento o Pinch-off o Cut-off, Vp o VGS (off). Pueden también obtenerse
curvas de comportamiento de IDS para distintos valores de VDS, usando valores fijos de VGS. La Figura
2.81 ilustra esas curvas.
221
Figura 2. 81. Curvas y ecuaciones características del JFET
El JFET en la Zona de Saturación se comporta como una fuente de corriente controlada por el voltaje entre
Gate y Source.
En la Zona Óhmica el JFET se comporta como una resistencia controlada por el voltaje entre Gate y Source.
Para valores pequeños de VDS, por debajo de 0.1Vp, el comportamiento de la resistencia es más lineal, y
es en esa zona donde el JFET se usa como resistencia variable controlada por voltaje – Figura 2.82.
222
Figura 2. 82. JFET como resistencia
Ventajas del JFET
 Produce menos ruido interno pues los portadores no tienen que atravesar uniones PN; por esta razón
es ampliamente utilizado como amplificador de entrada en audio, instrumentación y radiofrecuencia.
 Presenta muy alta impedancia de entrada, típico mayor de 100MΩ, pues la entrada es una unión PN
polarizada en inverso.
 Tiene un alto grado de aislamiento entre la entrada y la salida.
 Su corriente es controlada por voltaje.
 En su construcción se emplea menos espacio que con un transistor BJT.
 Son marcadamente menos alterados por radiación, ya que su funcionamiento no depende de
portadores minoritarios.
 Son menos afectados por cambios de temperatura; presentan coeficiente de temperatura negativo a
niveles altos de corriente.
 Son más veloces en conmutación ya que no sufren los efectos de almacenamiento de portadores
minoritarios.
 Puede ser usado como resistencia controlada por voltaje.
223
Desventajas del JFET
 Tienen menor producto Ganancia X Ancho de Banda.

 Son más costosos de producir.
Definiciones
 MOSFET: Dispositivo semiconductor de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D),
compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente
al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres
terminales. Es usado como amplificador con características similares al JFET.
Protoboard
JFET canal N
Condensadores de 10µF/25V electrolíticos, 10nF y 100nF cerámicos
Resistencias de 100Ω, 1kΩ
Potenciómetro de 10kΩ
1 Multímetro
224
5.1SIMULACIÓN
(Simular circuito 2.90 para obtener la curva de transconductancia. hacer análisis – Documentar la
simulación)
 Identificación de terminales
Colocar un JFET canal N en el protoboard y verificar los terminales según las indicaciones de la
Figura 2.83.
Figura 2. 83. Identificación de terminales del JFET
Usando el multímetro digital en el modo “DIODO”, el terminal Gate se identifica al colocar fija una
de las puntas en ese terminal, hay conducción cuando la otra punta toca los otros dos terminales,
pero no hay conducción intercambiando la posición de las puntas. Si la punta que se mueve es la
Negativa, el canal es N; si la punta que se mueve es la Positiva, el canal es P.
225
Como generalmente Drain y Source pueden intercambiarse, porque Gate está a la mitad del canal,
es difícil identificar esos terminales, aunque en muchos JFETs, la medida con “DIODO” es
ligeramente mayor entre Gate y Drain.
Midiendo en “Ω” con el multímetro entre DS y SD, las medidas son parecidas y con valores entre
20Ω y 4kΩ, pero siempre debe conectarse Gate con el supuesto Source.
 Determinación de IDSS
NOTA DE SEGURIDAD
Muchos JFETs tienen baja capacidad de disipación de potencia PD, en el orden de 100mW; si este
tipo de JFETs tienen además una corriente IDSS alta, superior a 7mA, los métodos descritos abajo
para la determinación de IDSS y Vp, los pueden colocar en riesgo de falla por alta disipación de
potencia, ya que la potencia disipada máxima puede ser:
𝑃𝐷 = 12𝑉𝑥𝐼𝐷𝑆𝑆 (2.15)
Por eso es conveniente hacer una prueba preliminar del JFET usando los circuitos de la Figura 2.84
para determinar Vp, y de la Figura 2.85 para determinar IDSS. En las figuras se indican las
ecuaciones que se deben emplear.
226
Figura 2. 84. Determinación de Vp del JFET Figura 2. 85. Determinación de IDSS
Los valores de IDSS y Vp que se obtienen, normalmente están dentro de un 2% de desviación con
respecto a los valores que se obtienen por los otros métodos, lo cual es aceptable para
aplicaciones prácticas.
En la Figura 2.84 el voltímetro, en modo DC, debe tener una impedancia de entrada de 10MΩ.
El voltímetro es usado aquí con la doble función de resistencia de 10MΩ y voltímetro, la corriente
en el circuito se mantiene cerca de 1µA, lo cual hace que el voltaje entre Gate y Source sea cercano
a Vp.
En la Figura 2.85, el voltaje en el voltímetro es proporcional a la corriente ID y al inverso del voltaje

entre Gate y Source . El valor de IDSS es calculado a partir de la ecuación de ID en la zona de
saturación, donde la magnitud de ID es reemplazada por la magnitud del voltaje que registra el
voltímetro.
Si el valor encontrado de IDSS es menor de 7mA, se puede continuar con el procedimiento indicado
a continuación.
 Montar en el protoboard el circuito de la Figura 2.86.
227
Figura 2. 86. Medida de IDSS
 Medir con un voltímetro digital el voltaje a través de la resistencia de 100Ω, el cual es proporcional
a la corriente en el JFET.
 Calcular la corriente en el JFET, ese valor es IDSS.
Obtención de datos para graficar la curva de transconductancia y determinación de Vp
 Montar en el protoboard el circuito de la figura 2.87. El potenciómetro R2 de 10kΩ debe ser

multivuelta para facilitar las mediciones.
228
Figura 2. 87. Circuito para obtener la curva de transconductancia y Vp
 Utilizar un voltímetro para medir el voltaje en la resistencia R1 de 100Ω, el cual es proporcional a

la corriente ID, y otro voltímetro para medir el voltaje entre Gate y Source, lo que equivale a medir
entre G y tierra.
 Comenzar con VGS = 0V para el cual la corriente ID = IDSS. Luego, por medio del potenciómetro
de 10KΩ, aumentar el voltaje negativo en G hasta que la corriente ID sea 0.75IDSS y registrar el
valor de VGS.
 De nuevo aumentar el voltaje negativo en G hasta que la corriente ID sea 0.5IDSS y registrar el
valor de VGS.
 Repetir el procedimiento anterior hasta que la corriente ID sea 0.25IDSS y registrar el valor de
VGS.
 Repetir el procedimiento hasta que el voltaje en la resistencia R1 de 100Ω sea 0.1mV, lo cual
equivale a una corriente ID de 1µA; registrar el valor de VG y tomar este valor como Vp.
 Graficar la curva de transconductancia - ID vs VGS. Esta curva muestra el comportamiento del
JFET cuando está en la zona de saturación.
 Comparar esta gráfica con la obtenida aplicando la ecuación de ID en la Zona de Saturación.
NOTA: En los programas de simulación de circuitos electrónicos, el modelo SPICE usado para el JFET es el
mismo que el del MOSFET, con ecuación 𝐼𝐷 = 𝛽(𝑉𝐺𝑆 – 𝑉𝑇𝑂 )2 (1 + 𝜆𝑉𝐷𝑆 ), donde VTO es el voltaje de
umbral, equivalente a Vp, expresado en voltios; β es igual a IDSS/Vp2, expresado en A/V2, y λ expresado en
1/V, tiene en cuenta el incremento de ID con VDS, debido a la resistencia de Drain a Source, rDS.
229
Determinación de la curva ID vs VDS
 Montar en el protoboard el circuito de la Figura 2.88. La fuente V1 es una fuente DC variable.
Figura 2. 88. Montaje
 Usar un voltímetro para medir el voltaje en R1 de 100Ω, el cual es proporcional a la corriente ID.
 Usar otro voltímetro para medir el voltaje entre D y S
 Comenzando con V1 = 0V, lo cual corresponde con IDS = 0mA, incrementar este voltaje hasta que
VDS sea 0.1V y registrar IDS.
 Continuar este procedimiento incrementando consecutivamente VDS en 0.1V y determinando IDS
hasta que VDS sea igual al valor absoluto de Vp. Este punto establece la separación entre la Zona
Óhmica y la Zona de Saturación para VGS = 0V
Nota: Si Vp del JFET tiene una magnitud pequeña, se deben usar incrementos de 50mV en VDS mientras
se esté en la Zona Óhmica.
 Se continúa este procedimiento, incrementando consecutivamente VDS en 1.0V y determinando

IDS hasta que VDS sea 11V.
 Graficar la curva IDS vs VDS con base en los datos registrados.
Se pueden obtener más curvas, por ejemplo con VGS = Vp/2, entre otros, para tener una información
más completa del JFET bajo estudio.
230
Estos juegos de curvas son fácilmente obtenidos con equipos especializados para este propósito - Figura
2.89.
Figura 2. 89. Equipo especializado para obtención de curvas características
 Comparar la curva en la Zona Óhmica con la que resulta de aplicar la ecuación de corriente ID en
esa zona.
Determinación de la resistencia interna entre Drain y Source – rDS
 De los datos obtenidos de la curva ID vs VDS tomar dos datos dentro de la Zona de Saturación,
apartados de la Zona Óhmica, con una diferencia de voltaje - ∆VDS - de 3.0V; a esos valores de
voltaje deben corresponder sendos valores de corriente IDS. La relación ∆VDS/∆IDS es ~ rDS.
Determinación de la curva de transconductancia usando el osciloscopio
 Montar en el protoboard el circuito de la Figura 2.90. Seguir las indicaciones con respecto a señal
aplicada y sondas del osciloscopio. En este montaje manejar tierra común para fuente DC,
Generador y Osciloscopio, el Osciloscopio debe estar en modo XY. En este circuito se aplica a G
un voltaje negativo que varía linealmente entre 0V y 1.2Vp (Vp es negativo).
231
Figura 2. 90. Circuito para curva de transconductancia
 Ajustar las posiciones y las sensibilidades de los canales del osciloscopio para obtener el máximo
Curva ID vs VDS usando el osciloscopio
 Usar el circuito de la Figura 2.91. (Osciloscopio en modo XY y debe estar conectado a la red AC
por medio de un adaptador 3 a 2)
232
Figura 2. 91. Circuito para curva ID Vs VDS
 Comenzar con VGS = 0V, por medio del ajuste del potenciómetro multivuelta.
 Ajustar los controles de sensibilidad vertical y de posición de los canales, para obtener el máximo
 Hacer observaciones con otros voltajes entre G y S, por ejemplo 0.3Vp y 0.5Vp con los que se
logran corrientes en la Zona de Saturación de aproximadamente 0.5IDSS y 0.25IDSS,
respectivamente. Las curvas aparecerán con VDS incrementando hacia la derecha si el canal 1 tiene
la opción de ser invertido.
8. EJEMPLO
233
Figura 2. 92. Curva de transconductancia 2SK30
Figura 2. 93. Curva IDS Vs VDS 2SK30
234
PRÁCTICA # 2.6
AMPLIFICADORES CON JFET
4. INTRODUCCIÓN
El Transistor a Efecto de Campo de Unión - JFET, puede realizar funciones de amplificación de manera
similar al transistor bipolar, BJT. La Figura 2.94 muestra un diagrama funcional de los dos dispositivos.
En el transistor, el terminal de control es la Base. Un cambio en la corriente de Base IB, produce un
cambio mayor en la corriente de Colector IC, con un factor de amplificación β. En el JFET el terminal de
control es la Compuerta (Gate – G). Un cambio en el voltaje aplicado entre Compuerta y Fuente (Source
– S) VGS, produce un cambio en la corriente de Drenador ID. Este cambio depende de la
transconductancia gm del JFET.
Figura 2. 94. Diagrama funcional del transistor BJT y del JFET
5. OBJETIVOS
Determinar las características operativas de los amplificadores con JFET
Determinar las características operativas del amplificador Fuente común sin retroalimentación.
Determinar las características operativas del amplificador Fuente común con retroalimentación.
Determinar las características operativas del amplificador Drenador común.
Determinar la impedancia de salida de un amplificador Drenador común.
235
6. MARCO TEÓRICO
El JFET como amplificador.- El JFET puede ser usado en configuraciones de amplificación similares a las del
transistor BJT. Con el BJT se tienen amplificadores Emisor común, Base común y Colector común. Con el
JFET se tienen amplificadores Fuente común, Compuerta común y Drenador común.
En el JFET el parámetro más importante para efectos de la amplificación es la Transconductancia gm, la

cual indica cómo varía la corriente en Drenador frente a las variaciones de voltaje aplicado entre
Compuerta y Fuente.
La Figura 2.95 ilustra la Curva de Transconductancia de un JFET canal N. La Transconductancia gm es la

pendiente de la curva en cualquier punto sobre ella, lo cual significa que gm depende de las condiciones
de polarización del JFET. A mayor corriente ID de polarización, mayor es gm; a menor ID, menor es gm.
Figura 2. 95. Efecto de la transconductancia en la corriente de salida del JFET
gm es la derivada de ID en el punto de trabajo determinado por el circuito de polarización del JFET.
236
POLARIZACIÓN DEL JFET.- La polarización del JFET establece el punto de trabajo Q sobre la Curva de
Transconductancia y por consiguiente define el valor de la Transconductancia gm.
Ya que los JFETs ofrecen menos amplificación que los BJT, generalmente se busca operarlos con ID grande
para tener mayor gm, pero cuidando que la unión PN entre Gate y Source nunca vaya a conducir – con
señales de entrada muy pequeñas hasta algunas decenas de mV se puede operar con VGSQ = 0V. Otro
aspecto que debe cuidarse es que las variaciones de voltaje entre Drenador y Fuente deben mantenerse
alejadas de la Zona Óhmica y de la condición de corte del JFET.
Independientemente del tipo de amplificador que se use, comúnmente se usan las polarizaciones Auto
polarización por resistencia en Fuente (S), Polarización por divisor de voltaje y Polarización por fuente de
corriente en Fuente (S).
Como las características de los JFETs varían bastante entre unidades, así sean de un mismo lote de
fabricación, para la producción en serie de dispositivos que usan JFETs se prefieren las dos últimas
polarizaciones mencionadas anteriormente.
Auto polarización por resistencia en Fuente (S).- La Figura 2.96 muestra el circuito de auto polarización
por resistencia en Fuente (S) y la ecuación para calcular la resistencia Rs requerida.
237
Figura 2. 96. Auto polarización por Rs
La señal a amplificar puede ser aplicada a G (Amplificadores Fuente común y Drenador común) o a S
(Amplificador Compuerta común). RD es cero para el Amplificador Drenador común. RG de valor elevado
(1MΩ típico) se requiere para dar paso a la corriente inversa de la unión DG.
En este circuito 𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝐷𝑥𝑅𝑠 = 0𝑉.
Polarización por divisor de voltaje.- La Figura 2.97 muestra el circuito de polarización por divisor de voltaje.
Al igual que la polarización similar con BJTs, el diseñador escoge Vs entre 1/10 y 1/3 de VDD, teniendo en
cuenta que VG siempre será menor que Vs en la magnitud de VGSQ. Las resistencias R1 y R2, aparte de fijar
el valor de VG, determinan también la impedancia de entrada del amplificador cuando la entrada de señal
es por Compuerta (G). De nuevo la ecuación de la Curva de Transconductancia del JFET es usada para
calcular los valores de corriente y voltaje en el punto de trabajo Q. En el gráfico se dan las ecuaciones
relacionadas con la polarización y el cálculo de Rs.
238
Figura 2. 97. Polarización por divisor de voltaje
Polarización por fuente de corriente en Fuente (S).- En este tipo de polarización, muy usada para la
configuración amplificadora Drenador común, una fuente de corriente conectada entre Fuente (S) y un
voltaje de alimentación negativo (para JFETs canal N) – aunque también hay diseños con una sola fuente
de alimentación - establece la corriente que va a circular por el JFET amplificador, a la cual corresponde un
voltaje único entre Compuerta y Fuente – VGS, según la ecuación de la Curva de Transconductancia.
La Figura 2.98 ilustra este tipo de polarización. La fuente de corriente puede ser construida con transistores
BJT o con FETs en la configuración auto polarización con resistencia en Fuente (S).
239
Figura 2. 98. Polarización por fuente de corriente
Configuraciones de amplificadores con JFET.- Los tres tipos básicos de amplificadores - Fuente común,
Compuerta común y Drenador común, son analizados para trabajo con señales de pequeña amplitud
usando los modelos del JFET para media y alta frecuencia mostrados en la Figura 2.99.
Modelo del JFET para frecuencias medias Modelo del JFET para altas frecuencias
Figura 2. 99. Modelos para señal pequeña del JFET
En los modelos, gm es la transconductancia, rd es la resistencia dinámica entre D y S, la cual modela el

efecto de aumento de la corriente ID en la Zona de Saturación debido al aumento del voltaje VDS; muchas
veces no se tiene en cuenta si su valor es mucho mayor que las resistencias del circuito en paralelo con ella.
Cgs es la capacitancia entre Compuerta (G) y Fuente (S), la cual establece el límite de la respuesta en alta
frecuencia para las configuraciones Drenador común y Compuerta común, y Cgd es la capacitancia entre
Compuerta y Drenador, la cual es aumentada por el efecto Miller y sumada a Cgs, en la configuración
Fuente común, determinando estas dos el límite de la respuesta en alta frecuencia.
240
Amplificador Fuente Común sin retroalimentación.- Características mostradas en la Figura 2.100.
Figura 2. 100. Amplificador fuente común sin retroalimentación

𝑉𝑜
𝐴𝑉 = 𝑉𝑖
= −𝑔𝑚(𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿) (2.16)
𝑍𝑖 = 𝑅𝐺 (2.17)
𝑍𝑜 = 𝑅𝐷 (2.18)
Con rd
𝐴𝑉 = −𝑔𝑚(𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 ∥ 𝑟𝑑) (2.19)
𝑍𝑖 = 𝑅𝐺 (2.20)
𝑍𝑜 = 𝑅𝐷 ∥ 𝑟𝑑 (2.21)
241
Este amplificador está auto polarizado por Rs, pero Fuente (S) está dinámicamente a tierra por la acción de
Cs.
En muchos diseños, si la señal de entrada es muy pequeña, Rs es 0Ω para dejar al JFET operando con ID =
IDSS, lográndose así la máxima transconductancia.
Amplificador Fuente Común con retroalimentación.- Características mostradas en la Figura 2.101b.
Figura 2. 101. Amplificador fuente comun con retroalimentación

𝐴𝑉 = = − (2.22)
𝑍𝑖 = 𝑅𝐺 (2.23)
𝑉𝑜
𝑍𝑜 = 𝐼𝑜
= 𝑅𝐷 (2.24)
Con rd
242
𝐴𝑉 = = − 𝑅𝐷+𝑅𝑠 (2.25)
𝑉𝑖 1+𝑔𝑚 𝑅𝑠+
𝑟𝑑
𝑍𝑖 = 𝑅𝐺 (2.26)
𝑅𝑠
𝑟𝑑
𝑍𝑜 = 𝑅𝑠 𝑅𝐷 𝑅𝐷 (2.27)
1+𝑔𝑚 𝑅𝑠+ +
𝑟𝑑 𝑟𝑑
En esta configuración, Rs podría estar dividida en dos secciones, una de ellas con un condensador en
paralelo. La resistencia total determina la polarización, pero sólo la resistencia sin el condensador en
paralelo es la que establece las características del amplificador y es la usada en las ecuaciones.
Para amplificadores polarizados por divisor de voltaje, lo único que cambia en las ecuaciones es que 𝑍𝑖 =
𝑅1//𝑅2.
Amplificador Compuerta común.- Este amplificador es usado para acoplar circuitos de baja impedancia
con circuitos de alta impedancia. Es común encontrarlo en aplicaciones de radiofrecuencia donde se
aprovecha también su bajo ruido y su capacidad para amplificar señales de voltaje a alta frecuencia sin que
se presente el efecto Miller.
También es usado en conjunto con un amplificador Fuente común para mejorar la respuesta en frecuencia
y la separación entre la salida y la entrada, en una configuración cascode.
La Figura 2.102 es un ejemplo de la topología cascode para mejorar el desempeño de un amplificador de

video.
243
FET Cascode Video Amplifier
Figura 2. 102. Amplificador compuerta comun en cascode
La Figura 2.103 ilustra un circuito con amplificador Compuerta común usado por la NASA en su Proyecto
JOVE para estudiar el Plasma y los Campos Magnéticos de Júpiter, con miras a tener una mejor
comprensión de nuestro planeta Tierra.
244
Figura 2. 103. Amplificador compuerta comun 20.1 MHz
En la Figura 2.104 se muestran las características de un amplificador Compuerta común.
Figura 2. 104. Amplificador compuerta común

245
𝐴𝑉 = 𝑔𝑚(𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿) (2.28)
𝑍𝑖 ≅ 𝑅𝑠 ∥ 1/𝑔𝑚 (2.29)
𝑍𝑜 ≅ 𝑅𝐷 (2.30)
Con rd
𝑅𝐷∥𝑅𝐿
𝑉𝑜 𝑔𝑚 (𝑅𝐷∥𝑅𝐿)+
𝑟𝑑
𝐴𝑉 = = 𝑅𝐷∥𝑅𝐿 (2.31)
𝑉𝑖 1+
𝑟𝑑
𝑟𝑑+(𝑅𝐷∥𝑅𝐿)
𝑍𝑖 = 𝑅𝑠 ∥ 1+𝑔𝑚 𝑟𝑑
(2.32)
𝑍𝑜 = 𝑅𝐷 ∥ 𝑟𝑑 (2.33)
Amplificador Drenador común.- Este amplificador, también llamado seguidor de voltaje, es ampliamente
utilizado para acoplar circuitos de alta impedancia con circuitos de baja impedancia, actuando como
separador – Buffer. Es muy común encontrarlo a la entrada del sistema de procesamiento análogo de
muchos sistemas electrónicos. La Figura 2.105 ilustra el circuito de entrada de un osciloscopio con ancho
de banda de 100MHZ que usa un JFET como seguidor de voltaje polarizado por otro JFET que actúa como
fuente de corriente.
246
Figura 2. 105. Entrada osciloscopio
En la Figura 2.106 se muestran las características de un amplificador Drenador común.
Figura 2. 106. Amplificador Drenador común

𝑉𝑜 𝑔𝑚 𝑅𝑠
𝐴𝑉 = ≅ (2.34)
247
𝑍𝑖 = 𝑅𝐺 (2.35)
𝑍𝑜 ≅ 𝑅𝑠 ∥ 1/𝑔𝑚 (2.36)
Con rd
𝑉𝑜 𝑔𝑚 (𝑟𝑑∥𝑅𝑠)
𝐴𝑉 = = (2.37)
𝑉𝑖 1+𝑔𝑚 (𝑟𝑑∥𝑅𝑠)
𝑍𝑖 = 𝑅𝐺 (2.38)
𝑍𝑜 = 𝑟𝑑 ∥ 𝑅𝑠 ∥ 1/𝑔𝑚 (2.39)
Definiciones
 Impedancia: Oposición que presenta un circuito a una corriente cuando se le aplica un voltaje.
 Cascode: Palabra que tiene su origen en la tecnología de tubos al vacío, cuando se acopla la salida de
un tubo al cátodo de otro - “cascade to cathode”.
Protoboard
JFET canal N
Condensadores de 10µF/25V y 220µF/25V electrolíticos y 100nF cerámicos
Resistencias de distintos valores
248
1 Multímetro
7.1SIMULACIÓN
Para la simulación implemente el circuito amplificador de fuente común con JFET mostrado en la
figura 2.107.1, tome como señal de entrada una señal sinusoidal con las características que se
muestran en la figura, use una fuente de polarización de 12.5V.
Simule la respuesta en tiempo y frecuencia. Analice la salida del amplificador, calcule teóricamente
la ganancia de voltaje y las frecuencias de corte, compárelas con la simulación ¿Qué diferencias
encuentra? ¿Si encontró diferencias a que se deben? ¿Qué diferencias hay entre un amplificador
con BJT y uno con JFET? ¿Qué amplificador es mejor?
Circuito amplificador con transistor JFET.
249
Figura 2.107.1 Circuito amplificador de señal con transistor JFET.
Figura 2.107.2 Gráfica de respuesta de entrada-salida del circuito de la figura 1.
250
Figura 2.107.3 Gráfica de respuesta de frecuencia en la salida del circuito de la figura 1.
Amplificador Fuente común
amplificador Fuente común sin retroalimentación, auto polarizado por resistencia en Fuente, de
la Figura 2.108. Calcular Rs para que ID sea 0.75IDSS y calcular RD para que VDS sea |Vp| + 2V.
251
Figura 2. 1078. Amplificador fuente comun
 Montar el circuito en el protoboard, medir los voltajes DC en VDD, S y D, y calcular la corriente ID.
 Aplicar a la entrada una señal seno de 100mVpp 1kHz y medir el voltaje AC a la salida. Determinar
la ganancia de voltaje del amplificador y compararla con los resultados teóricos.
 Retirar el condensador C4 en paralelo con Rs, para trabajar ahora con el amplificador Fuente
común con retroalimentación. Aplicar a la entrada una señal seno de 100mVpp 1kHz y medir el
voltaje AC a la salida. Determinar la ganancia de voltaje del amplificador y compararla con los
resultados teóricos.
Amplificador Drenador común.-
amplificador Drenador común, polarizado por divisor de voltaje en compuerta, de la Figura 2.109.
Calcular Rs para que ID sea 0.75IDSS.
252
Figura 2. 1089. Amplificador drenador comun
 Montar el circuito en el protoboard, medir los voltajes DC en VDD, G y S, y calcular la corriente ID.
 Aplicar a la entrada una señal seno de 100mVpp 1kHz y medir el voltaje AC a la salida = Vo.
Determinar la ganancia de voltaje del amplificador y compararla con los resultados teóricos.
 Determinar la impedancia de salida Zo, conectando a la salida una resistencia de 1kΩ y midiendo
el voltaje AC a la salida = Vo’. Usar la fórmula de la Figura 2.110. Comparar el resultado con el
cálculo teórico.
253
Figura 2. 109. Circuito para determinar Zo
7. EJEMPLO
La Figura 2.111 muestra los voltajes de entrada y salida de un amplificador Fuente común, con JFET
2SK30, IDSS=2.97mA y Vp=-1.72V, operando a 0.75IDSS.
254
Sin retroalimentación Con retroalimentación
Figura 2. 1101. Amplificador fuente común
La Figura 2.112 muestra los voltajes de entrada y salida de un amplificador Drenador común, con JFET
2SK30, IDSS=2.97mA y Vp=-1.72V, operando a 0.75IDSS.
255
Figura 2. 1112. Amplificador drenador comun
256
PRÁCTICA # 2.7
COMPARADORES
1. INTRODUCCIÓN
Un Comparador es un circuito que compara dos voltajes y determina cuál de ellos es más grande. El
resultado de la comparación aparece en la salida del comparador – Figura 2.113. Para comparadores no
inversores la salida tiene un voltaje alto si la entrada no inversora (+) es mayor que la entrada inversora
(-), y la salida tiene un voltaje bajo si la entrada no inversora (+) es menor que la entrada inversora (-).
Para Comparadores inversores, la salida es invertida, lo contrario del Comparador no inversor.
Figura 2. 1123. Comparadores
Los fabricantes de semiconductores ofrecen circuitos especializados para la función de comparación, los
cuales son mucho más rápidos que los amplificadores operacionales (AO). Sin embargo, estos últimos son
ampliamente utilizados para la función de comparación cuando no hay una gran exigencia en cuanto
a la velocidad de respuesta.
2. OBJETIVOS
Comprobar el funcionamiento del amplificador operacional funcionando como comparador.

257
Comprobar el funcionamiento del amplificador operacional LF347 operando como:
Comparador no inversor – detector de cruce por cero.

Comparador inversor – detector de cruce por cero.
Comparador no inversor – voltaje de referencia o de comparación: 5V
Comparador con Histéresis no inversor simétrico.
Comparador con Histéresis no inversor no simétrico.
3. MARCO TEÓRICO
 Comparadores.- Un Comparador puede ser considerado como un AO rápido de alta ganancia que
es usado sin retroalimentación negativa. Como su función es indicar si una entrada es mayor que la otra,
el voltaje a la salida es siempre un nivel alto o bajo, así, la salida del comparador no necesita ser la etapa
Clase AB típica de los AOs, sino que normalmente es un transistor con colector abierto – Figura 2.114 –
para que el usuario conecte una resistencia al voltaje que necesite, operado siempre entre corte y
saturación, de tal forma que el colector siempre está en el voltaje establecido por el usuario o muy cerca
de 0V.
Figura 2. 1134. Modelo del comparador típico
258
Para aplicaciones que no requieren gran velocidad, el AO sin retroalimentación negativa, es usado
comunmente como Comparador. Un Comparador comercial no puede trabajar como AO, pero éste si
puede operar como Comparador.
 Comparador detector de cruce por cero no inversor.- La Figura 2.115 muestra el circuito de este
tipo de Comparador y las formas de onda de entrada y salida. La salida está en nivel alto – el voltaje de
saturación positivo (VSAT+), cuando el voltaje de entrada sobrepasa 0V, y está en nivel bajo – voltaje de
saturación negativo (VSAT-), cuando el voltaje de entrada está por debajo de 0V. La salida siempre presenta
una conmutáción de nivel cuando la entrada cruza por 0V.
Figura 2. 1145. Detector de cruce por cero no inversor
 Comparador detector de cruce por cero inversor.- La Figura 2.116 muestra el circuito de este
Comparador y las formas de onda de entrada y salida. La salida está en nivel bajo – (VSAT-) – el voltaje de
saturación negativo, cuando el voltaje de entrada sobrepasa 0V, y está en nivel alto – el voltaje de
saturación positivo (VSAT+), cuando el voltaje de entrada está por debajo de 0V. La salida siempre presenta
una conmutáción de nivel cuando la entrada cruza por 0V.
259
Figura 2. 1156. Detector de cruce por cero inversor
 Comparador no inversor – con voltaje de referencia.- El Comparador puede ser usado para
comparar con respecto a cualquier voltaje usado como referencia que esté dentro de los límites
operacionales del Comparador. La Figura 2.117 muestra un Comparador no inversor que usa distintas
referencias de voltaje: Fuente de voltaje, Divisor de voltaje y Voltaje Zener, con las formas de onda de
entrada y salida. Como el Comparador es no inversor, la salida es positiva (VSAT+) cuando la entrada
sobrepasa al voltaje de referencia, y es negativa (VSAT-) cuando la entrada es inferior al voltaje de referencia.
Fuente de voltaje usada como Divisor de voltaje usado como
voltaje de referencia voltaje de referencia
260
Voltaje de un diodo zener usado
como voltaje de referencia
Figura 2. 1167. Comparador no inversor con voltaje de referencia
 Comparador con Histéresis.- En muchas situaciones prácticas, la señal que se debe comparar con
un voltaje de referencia viene acompañada de ruido, lo que origina un comportamiento no deseado del
comparador, al producirse múltiples conmutaciones cuando la señal de entrada está cerca del voltaje de
referencia – Figura 2.118. Para que el Comparador sea menos sensible al ruido se emplea una técnica que
usa retroalimentacion positiva, llamada Histéresis. La Hístéresis significa que hay un nivel de referencia
más alto cuando el nivel de la señal de entrada va de bajo a alto, llamado Voltaje de Umbral Superior –
VUS , y un nivel de referencia más bajo, llamado Voltaje de Umbral Inferior – VUI, cuando el nivel de la señal
de entrada va de alto a bajo. La diferencia de voltaje entre VUS y VUI es llamada el Voltaje de Histéresis –
VH.
261
Figura 2. 1178. Múltiples conmutaciones causadas por el ruido
 Comparador con Histéresis no inversor simétrico con respecto a tierra.- La Figura 2.119 muestra
el circuito de este Comparador con las formas de onda de entrada y salida, y los circuitos equivalentes
para la determinación de los Voltajes de Umbral Inferior y Superior, y las resistencias del circuito.
262
Figura 2. 1189. Comparación con histeresis no inversor simétrico con respecto a tierra
 Comparador con Histéresis inversor simétrico con respecto a tierra.- La Figura 2.120 muestra el
circuito de este Comparador con las formas de onda de entrada y salida, y las ecuaciones para la
determinación de los Voltajes de Umbral Superior e Inferior y las resistencias del circuito.
Figura 2. 11920. Comparador con histeresis inversor simétrico con respecto a tierra
El voltaje de Umbral está determinado por la salida del AO y el divisor de voltaje formado por Rf y Ri.
𝑅𝑖
𝑉𝑈𝑆 = 𝑉𝑆𝐴𝑇 + (2.40)
𝑅𝑖+𝑅𝑓
𝑅𝑖
𝑉𝑈𝐼 = 𝑉𝑆𝐴𝑇 − (2.41)
𝑅𝑖+𝑅𝑓
263
𝑉𝑆𝐴𝑇+ − 𝑉𝑆𝐴𝑇−
𝑛= −1 (2.42)
𝑉𝐻
 Comparador con Histéresis no inversor no simétrico.- La Figura 2.121 muestra el circuito de este
Comparador con las formas de onda de entrada y salida, y los circuitos equivalentes para la determinación
de las resistencias del circuito.
Figura 2. 1201. Comparador con Histeresis no inversor no simétrico
Normalmente VREF es Vcc si se quiere que la ventana de histéresis se desplace hacia negativo o VEE si se
desplaza hacia positivo.
𝑉𝑅𝐸𝐹 𝑉𝑈𝑆 −𝑉𝑆𝐴𝑇−

+ = (2.40)
𝑅𝑅 𝑅𝑖 𝑅𝑓
𝑉𝑅𝐸𝐹 −𝑉𝑆𝐴𝑇−
+ 𝑉𝑈𝑆 = (2.41)
𝑚 𝑛
264
𝑛= (2.42)
𝑉𝐻
𝑉𝑅𝐸𝐹 𝑉𝑆𝐴𝑇+ −𝑉𝑈𝐼
+ = (2.43)
𝑅𝑅 𝑅𝑓 𝑅𝑖
𝑉𝑅𝐸𝐹 𝑉𝑆𝐴𝑇+
+ = −𝑉𝑈𝐼 (2.44)
𝑚 𝑛
M, que es positivo, se despeja de la fórmula 2.41 o de la fórmula 2.44 escogiendo un VREF adecuado.
 Comparador con Histéresis inversor no simétrico.- La Figura 2.122 muestra el circuito de este
Comparador con las formas de onda de entrada y salida, y los circuitos equivalentes para la determinación
de las resistencias del circuito. El Voltaje de Referencia es implementado por medio de un divisor de
voltaje alimentado por VCC o –VEE, cuyo voltaje Thévenin es VREF y la resistencia Thévenin es Ri. VCC
desplaza la ventana de Histéresis hacia el lado positivo, mientras que –VEE la desplaza hacia el lado
negativo.
265
Figura 2. 1212. Comparador con histeresis inversor no simétrico
𝑉𝐻 = 𝑉𝑈𝑆 + 𝑉𝑈𝐼 (2.45)
𝑉𝑆𝐴𝑇+ − 𝑉𝑈𝑆 𝑉𝑈𝑆 − 𝑉𝑅𝐸𝐹

= (2.46)
𝑛 𝑅𝑖 𝑅𝑖
𝑉𝑅𝐸𝐹 − 𝑉𝑈𝐼 𝑉𝑈𝐼 − 𝑉𝑆𝐴𝑇−

= (2.47)
𝑅𝑖 𝑛 𝑅𝑖
𝑛= −1 (2.48)
𝑉𝐻
Definiciones
 Ruido: Señales eléctricas aleatorias no deseadas.

 Saturación de un AO: Estado en el que un AO permanece en su máximo valor de voltaje posible de
salida, sea positivo o negativo. Normalmente estos voltajes están aproximadamente a 1.2V del
voltaje de las fuentes de alimentación, aunque para AO con salidas “rail to rail” su valor es el mismo
que el de las fuentes de alimentación.
Protoboard
266
Amplificador Operacional LF347
Condensadores de 10µF/25V electrolíticos, 100nF cerámicos.
Resistencias de 10kΩ, 22kΩ y 68kΩ
5.1SIMULACIÓN
(Simular el circuito comparador con histéresis no inversor, no simétrico 2.128. hacer análisis –
Documentar la simulación)
(Comparador con Histéresis no inversor no simétrico)
El diagrama simplificado del AO se muestra en la Figura 2.123. El AO LF347 se monta con
condensadores de filtraje en las líneas de alimentación como se muestra en la Figura 2.124.
267
Figura 2. 1223. 1/4 LF347 Figura 2. 1234. Montaje
 Comparador no inversor – detector de cruce por cero.-Usando el circuito de la Figura 2.125,

aplicar a la entrada una señal triangular de 8Vp, 400Hz y observar la señal a la salida.
Figura 2. 1245. Detector cruce por cero
 Comparador inversor – detector de cruce por cero.-Usando el circuito de la Figura 2.126, aplicar
a la entrada una señal triangular de 8Vp, 400Hz y observar la señal a la salida.
268
Figura 2. 1256. Detector cruce por cero inversor
 Comparador no inversor – voltaje de referencia o de comparación: 5V

Usar el circuito de la Figura 2.127. Aplicar una señal triangular de 8Vp, 400Hz a la entrada no
inversora y un voltaje de referencia de +5V a la entrada inversora. Observar la señal a la salida.
Figura 2. 1267. Comparador con +5V
NOTA: La fuente de +5V se conecta después de conectar los voltajes de polarización y se

desconecta antes de desconectar los voltajes de polarización.
 Comparador con histéresis no inversor simétrico.-Usar el circuito de la Figura 2.128. Aplicar una
señal triangular de 8Vp, 400Hz a la entrada y observar la señal a la salida.
269
Figura 2. 1278. Comparador con histeresis no inversor
Usar el osciloscopio en el modo XY con X=Vi y Y=Vo, medir los voltajes saturación positivo y
negativo, los voltajes de Umbral Superior e Inferior y el voltaje de Histéresis.
Comparar las mediciones experimentales con los cálculos teóricos para este circuito.
Cambiar la resistencia de 22KΩ por una de 68KΩ y observar con el osciloscopio en el modo XY con
X=Vi y Y=Vo, medir los voltajes saturación positivo y negativo, los voltajes de Umbral Superior e
Inferior y el voltaje de Histéresis. Comparar las mediciones experimentales con los cálculos teóricos
para este circuito.
 Comparador con Histéresis no inversor no simétrico.-
Usar el circuito de la Figura 2.129. Colocar la entrada VREF a -12V, aplicar a Vi una señal triangular
de 8Vp, 400Hz y observar la señal a la salida con el osciloscopio en el modo Yt.
Figura 2. 1289. Comparador con histeresis no inversor no simétrico

270
Usar el osciloscopio en el modo XY con X=Vi y Y=Vo, medir los voltajes saturación positivo y
negativo, los voltajes de Umbral Superior e Inferior y el voltaje de Histéresis. Comparar las
mediciones experimentales con los cálculos teóricos para este circuito.
Colocar la entrada VREF a +12V y observar la salida con el osciloscopio en el modo XY con X=Vi y
Y=Vo, medir los voltajes saturación positivo y negativo, los voltajes de Umbral Superior e Inferior y
el voltaje de Histéresis. Comparar las mediciones experimentales con los cálculos teóricos para este
circuito.
6. EJEMPLO
La Figura 2.130 muestra la imagen en el osciloscopio operando en modo XY para el Comparador con
Histéresis no inversor no simétrico del punto 6.6 con VREF = -12V.
Figura 2. 12930. Comparador figura (anterior #) VREF = -12V
271
PRÁCTICA # 2.8
OSCILADORES NO SINUSOIDALES DE RELAJACIÓN
1. INTRODUCCIÓN
Un oscilador electrónico es un circuito electrónico que entrega en su salida una señal eléctrica, voltaje
o corriente, la cual varía en amplitud en forma repetitiva, sin que haya ninguna entrada en el circuito.
Hay dos tipos principales de oscilador electrónico: el oscilador armónico que produce señales
sinusoidales y el oscilador de relajación que produce señales de formas diferentes a la sinusoidal, siendo
la más común la onda cuadrada.
2. OBJETIVOS
Construir y verificar dos osciladores de relajación
Aprender sobre el diseño de osciladores que se basan en la carga y la descarga de un condensador

a través de una resistencia.
Aprender sobre el diseño y uso de comparadores con Histéresis inversores simétricos
Aprender sobre el diseño de osciladores que se basan en la carga y la descarga de un
condensador por medio de corrientes constantes usando integradores
Aprender sobre el diseño y uso de comparadores con Histéresis no inversores simétricos
3. MARCO TEÓRICO
Los osciladores electrónicos de relajación son circuitos osciladores electrónicos no lineales que producen
en su salida una señal repetitiva no sinusoidal. Son construidos haciendo uso de un lazo de
retroalimentación dentro del cual hay un elemento almacenador de energía como el condensador,
y un dispositivo de conmutación rápida como un transistor, un relé, un comparador, o un elemento que
tiene en su comportamiento eléctrico características de resistencia negativa, el cual carga el condensador
272
a través de una resistencia hasta que se alcanza el umbral de conmutación, y luego lo descarga hasta que
se alcanza un nuevo umbral de conmutación. En vez de cargar y descargar el condensador a través de
una resistencia, se puede hacer eso por medio de corrientes constantes. El término relajación proviene
del mundo de la mecánica donde indica la desaparición gradual de la deformación de un cuerpo elástico
cuando ha sido sometido a un esfuerzo.
Mientras que la forma de onda del voltaje en el condensador es de tipo exponencial cuando se carga o
descarga a través de una resistencia, o en forma de rampas cuando se carga o descarga por medio de
corrientes constantes, la forma de onda en el elemento conmutador tiene dos estados fijos, alto y bajo.
273
El tiempo que tarda el voltaje del condensador en pasar de un umbral a otro depende del valor del
condensador, de la resistencia, del voltaje que alimenta la resistencia, o de las corrientes de
carga y descarga.
Figura 2. 1301. Circuito RC
En el circuito de la Figura 2.131, un condensador previamente descargado es cargado desde una fuente
de 11V a través de una resistencia. El voltaje en el condensador crece en forma exponencial y
alcanzaría los 11V de la fuente en un tiempo de aproximadamente 5τ = 5(R1C1). Si en el proceso de
carga, el conmutador es cambiado a la posición -11V cuando el voltaje en el condensador alcance 5V, el
condensador comienza a descargarse en forma exponencial y un tiempo después su voltaje
alcanzaría los -11V de la fuente. Si en el proceso de descarga, el conmutador es cambiado a la posición
11V cuando el voltaje en el condensador alcance -5V, el condensador comienza a cargarse de nuevo
tratando de llegar a los 11V. Si el conmutador es cambiado de posición siempre que se alcancen los 5V
los -5V, el condensador cargará hasta 5V y descargará hasta -5V en forma repetitiva como lo ilustra la
Figura 2.132.
Figura 2. 1312. Voltaje en el condensador

274
La función del conmutador con voltajes definidos de conmutación puede ser ejecutada por un
comparador con Histéresis inversor simétrico usando un amplificador operacional.
Figura 2. 1323. Comparador con Histeresis inversor simétrico
El circuito de la Figura 2.133 muestra este tipo de comparador. Si el amplificador operacional (AO) tiene
salida con transistores bipolares y es alimentado con ±12V, los voltajes máximo y mínimo serán
aproximadamente +11V y -11V, llamados voltaje de saturación positivo VSAT+ y voltaje de saturación
negativo VSAT-, respectivamente. Debido a que se usa retroalimentación positiva desde la salida hasta la
entrada no inversora, la salida siempre será VSAT+ (+11V) o VSAT- (-11V). El divisor de voltaje conformado
por Ri y RF define los voltajes de Umbral Superior VUS +5V y de Umbral Inferior VUI -5V, que sirven
de voltaje de comparación para el Comparador. Si la salida está en +11V y una señal aplicada en la
entrada alcanza el voltaje de Umbral Superior +5V, se producirá la conmutación del Comparador
haciendo que su salida cambie a -11V y la entrada no inversora cambie a -5V, el voltaje de Umbral Inferior.
El comparador permanecerá en ese estado hasta que la señal de entrada disminuya y alcance los -5V,
donde de nuevo la salida pasará a +11V.
275
Figura 2. 1334. Oscilador de relajación
En el circuito de la Figura 2 . 1 3 4 se combinan el Comparador con Histéresis inversor simétrico, el

condensador C y la resistencia R a través de la cual se carga y descarga el condensador C. El voltaje en
el condensador es la señal que se aplica a la entrada del Comparador. La salida del Comparador suministra
los dos niveles de voltaje necesarios para la carga y la descarga del condensador. El circuito total es un
oscilador de relajación con comparador con Histéresis inversor simétrico.
Como en este tipo de circuitos la señal de entrada en aumento causa en algún momento una disminución
en la salida, y lo contrario, una disminución en la entrada produce un aumento en la salida, eso da
origen a que se le llame inversor. Como se dan en el circuito dos puntos de comparación diferentes –
VUS y VUI – el Comparador es llamado con Histéresis.
Figura 2. 1345. Formas de onda del oscilador de relajación

276
La Figura 2 . 1 3 5 muestra el comportamiento del oscilador de relajación. La salida siempre está en
VSAT+ o VSAT-y el condensador carga y descarga entre VUS y VUI en forma exponencial. El tiempo que
dura la salida en voltaje alto se llama tiempo de encendido Ton y el tiempo que dura la salida en voltaje
bajo se llama tiempo de apagado Toff.
Las ecuaciones de los tiempos Ton y Toff son:
𝑉𝑆𝐴𝑇+ −𝑉𝑈𝐼
𝑇𝑜𝑛 = 𝑅 𝐶 𝑙𝑛 (2.49)
𝑉𝑆𝐴𝑇+ −𝑉𝑈𝑆
𝑉𝑆𝐴𝑇− −𝑉𝑈𝑆
𝑇𝑜𝑓𝑓 = 𝑅 𝐶 𝑙𝑛 (2.50)
𝑉𝑆𝐴𝑇− −𝑉𝑈𝐼
Donde R es la resistencia a través de la cual se carga o descarga el condensador, y C es el condensador.

Si R está en Ohmios y C en Faradios, los tiempos resultan en segundos.
En la Figura 2.136 un condensador puede ser cargado con una corriente constante IP o descargado
con una corriente constante IN. El voltaje en el condensador aumentará o disminuirá en forma lineal
en el tiempo.
Figura 2. 1356. Carga y descarga de un condensador mediante corriente constante
Un oscilador de relajación con carga y descarga lineal del condensador puede ser implementado
usando un circuito Integrador para cargar o descargar el condensador y un Comparador con Histéresis
277
no inversor simétrico para determinar los voltajes hasta donde se carga o descarga el condensador y
producir la conmutación de las corrientes de carga y descarga
La Figura 2 . 1 3 7 muestra el circuito completo del oscilador de relajación que produce en la Salida1
una onda triangular y en la Salida2 una onda cuadrada. Tanto el Integrador como el Comparador con
Histéresis no inversor simétrico han sido estudiados en prácticas anteriores.
Figura 2. 1367. Oscilador de relajación - Generador de onda triangular
La salida del comparador – Salida2 – está en VSAT+ o VSAT-; como esta salida está conectada a R1, la
resistencia de entrada del Integrador, y el otro extremo de R1 está a 0V, la corriente en R1 es
constante. Esta corriente pasa totalmente por C1 y produce en la Salida1 rampas ascendentes cuando la
Salida2 es negativa, y rampas descendentes cuando la Salida2 es positiva. El comparador con Histéresis
no inversor simétrico determina los voltajes máximo y mínimo que puede alcanzar la Salida1, los cuales
son llamados voltaje de Umbral Superior VUS y voltaje de Umbral Inferior VUI. En la Figura 2.138 se
muestran las formas de onda producidas por este oscilador.
278
Figura 2. 1378. Señales de salida del oscilador
Las ecuaciones de voltajes de umbral, Ton y Toff son:
𝑉𝑆𝐴𝑇−
𝑉𝑈𝑆 = − (2.51)
𝑛
𝑉𝑆𝐴𝑇+
𝑉𝑈𝐼 = − (2.52)
𝑛
𝑉 −𝑉𝑈𝐼
𝑇𝑜𝑛 = 𝑅1 𝐶 ( 𝑈𝑆 ) (2.53)
−𝑉 𝑆𝐴𝑇−
𝑉𝑈𝑆 −𝑉𝑈𝐼
𝑇𝑜𝑓𝑓 = 𝑅1 𝐶 ( ) (2.54)
𝑉𝑆𝐴𝑇+
Definiciones

circuito para que opere en las condiciones deseadas.
 Amplificador operacional: Circuito amplificador electrónico directamente acoplado, con dos
entradas, una salida y dos conexiones para su polarización, el cual amplifica muchas veces la
diferencia de los dos voltajes aplicados a sus entradas. Opera desde frecuencia 0Hz (DC) hasta el
límite de frecuencia establecido por el fabricante.
279
 Comparador: Circuito electrónico que compara el voltaje aplicado a su entrada con un voltaje de
referencia y entrega en su salida un voltaje alto o bajo que indica si el voltaje de entrada es mayor o
menor que el voltaje de referencia.
 Voltaje de saturación: En un amplificador operacional es el voltaje máximo o mínimo que puede
alcanzar la salida del amplificador. Depende de los voltajes de polarización y del tipo de diseño de la
etapa de salida del amplificador.
 Voltaje de umbral: En un comparador es el voltaje de referencia para efectuar la comparación de
voltajes.
 Integrador: Circuito electrónico que provee una salida proporcional a la integral en el tiempo del
voltaje aplicado a su entrada.
Protoboard
Amplificador operacional LF347
Diodos 1N4148
Condensadores 10µF/25V, 0.1µF/25V (104) cerámicos, 100nF poliéster
Resistencias 3.3kΩ, 10kΩ, 22kΩ
Potenciómetro lineal 10kΩ
1 Multímetro
5.1SIMULACIÓN
(Circuito de oscilación con potenciómetro)
 Para los circuitos que emplean amplificador operacional usar un amplificador LF347 alimentado
con ±12V con condensadores en las líneas de alimentación como lo muestra la Figura 2.139.
280
Figura 2. 1389. Montaje
 Montar en el protoboard el oscilador de relajación de la Figura 2.134 con C de poliéster,

medir previamente el valor de cada uno de los componentes.
 Observar con el osciloscopio el voltaje en la entrada inversora usando la sonda CH1 en X10
previamente compensada y el voltaje en la salida usando CH2 con sonda X1. Medir los tiempos
Ton y Toff, determinar la frecuencia de los pulsos a la salida.
 Determinar el valor de los voltajes de saturación y de los voltajes de umbral.
 Comparar los valores medidos (voltajes y tiempos) con los cálculos teóricos.
 Montar en el protoboard el oscilador de relajación de la figura 2.137 con C de poliéster, medir
previamente el valor de cada uno de los componentes.
 Observar con el osciloscopio el voltaje en la salida del integrador usando la sonda CH1 en X1 y el
voltaje en la salida del comparador usando la sonda CH2 en X1.
 Medir los tiempos Ton y Toff, determinar la frecuencia de los pulsos a la salida.
 Determinar el valor de los voltajes de saturación y de los voltajes de umbral.
 Modificar el oscilador de relajación de la Figura 2.137 para tener el circuito de la Figura 2.140
281
Figura 2. 13940. Circuito de oscilación con potenciómetro
 Variar la posición del potenciómetro R5 y observar como varían las señales en las dos salidas.
 Medir los voltajes y los tiempos de las dos señales de salida cuando R5 está en las posiciones
extremas.
282
7. EJEMPLO.-
La Figura 2.141 muestra el montaje en el protoboard del circuito de la Figura 2.141. La Figura 2.142
muestra las salidas en el osciloscopio.
Figura 2. 1401. Montaje Osc. Fig. 2. anterior Figura 2. 1412. Salidas Oscilador Fig. anterior
283
PRÁCTICA # 2.9
TEMPORIZADOR 555
1. INTRODUCCIÓN
El circuito integrado 555, producido a partir de 1972 por Signetics (adquirida posteriormente por Phillips,
ahora NXP), es uno de los circuitos análogos más versátiles que se han inventado. En el 2009 la revista
IEEE Spectrum lo incluyó en la lista de los 25 microcircuitos que han impactado al mundo. A pesar de
ser un dispositivo de más de cuarenta años en el mercado, su producción anual supera los mil millones
de unidades.
Figura 2. 1423. NE555N
En esta práctica se estudian las aplicaciones básicas del circuito integrado 555; se experimentan
dos circuitos fundamentales, el circuito MONOESTABLE y el circuito AESTABLE, y finalmente se
experimenta con un Oscilador Controlado por Voltaje, donde se combinan el 555 y el amplificador
operacional para obtener una señal Diente de Sierra.
2. OBJETIVOS
Construir y verificar un temporizador, un oscilador de relajación y un generador diente de sierra

controlado por voltaje, usando el circuito integrado 555
Aprender sobre el diseño de Monoestables con 555.

Aprender sobre el diseño de osciladores de relajación – Aestables – con 555
284
Aprender sobre el diseño de un oscilador controlado por voltaje con señal diente de sierra a la
salida, haciendo uso de un circuito sumador con amplificador operacional para producir la fuente
de corriente necesaria para la carga lineal de un condensador, y del circuito 555 como comparador
con Histéresis.
3. MARCO TEÓRICO
A. Descripción del circuito
El circuito integrado 555 fue llamado "The IC Time Machine" (El Circuito Integrado Máquina del Tiempo).
El 555 contiene un total de 27 transistores bipolares y 10 resistencias, que sirven para constituir
un par de comparadores, un biestable RS, un circuito de descarga y un buffer de salida.
Figura 2. 1434. Modelo y circuito impreso de un 555
Es utilizado en una gran variedad de aplicaciones que incluyen temporización, generación de

pulsos, y oscilación.
285
Existen versiones de bajo consumo, en tecnología CMOS, como el TLC555 o el TS555; dos
temporizadores en un solo encapsulado como el 556 de 14 pines y cuatro temporizadores en un solo
encapsulado como el 558 de 16 pines.
La Figura 2.144 ilustra el circuito interno del 555; éste toma su nombre de las tres resistencias de 5kΩ
que establecen los voltajes de referencia para los dos comparadores internos: (2/3) Vcc para el
comparador 1 y (1/3) Vcc para el comparador 2. El voltaje de alimentación se aplica al terminal 8 y el
terminal 1 se conecta a tierra (GND). Puede operar entre 4.5V mínimo y 16V máximo. Puede suministrar
o drenar hasta 200mA en la salida.
C1 es un comparador no inversor. Si la entrada – Thershold – terminal 6 – es mayor que (2/3) Vcc, la

salida del comparador 1 es un voltaje alto – “1”; si es menor que (2/3) Vcc la salida es un voltaje bajo –
“0”.
C2 es un comparador inversor. Si la entrada – Trigger – terminal 2 – es mayor que (1/3) Vcc, la salida del
comparador 2 es un voltaje bajo – “0”; si es menor que (1/3) Vcc la salida es un voltaje alto – “1”.
Las salidas de los dos comparadores se aplican a las dos entradas de un Flip -Flop (FF) RS. Si S es “1” y
̅ es “0”. Si R es “1” y S es “0”, la salida Q del FF es “0” y 𝐐
R es “0”, la salida Q del FF es “1” y 𝐐 ̅ es “1”.
Estados diferentes de SR como 00 o 11 no producen efectos en la salida. El circuito BUFFER de salida se
encarga de aislar el circuito interno de los elementos externos al 555 en el terminal 3. Como el
BUFFER actúa como un inversor, la salida 3 (Output) es igual a Q. La salida siempre tiene voltajes o cerca
de Vcc o cerca de tierra.
̅ polariza la base del transistor de descarga. Lo que significa que si la salida del 555 es alta, el transistor
𝐐
no se encuentra activo y es como si no existiera, pero si la salida del 555 está en nivel bajo, el transistor
de descarga actúa como un interruptor que conecta el terminal 7 a tierra.
El terminal 4 RESET normalmente se conecta a un voltaje alto – la fuente de alimentación. Si en 4 se

conecta un voltaje inferior a 0.4V, la salida del 555 se va a tierra, independientemente del estado previo
que tuviera. Hay que garantizar una corriente mínima de 0.4mA para que ocurra la puesta a “cero” del
555 - RESET.
La corriente en el transistor de descarga está limitada internamente a un máximo entre 35mA y 55mA.
286
B. Modos de operación
Teniendo en cuenta las características internas del 555, hay cuatro modos básicos de operación:
BUFFER – Buffer inversor (Disparador de Schmitt – Comparador de histéresis inversor) – Figura 2.145
Figura 2. 1445. Buffer inversor
Actúa como un Comparador con histéresis inversor. El voltaje de umbral superior es 2/3(Vcc) y el voltaje
de umbral inferior es 1/3(Vcc). Voltajes de entrada entre estos dos niveles no producen cambios
en la salida.
BIESTABLE – Se denomina biestable porque la salida tiene dos estados estables: Alto o Bajo – Figura
2.146.
Siempre que se oprime el interruptor “trigger” la salida queda cerca de Vcc, y siempre que se
oprime el interruptor “reset” la salida queda cerca de 0V.
287
Figura 2. 1456. Biestable
MONOESTABLE – Circuito que produce un solo pulso de salida – voltaje alto – cuando es disparado –
Figura 2.147.
288
Figura 2. 1467. Temporizador 555 con disparo manual
El estado estable de este circuito es SALIDA a 0V. En esta condición el terminal 7 está conectado a tierra
a través del transistor de descarga interno. El condensador C1 está descargado. Al oprimirse brevemente
el interruptor de trigger, el comparador 2 coloca un nivel alto en S del FF interno, haciendo que la salida
cambie a nivel alto; el transistor de descarga queda en circuito abierto permitiendo la carga exponencial
de C1 a través de R1. Esta condición se mantiene hasta que el voltaje en el condensador alcanza el voltaje
de umbral o voltaje de referencia del comparador 1 – 2/3(Vcc) – la salida pasa de nuevo a 0V y el
condensador C1 es descargado. El circuito queda de nuevo en su condición estable. 𝑻 = 𝟏. 𝟏𝑹𝟏𝑪𝟏
AESTABLE – (A: Sin, No – No Estable) – Circuito que produce una onda cuadrada unipolar – Figura 2.148.
289
Figura 2. 1478. Aestable con 555
En condiciones normales de operación, con SALIDA alta, el condensador C1 se carga en forma

exponencial a través de R1 y R2 hasta alcanzar el voltaje de Umbral Superior 2/3(Vcc) y a partir de ese
momento la SALIDA cambia a nivel bajo y el condensador C1 se descarga exponencialmente a través de
R2 hasta alcanzar el voltaje de Umbral Inferior 1/3(Vcc) produciéndose el cambio en la SALIDA a nivel
alto. El proceso continúa indefinidamente teniéndose en la SALIDA tren de pulsos unipolar con salida
alta durante el tiempo ton y salida baja durante el tiempo toff.
La Figura 2.149 muestra las formas de onda en la SALIDA y en el condensador C1
Figura 2. 1489. Formas típicas de un oscilador AESTABLE con 555
Las ecuaciones de los tiempos de la señal a la salida son:
290
𝑡𝑜𝑛 = 0.693 (𝑅1 + 𝑅2) 𝐶1 (2.55)
𝑡𝑜𝑓𝑓 = 0.693 𝑅2 𝐶1 (2.56)
𝑇 = 0.693 (𝑅1 + 2 𝑅2) 𝐶1 (2.57)
Definiciones
 CMOS: Tecnología de fabricación de circuitos integrados que emplea MOSFETs complementarios

– canal N y canal P.
 Buffer: Circuito electrónico que permite aislar la entrada de la salida de tal forma que los circuitos
conectados a la salida no afecten la entrada.
 Comparador: Circuito electrónico que compara el voltaje aplicado a su entrada con un voltaje de
referencia y entrega en su salida un voltaje alto o bajo que indica si el voltaje de entrada es mayor o
menor que el voltaje de referencia.
 Voltaje de saturación: En un amplificador operacional es el voltaje máximo o mínimo que puede
alcanzar la salida del amplificador. Depende de los voltajes de polarización y del tipo de diseño de la
etapa de salida del amplificador.
 Voltaje de Umbral: En un comparador es el voltaje de referencia para efectuar la comparación
de voltajes.
Protoboard
Temporizador 555
Condensadores 10µF/25V, 47µF/25V, 0.1µF/25V (104), 220pF/25V (221), 100nF (104) poliéster
Resistencias 1kΩ, 5.6kΩ, 10kΩ, 15kΩ, 100kΩ
Potenciómetro lineal 10kΩ
Leds Rojo y Verde
291
5.1SIMULACIÓN
(astable)
 Cada una de las líneas de alimentación, +12V y -12V, deberán tener condensadores de filtraje de
10µF y 0.1µF.
 Montar en el protoboard el MONOESTABLE con 555 de la Figura 2.150.
Figura 2. 14950. Monoestable con disparo y reset manual (LED1: verde, LED2: rojo)
 Observar con el osciloscopio el voltaje en el condensador C1 usando la sonda CH1.

 Disparar el MONOESTABLE pulsando el pulsador S1
 Determinar el valor del voltaje de Umbral Superior y el período.
 Disparar el MONOESTABLE, pero a la mitad del período pulsar el pulsador S2 para producir el
RESET del MONOESTABLE.
 Montar en el protoboard el oscilador AESTABLE de la figura 2.151.
292
Figura 2. 1501. Aestable (LED1: verde, LED2: rojo)
 Observar con el osciloscopio el voltaje en el condensador C1 usando la sonda CH1, y el

voltaje en la SALIDA – terminal 3, usando la sonda CH2. Medir los tiempos ton y toff, los voltajes
de Umbral Superior e Inferior y determinar la frecuencia de los pulsos a la salida.
 Montar en el protoboard el Oscilador Controlado por Voltaje de la figura 2.151. C5 no debe ser
ni electrolítico, ni cerámico; usar dieléctrico de mylar, poliéster u otro material de mayor
estabilidad.
293
Figura 2. 1512. Oscilador controlado por voltaje - salida en diente de sierra
 Observar la salida (en el seguidor de voltaje U1B) con el osciloscopio CH1, sonda en X1. Medir los
límites de voltaje entre los que varía la señal Diente de Sierra.
 Variar la posición del potenciómetro R7 y observar como varía la frecuencia. Medir el voltaje
mínimo a la salida del potenciómetro y la frecuencia de salida correspondiente.
 Medir el voltaje máximo a la salida del potenciómetro R7 y la frecuencia de salida correspondiente.
6. EJEMPLO
En la Figura 2.153 se muestra el montaje del Oscilador Controlado por Voltaje de la Figura 2.152.
294
Figura 2. 1523. Montaje en protoboard
En la Figura 2 . 1 5 4 se muestra la señal en el osciloscopio de la salida del Oscilador Controlado por

Voltaje de la figura 2 . 1 5 2 .
Figura 2. 1534. Oscilador controlado por voltaje
295
PRÁCTICA # 2.10
OSCILADORES ONDA SENO
1. INTRODUCCIÓN
La más importante de todas las ondas en electrónica es la onda seno porque cualquier otra forma de
onda periódica está constituida por muchas ondas seno, tal vez de diferentes frecuencias y amplitudes.
La onda seno es la única forma de onda pura, consiste de una frecuencia única y cambia en amplitud de
acuerdo a la función matemática seno.
En esta práctica se estudian dos de los circuitos electrónicos más comunes para la generación análoga de
la onda seno de frecuencia baja.
2. OBJETIVOS
Construir y verificar un oscilador onda seno Puente de Wien y un oscilador onda seno por
Desplazamiento de Fase.
Aprender sobre el diseño de Osciladores Puente de Wien con amplificador operacional, con
estabilización de la amplitud por medio de diodos en el circuito de retroalimentación.
Aprender sobre el diseño de Osciladores de Desplazamiento de Fase con amplificador operacional,
con estabilización de la amplitud por medio de diodos en el circuito de retroalimentación.
3. MARCO TEÓRICO
Un oscilador sinusoidal está constituido por tres partes fundamentales:
 Un circuito desplazador de fase, el cual establece la frecuencia de oscilación.
296
 Un circuito amplificador, para compensar las pérdidas de energía causadas por el desplazador
de fase.
 Un circuito limitador, para controlar la amplitud de la oscilación.
Los osciladores armónicos que producen onda seno son circuitos amplificadores con
retroalimentación positiva controlada. La figura 2.155 muestra el diagrama en bloques de un sistema
oscilador.
Figura 2. 1545. Diagrama en bloques de un sistema oscilador
297
A es el amplificador y β es el circuito desplazador de fase.
Si una señal sinusoidal Vi es aplicada a la entrada del amplificador, y luego se cierra el interruptor cuando
el producto βA es exactamente la unidad, la señal externa puede ser retirada y sin embargo la señal Vi
siempre estará presente en el sistema.
En la práctica el producto βA se hace ligeramente mayor que la unidad y la señal Vi es una de las múltiples
señales seno contenidas en las señales de ruido producidas por los componentes del sistema. La señal
que se amplifica crecerá en amplitud progresivamente - Figura 2.156 - hasta el nivel permitido por el
circuito limitador el cual normalmente es parte del circuito amplificador. De no existir el
circuito limitador, las no linealidades del circuito, particularmente cuando el amplificador se satura,
establecen el límite a la amplitud de la oscilación.
Figura 2. 1556. Amplificación onda seno
La figura 2 . 1 5 7 muestra el circuito de un oscilador Puente de Wien básico. El divisor de voltaje formado
por Z1 y Z2, aparte de constituir el circuito que determina la frecuencia, provee la retroalimentación
positiva. La amplificación del sistema Avf está determinada por R1 y R2.
298
Figura 2. 1567. Oscilador puente de wien
𝑉𝑓 𝑍2
𝛽= = (2.58)
𝑉𝑜 𝑍2 +𝑍1
𝑅2
𝐴𝑣𝑓 = 1 + (2.59)
𝑅1
𝑅2
𝜔 𝑅 𝐶 (1+ )
𝑅1
𝛽 (𝑗𝜔) ∗ 𝐴𝑣𝑓 = (2.60)
3 𝜔 𝑅 𝐶+𝑗 (𝜔 𝑅 𝐶 2 −1)
2 2
Si la señal a la salida tiene ángulo de fase 0º, la señal en la entrada no inversora también deberá tener
ángulo de fase 0º. La amplificación del sistema en lazo cerrado deberá ser 1. Estas condiciones se cumplen
cuando:
(𝜔2 𝑅2 𝐶 2 − 1) = 0 (2.61)
Donde ωo es la frecuencia de oscilación. También debe cumplirse que:
299
𝑅2
1+ =3 (2.62)
𝑅1
𝑅2 = 2 𝑅1 (2.63)
1
𝜔𝑜 =
𝑅𝐶
𝑟𝑎𝑑 /𝑠𝑒𝑔 (2.64)
1
𝑓𝑜 =
2𝜋𝑅𝐶
𝐻𝑧 (2.65)
A comienzos de los años 40 Hewlett y Packard patentaron un Generador de Señales de Audio, el

200A - Figura 2.158, basado en un oscilador Puente de Wien con amplitud estabilizada por un bombillo
piloto en lugar de la resistencia R1.
Figura 2. 1578. Oscilador puente de wien de Hewlett y Packard
Posteriormente otros diseños usaron termistores en lugar de la resistencia R2.
300
Como la pureza de la onda seno depende de que la amplificación en lazo cerrado sea lo más cercana a 1
en todo momento, los diseños más modernos emplean JFETs y otros dispositivos, que actúan como
resistencias variables, para lograr ese propósito. La figura 2.159 es un ejemplo de este tipo de circuitos.
Figura 2. 1589. Oscilador puente de wien con 0.0003% de distorsion
El circuito de la figura 2.160 muestra el circuito de un oscilador por desplazamiento de fase.
Como el amplificador utilizado es de tipo inversor, la red CR debe producir un desfasaje de 180º. La
amplificación en lazo cerrado es:
301
Figura 2. 15960. Oscilador por desplazamiento de fase
𝑅𝑓
𝜔3 𝑅 3 𝐶 3 ( )
𝑅
𝛽 (𝑗𝜔) ∗ 𝐴𝑣𝑓 = (2.66)
𝜔 𝑅 𝐶(5−𝜔2 𝑅 2 𝐶 2 )+𝑗 (6 𝜔2 𝑅 2 𝐶 2 −1)
1
𝜔𝑜 =
𝑅 𝐶 √6
𝑟𝑎𝑑 /𝑠𝑒𝑔 (2.64)
1
𝑓𝑜 =
2 𝜋 𝑅 𝐶 √6
𝐻𝑧 (2.65)
Donde ωo es la frecuencia de oscilación; a esta frecuencia, la magnitud de la amplificación requerida

es 29, luego 𝑹𝑭 = 𝟐𝟗𝑹.
Existen otras configuraciones para la generación de la onda seno de baja frecuencia en técnicas análogas,
como el Oscilador Doble T, el Oscilador de Cuadratura que produce simultáneamente onda seno y onda
coseno y el oscilador de conformación de la onda seno a partir de la onda triangular. Para alta
frecuencia son populares las configuraciones Hartley y Colpitts.
NOTA: En diseño de osciladores nunca se usan amplificadores con la amplificación nominal requerida
(por ejemplo, 3 en Wien o 29 en Desplazamiento de Fase) pues por razones de tolerancias,
302
envejecimiento, temperatura, etc., es imposible mantener la amplificación exacta, y si esta es menor
que la requerida, nunca habrá oscilación, y si es mayor, la amplitud crecerá hasta los niveles de
saturación del amplificador. Se usan entonces amplificaciones ligeramente mayores a las teóricas,
acompañadas circuitos de control automático de la amplificación para mantener la amplitud y la
distorsión dentro de niveles aceptables.
Definiciones
 JFET: JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o
unión).
 Distorsión: Presencia de una o más señales diferentes a la onda seno fundamental que alteran la
pureza de la onda seno. Se mide como la relación de la sumatoria de todas las potencias de las
componentes no deseadas, dividida por la potencia de la onda seno fundamental, expresada en
porcentaje.
 Bombillo piloto: Filamento de wolframio muy fino, encerrado en una ampolla de vidrio en la que se
ha hecho el vacío, o se ha rellenado con un gas inerte. Normalmente de tamaño pequeño. Su
resistencia aumenta con el aumento de la temperatura y viceversa.
Protoboard
Diodos 1N4148
Condensadores 10µF/25V electrolíticos, 0.1µF (104), 0.01µF (103) - cerámicos para filtraje y
poliéster o mica para desfasajes.
Resistencias 10kΩ, 22kΩ, 68kΩ, 100kΩ, 180kΩ, 240kΩ.
1 Multímetro
303
5.1SIMULACIÓN
(puente de wien)
 10µF y 0.1µF.
 Montar en el protoboard el Oscilador Puente de Wien de la figura 2.161. Los condensadores y
las resistencias de la red desfasadora deben ser seleccionados para que tengan valores bien
cercanos a los especificados. Medir el valor de cada uno de los componentes y asegurarse de que
efectivamente R4 + R5 sea mayor que 2R3.
Figura 2. 1601. Oscilador puente de wien
 En el circuito, la amplitud está estabilizada por los diodos, los cuales cuando la amplitud a la salida
no alcanza a vencer el umbral de conducción de los mismos, se comportan como una altísima
resistencia, haciendo que la amplificación sea mayor que tres. Cuando la amplitud de la salida
vence el umbral de conducción de los diodos, éstos disminuyen su resistencia dinámica haciendo
que la amplificación disminuya y se estabilice la amplitud de la señal a la salida.
304
 En diseños típicos R4 + R5 se hace entre 5% y 10% mayor que 2R3 y luego R4 se escoge de
aproximadamente el 80% de ese valor y R5, que tiene en paralelo los diodos, es el 20% restante.
 Observar con el osciloscopio el voltaje en la salida usando la sonda CH1 en X1, y el voltaje en la
entrada no inversora usando la sonda CH2 en X10 previamente compensada.
 Medir la amplitud y la frecuencia a la salida y comparar los resultados con los cálculos teóricos.
 Montar en el protoboard el Oscilador por Desplazamiento de Fase de la figura 2.162. Los
condensadores y las resistencias de la red desfasadora deben ser seleccionados para que tengan
valores bien cercanos a los especificados. Medir el valor de cada uno de los componentes y
asegurarse de que efectivamente R4 + R5 sea mayor que 29R3.
Figura 2. 1612. Oscilador por desplazamiento de fase
 Observar con el osciloscopio el voltaje en la salida usando la sonda CH1 en X1, y el voltaje y la fase
en cada una de los nodos CR usando la sonda CH2 en X10, previamente compensada.
 Medir la amplitud y la frecuencia a la salida y comparar los resultados con los cálculos teóricos.
 La estabilización de la amplitud la realizan los diodos de forma similar al funcionamiento descrito
para el Oscilador Puente de Wien. En diseños típicos R4 + R5 se hace entre 5% y 10% mayor que
305
29R3 y luego R4 se escoge de aproximadamente el 80% de ese valor y R5, que tiene en paralelo
los diodos, es el 20% restante.
6. EJEMPLO
Fig. 2.163 Montaje de los Osciladores Puente de Wien de la figura 2.161 y Desplazamiento de Fase
de la figura 2.162.
Figura 2. 1623. Osciladores onda seno
Fig. 2 . 164 – Vista en el osciloscopio de la salida del Oscilador por Desplazamiento de Fase de la
figura 2.162.
306
Figura 2. 1634. Oscilador desplazamiento fase
307
PRÁCTICA # 2.11
RECTIFICADORES DE PRECISIÓN
1. INTRODUCCIÓN
Los circuitos rectificadores, los cuales permiten obtener el semiciclo positivo o negativo de una señal
alterna, son ampliamente utilizados en electrónica. Muchos de estos circuitos, como los usados en
el diseño de fuentes de poder, usan diodos semiconductores cuya caída de voltaje es mucho más
pequeña que la amplitud del voltaje que se está rectificando.
Figura 2. 1645. Rectificador convencional
Existen otras aplicaciones, como las de instrumentación, por ejemplo, donde las señales a ser
rectificadas pueden ser de una amplitud muy pequeña, por ejemplo 0.1V, para las cuales es imposible
utilizar los circuitos rectificadores convencionales, debiéndose recurrir a circuitos rectificadores de
precisión. La mayor parte de estos circuitos son usados dentro del rango de audio, 20kHz máximo.
2. OBJETIVOS
Construir y verificar cuatro aplicaciones prácticas de los circuitos rectificadores de precisión usando
diodos y amplificadores operacionales (AO).
308
Aprender sobre el diseño y operación de rectificadores de precisión de media onda con salida
invertida.
Aprender sobre el diseño y operación de los circuitos de zona muerta.
Aprender sobre el diseño y operación de los conversores de RMS a DC para señales sinusoidales.
Aprender sobre el diseño y construcción de los conversores de Valor Pico a DC para señales
sinusoidales.
309
3. MARCO TEÓRICO
A. Rectificador de precisión de media onda.
Estos rectificadores permiten obtener una réplica muy cercana a los semiciclos positivos o negativos
de la señal alterna de entrada.
Figura 2. 1656. El superdiodo
El diagrama de la figura 2.166 ilustra un rectificador de precisión que entrega a la salida una réplica del
voltaje positivo de entrada. Para entradas negativas la salida es 0V; es pues un rectificador de precisión
de media onda con salida no invertida y recibe el nombre de “Superdiodo”. Para excursiones positivas
de entrada, el AO trata de colocar el mismo voltaje aplicado a la entrada no inversora, en la entrada
inversora, para lo cual aumenta el voltaje VA a la salida del AO y hace conducir el diodo haciendo que la
salida Vo sea igual que el voltaje positivo de entrada. Para excursiones negativas del voltaje de entrada,
el amplificador trata de igualar Vo con el voltaje de entrada pero el diodo impide la circulación de
corriente, y la salida es 0V. Este circuito tiene el inconveniente de que para excursiones negativas a la
entrada, la salida del AO se va a voltaje de saturación negativo, y cuando de nuevo tiene que pasar a
voltaje positivo, la velocidad de respuesta del AO - el Slew Rate – causa demoras no deseadas en la
respuesta, limitando su aplicación a frecuencias bajas. Los diodos utilizados siempre deben ser de
conmutación.
Otros circuitos como el rectificador inversor de media onda de la Figura 2.67 usan un diodo adicional que
impide que la salida del AO se sature cuando la salida del rectificador está en 0V. El circuito usa la
topología de un amplificador inversor con la entrada inversora del AO siempre en tierra virtual; para
310
voltajes positivos de entrada, la corriente que llega a la tierra virtual a través de R1 es “extraída” por la
acción del AO a través de R2 y D2, Vo1 es negativo con respecto a tierra y polariza en inverso a D1
impidiendo su conducción; en la salida Vo se produce un voltaje invertido igual a – R2/R1(Vi); R2 puede
ser mayor o menor que R1 teniéndose así una a salida amplificada o atenuada; si son iguales, la salida es
una réplica invertida de los voltajes positivos de entrada.
Figura 2. 1667. Rectificador de precisión de media onda con salida invertida
Para voltajes negativos de entrada, la corriente que sale de la tierra virtual a través de R1 es “provista”
por el AO a través del diodo D1; el voltaje Vo1 está 0.7V por encima de tierra y D2 no conduce pues queda
polarizado en inverso, y como no hay corriente en R2, la salida es OV. Nótese que la salida del AO no
queda muy alejada de tierra y por lo tanto la limitación que impone la velocidad de respuesta del AO no
es tan crítica.
B. Rectificador de Precisión de onda completa de alta impedancia
La Figura 2.68 muestra un Rectificador de Precisión de onda completa de alta impedancia. La alta
impedancia resulta de aplicar la señal a rectificar a las dos entradas no inversoras de los AO.
Figura 2. 1678. Rectificador de precisión de onda completa con alta impedancia de entrada
311
Para cualquier tipo de entrada Vi, los voltajes en las entradas inversoras de los AOs son iguales al voltaje
de entrada Vi. Si la entrada Vi es positiva, AO1 aumenta su voltaje de salida y D1 conduce para hacer que
el voltaje en la entrada inversora sea igual al de la no inversora; como la entrada inversora AO2 tiene el
mismo voltaje Vi, D2 no conduce pues su cátodo está a Vi + 0.7V y queda polarizado en inverso. En todas
las resistencias de la parte superior del circuito no hay corriente y por lo tanto la salida del circuito es el
voltaje de entrada Vi.
Para voltajes negativos de entrada, AO1 disminuye su salida, D2 conduce y en el nodo N aparece un voltaje
que es 2Vi. Como en el nodo N hay 2Vi y en la entrada no inversora de AO2 hay Vi, entonces circula una
corriente desde N hacia la entada inversora de valor Vi/R. La misma corriente tiene que pasar por la
resistencia 2R, y el voltaje de salida es 𝑉𝑜 = 𝑉𝑖 – 2𝑅(𝑉𝑖/𝑅), luego la salida es –Vi, y como Vi es
negativa, la salida Vo es positiva; se tiene así un Rectificador de Precisión de onda completa de alta
impedancia de entrada.
C. Circuito de Zona Muerta
En la Figura 2 . 6 9 se muestra un circuito de Zona Muerta basado en el Rectificado r de Precisión de

media onda con salida invertida de la Figura 2.67, al cual se le ha agregado una resistencia R3 conectada
al voltaje de alimentación negativo –VEE. En general los circuitos de Zona Muerta tienen salida 0V hasta
que la señal de entrada supera el voltaje de Zona Muerta - VZM – y a partir de ese voltaje hay salida
pero lo que se obtiene es la cresta de la señal de entrada, sea positiva o negativa, invertida o no,
amplificada, atenuada o igual, dependiendo del diseño.
Figura 2. 1689. Circuito de Zona muerta
En el circuito de la Figura 2.169 debido a R3 y el voltaje negativo –VEE, siempre hay una corriente
saliendo de la entrada inversora del AO que se ve reforzada cuando la señal de entrada Vi es negativa;
esta condición siempre produce salida Vo = 0V. Solo cuando el voltaje de entrada Vi alcanza un
312
valor VZM el cual produce a través de R1 una corriente mayor que la corriente por R3, es que empieza a
circular corriente por R2 y hay voltaje en la salida, el cual está invertido con respecto a la entrada.
Como 𝑉𝑍𝑀/𝑅1 = 𝑉𝐸𝐸/𝑅3 → 𝑉𝑍𝑀 = 𝑉𝐸𝐸(𝑅1/𝑅3). La ganancia del sistema es -R2/R1.
D. Recortador de Precisión
Los circuitos recortadores entregan a la salida una réplica de la señal de entrada pero limitada en amplitud
a niveles fijos, sean positivos o negativos, o ambos. Un recortador de nivel positivo puede realizarse
sumando la señal de entrada con la salida de un circuito de Zona Muerta que entregue la cresta no
deseada de la señal de entrada, pero invertida, como lo ilustra el diagrama en bloques de la Figura
2.170.
Figura 2. 16970. Diagrama en bloques de un recortador de precisión
E. Conversor RMS a DC y Valor Pico a DC para onda seno
El valor efectivo o RMS de una señal es el voltaje DC equivalente que produce sobre una misma
resistencia la misma disipación de potencia promedio. Para una señal sinusoidal está dado por la ecuación
a la derecha, donde Vp es el voltaje pico o máximo, ω es la frecuencia angular y φ es la fase.
313
1 𝑇
𝑉𝑟𝑚𝑠 = √ ∫0 [𝑉𝑝 sin(𝜔𝑡 + 𝜙)]2 𝑑𝑡 (2.66)
𝑇
1 𝑇
𝑉𝑟𝑚𝑠 = 𝑉𝑝√ ∫ [1 − cos(2𝜔𝑡 + 2𝜙)] 𝑑𝑡
2𝑇 0
(2.67)
1 𝑇
𝑉𝑟𝑚𝑠 = 𝑉𝑝√ ∫ 𝑑𝑡 (2.68)
2𝑇 0
𝑉𝑝
𝑉𝑟𝑚𝑠 = (2.69)
√2
En diversas aplicaciones es necesario convertir en un voltaje DC el voltaje RMS o el voltaje pico de una
onda seno. Como la onda seno no contiene ninguna componente DC, los circuitos conversores de RMS o
Pico a DC aprovechan la rectificación de precisión de media onda para obtener el valor DC de la señal
rectificada que es 𝑉𝐷𝐶 = 𝑉𝑝/𝜋, y como el voltaje RMS es 𝑉𝑅𝑀𝑆 = 𝑉𝑝/√2, entonces el voltaje RMS
es 𝑉𝑅𝑀𝑆 = 𝑉𝐷𝐶 (𝜋/√2), o sea, 𝑉𝑅𝑀𝑆 = 2.221𝑉𝐷𝐶 . El voltaje pico es 𝑉𝑝 = 𝜋𝑉𝐷𝐶.
La Figura 2.171 muestra un circuito típico para la conversión de voltaje RMS o Pico a DC; este diseño es
muy similar a los usados por los voltímetros digitales para hacer mediciones de voltaje RMS de la onda
seno.
314
Figura 2. 1701. Conversor RMS o pico a DC para onda seno
El condensador C1 bloquea cualquier componente DC presente en la señal de entrada; el AO por estar

configurado básicamente como un amplificador no inversor, hace que el voltaje en el nodo N sea igual al
voltaje de entrada para que también la entrada inversora tenga el mismo voltaje. En las resistencias R5 y
R6 se tiene una corriente alterna igual a 𝑖 = 𝑉𝑖/(𝑅5 + 𝑅6). Para entradas positivas esa corriente
pasa por D2 y R4, o sea que el voltaje que se desarrolla en R4 es un voltaje rectificado de precisión de
valor 𝑉𝑅4 = 𝑅4(𝑉𝑖/(𝑅5 + 𝑅6)); si R4/(R5+R6) se hace igual a 2.221, la componente DC
presente en ese voltaje tiene el valor 2.221VDC-RECT. Si R4/(R5+R6) se hace igual a π, la componente
DC presente en ese voltaje tiene el valor πVDC-RECT. Las componentes DC presentes en el nodo M son
obtenidas por medio del filtro pasa bajo constituido por R7 y C4. R7 se escoge para que sea mayor a
20(R4+R5+R6). C4 se escoge para que la frecuencia de corte del filtro, 1/(2 πR7C4) sea inferior a fmin/20
donde fmin es la frecuencia mínima a procesar, 20Hz para este diseño. C2 y C3 evitan que cualquier
componente DC a la salida del AO, debido al voltaje offset y a las corrientes de polarización de las
entradas, cause errores en el voltaje DC a la salida. C3 se escoge para que su reactancia sea menor a
(R4+R5+R6)/20 a fmin. Para entradas negativas, la corriente en la salida del AO pasa a través de D1; hay
pues simetría en las corrientes que pasan por C3 y este condensador tiene un voltaje neto cerca de 0V.
R2 le da camino a la corriente de polarización de la entrada inversora; como queda dinámicamente en
paralelo con R4 y R3, se escoge para que su valor sea mayor que 200R4, lo cual obliga a tener
amplificadores de baja corriente de polarización, como los de entradas por JFET o MOSFET. R1 se escoge
igual a R2 para que las corrientes de polarización pasen por resistencias iguales y se anulen las
desviaciones de voltaje que causan. C1 al igual que C2, se escogen para que su reactancia a fmin sea
315
menor que R1/20. La salida del circuito debe ser medida con un voltímetro DC o cualquier otro
dispositivo que tenga impedancia de entrada mayor de 20R7; un voltímetro de 10MΩ o más, es adecuado.
Los fabricantes de semiconductores ofrecen circuitos especializados en la conversión de RMS a DC que

puede procesar una gran variedad de señales, como el LTC1966 de Linear Technology, el MX636 de
Maxim, o el AD637 de Analog Devices, entre otros.
Definiciones
 Diodo de conmutación: Diodos de respuesta rápida con tiempos de recuperación muy cortos
 Corriente de polarización: En un amplificador operacional es la corriente que requieren las bases, o
las compuertas de los amplificadores diferenciales de entrada para que puedan operar.
 Voltaje offset: En un amplificador operacional es el desequilibrio en el voltaje en las uniones base-
emisor o entre las compuertas (Gate) y fuentes (Source) de los transistores de los amplificadores
diferenciales de entrada, en la condición de voltajes de entrada 0V, causada por las pequeñas
diferencias en las características de los transistores.
Protoboard
Diodos 1N4148
Condensadores 22µF/25V, 10µF/25V, 1µF/25V , 100nF/25V (104
Resistencias 1kΩ, 10kΩ, 120kΩ, 390kΩ 2.2MΩ, y potenciómetro multivuelta de 10kΩ.
Voltímetro digital con impedancia de entrada de 10MΩ o más.
1 Multímetro
5.1SIMULACIÓN
(Rectificador de precisión, zona muerta, recortador de precisión)

316
10µF y 0.1µF.
 Usar diodos de conmutación como 1N4148 0 1N914
 Montar en el protoboard el circuito de la Figura 2.172 el cual permite verificar el circuito
Rectificador de Media Onda con salida invertida, el circuito de Zona Muerta y el Recortador de
Precisión. Las resistencias deben ser seleccionadas para que tengan valores bien cercanos a los
especificados. Medir el valor de cada uno de los componentes. El interruptor S1 en el diagrama es
usado para el circuito de Zona Muerta y puede ser realizado con un alambre que conecte R3
a la línea de alimentación de -12V. Usar condensadores para filtrar las líneas de alimentación.
Figura 2. 1712. Rectificador de precisión, zona muerta, recortador de precisión
 La salida del Rectificador de Precisión es el nodo que une a D2 con R2, pero como esta salida debe
luego aplicarse a un sumador, es necesario dejarla con muy baja impedancia de salida, para lo cual
se usa el seguidor de voltaje.
 Con S1 abierto, aplicar a la entrada Vi una señal triangular de 2Vp, 400Hz. Observar la entrada con
CH1 del osciloscopio, sonda X1, acople DC.
 Observar y medir las características de la señal en la salida del seguidor de voltaje con CH2 del
osciloscopio, sonda X1, acople DC.
317
 Comparar los resultados prácticos con los cálculos teóricos.
 Cerrar el interruptor S1, así la salida del seguidor es la salida del circuito de Zona Muerta con salida
invertida. VZM es 1V y sólo cuando la entrada supera 1V, hay salida pero invertida.
 Colocar la sonda del CH2 del osciloscopio a la salida del sumador para observar la salida
del recortador de precisión.
 Montar el circuito de la Figura 2.172, el Conversor de RMS o Pico a DC. Usar condensadores para
filtrar las líneas de alimentación. Colocar la sonda de CH1, X1, acople DC a la entrada, y un
voltímetro de 10MΩ de impedancia de entrada en la salida del Conversor.
 Aplicar una señal seno de 1VRMS (1.414Vp) 400Hz a la entrada y ajustar el potenciómetro multi
vuelta R6 hasta que la salida DC sea de igual valor del voltaje RMS de la entrada.
 Observar y medir con CH2 de osciloscopio, sonda X10 previamente compensada la señal en el
nodo N y compararla con la señal aplicada a la entrada.
nodo M y compararla con la señal aplicada a la entrada.
 Aumentar la frecuencia de la señal de entrada hasta que la diferencia entre el voltaje RMS de
entrada y el voltaje DC a la salida sea 5%; está frecuencia es la frecuencia máxima de operación
para el circuito.
 De nuevo con frecuencia de 400Hz, verificar el comportamiento del Conversor para voltajes de
entrada de 100mVRMS y 1.5VRMS.
 Aplicar a la entrada una señal seno de 1Vp, 400Hz. Ajustar el potenciómetro hasta que la salida
sea 1V DC; este es el ajuste del Conversor de Voltaje Pico a DC.
nodo N y compararla con la señal aplicada a la entrada.
nodo M y compararla con la señal aplicada a la entrada.
 Verificar Conversor de Pico a DC para entradas de 100mVp y 1.5Vp.
6. EJEMPLO
Fig. 9 Montaje de los circuitos de la práctica, circuitos de las figuras 2.173 y 2.174
318
Figura 2. 1723. Montaje de los circuitos de la práctica
En la Figura 2.174 se muestra la vista en el osciloscopio de la salida del circuito de Zona Muerta de
la Figura 2.173.
Figura 2. 174. Salida circuito zona muerta
319
En la Figura 2.175 se muestra la vista en el osciloscopio de la salida del Recortador de Precisión de la
Figura 2.173.
Figura 2. 1735. Salida del recortador de precisión
320
PRÁCTICA # 2.12
FILTROS ACTIVOS
1. INTRODUCCIÓN
Un filtro es un dispositivo diseñado para separar, pasar o suprimir un grupo de objetos o cosas
de otros con los que está mezclado. Con las señales eléctricas ocurre lo mismo, con un filtro se puede
permitir o impedir el paso de ciertas frecuencias presentes en una señal o modificar su magnitud o su
fase.
Figura 2. 1746. Tamiz Figura 2. 1757. Filtro electrónico
2. OBJETIVOS
Construir y verificar dos aplicaciones prácticas de filtros activos con amplificadores operacionales (AO).
Aprender sobre el diseño y operación de filtros pasa bajos Chebyshev de orden 4 en configuración
Sallen-Key.
Aprender sobre el diseño y operación de filtros pasa banda de 1kHz con ancho de banda de 100Hz
y caída de 40dB/Dec en configuración MFB Delyiannis - Friend.
3. MARCO TEÓRICO
A. Filtros - Generalidades.
Los filtros eléctricos pueden construirse con: Elementos pasivos como resistencias, condensadores y
bobinas – Figura 2.178, con el serio limitante de que a bajas frecuencias las bobinas pueden ser muy
voluminosas, o con dispositivos amplificadores, generalmente AOs, en combinación con resistencias y
condensadores, los cuales reciben el nombre de filtros activos. Estos últimos, realizados con AOs, o sea
321
amplificadores de voltaje de alta ganancia, tienen su principal aplicación en un rango que cubre desde
muy baja frecuencia hasta algunos cientos de kHz. Modernas técnicas de fabricación de circuitos
integrados en tecnología Metal Oxido Semiconductor (MOS) han permito el desarrollo de filtros de muy
buenas características usando condensadores conmutados para cubrir frecuencias hasta algunas
decenas de kHz, o usando amplificadores de transconductancia (OTA), donde la entrada es voltaje y la
salida es corriente, con los cuales se han desarrollado filtros que pueden llegar hasta el rango de los GHz.
Figura 2. 1768. Filtros pasivos pasa bajo
Independientemente del tipo de construcción que se utilice, los filtros se clasifican en cinco tipos:
Pasa Bajo, Pasa Alto, Pasa Banda, Rechazo de Banda (“notch”) y Pasa Todo; los cuatro primeros tienen
respuestas en frecuencia como lo ilustra la Figura 2.179
Figura 2. 1779. Clasificación de filtros por su respuesta
B. Características de los filtros
La Figura 2.180 ilustra las características generales de un filtro.
322
Figura 2. 17880. Características de un filtro
Frecuencia de corte: Frecuencia a la cual el filtro cambia de permitir a no permitir el paso de una
señal. Un filtro ideal tiene un cambio abrupto entre el paso y no paso de señales. En la práctica siempre
hay un cambio con una pendiente que puede aproximarse al ideal dependiendo del diseño de filtro
utilizado. La frecuencia de corte normalmente se indica como la frecuencia a la cual ocurre una
disminución de 3dB con respecto a la ganancia especificada en la banda permitida.
Banda permitida: El rango de frecuencias que deja pasar el filtro con mínima atenuación.
Ganancia: La amplificación máxima en la banda permitida.
Rizado en la banda permitida: Variación de la amplitud de la señal en la banda permitida, expresada en

dB.
Banda rechazada: Rango de frecuencias que debe rechazar el filtro.
Rechazo en la banda rechazada: Cantidad de atenuación en dB, con que deben rechazarse las señales en
la banda rechazada, con respecto a su amplitud en la banda permitida.
C. Función de transferencia de los filtros
323
La función de transferencia de un filtro – H(s) - Figura 2 . 1 8 1 , es la relación de voltajes entre la salida
y la entrada del filtro, en el dominio de la frecuencia (s: Ϭ, jω).
Figura 2. 1791. Función de transferencia del filtro
La función de transferencia define el comportamiento de un filtro y normalmente resulta en la relación

de dos polinomios, PN en el numerador, y PD en el denominador. El exponente mayor del polinomio en
el numerador es siempre menor o igual que el exponente mayor del polinomio en el denominador. Las
raíces del polinomio en el numerador hacen que la función de transferencia se vuelva cero, y son
llamadas “ceros” de la función de transferencia. De manera similar, las raíces del polinomio en el
denominador hacen que la función de transferencia se vuelva infinita, y son llamadas “polos” de la función
de transferencia.
Las raíces de los polinomios pueden ser complejas, es decir, tener una parte real y una parte imaginaria,
pero los polos solo pueden tener parte real negativa porque de lo contrario el sistema sería inestable. Así,
el comportamiento de un filtro puede ser definido por la ubicación de sus polos y sus ceros en el plano
complejo s.
La Figura 2.182 muestra la ubicación de varios polos y ceros en ese plano. La respuesta de un filtro
en el dominio del tiempo es solo el perfil que resulta si se hace un corte en el eje imaginario (parte real =
0) y se observa solo para valores positivos de jω.
324
Figura 2. 1802. Polos y ceros en el plano S
D. Orden de los filtros
El orden (exponente mayor de s) del polinomio en el denominador establece el orden del filtro y está
relacionado con el número de elementos almacenadores de energía en el circuito con que se realiza.
Así, para un filtro activo de orden 4 habrá en el denominador de la función de transferencia un término
con s4, y en la realización práctica habrá cuatro condensadores. El polinomio en el numerador es siempre
de un orden igual o menor al orden del denominador. Para filtros pasa bajo y pasa alto, por cada orden
hay una caída (rolloff) de 20dB/Dec sobre el final de la zona de transición del filtro, así, un pasa
bajo de orden 4 tendrá una caída de 80dB/Dec.
La Figura 2.183 ilustra el comportamiento de los filtros según su orden en una configuración para máxima
respuesta plana en la banda permitida (Butterworth). Los filtros pasa banda y rechazo de banda tienen
que repartir sus “caídas” entre dos flancos y por eso un filtro pasa banda de orden 4 solo
produce caídas de 40dB/Dec en cada flanco. Normalmente los diseños con órdenes altos buscan
aproximarse a la respuesta ideal de un filtro.
325
Figura 2. 1813. Respuesta y orden de los filtros
E. Tipos de filtros
Existen diversos tipos de filtros basados en su respuesta de amplitud y fase – figura 2.184, siendo los
más comunes los siguientes:
Figura 2. 1824. Tipos de filtros
Bessel: Tiene una respuesta casi lineal en fase por lo que producen la mínima distorsión a la señal que
pasa, pero tienen una caída muy suave en amplitud.
326
Butterworth: Presentan la respuesta más plana en la banda permitida, una caída moderada y
una pequeña no linealidad en la fase.
Chebyshev: Caen más rápido inmediatamente después de la banda permitida, pero introducen rizados
de amplitud en esa banda. Presentan mayores no linealidades de fase.
Elíptico: Producen transiciones más abruptas, pero introducen rizados en las bandas permitida y
rechazada, siendo más fuerte en ésta última.
Pasa Todo: Este filtro no modifica la amplitud de las señales que se aplican a su entrada, pero agrega
desplazamientos de fase (retraso) a la respuesta del circuito. La fase cambia entre 0º y 360º cuando la
frecuencia cambia entre 0 e infinito. Su mayor campo de aplicación es la ecualización de fase en circuitos
de pulsos.
F. Arquitectura de los filtros
Para la realización física de los filtros activos existen diferentes técnicas de construcción como Sallen -
Key, Retroalimentación Múltiple (MFB), Variable Estado, Condensadores Conmutados, etc. Estos últimos
son ampliamente usados dentro de modernos circuitos integrados que en forma sencilla pueden
configurar diferentes tipos de respuestas, usando pocos componentes externos y ajustando la frecuencia
de trabajo mediante una señal propia de reloj – Figura 2.185.
Figura 2. 1835. Circuito integrado para la realización de filtros

327
Los distintos tipos de circuitos usados buscan dar una respuesta que cumpla con la función de
transferencia requerida. Como la función de transferencia H(s) está formada por polinomios definidos:
Butterworth, Chebyshev, etc., para que se logre la característica del mismo nombre, H(s) es factorizada
en productos de grado 2 llamados “Bicuads” por estar formada por la relación de dos polinomios de grado
2. Si el orden del filtro es par, los factores son solo Bicuads, pero si el orden es impar, lo que puede suceder
con Pasa Bajos y Pasa Altos, habrá un factor adicional de orden 1.
Función de transferencia general de un Bicuad, el coeficiente a2 es 1 o 0:
𝑎2 𝑠 2 +𝑎1 𝑠+𝑎0
𝐻(𝑠) = (2.70)
𝑠 2 +(𝜔𝑜 /𝑄)𝑠+𝜔𝑜 2
𝑎𝑚 𝑠 𝑚 + 𝑎𝑚−1 𝑠 𝑚−1 + … + 𝑎0
𝐻(𝑠) = (2.71)
𝑠 𝑛 +𝑏𝑠−1 𝑠 𝑛−1 + …+𝑏𝑜
𝑐𝑠+𝑑
𝐻(𝑠) = (
𝑠+𝑒
) (𝐵𝑖𝑐𝑢𝑎𝑑1 )(𝐵𝑖𝑐𝑢𝑎𝑑2 ) … (𝐵𝑖𝑐𝑢𝑎𝑑𝑖 ) (2.72)
Según el valor de los coeficientes en el numerador del Bicuad se logran distintas respuestas, a saber:
Pasa Bajo:
Figura 2. 1846. Pasa bajo

328
𝑎0
𝐻(𝑠) = (2.73)
𝑠 +(𝜔𝑜 /𝑄)𝑠+𝜔𝑜 2
2
1
𝜔𝑚𝑎𝑥 = 𝜔𝑜 √1 − (2.74)
2 𝑄2
|𝑎0 | 𝑄
|𝐻 (𝑠)|𝜔𝑚𝑎𝑥 = 1
(2.75)
𝜔𝑜 2 √1−
4𝑄2
Anulación de banda (Notch):
Figura 2. 1857. Anulación de banda
𝑎2 ( 𝑠 2 +𝜔𝑜 2 )
𝐻(𝑠) = (2.76)
𝑠 2 +(𝜔𝑜 /𝑄)𝑠+𝜔𝑜 2
329
Pasa Banda:
Figura 2. 1868. Pasa banda
𝑎1 𝑠
𝐻(𝑠) = (2.77)
𝑠 +(𝜔𝑜 /𝑄)𝑠+𝜔𝑜 2
2
Pasa Alto:
Figura 2. 1879. Pasa alto
𝑎2 𝑠 2
𝐻(𝑠) = (2.78)
𝑠 2 +(𝜔𝑜 /𝑄)𝑠+𝜔𝑜 2
1
𝜔𝑚𝑎𝑥 = 𝜔𝑜/ √1 − (2.79)
2 𝑄2
330
|𝑎2 | 𝑄
|𝐻 (𝑠)|𝜔𝑚𝑎𝑥 = 1
(2.80)
𝜔𝑜 2 √1−
4𝑄
Pasa Todo:
Figura 2. 18890. Pasa todo
𝑠 2 −(𝜔𝑜 /𝑄)𝑠+𝜔𝑜 2
𝐻(𝑠) = 𝑎2 (2.81)
𝑠 2 +(𝜔𝑜 /𝑄)𝑠+𝜔𝑜 2
𝜔 𝜔𝑜 /𝑄
𝜙(𝑗𝜔) = −2 𝑡𝑎𝑛−1 ( ) (2.82)
𝜔𝑜 2 −𝜔2
√( 𝜔𝑜 2 −𝜔2 )2 +(−𝜔 𝜔𝑜 /𝑄)2

|𝐻(𝑠)| = |𝑎2 | = |𝑎2 | (2.83)
√( 𝜔𝑜 2 −𝜔2 )2 +(𝜔 𝜔𝑜 /𝑄)2
G. Filtro Pasa Bajo de 1kHz, Chebyshev de 1dB, orden 4, ganancia 1, con arquitectura Sallen-Key
La realización de este filtro que tiene una frecuencia de corte de 1kHz, un rizado de 1 dB en la banda
permitida, y una caída de 80dB/Dec, requiere de dos filtros Sallen-Key de orden 2 – Figura 2.191 - en
cascada. Cada uno de los filtros debe tener ganancia 1 y polos ubicados en valores específicos para poder
cumplir con las especificaciones. Se usan en el diseño las tablas de Analog Devices en su publicación Linear
Design capítulo 8, en la cual las frecuencias están normalizadas a 1Hz.
331
Figura 2. 1891. Filtro sallen - Key pasa bajo orden 2
𝜔𝑜 2
𝐻(𝑠) = (2.84)
𝑠 2 +𝛼 𝜔𝑜 𝑠+𝜔𝑜 2
1
𝛼= (2.85)
𝑄
𝑅3
𝐻 =1+ (2.86)
𝑅4
𝐻
𝑉𝑖 𝑅1 𝑅2 𝐶1 𝐶2
= 1 1 1 1−𝐻 1
(2.87)
𝑉𝑜 𝑠2 +𝑠[(𝑅 +𝑅 )𝐶 +𝑅 𝐶 ]+𝑅 𝑅 𝐶 𝐶
1 2 1 2 2 1 2 1 2
Etapa 1:
El filtro general normalizado a 1Hz requiere que 𝛼 = 1.2746 , 𝑄 = 1/𝛼 = 0.7845 , 𝐹𝑜 = 0.5019
Ganancia 𝐻 = 1
Para los cálculos se trabajará con Fo = 0.5019 X 1KHz = 501.9Hz
 Determinar m: m = α2/4 – (H-1); m = 0.40615
332
 Encontrar dos condensadores comerciales tales que C2 = mC1. Se escoge C1=8200pF y C2=3300pF
 Determinar k=2πFoC1 = 2.5859X10-5
 Determinar R1=2/(αk) = 60679Ω - se usará el valor comercial de 1% de tolerancia, 60.4kΩ
 Determinar R2= α/(2mk) = 60680Ω - se usará el valor comercial de 1% de tolerancia, 60.4kΩ
 Como la ganancia es 1, el amplificador se deja como seguidor de voltaje, lo cual concuerda con el
valor de diseño R4= R3/(H-1)= ∞, R3 = 0Ω
Etapa 2:
El filtro general normalizado a 1Hz requiere que α = 0.2809 Q = 1/α = 3.5594 Fo = 0.9433 Ganancia H
=1
Para los cálculos se trabajará con Fo = 0.9433 X 1KHz = 943.3Hz
 Determinar m: m = α2/4 – (H-1); m = 0.0197262

 Encontrar dos condensadores comerciales tales que C2 = mC1. Se escoge C1=100nF y C2=2nF
 Determinar k=2πFoC1 = 5.926X10-4
 Determinar R1=2/(αk) = 12014Ω - se usará el valor comercial de 1% de tolerancia, 12kΩ
 Determinar R2= α/(2mk) = 12014Ω - se usará el valor comercial de 1% de tolerancia, 12kΩ
 Como la ganancia es 1, el amplificador se deja como seguidor de voltaje, lo cual concuerda con el
valor de diseño R4= R3/(H-1) = ∞, R3 = 0Ω
El diseño completo que se usará en la práctica se muestra en la Figura 2.192.
Figura 2. 1902. Filtro pasa bajo 1kHz. Chebyshev 1dB. orden 4. H=1. Sallen - Key
333
H.- Filtro Pasa Banda Fo=1kHz, B=100Hz, caída (roll-off) = 40dB/Dec, ganancia 1, arquitectura MFB
Delyiannis-Friend
El filtro básico que se usa en este diseño es adecuado para Q entre 1 y 10.
El filtro especificado tiene un Q = Fo/B = 1000Hz/100Hz = 10.
Como se indica que debe tener una caída de 40dB/Dec, el número de filtros idénticos necesarios es 2
porque cada filtro solo puede proveer una caída de 20dB/Dec.
2 1
Cuando se usan varias etapas hay que diseñar cada etapa con un QE dado por Q E = Q √(2n − 1) , donde
n es el número de etapas, en este caso n = 2, lo cual hace que QE = 6.4359, valor este que está dentro de
lo permitido.
El filtro es realizado entonces por dos filtros pasa banda en cascada que tienen cada uno Fo = 1kHz,
QE=6.4359; y ganancia H = 1. Si se hubiera especificado una ganancia diferente, la ganancia de cada etapa
n
sería HE = √H.
Se usan las tablas de diseño de Analog Devices en su publicación Linear Design capítulo 8. El filtro básico
se muestra en la figura 2.193.
Figura 2. 1913. Filtro pasa banda

𝜔𝑜 𝑠
𝐻(𝑠) = (2.88)
𝑠 2 +𝛼 𝜔𝑜 𝑠+𝜔𝑜 2
334
−𝑠
𝑉𝑜 𝑅1 𝐶4
= 𝐶 + 𝐶 1 1 1
(2.89)
𝑉𝑖 𝑠2 +𝑠 𝑅 3𝐶 𝐶4 +(𝑅 +𝑅 )𝑅 𝐶 𝐶
5 3 4 1 2 5 3 4
 Los condensadores son de igual valor, C3=C4=C; para frecuencias cerca de 100Hz escoger 100nF;
cerca de 1kHz escoger 10nF; cerca de 10kHz escoger 1nF. En este caso como Fo = 1kHz, se
escogen los condensadores de 10nF.
-5
 Determinar k = 2πFoC = 6.2832X10
 Determinar R1= QE/(Hk) = 102431Ω; el valor comercial 1% próximo es 102kΩ
QE
 Determinar R2 = = 1251Ω, con valor comercial al 1% de R2 = 1240Ω.
(2Q2E −1)k
 Determinar R5 = 2QE/k = 204861Ω, con valor comercial al 1% de R5 = 205kΩ.
El filtro completo es mostrado en la Figura 2.194
Figura 2. 19294. Filtro pasa banda
Protoboard
335
Condensadores 10µF/25V, 0.1µF/25V (104), 2000pF, 3300pF, 8200pF - cerámicos para filtraje y
poliéster o mica el procesamiento de señales, aunque en filtros se recomiendan condensadores
cerámicos NPO.
Resistencias 1.24kΩ, 12kΩ, 60.4kΩ, 102kΩ, 205kΩ
5.1SIMULACIÓN
(pasa banda)
5.2 DESARROLLO DE LA PRACTICA
Cada una de las líneas de alimentación, +12V y -12V, deberá tener condensadores de filtraje de 10µF y
0.1µF.
 Montar en el protoboard el circuito Filtro Pasa Bajo de la figura 2.195
336
Figura 2. 1935. Montaje AO
 Aplicar una señal de 50Hz onda seno 1VRMS a la entrada del filtro.
 Observar con el osciloscopio tanto la entrada CH1 como la salida CH2 con sondas X1 acople AC.
Aumentar la frecuencia de la señal y registrar los voltajes máximos y sus frecuencias en la banda
permitida antes de lograrse la caída definitiva; registrar también la frecuencia a la que ocurre la
caída final de 3dB. Registrar el valor del voltaje de salida a 2, 3, 4, 5, 5, 7, 8, 9 y 10kHz. Graficar los
datos, analizar y explicar los resultados; los valores pequeños podrán quedar enmascarados por
el ruido.
 Montar en el protoboard el circuito Filtro Pasa Banda de la figura 2.195.
 Aplicar una señal de 100Hz onda seno de 1VRMS. Observar con el osciloscopio tanto la entrada
CH1 como la salida CH2. Aumentar la frecuencia de la señal, registrar el máximo voltaje y su
frecuencia (Fo). A partir de Fo disminuir suavemente la frecuencia y registrar la frecuencia a la que
ocurre la caída de 3dB. A partir de Fo aumentar suavemente la frecuencia y registrar la frecuencia
a la que ocurre la caída de 3dB. Determinar B y Q a partir de los resultados.
Registrar los valores de voltaje a la salida para frecuencias 900, 800, 700, 600, 500, 400, 300 y 200Hz, y a
1.5, 2, 3, 4, 5, 6, 7 , 8, 9 y 10kHz. Graficar los datos, analizar y explicar los resultados.
6. EJEMPLO
337
La figura 2.196 muestra el montaje en el protoboard de los dos filtros de la práctica. La Figura 2.197
muestra la respuesta del filtro Pasa Bajo de la figura 2.192, y la Figura 2.198 muestra la respuesta del filtro
Pasa Banda de la figura 2.195.
Figura 2. 1957. Respuesta filtro pasa bajo
338
Figura 2. 1968. Respuesta filtro pasa banda
339
PRÁCTICA # 2.13
CONVERSORES ANÁLOGO A DIGITAL Y DIGITAL A ANÁLOGO
1. INTRODUCCIÓN
Tecnológicamente, el mundo ha cambiado enormemente en los últimos cuarenta años. Antes de la

aparición del primer microcontrolador en los 70, casi toda la tecnología fue “análoga”. Desde las
vibraciones de sonido impresas en el surco de un disco de vinilo, a la intensidad de la luz y el color
capturados por cristales de plata sobre una película de 35mm, a programas de televisión
magnéticamente almacenados en las moléculas de óxido de hierro de las cintas de video, todo se basó
en tecnología que operaba de una manera “análoga”. “Análogo” significa que la información procesada
o almacenada es representada de una manera que es “similar” o “comparable” al de su homólogo
original.
Figura 2. 1979. Microcontrolador Figura 2. 220. Disco de vinilo
Figura 2. 1981. Película de 35mm
La invención del transistor revolucionó la tecnología a comienzos de los 50; inicialmente fueron usados
en tecnología análoga, pero luego dos mejoras cambiaron todo: la integración de más y más unidades en
una sola pieza de silicio (el circuito integrado), y su uso como interruptor, lo que posibilitaba crear circuitos
con un gran número de estados binarios “0” y “1”. Estos estados pueden ser combinados para que de una
manera secuencial y lógica procesen combinaciones de condiciones “falso” y “verdadero” y hagan
computaciones sobre números expresados como combinaciones de dígitos binarios.
340
Los circuitos integrados reemplazaron a los tubos en las grandes computadoras. Esto llevó a la invención
del microcontrolador por Texas Instruments, seguido de Intel, aunque fue Intel el primero en
comercializar su unidad, el C4004. Así, la computación digital, propuesta en el siglo 17 por el matemático
alemán Gottfried Wilhelm Leibniz, encontró los elementos necesarios, hardware y software, para que la
tecnología digital sea, por razón de su confiabilidad y versatilidad, la tecnología que actualmente domina
en el mundo, la cual es continuamente innovada por ser un campo de enorme investigación.
Los fenómenos físicos como temperatura, presión, humedad, etc., pueden ser convertidos a voltaje o
corriente gracias a sensores especializados, pero esos voltajes o corrientes son de naturaleza análoga.
Para poder aprovechar las ventajas de la tecnología digital en el procesamiento de la información
suministrada por los sensores, es necesario convertir esa información de tipo análogo en información
digital, lo cual es realizado por los conversores Análogo a Digital (ADC).
Figura 2. 1992. Esquema de procesamiento digital de una señal análoga
Si la información resultante del procesamiento digital debe producir un efecto en el mundo análogo como
cambiar una temperatura u operar un altavoz, por ejemplo, la información digital es convertida en
información análoga por medio de los conversores de Digital a Análogo (DAC).
2. OBJETIVOS
Verificar la operación de un Conversor Análogo a Digital y de un Conversor Digital a Análogo.
341
Aprender sobre el funcionamiento de los circuitos de Muestreo y Almacenamiento (Sample &

Hold – S/H) usando el circuito integrado LF398N .
Aprender sobre el funcionamiento de los conversores Análogo a Digital usando el Conversor de
Análogo a Digital tipo Registro de Aproximación Sucesiva (SAR) de 8 bits ADC0804.
Aprender sobre el funcionamiento de los conversores Digital a Análogo usando el Conversor de
Digital a Análogo a tipo Corrientes Direccionadas de 8 bits DAC0808.
Comprender el fenómeno de Aliasing
3. MARCO TEÓRICO
A1- Conversión de Análogo a Digital - Generalidades.
La operación realizada por un ADC es un proceso de dos etapas ilustrado en la Figura 2.203.
342
Figura 2. 2003. Muestreo y cuantización
La primera etapa consiste en tomar una instantánea del voltaje de entrada al ADC y congelarla durante el
tiempo que dure la conversión; esa función es realizada por el circuito de S/H. La señal de entrada
previamente puede ser filtrada y acondicionada para que tenga niveles de voltaje adecuados para el ADC
ya que estos normalmente hacen la conversión para niveles de voltaje comprendidos entre 0V y un voltaje
de referencia VREF, así, una señal que hace excursiones positivas y negativas es acondicionada para que su
nivel de 0V corresponda con VREF/2 y su valor mínimo no sea inferior a 0V y su valor máximo no sobrepase
VREF. Sin embargo los ADC modernos pueden procesar voltajes negativos.
La unidad S/H también conocida como T/H (Track and Hold) puede estar integrada con el Cuantizador o
ser un circuito externo como el LF398N mostrado en la Figura 2.204.
343
Figura 2. 2014. Circuito S/H
Con el flanco de subida de la señal de reloj, brevemente se cierra el interruptor interno para cargar el
condensador de almacenamiento con el voltaje de la señal de entrada. El voltaje existente justo antes de
abrirse el interruptor, queda almacenado en el condensador y es colocado a la salida por medio de un
seguidor de voltaje. Este voltaje debe permanecer relativamente estable hasta el siguiente pulso de reloj.
La salida de S/H es una serie de saltos de voltaje que pueden tener cualquier valor entre 0V y VREF. La señal
de entrada es así muestreada y almacenada al ritmo de la señal de reloj o frecuencia de muestreo.
La segunda etapa del ADC realiza la CUANTIZACIÓN de la señal que entrega S/H; el Cuantizador asigna a
cada nivel de voltaje del S/H el valor de voltaje más cercano a un conjunto definido y limitado de valores
de voltaje y luego lo codifica en un código binario. El número de este conjunto de valores corresponde
con el rango del Cuantizador y es siempre dado por potencias de 2 (2N, siendo N el número de bits), así
un ADC de N bits tiene 2N niveles que van desde 0X(VREF/28) hasta (2N-1)(VREF/28); por ejemplo, si N = 8 y
VREF = 5V hay 28 = 256 niveles que van desde 0V, nivel este que es codificado como 00000000, hasta
255(5V/256) = 4.98V, nivel este que es codificado como 11111111.
Los DAC pueden entregar el dato cuantizado en paralelo o en serie.
Por convención N-bits es también usado para definir la RESOLUCIÓN del ADC, la distancia entre niveles
discretos de cuantización; en el ejemplo anterior donde el DAC es de 8 bits y VREF = 5V, la resolución es de
VREF/28 = 5V/256 = 19.53mV; si N = 16, la RESOLUCIÓN es 5V/216 = 76.29μV, la cual es mayor que la
anterior.
Los procesos de cuantización y codificación no son infinitamente exactos y solo dan una aproximación al
valor real de la señal análoga a la entrada del DAC. Entre más alta sea la resolución del Cuantizador, más
cercana será la aproximación al valor real de la señal. El proceso de conversión siempre introduce errores
344
sistemáticos de cuantización, los cuales están dentro de la mitad del tamaño de un salto de nivel de
cuantización. Estos errores están distribuidos aleatoriamente de una muestra digitalizada a la otra, y son
considerados como RUIDO DE CUANTIZACIÓN.
A2.- Características de los Conversores Análogo a Digital
Algunas de las características de los ADC son:
Resolución - Como el ADC convierte una señal continua de voltaje en una representación discreta, el
esquema de código del ADC puede ser representado por una escalera, en la cual un rango de valores de
entrada corresponde al mismo escalón. Ese rango Q corresponde al Bit Menos Significativo (LSB) y es el
valor más pequeño que el ADC puede distinguir, es la Resolución del ADC.
Figura 2. 2025. Grafica de conversión de análogo a digital
Error de Cuantización - Aun en el caso de un ADC ideal, siempre hay un error mínimo de ±½LSB, la
diferencia entre el voltaje de entrada y el voltaje correspondiente al código más cercano, el cual es
llamado Error de Cuantización.
Offset – Es una desviación de la escalera en el eje de entrada de voltaje análogo. El código de salida
cambia con un valor incorrecto de entrada, pero el offset es igual para todo el rango de operación.
345
Figura 2. 2036. Salida de un ADC con offset
Ganancia - La ganancia en un ADC o Sensibilidad es la pendiente de su característica de transferencia

estática. Relaciona el valor del voltaje de salida correspondiente al código a plena escala (VFS) con la
magnitud del voltaje de referencia usado por el sistema (VREF), G = VFS / VREF. Por lo general se ajusta
esta ganancia a la unidad, por lo que la salida correspondiente al código a plena escala queda muy cerca
de la magnitud del voltaje de referencia usado por el ADC.
Error de Ganancia - Es un cambio en la pendiente de la escalera. Es un error que se acumula, lo que

produce errores mayores con códigos más grandes. El error de ganancia puede ser causado por un voltaje
de referencia no calibrado. El código es escalado con el voltaje de referencia y diferentes voltajes de
referencia originan diferentes puntos de transición del código de salida.
Figura 2. 2047. Salida de un ADC con error de ganancia
Exactitud (Accuracy): Es la diferencia entre el valor correspondiente al código real de salida y el valor
correspondiente al teóricamente esperado para una entrada análoga específica. En otras palabras, la
exactitud determina cuantos bits en el código digital de salida representan información útil acerca del
346
voltaje análogo de entrada. Pr ejemplo, en un ADC de 16 bits la exactitud puede ser solo 12 bits debido a
diferentes fuentes internas de error; los 4 bits restantes son ruido aleatorio producido por el ADC.
B1.- Conversión de Digital a Análogo - Generalidades.
Figura 2. 2058. Conversor DAC
Un conversor de señal digital a análogo, DAC, es un dispositivo para convertir señales digitales con datos
binarios en señales de corriente o de voltaje análogos.
Los DAC entregan niveles discretos de voltaje o corriente, similares a la salida de un S/H. Con el uso de
filtros pasa-bajo la salida puede ser suavizada.
La mayor parte de los conversores ADC requieren el uso de conversores DAC dentro del proceso de
conversión.
B2.- Características de los Conversores Digital a Análogo
Algunas características de los DAC son:
Resolución – Es el número posible de niveles de salida para los cuales está diseñado el DAC.
Frecuencia máxima de muestreo – Es una medida de la velocidad máxima a la que el DAC puede operar
correctamente.
Monotonicidad – Es la capacidad de la salida análoga del DAC para moverse solo en la dirección en que
se mueva el código digital de entrada.
347
THD+N – Es una medida de la distorsión y el ruido introducido por el DAC.
Rango Dinámico – Es la relación entre los valores de señal mayor y menor que el DAC puede reproducir,
expresada en dB.
C.- Aliasing
De acuerdo al teorema de Nyquist, un ADC debe tomar muestras de la señal de entrada al menos a dos
veces la frecuencia de la componente de frecuencia más alta de la señal de entrada – de otra forma,
cuando se reconstruya la señal se tendrá una señal diferente a la original, fenómeno conocido como
Aliasing.
En la Figura 2.209 se ilustra el fenómeno de aliasing cuando una señal es muestreada a 1.2 veces la
frecuencia de entrada al ADC.
348
Figura 2. 2069. Aliasing
Cuando no se cumple el criterio de Nyquist, la frecuencia de la señal Alias es la diferencia entre la

frecuencia de la señal de entrada al ADC y la frecuencia de muestreo.
El aliasing también se puede dar con los múltiplos de la señal de muestro – Figura 2.210.
349
Figura 2. 207. Espectro de la señal muestreada
La forma típica de eliminar el aliasing es usar antes del ADC un filtro pasa-bajo que no permita que
sean procesadas señales que no cumplan con el criterio de Nyquist.
D.- Tipos de conversores ADC
Algunas de las arquitecturas más populares en la actualidad son:
 Conversor Flash o Paralelo.
La Figura 2.211 muestra un conversor Flash de 3 Bits.
350
Figura 2. 2081. DAC flash de 3 bits
Es el más veloz de todos los conversores individuales; emplea 2N – 1 comparadores. Si N=3 como en la
Figura 2.11, hay 7 comparadores cuyas salidas son alto o bajo dependiendo si la entrada VIN es mayor o
menor que el voltaje de comparación determinado por las resistencias en serie y el voltaje de referencia
VREF. Un codificador convierte el conjunto de salidas de los comparadores al código binario. En este
conversor los comparadores son de alta velocidad y usan internamente resistencias de bajo valor para
poder cargar rápidamente las capacitancias internas y así mejorar notablemente la velocidad de
respuesta, con el sacrificio de un alto consumo de potencia. Un DAC Flash de 8 bits emplea 255
comparadores.
La arquitectura Flash dominó el mercado en los años 80 y comienzos de los 90, pero en la actualidad, con
el objeto de tener bajo consumo de potencia, buena resolución y altas velocidades de conversión,
conversores Flash de pocos bits, y por lo tanto con pocos comparadores, alimentados con bajo voltaje
para disminuir los tiempos de conmutación, son usados como parte de los conversores tipo Subranging,
Pipeline, Folding y Time-Interleaved.
- Conversores Subranging y Pipeline
Estos conversores tienen la misma arquitectura de diseño. La Figura 2.212 muestra un conversor ADC
Subranging.
351
Figura 2. 2092. ADC subranging
La primera conversión la realiza un ADC Flash de pocos bits – 4 en la figura. El valor digital es convertido
de nuevo en análogo por un DAC y es sustraído del voltaje de entrada, originando un residuo. El residuo
es amplificado y acondicionado para ser convertido a digital por el segundo ADC Flash. Las salidas de
cada ADC son llevadas a un registro que entrega el dato binario definitivo.
Esta celda básica de conversión puede repetirse varias veces para lograr conversores de más bits, lo que
ha dado origen al nombre Pipeline, arquitectura ésta que es muy usada por los fabricantes de ADCs.
Originalmente el nombre Pipeline era usado para este tipo de diseño pero usando conversores de un
solo bit, o sea, ADCs Flash con un solo comparador.
La Figura 2.213 muestra un ADC de 12 bits comercial Pipeline de Linear Technology, capaz de muestrear
a una frecuencia de 250MHz. Emplea internamente 5 secciones ADC. Rango de voltajes de conversión
hasta 1V; 2.5V de voltaje de alimentación y disipación de potencia de 740mW. Su precio por unidad es
de US$105.
Figura 2. 2103. ADC comercial pipeline
352
- Conversor Time-Interleaved (Intercalado en el tiempo)
Esta técnica usa múltiples ADCs idénticos para hacer la conversión global a una frecuencia de muestreo
mayor que la frecuencia de muestreo de los conversores individuales. Cada ADC individual opera
secuencialmente (multiplexado) en el tiempo a una frecuencia de muestreo fs/M, donde M es el número
de ADCs empleados. Aunque la frecuencia de muestreo es igual, debe existir una diferencia de fase de
360º/M entre la señal de muestreo de cada ADC. El resultado final es como si la señal de entrada se
muestreara a la frecuencia fs. Por ejemplo, si se usan cuatro ADCs de 10 bits, muestreados a 100MHz, en
principio se logra un ADC de 10 bit muestreado a 400 MHz.
La Figura 2.214 ilustra la técnica de Time-Interleaved. Son los ADC más veloces.
Figura 2. 2114. ADC time - interleaved
La Figura 2.215 muestra un ADC comercial Time-Interleaved de Texas Instruments, de 12bits, capaz de
muestrear a una frecuencia de 3.6GHz. Rango de voltajes de conversión hasta 1V; 1.9V de voltaje de
alimentación y disipación de potencia de 4.4W. Su precio por unidad es de US$2600.
Figura 2. 2125. ADC comercial time - interleaved
- Conversor Folding
Este conversor es similar al Subranging. Se hace una conversión gruesa y el resultado de esta conversión
es restado de la señal de entrada para lograr un residuo al cual se le hace una conversión fina. A
diferencia del Subranging en donde el voltaje análogo que se resta es conseguido por medio de un ADC
y un DAC, en el conversor Folding el voltaje análogo que se resta es logrado por procedimientos
totalmente análogos.
353
La Figura 2.216 muestra un ADC Folding de 5 bits. El ADC grueso usa 3 comparadores y el ADC fino usa 7
comparadores, para un total de 10 comparadores. Hay cuatro foldings (doblados) en el Preprocesador
Análogo. Si el voltaje de entrada Vin tuviera el nivel indicado por la línea roja, el conversor grueso
entregaría el binario 10, y el conversor fino entregaría el binario 101, para una salida total 10101. Si se
hiciera con un solo ADC Flash se requerirían 25-1 = 31 comparadores.
Figura 2. 2136. ADC folding
Otras técnicas de pre procesamiento análogo llamadas de Interpolación (Interpolating), permiten

disminuir el número de foldings y lograr conversiones más veloces. Estos conversores son llamados
Folding – Interpolating.
En la Figura 2.217 se presenta un ADC Folding – Interpolating ADC10D1500 de 10 bits de Texas

Instruments, capaz de procesar dos entradas con frecuencia de muestreo de 1.5GHz. Rango de voltajes
de conversión hasta 1V; 1.9V de voltaje de alimentación y disipación de potencia de 3.6W. Su precio por
unidad es de US$2000.
Figura 2. 2147. ADC comercial folding – interpolating
- Conversor Delta – Sigma ΔΣ
El conversor ΔΣ es uno de los ADCs que más desarrollo e investigación ha tenido en los últimos años. La
figura 2.118 muestra un diagrama de bloques de este ADC.
354
Figura 2. 2158. Diagrama en bloques de un ADC delta - sigma
El modulador ΔΣ es responsable de cuantizar la señal análoga de entrada, el ADC interno opera con una
frecuencia de muestreo que es muchas veces (usualmente mayor de 64) la requerida según Nyquist,
procedimiento que llamado sobre muestreo, el cual causa una disminución del ruido de cuantización en
la zona de baja frecuencia.
Si se procesa una onda seno, la relación entre el valor RMS de esa señal y el valor RMS de la suma de todas
las componentes de ruido que resultan de la cuantización, se obtiene la relación Señal a Ruido (SNR). Para
un ADC de N bits SNR = [6.02N + 1.76] dB, lo cual indica que se mejora SNR si se aumenta el número de
bits. Si se hace sobre muestreo la amplitud del ruido disminuye, aunque SNR sigue igual porque la energía
del ruido se reparte en una banda de frecuencia más elevada.
El modulador ΔΣ es mostrado en la Figura 2.219. Hace la cuantización con un ADC de 1bit; incluye un
circuito integrador que al estar dentro de un circuito retroalimentado, es un filtro pasa bajo para la señal
análoga y un filtro pasa alto para el ruido de cuantización.
Figura 2. 2169. Modulador delta - sigma
355
El ruido de cuantización es empujado (shaping) hacia la zona de alta frecuencia para posteriormente ser
retirado de esa zona por el filtro digital, así la energía del ruido queda notablemente disminuida – Figura
2.220. Como no se requiere una frecuencia de datos tan elevada para recuperar la señal análoga, sino una
más baja que cumpla con Nyquist, los pulsos de salida del filtro digital son diezmados. La notable mejora
de SNR que se logra permite tener ADCs con muy buena resolución.
Figura 2. 21720. Características de conformación del ruido por moduladores de orden 1 y 2
El tren de pulsos a la salida del modulador aumenta el número de estados lógicos “1” cuando la señal
análoga de entrada aumenta en amplitud, y aumenta el número de estados lógicos “0” cuando la señal
análoga de entrada disminuye de amplitud; este resultado es posible porque el circuito en conjunto busca
que la salida del integrador sea mantenga cerca de 0V o del voltaje de comparación que use el
comparador.
Es posible adicionar más etapas Restador – Integrador después de la primera etapa para lograr mejorar
más SNR; el número de etapas que se usan da origen al número de orden del ADC.
Los ADC ΔΣ no requieren filtros antialiasing muy elaborados y en muchos casos, si la señal análoga es de
frecuencia muy baja en comparación con la de muestreo, no se utilizan.
En la Figura 2.221 se muestra un ADC ADS1263 de 32 bits de Texas Instruments, capaz de procesar
con frecuencia de muestreo de 38.4kHz. Rango de voltajes de conversión hasta 1V; 5V de voltaje de
alimentación y disipación de potencia de 25mW. Su precio por unidad es de US$25.
356
Figura 2. 2181. ADC comercial delta - sigma
- Conversor Registro de Aproximación Sucesiva – SAR
Este tipo de conversor es una de las arquitecturas ADC más utilizadas desde los años 70 para operación
con velocidad baja y media, 1 a 8 canales de entrada y salida de 8 a 16 bits; generalmente conforman el
ADC en el interior de los microcontroladores.
Figura 2. 2192. Conversor ADC SAR
La Figura 2.222 muestra el diagrama de bloques de un ADC SAR. La Aproximación Sucesiva está basada en
un algoritmo de búsqueda binaria. La señal análoga debe estar entre 0V y un voltaje de referencia VREF
que puede ser interno o externo. El proceso de conversión de un ADC SAR inicia cuando el S/H muestrea
la entrada análoga y mantiene el valor capturado durante todo el tiempo que dure la conversión que son
N ciclos de reloj, donde N es el número de bits del conversor. En la Figura 2.223 se ilustra la operación de
un ADC SAR de 4 bits. El Registro siempre inicia con una salida digital que coloca en “1” al bit más
significativo y los demás quedan en “0”, lo que equivale a una salida del DAC de VREF/2; la diferencia entre
el valor el voltaje que entrega S/H y la salida del DAC es comparada; si la diferencia es menor que 0V
indicando que el voltaje de entrada es menor que el voltaje correspondiente a la cuantización, la salida
del comparador es “0” y el control lógico del SAR deja el bit más significativo permanentemente en “0”,
de lo contrario en “1”. Con el siguiente pulso de reloj el siguiente bit es colocado en “1” y se efectúa otra
comparación; si el resultado es menor que “0” ese bit es dejado permanentemente en “0”, de lo contrario
en “1”. El proceso continúa hasta que se termine el número de ciclos; el valor del Registro al final del
último ciclo es el resultado de la cuantización.
357
Figura 2. 2203. Operación de un ADC SAR de 4bits
La figura 2.224 muestra el conversor ADC SAR comercial ADC0804N de 8 bits de Texas Instruments, capaz
de efectuar 9000 conversiones por segundo. Rango de voltajes de conversión hasta 5V; 5V de voltaje de
alimentación y disipación de potencia de 10mW. Su precio por unidad es de US$2.50.
Figura 2. 2214. ADC comercial SAR
Los avances en la fabricación de circuitos integrados permiten disponer de resistencias y condensadores

monolíticos, que aunque tienen aún poca exactitud en sus valores absolutos, su relación si es muy exacta.
Esto ha sido aprovechado para desarrollar numerosas soluciones usando resistencias y condensadores
conmutados.
El uso de los condensadores tiene la ventaja de disminuir notablemente el consumo de potencia. Entre
los sistemas ADC que emplean estas técnicas está el SAR por redistribución de cargas, también conocido
como SC SAR (Switched Capacitor SAR) mostrado en la Figura 2.225 para 4 bits.
358
Figura 2. 2225. SC SAR en muestreo y almacenamiento
Este SAR emplea condensadores ponderados en binario (C, 2C, 4C y 8C). Aquí Vi es positivo y comprendido
entre 0V y VR – el voltaje de referencia. Inicialmente se muestrea Vi, todos los condensadores son
conectados a Vi y su nodo común es conectado a tierra. La segunda operación – Figura 2.226 – abre el
interruptor de Vi, abre el interruptor conectado al nodo común, la entrada – del comparador y conecta C4
a VR, lo cual hace que todos los voltajes en los condensadores se incrementen en VR/2. Si Vi es mayor que
VR, Vx es negativo y la salida del comparador es “1”; el bit más significativo se deja en “1” y C4 se deja
conectado a VR, de lo contrario el bit se deja en “0” y C4 se conecta de nuevo a tierra. La siguiente
operación – Figura 2.227 – desconecta C3 de tierra y lo conecta a VR; esto incrementa todos los voltajes
en [3/4]VR. De nuevo si Vi es mayor que [3/4]VR, Vx es negativo, la salida del comparador es “1”, el segundo
bit más significativo se deja en “1” y C3 se deja conectado a VR, de lo contrario el bit se deja en “0” y C3
se conecta de nuevo a tierra. El proceso continúa hasta que se completa la conversión.
359
Figura 2. 2236. Determinación del primer bit significativo del ADC SC SAR
Figura 2. 2247. Determinación del segundo bit significativo de CS SAR
En la Figura 2.228 se muestra un ADC CS SAR comercial AD7641 de Analog Devices de 18 bits, capaz de
muestrear a una frecuencia de 2MHZ. Rango de voltajes de conversión hasta 2.5V; 2.5V de voltaje de
alimentación y disipación de potencia de 75mW. Su precio por unidad es de US$48.
360
Figura 2. 2258. ADC comercial SC SAR
- Conversor de Doble Pendiente
Es uno de los conversores ADC más utilizados, particularmente en el campo de la instrumentación; la

mayor parte de los multímetros digitales, por ejemplo, hace uso de esta tecnología con salida de 3½
dígitos. La Figura 2.229 ilustra este conversor.
Figura 2. 2269. Conversor ADC de doble pendiente
El proceso de conversión tiene tres etapas. En la primera etapa, no mostrada en la figura, la entrada se
coloca a 0V, y la salida de los circuitos análogos se almacena en un condensador para luego ser colocada a
la entrada del integrador como si fuera un voltaje offset a fin de asegurar que con entrada real de 0V, la
salida digital sea cero.
En la segunda etapa de conversión, llamada Integración - I, el voltaje análogo de entada Vin es integrado
durante un tiempo fijo igual a N períodos de reloj (tI = NTReloj). Según si el voltaje análogo es positivo o
negativo, a la salida del integrador habrá una rampa ascendente o descendente.
En la última etapa de conversión, llamada De-Integración - DI, el voltaje de referencia VREF es integrado
colocándolo con una polaridad tal que produzca a la salida del integrador una rampa que vaya hacia cero
361
voltios. El contador cuenta el número M de períodos de reloj (tDI = MTReloj) hasta llegar a esa condición.
Como la variación total de voltaje en el condensador es igual y producida por corrientes constantes, ΔVc =
(Vin/R)tI = (Vin/R)NTReloj; ΔVc= (VREF/R)tDI= (VREF/R)MTReloj, luego Vin = (N/M)VREF.
En la Figura 2.230 se muestra un conversor ADC comercial de doble pendiente TC7106 de Microchip con su
circuito típico de aplicación, capacidad de cuenta 2000, ±200mV de voltaje de entrada, 9V de voltaje de
alimentación, 2 conversiones por segundo, precio US$5.
Figura 2. 22730. ADC comercial de doble pendiente
E.- Tipos de Conversores DAC
Algunas de las topologías son usadas exclusivamente dentro de conversores ADC, otras son usadas en DACs
comerciales; algunas de las arquitecturas DAC son:
- Divisor Kelvin
Data de mediados del siglo IXX, se le atribuye a Lord Kelvin, produce una salida de voltaje con impedancia
de salida que depende del punto seleccionado; es lineal si todas las resistencias son iguales, pero puede
hacerse no lineal de acuerdo a las necesidades. Es usado actualmente en Potenciómetros Digitales.
362
Figura 2. 2281. Divisor Kelvin
- Convertidor de Resistencias Ponderadas en binario
La técnica de utilizar resistencias ponderadas en binario es uno de los métodos más antiguos y simples de
convertir dígitos binarios o bits en una señal análoga. En la Figura 2.232 se muestra el circuito básico de un
convertidor DAC de 4 bits, el cual consta de un sumador con amplificador operacional, un registro de
almacenamiento y un juego de interruptores. El amplificador sumador posee tantas entradas como bits
tiene la palabra binaria que se quiere convertir (4, en este caso). El registro memoriza la señal digital de
entrada y sus salidas comandan la apertura y cierre de los interruptores. Un “0” aplicado a la entrada de
control de cada interruptor lo abre y un “1” lo cierra.
363
Figura 2. 2292. DAC de resistencias ponderadas
Los valores de las resistencias de entrada y salida se seleccionan cuidadosamente para generar una
progresión binaria (16, 8, 4, 2, 1).
Aunque este tipo de DAC es muy sencillo, no es práctico cuando se usan palabras binarias de más de 4 bits,
ya que la cantidad de resistencias requeridas para obtener la progresión binaria crece y se requieren
resistencias de buena exactitud.
- String DAC
Similar al Kelvin, la el voltaje análogo se obtiene por división de voltaje de un voltaje de referencia VREF. En
la Figura 2.233 se muestra un conversor de tres bits. La selección del voltaje la efectúan tres interruptores.
El bit más significativo escoge la sección superior si su valor es “1” o la sección inferior si su valor es “0”. Los
interruptores restantes hacen de manera similar la selección dependiendo del valor digital de entrada. Para
el código binario de entrada en la figura – 101 – la salida es 5/8·VREF. El seguidor de voltaje aísla las
resistencias del circuito externo a la salida.
364
Figura 2. 2303. String DAC
- R-2R MDAC
También conocido como DAC R-2R de corriente. Esta configuración de convertidor emplea una red de
resistencias en escalera (ladder) R-2R como se ve en la Figura 2.234; el diseño permite obtener una corriente
de salida que llega a la tierra virtual del amplificador externo. La corriente que sale de VREF es siempre VREF/R
y la corriente de salida producida por un “1” de cada bit es (VREF/R)/2N, donde N es la posición del bit a partir
del bit más significativo – MSB. Expresado en otra forma, la corriente de salida es un múltiplo de la corriente
más pequeña determinada por el bit menos significativo – LSB, de donde se origina la M (múltiplo) en el
nombre del DAC. La resistencia RFB en el amplificador convierte la corriente en el voltaje necesario.
365
Figura 2. 2314. R-2R MDAC
En la Figura 2.235 se muestra un R-2R MDAC, LTC2756 de 18 bits de Linear Technology; recibe los datos
digitales en forma serial. Opera con voltajes desde 2.7V a 5V. Consumo de potencia 5uW. Precio US$38
Figura 2. 2325. DAC comercial R-2R
- DAC R-2R Reverso (Back)
La arquitectura de este DAC es similar al del anterior, pero está configurado para entregar voltaje a la salida.
La Figura 2.236 corresponde a este tipo de diseño. El bit más significativo produce un voltaje (VREF-H – VREF-
L)/2, el bit siguiente produce (VREF-H – VREF-L)/4, y así sucesivamente.
Figura 2. 2336. DAC R-2R Reverso

366
En la Figura 2.237 se ilustra uno de estos DACs, el DAC7434 de Texas Instruments, tiene en su interior 4
conversores de 16 bits, recibe los datos digitales en forma serial. Opera con voltajes de 5V a 10V. Consumo
de potencia 0.2W. Precio US$54.
Figura 2. 2347. DAC R-2R de voltaje
- Conversor de Corrientes Direccionadas (Current Steering DAC)
Este tipo de DAC usa fuentes de corrientes conmutadas para suministrar a la salida una corriente total que
es la suma de las corrientes individuales direccionadas a la salida de acuerdo al bit asociado con cada fuente
de corriente. En la Figura 2.238 se muestra el circuito básico de este tipo de DACs.
Figura 2. 2358. DAC de fuentes de corriente direccionadas
La Figura 2.239 muestra el diagrama eléctrico de un DAC0808 de 8 bits con Fuentes de Corriente
Direccionadas de National Semiconductors. Opera con voltajes desde ± 5V hasta ± 15V y corriente de
referencia hasta 5mA. Precio US$4.
367
Figura 2. 2369. DAC0808 con fuentes de corriente direccionadas
- Conversor de Condensadores Conmutados (Switched Capacitor DAC)
Este tipo de DAC usa condensadores ponderados en binario. En la Figura 2.240 se ilustra un conversor DAC
de 4 bits.
Figura 2. 23740. DAC de condensadores conmutados
El proceso de conversión tiene dos fases; en la primera todos los conmutadores son conectados a tierra y
los condensadores son descargados. En la segunda fase solo los condensadores correspondientes a un bit
de entrada “1” son conectados a VREF; de esta forma todos los condensadores con bit “1” quedan en
paralelo con un extremo en VREF y el otro extremo a la unión de todos los condensadores con bit “0” que
también quedan en paralelo, con su otro extremo a tierra. Se forma así un divisor de voltaje capacitivo. El
voltaje de salida, en forma general es Vo = (CEq/CT)VREF, donde CEQ es la suma de todos los condensadores
368
con bit “1” y CT es la suma de todos los condensadores. Por ejemplo, en la Figura 2.240, si el número binario
de entrada es 1100, CEq es C + C/2 = 3/2 ·C y CT = 2C; Vo = 3/4·VREF.
- Conversor Delta – Sigma
El DAC Delta –Sigma opera en forma similar al ADC Delta – Sigma, pero todo su diseño es mayormente
digital. En la Figura 2.241 se muestra el diagrama en bloques de un DAC de 1 bit.
Figura 2. 2381. DAC de 1 bit
El Filtro de Interpolación Digital recibe los datos a baja velocidad e inserta ceros a alta velocidad, luego aplica
un algoritmo de Filtro Digital para entregar datos a alta velocidad; El Modulador actúa como un filtro
pasa bajo para la señal y como un filtro pasa alto para el ruido de cuantización; convierte los datos
resultantes en un tren bits de alta velocidad. El DAC de un bit conmuta entre dos voltajes de referencia
de la misma magnitud positivo y negativo.
La Figura 2.242 ilustra un DAC TLV320DAC26 de Texas Instruments. Incluye driver para altavoz de
325mW 8Ω. Voltaje de operación 3.3V, consumo de potencia 11mW. Precio US$2.
Figura 2. 2392. DAC audio stereo
Protoboard
369
Amplificadores operacionales LF351
Sample and Hold – S/H – LF398N
ADC0804 – Conversor Análogo a Digital tipo SAR
DAC0808 – Conversor Digital a Análogo tipo Corrientes Direccionadas
Diodo 1N4148
Transistor 2N2222A
Condensadores: 100µF/16V electrolíticos, 82pF, 150pF, 10nF y 100nF - cerámicos para filtraje y
poliéster o mica para circuitos de temporización
Resistencias 1kΩ, 2.7kΩ, 10kΩ, 39kΩ y 470kΩ
Potenciómetro multivuelta 10 kΩ
1 Multímetro
5.1SIMULACIÓN
(Conversores análogo a digital y digital a análogo): se recomienda una señal de entrada triangular con
amplitud Vcc/2 y frecuencia de 1Hz y que se reproduzca a la salida completa, con los niveles de
cuantizacion
Posteriormente se recomienda aumentar la frecuencia de la señal de entrada a 0.8fs (Fs es la frecuencia

de oscilación del 555). Como ahora no se cumple con Nyquist, se hace evidente el fenómeno de aliasing;
observar las señales y medir las frecuencias de entrada y salida.
Para facilitar las mediciones con el osciloscopio usar la función RUN/STOP y los cursores.
a) Montar en el protoboard el circuito de la Figura 2.243.
370
Figura 2. 2403. Conversores análogo a digital y digital a análogo
b) Medir los valores de los voltajes de alimentación.

c) Sin señal aplicada a la entrada, ajustar el potenciómetro POT 1 para que la salida del amplificador
operacional U1 sea la mitad del valor de la fuente de voltaje VA (5V nominal). Este procedimiento
hace que la señal alterna de entrada sea presentada (invertida) al circuito S/H haciendo
excursiones alrededor de VA/2.
d) Observar la salida del Timer 555 – terminal 3, con la sonda del osciloscopio CH1, y el colector de
Q1 con la sonda del osciloscopio CH2. El nivel alto de la señal del 555 controla el tiempo de
muestreo de S/H, medir este tiempo (~25 µs) y la frecuencia de la señal de muestreo fs (~350 Hz).
La señal en el colector de Q1 está invertida con respecto a la salida del 555, pero por el efecto de
C13 de 82pF tiene un retardo. Esta señal es aplicada al terminal W̅R̅ ; su descenso a cero y luego
su subida es interpretado por el ADC como la orden para que inicie el proceso de conversión. El
retardo hace que la orden de conversión ocurra después de finalizar el tiempo de muestreo.
e) Colocar la sonda del osciloscopio CH1 en el terminal 19 del ADC (unión con R7), observar la señal
de reloj del ADC y medir su frecuencia (~380kHz). El ADC tiene su terminal 1 – Chip Select -
conectado a tierra para permitir su funcionamiento; también el terminal 2 – Read – está a tierra
para que los resultados de las conversiones sean colocados en los terminales de salida; el terminal
9 – VREF/2 – no está conectado para que el DAC use el voltaje VCC (VA) como voltaje de
referencia.
f) Aplicar en la Entrada Análoga una señal triangular de 1Hz con amplitud pico a pico de VA. Observar
la señal a la entrada de S/H con CH1 y en la Salida Análoga con CH2. Como la señal de entrada
está sobre muestreada, la señal a la salida es muy parecida a la de entrada al S/H. La corriente de
referencia del DAC es determinada por VA y R10. El voltaje de salida es determinado por la
corriente de salida del DAC y R12.
g) Aumentar la frecuencia de la señal de entrada a 0.1fs. Como ahora la frecuencia de muestreo es
solo 10 veces la frecuencia de la señal de entrada, la salida ya no es una réplica de la entrada. El
371
perfil de la señal de salida está suavizado por la acción de filtro pasa bajo que produce el
condensador C12 de 100pF en la retroalimentación del amplificador operacional a la salida U6.
h) Retirar brevemente el condensador C12 y observar la señal de salida, la cual tendrá transiciones
más bruscas. Colocar la sonda CH1 a la salida de S/H – observar que hay pequeñas diferencias
entre los niveles de S/H y la señal recuperada a la salida. Los niveles de la salida de S/H pueden
tener cualquier valor, pero los de la salida son valores cuantizados que solo pueden tener valores
específicos. Colocar de nuevo el condensador C12.
i) Aumentar la frecuencia de la señal de entrada a 0.8fs. Como ahora no se cumple con Nyquist, se
hace evidente el fenómeno de aliasing; medir las frecuencias a la entrada de S/H y a la salida.
j) Aumentar la frecuencia de entrada a 1.8fs. Se deberá tener un “Alias” pues no se está cumpliendo
con Nyquist, pero ahora el fenómeno resulta de la interacción de la señal de entrada con 2fs.
Observar la señal a la salida y medir la frecuencia.
k) Disminuir la frecuencia de la señal de entrada a 0.1Hz. Colocar la sonda de CH2 al terminal 11 del
ADC, el bit más significativo – MSB - y determinar el nivel de voltaje en CH1 al cual se dan los
cambios de voltaje en ese terminal. Deberá corresponder a aproximadamente VA/2.
l) Colocar la sonda de CH2 al terminal 12 del ADC, determinar la diferencia de voltaje en CH1 al cual
se dan dos cambios consecutivos de voltaje en ese terminal. Deberá corresponder a
aproximadamente VA/4.
m) Colocar la sonda de CH2 al terminal 13 del ADC, determinar la diferencia de voltaje en CH1 al cual
se dan dos cambios consecutivos de voltaje en ese terminal. Deberá corresponder a
aproximadamente VA/8.
n) Colocar la sonda de CH2 al terminal 18 del ADC – el bit menos significativo; disminuir el voltaje de
la señal de entrada a 80mVpp; retirar el potenciómetro P1 – esto elimina el desplazamiento de
2.5V que produce el circuito del POT1; determinar la diferencia de voltaje en CH1 al cual se dan
dos cambios consecutivos de voltaje en el terminal 18, ya sea tomándolos en el flanco de bajada
o en el flanco de subida. La señal visualizada de CH1 tendrá ruido, pero la diferencia de voltaje
deberá corresponder a aproximadamente VA/256. Colocar de nuevo POT1.
o) Teniendo en cuenta la teoría de S/H, ADCs y DACs, hacer los comentarios correspondientes en los
distintos puntos del procedimiento de esta práctica.
7. EJEMPLO
La figura 2.244 muestra el montaje en el protoboard del circuito completo usado en esta práctica. Las
demás figuras corresponden a varios de los puntos del procedimiento.
372
Figura 2. 2414. Montaje en el protoboard del circuito de la Figura 2.
Figura 2. 2425. Procedimiento d) Figura 2. 2436. Procedimiento e)
Figura 2. 2447. Procedimiento f) Figura 2. 2458. Procedimiento g)
373
Figura 2. 2469. Procedimiento h) Figura 2. 24750. Procedimiento i)
Figura 2. 2481. Procedimiento j) Figura 2. 2492. Procedimiento k)
Figura 2. 2503. Procedimiento l) Figura 2. 2514. Procedimiento m)
Figura 2. 2525. Procedimiento n)
374
PRÁCTICA # 2.14
AMPLIFICADORES DE POTENCIA
1. INTRODUCCIÓN
Un amplificador de audio es un dispositivo electrónico capaz de amplificar o aumentar la potencia de una

señal analógica, que está comprendida en un rango de 20 Hz a 20 kHz, o sea el espectro de frecuencias
audible. La señal de entrada al amplificador – LINE IN – normalmente tiene un nivel de -10dBV con
respecto a una referencia 0dBV de 1VRMS, lo que equivale a unos 0.447Vp en una onda seno. La
impedancia de entrada del amplificador es de 10kΩ o más. La carga normalmente es un altavoz (speaker)
de 8Ω. En teoría, esta amplificación debe ser lineal, o sea, amplificar de igual manera en todo el rango de
frecuencias, con el mínimo de distorsión.
Figura 2. 2536. Amplificador de audio
2. OBJETIVOS
Estudiar la operación de amplificador de audio integrado de baja potencia
Determinar las características de polarización y operación dinámica del amplificador de audio

LM386
375
3. MARCO TEÓRICO
Introducción.- Los amplificadores de potencia de audio son circuitos ampliamente utilizados en

electrónica, no sólo con fines de entretenimiento, sino para cualquier aplicación en la que se requiera
entregarle potencia a una carga de baja impedancia, desde baja frecuencia hasta unos 100KHz.
Al comienzo del desarrollo de la electrónica fueron realizados con tubos en configuración clase A usando
transformador para acoplar el altavoz como lo ilustra la Figura 2.257, configuración esta que ha ganado
renovado interés en la última década – Figura 2.258.
Figura 2. 2547. Diagrama Amplificador clase A con tubo
Figura 2. 2558. Amplificador con tubos
Con la aparición de los transistores, a finales de los años 40, los amplificadores de potencia de audio se
realizaron utilizando transistores pero conservando la arquitectura de los diseños tradicionales con
tubos y continuando con el uso de transformadores.
376
En 1956 el Dr. H. C. Lin - Figura 2.259, de los Laboratorios de RCA, propuso un diseño con transistores de
salida cuasi complementarios, sin el uso del clásico transformador de salida – Figura 2.260. Solo a
finales de los años 60 con el desarrollo de los transistores de silicio complementarios es que este tipo
de diseño se popularizó y a partir de entonces la llamada topología LIN constituida por una etapa
preamplificadora a la entrada, seguida de una etapa de alta ganancia y finalmente una etapa
seguidora de voltaje con transistores complementarios o cuasi complementarios en polarización clase
AB, es el diseño característico de la mayor parte de los amplificadores de potencia de audio y de los
amplificadores operacionales.
Figura 2. 2569. Dr. Lin
Figura 2. 25760. Amplificador de audio cuasi-complementario sin transformador
Con el desarrollo de la tecnología de circuitos integrados, hay disponibilidad de amplificadores en circuito

integrado desde fracciones de vatio hasta unos 20W, con salida en clase AB – Figura 2.61. Para potencias
superiores, debido al estrés térmico que sufren los demás componentes en la “pastilla” por el
377
calentamiento variable de los transistores de potencia, se usan configuraciones híbridas con los
transistores de potencia aparte del circuito integrado de control, pero con todos los elementos dentro de
un mismo encapsulado de mayor tamaño – Figura 2.262. Este tipo de diseño es muy común en los
equipos de entretenimiento que se usan en el hogar.
Figura 2. 2581. Amplificadores integrados clase AB
Figura 2. 2592. Amplificador clase AB hibrido
Para potencias superiores a los 200W en clase AB, son más comunes los diseños discretos – Figura
2.263.
Figura 2. 2603. Amplificador con componentes discretos
En los últimos años, con el desarrollo de MOSFETs especiales de alta velocidad, se ha incrementado el
desarrollo de amplificadores en clase D que usan un modulador de ancho de pulso PWM y un filtro pasa
bajo – Figura 2.264 - para entregar potencia al altavoz con eficiencias superiores al 90%, muy por encima
del 65% promedio que se logra con la configuración clásica en clase AB, o del 40% que se obtiene en clase
A.
378
Figura 2. 2614. Principio del amplificador clase D
La Figura 2.265 muestra un amplificador integrado TI - TAS5631B clase D para 300W sobre 4Ω, entrada
digital PWM, y un ensamble completo con este tipo de amplificador.
Figura 2. 2625. Amplificador integrado clase D Texas Instruments TAS5631B
Amplificador Clase A.- Un amplificador opera en Clase A cuando es polarizado de tal forma que siempre
está conduciendo, y la señal de salida es una réplica de la señal de entrada.
La Figura 2.266 muestra un circuito de amplificador Clase A con transformador. El transformador de

salida, con N1 vueltas en el primario y N2 vueltas en el secundario, adapta la baja impedancia del altavoz
a la alta impedancia de salida del transistor; la impedancia reflejada en el primario es Zp = (N1/N2)2Zs.
Este tipo de diseño es adecuado para unos pocos cientos de mW; la polarización por divisor de voltaje del
transistor lo mantiene siempre en estado de conducción y determina el punto de trabajo Q y la línea de
carga DC.
379
Figura 2. 2636. Amplificador de potencia clase A con transformador
En condiciones dinámicas, las impedancias dinámicas determinan la línea de carga AC, la cual tendrá una
pendiente diferente a la de DC, pero siempre pasa por el mismo punto Q – Figura 2.267. Las variaciones
en la corriente de colector debidas a la señal de entrada, producirán variaciones de voltaje entre Colector
y Emisor determinadas por la línea de carga AC. Eficiencia máxima 50%.
Figura 2. 2647. Líneas de carga DC y AC del amplificador clase A con trasformador
Esta topología es usada también en circuitos de Radio-Frecuencia, con transformadores sintonizados a la

frecuencia de trabajo.
Amplificador Clase B.- Este amplificador es polarizado de tal forma que cada transistor a la salida opera
en la zona activa durante 180º del ciclo de la señal de entrada y permanece en corte durante los 180º
restantes. Es más eficiente que el amplificador Clase A pues no consume potencia cuando no hay señal
de entrada.
380
Los amplificadores Clase B normalmente están configurados con al menos dos dispositivos activos, los
que alternativamente amplifican la parte positiva y la parte negativa de la señal de salida, configuración
que es llamada Push-Pull – Figura 2.268.
Figura 2. 2658. Amplificador clase B con transformador
La ausencia de polarización DC hace que la conducción de los transistores solo sea posible despúes de
que el nivel de la señal de entrada sobrepase el umbral de conducción de la unión Base – Emisor de cada
transistor. Así, en la salida, en la cercanía de cero voltios, hay una zona muerta, lo que produce la
llamada distorsión por cruce. La eficiencia máxima de este tipo de amplificador es del orden de 78%.
El desarrollo de los transistores permitío diseñar amplificadores sin transformadores, haciendo uso de
seguidores emisor en configuración Push-Pull – Figura 2.269.
381
Figura 2. 2669. Amplificador clase B con transistores complementarios Push-Pull
Amplificador Clase AB.- En este tipo de amplificador los transistores están polarizados ligeramente en
conducción aun cuando no haya señal aplicada, evitando así la distorsión por cruce. La parte difícil en
estos amplificadores es establecer un punto de trabajo Q estable cerca de corte. En esta configuración se
logran eficiencias del orden del 65%.
En principio podría pensarse que una polarización por divisor de voltaje – Figura 2.270 – sería suficiente,
pero la corriente en el transistor es muy sensible a los cambios en VBE. Un incremento de 60mV en VBE
produce un incremento de 10 veces la corriente en el transistor. El problema es que VBE disminuye cerca
de 2mV por cada grado Celsius de incremento de la temperatura, así, si la temperatura del transistor
aumenta 30º, la corriente aumenta 10 veces, pues la polarización esta fija. La solución a esto es usar una
polarización que cambie en la misma forma que lo hace VBE.
Figura 2. 26770. Polarización por divisor de voltaje
382
La Figura 2.271 muestra una polarización por diodos. Ya que estos son uniones PN como las uniones BE
de los transistores, tienen el mismo comportamiento térmico.
Figura 2. 2681. Polarización por diodos
En la práctica estos diodos tienen tamaños bien reducidos y están pegados con adhesivos térmicos
directamente sobre los transistores de salida o sobre el disipador donde van montados, para asegurar
que puedan seguir el comportamiento térmico de los transistores.
Una forma de tener un mayor control sobre la polarización, pero manteniendo el seguimiento térmico
de los transistores de salida, es usando la polarización por multiplicador de VBE como lo ilustra la Figura
2.272. Las dos resistencias R1 y R2 determinan el valor de voltaje que hay de Base a Base de los
transistores de salida. Como con la polarización por diodos, el transistor Q1 debe ser montado sobre el
disipador de los transistores de salida para que los siga termicamente y mantenga corregida la
polarización.
383
Figura 2. 2692. Polarización por multiplicador de VBE
Este amplificador Clase AB también puede operar con una sola fuente de voltaje, para lo cual es
necesario colocar un condensador de gran capacitancia entre la salida y la carga – Figura 2.273. El
voltaje en los emisores de los transistores de salida debe quedar cerca de Vcc/2, valor que es también el
voltaje en el condensador de salida.
Figura 2. 2703. Amplificador clase AB unipolar
384
Alimentación de señal a la etapa de salida.- Como los transistores de salida son seguidores de voltaje
con ganancia máxima 1, se requieren señales de gran amplitud en sus bases. Esto es comúnmente
logrado en circuitos modernos y amplificadores operacionales, alimentando las bases con la salida de un
amplificador emisor común que emplea una fuente de corriente como carga activa. La fuente de
corriente provee la corriente de polarización necesaria y es al mismo tiempo una alta impedancia
dinámica, lo que permite obtener una gran amplificación de voltaje. Esta etapa previa a la de salida es
conocida como “DRIVER” y es la que provee la mayor ganancia de voltaje entre todas las etapas de un
sistema completo de amplificación de potencia, o un amplificador operacional.
La figura 2.274 muestra los circuitos simplificado y completo de un amplificador operacional LF347.
Diagrama simplificado (1/4 Quad)
Diagrama completo
385
Figura 2. 2714. Amplificador operacional LF347
La etapa DRIVER está constituida por el emisor común Q5 que tiene como carga activa a Q12. Las uniones
BE de Q6 y Q7 polarizan los transistores de salida Q8 y Q9. El JFET J3 canal P opera con VGS = 0V, o sea
con IDSS, la cual se mantiene casi constante en todo el rango de alimentación posible de ±10V a ±18V.
Esa corriente constante polariza al zener Z1, lo cual le da buena estabilidad al voltaje; ese voltaje, menos
las caídas diódicas de Q15 y D2 alimentan la resistencia R4. Normalmente en estos diseños las variaciones
por temperatura del zener y las uniones diódicas se compensan, haciendo que la corriente en R4 se
mantenga constante en todos los voltajes de operación del circuito y a diferentes temperaturas. Como la
corriente en R4 es provista por Q12, un transistor con doble colector, la corriente de polarización del
circuito de salida, que es la corriente de colector de Q5, también es constante, y dependiendo del diseño
de Q12, es proporcional a la corriente en R4, con valores alrededor de 0.5mA.
El circuito completo muestra en la salida protecciones contra corto circuito configuradas por las parejas
R5-Q11 y R6-Q10; en caso de darse una corriente de salida positiva de unos 25mA a 25ºC, el voltaje que
se desarrolla en R6 hace conducir a Q11, disminuyendo la corriente de Base de Q8 y limitando la
corriente de salida en esos 25mA. La protección de corriente negativa opera en forma similar, quitándole
al final la polarización a Q5.
Circuito amplificador de entrada.- El amplificador de entrada puede ser un amplificador básico emisor
común o un amplificador diferencial; este último permite en una forma fácil aplicar retroalimentación
negativa y es el usado con amplificadores operacionales. El amplificador de entrada entrega la señal al
DRIVER, pero a él normalmente llega retroalimentación negativa en DC para hacer que la salida quede a
la mitad del voltaje de las fuentes de alimentación, y retroalimentación negativa en AC para determinar la
amplificación en lazo cerrado del amplificador.
386
Magnitud de la amplificación.- En circuitos amplificadores de potencia de audio la amplificación en lazo
abierto puede ser mayor de 400, pero en lazo cerrado puede estar entre 10 y 30. En amplificadores
operacionales la amplificación en lazo abierto puede ser decenas de miles, pero en lazo cerrado puede
ser desde menos de la unidad hasta algunas centenas.
Respuesta en frecuencia.- En amplificadores de potencia de audio la respuesta en frecuencia es de 20Hz

hasta 20kHz. En muchos amplificadores modernos la zona de alta frecuencia se puede extender hasta
unos 200kHz.
En amplificadores operacionales compensados, que son la mayoría, la respuesta en frecuencia cubre

desde DC (0Hz) hasta unos 10Hz.
La mayor parte de estos amplificadores tiene una etapa DRIVER inversora de alta ganancia, la cual es
sujeta al Efecto Miller. Este fenómeno es aprovechado para limitar intencionalmente la respuesta en alta
frecuencia del amplificador introduciendo una capacitancia externa que se suma a la capacitancia
colector base del transistor DRIVER. En el esquema completo del LF347, el condensador Cc de 10pF
conectado entre el colector de Q5 y su base (a través del seguidor Q4) cumple esa función.
Protección contra sobrecalentamiento.- Como la eficiencia de estos amplificadores no es el 100%, la

parte de potencia que no entregan a la caga se convierte en calor en los transistores de salida. Si el calor
no es extraído de los transistores, su temperatura aumentará hasta causar su destrucción. Los fabricantes
de semiconductores en sus hojas de datos pueden mostrar la curva de degradación de la potencia del
transistor con la temperatura, o indicar el factor de degradación D, que da la cantidad de mili vatios que
deben substraerse a la capacidad de disipación a 25ºC por cada grado de incremento en la temperatura.
La Figura 2.275 muestra una de esas curvas para el transistor 2N3055. En los transistores de potencia el
colector normalmente está unido a la envoltura (case) para facilitar el intercambio de calor con el
ambiente. El negativo del inverso de la pendiente en la curva de la Figura 2.275 es la resistencia térmica
θJA entre la unión colector-base y el ambiente. La pendiente, que siempre tiene su punto final en la
temperatura máxima posible para el transistor, puede incrementarse, haciéndola más vertical y
permitiendo que el transistor pueda operar a más potencia con más temperatura, si θJA es disminuída
por medio del uso de disipadores de calor (heatsink) – Figura 2.276.
387
Figura 2. 2725. 2N3055 característica térmica
Figura 2. 2736. Disipadores de calor para transistores
La Figura 2.277 muestra el equivalente eléctrico del comportamiento térmico cuando se usa un disipador
de calor.
Figura 2. 2747. Equivalente térmico
388
La resistencia térmica θJC no puede ser modificada pues depende de la construcción del transistor, pero
las demás sí.
Para una determinada disipación de potencia en el transistor, entre más grandes sean las resistencias
térmicas entre envoltura y disipador, y entre disipador y el ambiente, mayor será la elevación de
temperatura y viceversa.
La resistencia térmica entre envoltura y disipador θCS puede mejorarse notablemente con el uso de grasas
térmicas que llenen los espacios de aire que normalmente se dan en la unión de dos superficies – Figura
2.278.
Figura 2. 2758. Unión case - sink
En muchas ocasiones el transistor debe quedar eléctricamente aislado del disipador, debiéndose colocar
aisladores de mica o de cualquier compuesto de baja resistencia térmica, en conjunto con grasas térmicas
y arandelas aisladoras para su fijación – Figura 2.279.
También hay disponibles almohadillas térmicas (pads) para ese propósito.
Figura 2. 2769. Aisladores eléctricos
La resistencia térmica entre disipador y ambiente, θSA, es inversamente proporcional al área efectiva de
contacto del disipador con el aire que lo rodea, razón por la cual están construidos con muchas aletas.
Influye también el tipo de material y el color del mismo.
En la Figura 2.280 se muestran algunos disipadores con sus resistencias térmicas típicas.
389
Figura 2. 27780. Disipadores y sus resistencias térmicas
El amplificador integrado LM386.- La Figura 2.281 muestra el diagrama eléctrico de este amplificador.
Figura 2. 2781. Amplificador de audio integrado LM386
Este es un pequeño amplificador para baja potencia (250mW) capaz de operar con baterías.
En la configuración normal de funcionamiento que sugiere el fabricante, la entrada inversora 2 es

colocada a tierra. Con una fuente Vs de 5V, si el emisor de Q2 fuera tierra, la corriente que circularía por
las dos resistencias de 15K sería de 166uA, lo cual muestra que las corrientes por Q2 y Q1 son pequeñas y
los voltajes emisor base de estos dos transistores tendrán cada uno un valor cercano a los 0.5 V; si la
base de Q1 está a tierra, el emisor de Q2 tendrá un voltaje aproximado de 1V y la corriente en Q2 y Q3
será el voltaje neto en las dos resistencias de 15K, en este caso 4V, dividido por los 30KΩ de las dos
resistencias, aproximadamente 133uA. Aun si la señal a amplificar fuera acoplada capacitivamente a la
base de Q5, la muy pequeña corriente de base de Q5, en el orden de los nA, produciría un voltaje muy
pequeño en la resistencia de 50K y por lo tanto se puede considerar que la base de Q5 está muy cerca de
390
los 0VDC. Como Q3 y Q6 conforman un espejo de corriente, los 133uA que pasan por Q3 pasan también
por Q6 y Q4, así, el emisor de Q4 tendrá un voltaje cercano a 1V por ser tan similares las condiciones de
trabajo DC de Q1, Q2, Q5 y Q4; básicamente no hay corriente DC a través de las resistencias de 150Ω y
1.35kΩ porque la diferencia de potencial a través de ellas es casi 0V. La corriente de emisor de Q4
necesariamente tiene que venir desde la salida, terminal 5. Así las cosas, el terminal 5 quedará a un
potencial cercano a Vs/2. Este circuito auto-ajusta su polarización porque si por ejemplo el voltaje DC en
la salida 5 aumenta, esto causa un aumento en la corriente de Q4 y por lo tanto un aumento en la
corriente de base de Q7 ya que la corriente DC de Q6 se mantiene constante; al aumentar la corriente de
base de Q7 aumenta también su corriente de colector y eso hace disminuir los voltajes de base de Q8 y
Q9 y por consiguiente el voltaje de salida 5. Si por el contrario el voltaje de salida 5 disminuye, la
corriente en Q4 y en la base de Q7 también disminuye, y al ser menor la corriente de colector de Q7, los
voltajes en las bases de Q8 y Q9 aumentan, aumentando también el voltaje en la salida 5.
Desde el punto de vista dinámico, si el terminal 2 está a tierra, el emisor de Q2 dinámicamente está cerca
de tierra; al aplicar una señal Vi a la base de Q5, prácticamente la misma señal aparece en el emisor de
Q4 y esto hace que circule una corriente dinámica a través de las resistencias de 150Ω y 1.35kΩ; esta
corriente dinámica pasa por Q2 y Q3, y por espejo de corriente pasa por Q6 y Q4. Así que desde el emisor
de Q4 hacia tierra hay dos corrientes cada una de valor Vi/(150Ω y 1.35kΩ) que deben llegar al emisor de
Q4 provenientes desde la salida 5 a través de la resistencia de 15kΩ entre los terminales 5 y 1 (salida y
emisor de Q4). El voltaje dinámico a la salida es entonces Vo = 1 + 2[Vi/(150Ω y 1.35kΩ)](15kΩ), lo que
equivale a una amplificación de magnitud 21, que expresado en dB es 20log21 = 26dB.
Según la hoja técnica del amplificador LM386, es posible aumentar la ganancia si entre los terminales 1 y
8 se coloca un condensador de 10uF o más en serie con una resistencia. Si esta resistencia es 0Ω, es decir,
solo el condensador entre los terminales 1 y 8, haciendo un cálculo como el anterior, la ganancia es 201 o
46dB. Dependiendo entonces de los componentes utilizados se pueden lograr ganancias entre 21 y 201.
Definiciones

circuito, para que funcione en la forma deseada.
 MOSFET: Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor.
Protoboard
Amplificador de audio LM386
391
Condensadores de 10µF/25V, 100µF/25V y 220µF electrolíticos; 50nF y 100nF cerámicos
Resistencias de 10Ω u 8Ω de 1W o más (para reemplazar el altavoz)
Altavoz 8Ω, 250mW o más
1 Multímetro
5.1SIMULACIÓN
(montaje)
Montaje.- Para la realización del experimento, montar en el protoboard el circuito de la figura 2.282.
Alimentar el LM386 con un voltaje de 5V, colocar lo más cerca posible del integrado dos condensadores,
de 0.1uF y 100uF entre los terminales 6 y 4.
Figura 2. 2792. Montaje del LM386
392
Inicialmente puede usarse el altavoz de 8Ω, junto con la red Zobel. Una vez comprobado el
funcionamiento con el altavoz, puede cambiarse todo el circuito de salida por una resistencia de 8Ω,
1W o más, ya que el sonido producido con tonos de una sola frecuencia puede ser incómodo.
El fabricante del LM386 recomienda el uso de una red Rz (10Ω) Cz (0.05uF) a la salida del amplificador.
Este circuito serie RC conocido como red Zobel es ampliamente utilizado con amplificadores de audio
para hacer que la carga que ve el amplificador a las frecuencias de trabajo sea de naturaleza
óhmica, ya que el altavoz por su diseño crea una carga inductiva cuya reactancia aumenta con la
frecuencia. La Figura 2.283 muestra el modelo eléctrico de un altavoz; R y L en serie son la resistencia y
la inductancia de la bobina del altavoz, mientras que los elementos en paralelo representan el
comportamiento mecánico del mismo.
Figura 2. 2803. Red Zobel + Altavoz
La Figura 2.284 muestra el comportamiento de la impedancia de la carga con y sin red Zobel. El pico de
impedancia en baja frecuencia se debe a la resonancia mecánica del altavoz. Este fenómeno
hace que el altavoz solo sea útil para frecuencias por encima de la frecuencia de resonancia, pero un
diseño adecuado del recinto acústico en el que se monta el altavoz puede anular ese pico y extender el
rango de baja frecuencia de aplicación del mismo.
393
Figura 2. 2814. Respuesta de la carga
La red Zobel emplea una resistencia Rz de valor entre 1 y 1.2 veces el valor de la resistencia R del altavoz
y un condensador de valor C = L/(Rz)2. Con altavoces de fracciones de vatio como los usados con el
LM386, los cuales por su tamaño tienen inductancias de bajo valor, la capacitancia requerida es
pequeña, pero en altavoces de mayor tamaño y potencia el valor puede ser de algunas decenas de uF.
La red Zobel aparte de mantener uniforme la impedancia que ve el amplificador, es muy importante en
amplificadores integrados monolíticos porque minimiza la posibilidad de que aparezcan voltajes
negativos con respecto al substrato, en el terminal de salida del amplificador – por razón de la carga
inductiva. Cuando este fenómeno se da en circuitos integrados elaborados sobre un mismo substrato,
pueden aparecer corrientes a través del substrato que finalmente destruyen al amplificador.
Determinación de la polarización.- Conectar el terminal 3 a tierra y calcular la corriente que pasa por
las dos resistencias de 15KΩ del diagrama eléctrico interno, midiendo la diferencia de voltaje entre los
terminales 6(Vs) y 7(Bypass), y luego dividiendo por 15KΩ.
394
 Medir los voltajes en los terminales 1 y 8
 Medir el voltaje a la salida, terminal 5
Comparar los resultados con lo esperado teóricamente.
Verificación del comportamiento dinámico.- Aplicar una señal de 50mVp 1kHz onda seno a la entrada
3 y verifique la ganancia de voltaje midiendo el voltaje sobre la resistencia de carga (altavoz) – use el
osciloscopio. Compare el resultado con lo esperado teóricamente.
 Aumentar el voltaje de entrada hasta lograr el máximo de señal a la salida sin deformación
aparente, en estas condiciones determine la potencia en la carga – potencia máxima.
 Determine la respuesta en frecuencia del amplificador tomando como referencia un voltaje en
la carga de 1Vp a 1kHz.
7. EJEMPLO
La Figura 2.285 muestra el montaje en el protoboard del amplificador LM386
395
CAPÍTULO 3
PRÁCTICAS DE
LABORATORIO DE
ELECTRÓNICA DE
POTÉNCIA
Elaborado por:
Giovanni Aldemar Baquero Rozo
396
SEGURIDAD EN LAS PRACTICAS DE LABORATORIO
1. INTRODUCCIÓN
Como parte de la experiencia de una materia de ingeniería, en este caso correspondiente a electrónica
de potencia, vemos que la experimentación hace parte fundamental de la formación. Con la intención de
mejorar la experiencia de las prácticas que se realizaran en la materia se dispone este libro, con lo cual
se espera que el estudiante a tenga mejor entendimiento y desarrollo.
Este libro se divide en tres partes, la primera consiste en la importancia de la seguridad en el laboratorio
y los riesgos que implica este tipo de prácticas, con el fin de evitar daños en la integridad del estudiante y
en el equipo que se ésta usando. En la segunda se estudiara las diferentes herramientas de simulación y
su aplicación en cada una de las práctica, no solo para la obtención de gráficos si no de datos tales como
voltajes, corrientes, potencias, eficiencias en DC y AC y, factor de potencias a través del análisis de
Fourier. En la tercera parte se darán los procedimientos y explicaciones necesitarías para la realización
de cada práctica.
2. RECOMENDACIONES A TENER EN CUENTA EN LA PRÁCTICA
SIEMPRE RECUERDE QUE EL TRABAJO CON ELECTRICIDAD IMPLICA RIESGOS, INDEPENDIENTEMENTE DEL
NIVEL DE TENSIÓN QUE ESTÉ MANEJANDO.
Lo primero que debe garantizar es su seguridad personal. Para esto requiere:
 Utilice guantes aislantes para evitar electrocución por contacto con partes energizadas
 Verifique que los breakers de su banco de trabajo operen correctamente. Su actuación en caso de un
cortocircuito es vital para su protección y la de los equipos, en ese orden de importancia.
 NUNCA trabaje sobre un circuito energizado. Si necesita hacer ajustes, modificaciones o cambiar de
lugar una sonda de medición, desenergice el circuito previo a la manipulación del mismo.
 Por precaución, no ingiera alimentos ni bebidas cerca al área de trabajo.
 Mantenga organizada el área de trabajo. Un montaje ordenado y un área de trabajo libre de elementos
innecesarios, reduce la probabilidad de accidentes por interacción de objetos con el circuito
energizado.
 A menos que sea estrictamente necesario, no aísle la tierra de ninguno de los equipos. El uso de
conversores 3 a 2 deja la carcasa de los equipos de trabajo expuesta a cambios de nivel de tensión, lo
que puede ocasionar accidentes.
Para garantizar la seguridad de los equipos de trabajo, tenga en cuenta las siguientes indicaciones.
 Verifique, previo a la realización de la práctica, que todos los equipos de trabajo operen
correctamente, así como la continuidad de los cables y sondas a utilizar. Cualquier anomalía,
397
comuníquela inmediatamente al docente encargado de la práctica y al personal encargado del
equipamiento de laboratorio.
 A menos que sea estrictamente necesario, no aísle la tierra de ninguno de los equipos. En caso de
una falla eléctrica, la conexión a tierra es la que protege el equipo.
 No bloquee las rejillas de ventilación de los equipos.
 Verifique las variables medibles y los rangos que permite medir el equipo.
 No ingiera alimentos ni bebidas cerca a los equipos.
3. ASIGNACIÓN DE TIEMPOS
Para el correcto desarrollo de la práctica número uno hasta la cinco, se distribuirá el tiempo de la
siguiente manera:
Actividad Tiempo [minutos]
Solicitar equipos de laboratorio y verificación de su correcto funcionamiento 10
Explicación de la actividad de laboratorio 10
Desarrollo de la práctica 95
Desconexión, guardado y retorno de equipos 5
TIEMPO TOTAL DE LA PRÁCTICA 120
A partir de la práctica seis en adelante serán de la siguiente forma:
Actividad Tiempo [minutos]
Explicación de la actividad de laboratorio 20 minutos
Preparación de la práctica 8 días
Desarrollo de la practica 120 minutos
TIEMPO TOTAL DE LA PRÁCTICA 8 días y 2 horas
398
SOFTWARE DE SIMULACIÓN
LTSPICE®
1. INTRODUCCIÓN
Las simulaciones son una gran herramienta para entender el comportamiento de un sistema que se está
estudiando, saber su estabilidad, comportamiento a diferentes señales e incluso a diferentes
frecuencias. En este capítulo estudiaremos como aplicar el software correctamente y sus diferentes usos.
2. OBJETIVOS
Objetivo general
Aprender a implementar el software LTspice® para ayudar a analizar y comprender de mejor manera las
practicas a lo largo del curso.
Reconocer los datos relevantes y su correcto uso.

Aplicación de las simulaciones en la teórica.
3. MARCO TEÓRICO
Aspectos generales
Existen en el mercado diferentes tipo de simuladores, sinfín de variedades de productos, que son
ofrecidos desde grandes empresas como National Instruments hasta pequeñas y desconocidas, en este
capítulo trataremos con dos tipos de simuladores, con el fin que el estudiante utilice el que se sienta más
cómodo. En el caso que se tenga otro simulador con el que sienta más empatía, será válido para el curso
siempre y cuando este realice análisis de Fourier, ya que como se ha visto en la teoría e objetivo final es
usar los datos para calcular la TUF, y compararlos tanto con la parte experimental como el cálculo
teórico.
399
Los recomendado el LTspice® de Linear Tecnology, es de licencia gratuita y es compatible con cualquier
sistema operativo, tiene como defecto de solo manejar los productos de Linear y pocos elementos de
otros fabricantes.
Ltspice®
Comenzaremos explicar la ventana principal de LTspice:
Figura I. Pantalla de inicio de LTspice.
En la parte superior encontramos la barra de herramientas, en ella encontramos:
1. Esquemático Nuevo (control + N).

2. Abrir (control + O).
3. Guardar.
4. Panel de control.
5. Correr simulación.
6. Parar simulación.
7. Acercar (control + Z).
8. Acercar por Cuadro.
9. Alejar (control + B).
10. Restaurar zoom (Barra espaciadora).
11. Cortar (control + X).
12. Copiar (control + C).
13. Pegar (control + V).
14. Buscar.
15. Camino (F3).
16. Tierra (G).
400
17. Nombrar nodo (F4).
18. Resistencia (R).
19. Condensador (C).
20. Bobina (L).
21. Diodo (D).
22. Componente (F2).
23. Mover (F7).
24. Arrastrar (F8).
25. Deshacer (F9).
26. Rehacer (Shift + F9).
27. Rotar (control + R).
28. Espejo (control + E).
29. Texto (T).
30. Comando SPICE (S).
Nota: en caso de Mac o Linux todo el programa se ejecuta atreves de la lista de comandos SPICE.
Comenzaremos con dando clic en esquemático nuevo, con eso abrirá el espacio de trabajo, a
continuación vamos a seleccionar los componentes con los que vamos a trabajar en el botón de
“componente”.
Figura II. Selección de componentes.
En el cajón de búsqueda ponemos “voltage” que es la fuente de voltaje, “d” de diodo y “r” para
resistencia, estos dos últimos pueden es necesario llamados directamente al espacio de trabajo desde la
barra de herramientas o con las teclas respectivas.
Procedemos a montar el circuito como se muestra en la siguiente imagen.
401
Figura III. Circuito de prueba media onda con carga R
Si se trata de correr la simulación en este punto se verá que el programa anotara una falta de aclaración
en los elementos del circuito, por eso prosigamos a definir los elementos. Hacemos clic derecho en los
elementos y aparase los siguientes cuadros de diálogo.
(a) (b) (c)
Figura IV. (a) Configuración de la resistencia, (b) configuración del diodo, (c) configuración de la fuente
de voltaje.
La figura (a) muestra como asignar el valor de la resistencia, puedes rellenar los cuadros o seleccionar un
valor comercial en “Select Resistor”
El (b) es para el diodo, si no seleccionas ningún diodo queda el ideal pero si se quiere seleccionar alguno
en específico seleccionamos “Pick New Diode” y se abrirá la siguiente ventana.
402
Figura V. Ventana de selección de diodos
Acá se tiene toda la información de un diodo como tipo, voltaje en inverso, modelo, etc. Escogemos el
que necesitamos.
Por último toca configurar la fuente de voltaje, si en la ventana (c) solo llenamos los valores de DC
resistencia en serie y por resultado tendremos una fuente de corriente directa, pero si decíamos tener
un generador de señales seleccionamos la opción “advanced” del cual aparecerá esta ventana.
Figura VI. Ventana de configuración de la fuente de voltaje
Si nos detallamos hay cuatro partes:
 Functions: En esta opción podemos seleccionar que tipo de señal se quiere como la onda cuadrada
que se pude configurara diente de cierra o triangular, la señal seno, exponencial, la PWL que se
comporta como vector o un archivo con una tabla con los valores deseados tanto como el punto en el
tiempo como el valor de voltaje en tal punto. En nuestro caso trabajaremos con la fuente sinusoidal,
403
en ella apare los valores comunes como fase, frecuencia, amplitud y nivel DC en caso de que solo se
pango solo unos valores el LTspice configura automáticamente los demás valores en cero.
 DC Value: es la asignación para la fuente DC
 Small Signal AC Analysis (AC): es para realizar el análisis AC de un circuito como el bode o la fase
 Parasitic Properties: en caso de aplicación más avanzada se ponen valores de capacitancias o
resistencias natas en las fuentes, esto con el fin de hacer más próxima la simulación a la realidad.
Ya con el circuito configurado proseguimos a seleccionar la opción de correr, con esto se entra a la
configuración para seleccionar como vamos a hacer la simulación.
Figura VII. Ventana de configuración de la simulación.
En ellas encontrar simulación en el tiempo, análisis en AC, barrido en DC, ruido, entre otras, para este
caso usamos el de a primera, de ahí se desprende varias opciones, en “stop time” decimos hasta que
instante del tiempo t vamos a parar, LTspice reconoce la nomenclatura de ingeniería, es decir:
- p =pico (*10-12)
- n = nano (*10-9)
- u = micro (*10-6)
- m = mili (*10-3)
- k = kilo (*103)
- M = mega (*106)
En la segunda casilla veremos “time to start saving data” so no se pone ningún valor el automáticamente
el guarda desde el valor cero y por ultimo está el “máximum timestep” es el número de datos que
tomara, si no se pone valor el número de muestras será tantas como el programa considere necesario,
decimos “ok” surgirá una ventana negra por defecto y nos mostrara el eje del tiempo.
404
Figura VIII. Ventana de respuesta en el tiempo.
Si se coloca el mouse sobre un nodo veremos el voltaje y sobre un componente nos mostrara la corriente
si se desea se pude ver varias señales a la vez, ahora si se quiere ver los datos de la señal como la
frecuencia o el voltaje en un punto determinado hacemos clic sobre el nombre de la señal y se abría un
cuadro de diálogo con un par de cursores sobre la señal, dependiendo del lugar de los cursores dará
datos diferentes.
405
Figura IX. Ventana de información de la señal.
Si se quiere conseguir información como el RMS de la señal o el valor medio lo único que toca hacer es el
mismo procedimiento anterior con la diferencia de incluir CONTROL + clic sobre la señal y abrirá otro
cuadro con esa información.
Figura X. Ventana valor RMS y DC.
406
Por último es hallar los valores de fase y amplitud para encontrar el factor de potencia, eso se hace por
la herramienta “fast fourier transform” (FFT), se selecciona haciendo clic derecho sobre el diagrama en el
tiempo.
Figura XI. Ventana valor RMS y DC.
Selecciona n “view” FFT, se abrirá la ventana que se ve en la siguiente figura.
407
Figura XII. Ventana FFT.
Escogemos la señal que se desea ver, le número de puntos si deseaos mejorar la resolución si no dejar
ese valor sin modificar, damos ‘’OK’’ y a continuación veremos la señal en FTT.
Figura XIII. FFT de la señal.
Con esto lo único faltante es ver la amplitud y la fase en el primer armónico, igual que en el caso de la
señal en el tiempo, hachemos clic en el nombre y tendremos los cursores y veremos los datos que nos
interesan.
408
Figura XIV. Ventana cursor en FFT.
4. BIBLIOGRAFÍA
[1] NOTAS DE CLASE. Electrónica de Potencia. 2013.
409
PRÁCTICA # 1 – PARTE A
CARÁCTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN: DIODOS
410
1. INTRODUCCIÓN
El diodo es el dispositivo semiconductor más simple que se utiliza en la construcción de rectificadores

eléctricos. Su función es permitir el flujo de corriente de manera unidireccional, permitiendo así la
conversión de voltaje AC en voltaje DC. Existen muchos tipos distintos de diodos, cada uno con
características y usos especiales que los diferencian entre sí. En esta práctica trataremos los diodos de
propósito general y los diodos fast recovery.
2. OBJETIVOS
Objetivo general
Identificar y explicar el comportamiento eléctrico de diodos semiconductores a partir de la

experimentación, la medición de parámetros eléctricos y el análisis de la teoría asociada a dos tipos
distintos de diodo.
Diferenciar el comportamiento eléctrico de un diodo de propósito general y un diodo fast recovery.

Identificar los rangos de frecuencia en los que cada uno de los diodos a ensayar presenta el
comportamiento esperado para el dispositivo.
Establecer diferencias entre medición con multímetro y medición con osciloscopio.
3. MARCO TEÓRICO
Aspectos generales
El diodo se forma de la unión de dos materiales semiconductores, uno de dopado tipo P y otro de
dopado tipo N. Cada una de estas regiones está conectada a una terminal eléctrica, la terminal
conectada a la región tipo P (portadores mayormente de carga positiva) se llama ánodo, y la terminal
conectada a la región tipo N se conoce como cátodo. La representación esquemática del diodo y sus
terminales corresponde como se muestra a continuación:
411
Figura 3.1. Terminales del diodo
Los diodos, en su región de operación se rigen por la ecuación de Shockley, la cual relaciona las variables
del comportamiento eléctrico del diodo de la siguiente manera:
𝑉𝐷
⁄𝑛𝑉
𝐼𝐴𝐾 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑇 − 1) (1)
Dónde:
 𝐼𝐴𝐾 es la intensidad de corriente ánodo-cátodo

 𝑉𝐷 es la diferencia de potencial entre las terminales del diodo
 𝐼𝑆 es la corriente de saturación del diodo. Para el Silicio, aproximadamente 10−12 𝐴.
 𝑛 es el coeficiente de emisión. Es una característica del material semiconductor y el proceso de
fabricación. Sus valores típicos son 1 para el germanio y 2 para el silicio
𝑘𝑇
 𝑉𝑇 es el voltaje térmico, determinado por la ecuación 𝑉𝑇 = 𝑞
donde 𝑘 es la constante de
Boltzmann, 𝑇 es la temperatura absoluta de la unión y 𝑞 es la carga elemental de un electrón.
El objetivo del diodo es permitir el paso de corriente solo en un sentido, para lo cual debe eliminarse la
región de agotamiento de la unión. Para hacer esto, se establece un potencial eléctrico entre las
terminales del diodo, mayor en el ánodo que en el cátodo. Esto hace que la región de agotamiento
desaparezca debido a la presencia del potencial eléctrico, el cual hace que las cargas del semiconductor
se reorganicen. El potencial eléctrico necesario para eliminar la región de agotamiento se conoce como
voltaje de umbral. Para un diodo de propósito general, este potencial se encuentra entre los 0.7 V y los
2.5 V.
Una vez el diodo se encuentra activado, se puede dar la conducción de corriente a través del dispositivo,
la cual dependerá del potencial entre ánodo y cátodo, de acuerdo con la ecuación de Shockley.
Para que el diodo vuelva a su estado inicial, partiendo del hecho que se encontraba previamente en
conducción, es necesario pasar por una serie de procesos. El primero de ellos es reducir a cero la
corriente a través del diodo. Hecho esto, el diodo se encontrará polarizado, es decir sin región de
agotamiento.
Para que el diodo restablezca su región de agotamiento, es necesario deshacerse del exceso de carga
presente en la unión, este proceso genera un flujo de corriente en dirección opuesta a la de conducción
del diodo, por lo que se conoce como corriente de recuperación en inverso. Esto es un proceso
transitorio que determina la velocidad del diodo.
412
Figura 3.2. Proceso de recuperación en inverso del diodo
La recuperación en inverso del diodo se caracteriza por dos parámetros. La corriente de recuperación en
inverso o 𝑰𝒓𝒓 corresponde al valor máximo de la corriente que se genera en la transición de recuperación
en inverso, su dirección es opuesta a la de la corriente de conducción del diodo; el tiempo de
recuperación en inverso 𝒕𝒓𝒓 es el tiempo que transcurre desde que la corriente de conducción del diodo
de hace cero, hasta que la corriente en inverso es el 10 % de la 𝑰𝒓𝒓 .
Este tiempo de recuperación en inverso depende de la cantidad de carga que se recombina en la unión,
lo que también se ve reflejado en la capacitancia de la juntura del diodo.
Diodo de propósito general
El diodo de propósito general es la versión más simple del diodo semiconductor. Se constituye de una
unión PN de materiales semiconductores fuertemente dopados. Cada pieza de material semiconductor
presenta una alta densidad de portadores de carga los cuales, al ser de carga opuesta, se ven atraídos
hacia la región donde se unen los materiales, lo que genera una zona de vaciamiento o carga nula. El
ancho de la región de vaciamiento depende de los niveles de dopaje de los semiconductores.
Figura 3.3. Formación de región de agotamiento
413
Este diodo es el más común del mercado y el de más bajo precio, debido a la facilidad de su proceso de
fabricación. Este proceso trae consigo ciertas características no deseadas que serán objeto de análisis en
el presente laboratorio.
Diodo fast recovery
El diodo de recuperación rápida o diodo fast recovery por su nombre en inglés es un diodo con un
proceso de fabricación diferente al diodo de propósito general. En el diodo de recuperación rápida el
dopaje de las regiones semiconductoras se hace de manera gradual, siendo menos intenso el dopaje
entre más se acerca el semiconductor a la zona donde se hará la juntura, eso ocasiona que la cantidad de
carga disponible en la región de agotamiento sea menor y, por ende, el tamaño de dicha región.
El cambio en la concentración de portadores de carga en la zona de agotamiento y el consiguiente

adelgazamiento de la misma permiten que la transición entre estado de conducción y estado de no
conducción tome menos tiempo. Es decir, el diodo es más rápido que el diodo de propósito general.
Los diodos fast recovery se elaboran por medio de un proceso denominado Biselado por difuminación,
en donde al bloque semiconductor se le da dopaje de manera gradual a medida que se acerca a la zona
de juntura. Esto ocasiona que la cantidad de impurezas disponibles para formar la región de agotamiento
sea mucho menor que en el diodo de propósito general, lo que a su vez ocasiona que la capacitancia de
juntura sea menor y, por ende, el tiempo de recuperación del diodo. A continuación se muestra una
comparación gráfica de la diferencia de dopaje.
Figura 10.4. Diferencia de construcción de diodos
Si bien la tecnología de elaboración del diodo fast recovery es más compleja que la del diodo de
propósito general, los altos volúmenes de producción que demandan para estos diodos han hecho que
los procesos se abaraten al punto de que ambos dispositivos tienen el mismo precio al consumidor en el
mercado.
La tabla siguiente ilustra algunas características que pueden llegar a tener los diodos de propósito
general y los diodos fast recovery. No necesariamente una sola referencia de diodo cumple todas las
características mencionadas a continuación, sino que son características que se han observado dentro de
cada familia de diodos
414
Parámetro Diodo de propósito general Diodo fast recovery
Tiempo de recuperación en inverso 25 µs 4 ns
Tensión en directo mínima 0.3 V 370 mV
Máxima tensión en inverso 50 kV 6 kV
Definiciones
Generador de funciones: Dispositivo electrónico capaz de producir diferentes formas de onda

eléctricas, tales como sinodal, triangular, cuadrada, entre otras. También permite modificar parámetros
adicionales de la forma de onda tales como ciclo útil, nivel DC, amplitud, frecuencia, etc.
Multímetro: Instrumento de medición de mano simple y efectivo, especialmente para tomas de

datos en DC. Posee la capacidad de medir en AC, hasta ciertos niveles de frecuencia y variables eléctricas
propias de los dispositivos electrónicos (resistencia, capacitancia, inductancia, etc.), dependiendo del
equipo particular.
Osciloscopio: Instrumento de medición más utilizado en baja y media frecuencia. Posee la

capacidad de visualizar señales eléctricas y, en el caso de los osciloscopios digitales, permite efectuar
diferentes mediciones de la señal visualizada, tales medidas van desde niveles máximos y mínimos de
tensión, hasta porcentaje de distorsión armónica.
Resistencia eléctrica: Elemento discreto cuya función es limitar el paso de corriente en un circuito
eléctrico. La disipación de potencia en este dispositivo genera calor.
Tiempo de recuperación en inverso: intervalo de tiempo que requiere un diodo para hacer la
transición entre el estado de conducción y el estado de no conducción ocasionado por la polarización
inversa del elemento.
1 Diodo 1N4004
1 Diodo 1N4148
415
1 Resistencia 1kΩ a 1⁄2 W
1 Multímetro
5. PROCEDIMIENTO DEL LABORATORIO
SIMULACIÓN
DESARROLLO DE LA PRÁCTICA:
Diodo de propósito general
Realice el montaje mostrado a continuación (rectificador de media onda con carga resistiva) empleando
el diodo 1N4004.
Figura 3.5. Montaje con diodo 1N4004
Energice el circuito empleando una onda sinodal con frecuencias de valor: 60 Hz, 600 Hz, 6 kHz, 60 kHz,
600 kHz, 1 MHz y 3 MHz en cada caso. Seleccione la amplitud adecuada de la onda sinodal cuidando de
no exceder la potencia máxima disipada por la resistencia (1/2 W).
Para cada una de las frecuencias del generador de señales, mida, empleando tanto el osciloscopio como
el multímetro. Los valores DC y RMS de la tensión y la corriente en el generador y en la carga. En el caso
que se evidencie el fenómeno de recuperación en inverso, mida el tiempo de recuperación en inverso 𝑡𝑟𝑟
y la corriente de recuperación en inverso 𝐼𝑟𝑟 .
416
Nota: Para medir los valores de corriente, hágalo midiendo la diferencia de potencial sobre la resistencia
y el valor de resistencia exacto del dispositivo.
Diodo fast recovery
Empleando el diodo 1N4148 realice el montaje análogo al de la ilustración 3.6
Figura 2.6. Montaje con diodo 1N4148
Mida las variables eléctricas de la misma manera que con el diodo de propósito general. Consigne todas
las observaciones para compararlas con los cálculos, las simulaciones y las hojas de datos técnicos.
417
PRÁCTICA # 1 – PARTE B
RECTIFICADORES MONOFÁSICOS CARGA R
418
1. INTRODUCCIÓN
Un rectificador monofásico emplea diodos, o cualquier otro dispositivo rectificador, para convertir la
energía de una señal AC en DC. Este tipo de rectificación se conoce como rectificación no controlada.
Las cargas netamente resistivas se usan principalmente para modelar calefactores en la industria. Dichas
cargas no se suelen usar a nivel industrial con rectificadores monofásicos debido a su baja eficiencia,
pero son una herramienta de gran utilidad en el entendimiento del principio de funcionamiento y
método de análisis de rectificadores.
2. OBJETIVOS
Objetivo general
Estudiar el comportamiento de diferentes topologías de rectificador monofásico con carga resistiva.
Identificar las características eléctricas de rectificadores monofásicos con carga resistiva.

Analizar diferencias en la medición de parámetros eléctricos con osciloscopio y con
multímetro
Comparar los modelos analítico, de simulación y medición de laboratorio de rectificadores
monofásicos con carga resistiva.
3. MARCO TEÓRICO
Un rectificador es un tipo de circuito cuya función es convertir tensión AC en DC para poder aplicarla
sobre una carga. Uno de los dispositivos empleados en la elaboración de rectificadores es el diodo, el
cual permite el flujo de corriente desde la fuente solamente cuando el diodo está polarizado con un
potencial mayor en el ánodo que en el cátodo.
Rectificación de media onda
Figura 3.7. Modelo de rectificador de media onda con carga R.
419
El circuito se analiza a partir de sus diferentes momentos de operación.
Condiciones iniciales
Antes de entrar en funcionamiento el circuito, el diodo se encuentra desenergizado y, por tanto, se

comporta como un circuito abierto. El circuito equivalente para esta condición se presenta a
continuación.
Figura 3.8. Modelo de rectificador de media onda con carga R en condiciones iniciales.
Para esta condición, se tiene que la corriente a través del circuito es cero, lo que, por ley de Ohm, se
refleja en una tensión cero sobre la resistencia R de carga.
 Diodo polarizado
Cuando la fuente VAC toma valor superior a cero y hasta que vuelve a tomar dicho valor, el diodo entra
en operación y su comportamiento se puede modelar como un corto circuito. Dada esta condición, la
tensión sobre la resistencia será la misma tensión de la fuente y la corriente sobre a través de la
resistencia se puede determinar mediante la aplicación de la ley de Ohm.
0 ≤ 𝑤𝑡 ≤ 𝜋
𝑉𝑜 = 𝑉𝑓
𝑉𝑓 (𝑤𝑡)
𝑖(𝑤𝑡) = 𝑖𝑜 (𝑤𝑡) = 𝑖𝑓 (𝑤𝑡) =
𝑅
En el intervalo de tiempo comprendido entre π ≤ wt ≤ 2π. El diodo quedará en polarización inversa y, por
tanto, se volverá a comportar como un circuito abierto, cortando el flujo de corriente a través de la
resistencia de carga y, por lo tanto, haciendo que la tensión a la salida sea de cero Voltios.
La gráfica esperada de tensión de entrada contra tensión de salida en el rectificador se muestra en la

siguiente figura.
420
Figura 3.9. Formas de onda esperadas para entrada (azul) y salida (roja).
Dado que se trata de un rectificador con carga netamente resistiva, la forma de onda de la corriente de
salida, que es igual a la corriente de fuente, será igual a la de la tensión de salida, con el correspondiente
cambio en magnitud que se puede calcular empleando la ley de Ohm.
Figura3.10. Forma de onda de corrientes de fuente y salida contra tensión de entrada
Para medir la eficiencia de la metodología de rectificación se calcula la potencia DC real que llega a la
carga en relación a la potencia ideal que se quisiera disipar en la carga.
 Análisis de potencia DC ideal en la carga
1 𝜋 𝑉𝑃 𝑉𝑃
𝑉𝑜𝐷𝐶 = ∫ 𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛(𝑤𝑡)𝑑𝑤𝑡 = (𝐶𝑜𝑠(0) − 𝐶𝑜𝑠(𝜋)) =
2𝜋 0 2𝜋 𝜋
421
𝑉𝑜𝐷𝐶 𝑉𝑃
𝑖𝑜𝐷𝐶 = =
𝑅 𝜋𝑅
𝑉𝑃2
𝑃𝑜𝐷𝐶 = 𝑉𝑜𝐷𝐶 ∗ 𝑖𝑜𝐷𝐶 = 2
𝜋 𝑅
 Análisis de potencia DC real en la carga
Para analizar la potencia DC real en la carga, empleamos el valor RMS de la señal sobre la carga
1⁄ 1⁄
1 𝜋 2 2 𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛(0) 𝑆𝑒𝑛(2𝜋) 2 𝑉𝑃
𝑉𝑜𝐴𝐶 = ( ∫ 𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛2 (𝑤𝑡)𝑑𝑤𝑡) = (𝜋 − 0 + − ) =
2𝜋 0 2 2 2 2
𝑉𝑜𝐴𝐶 𝑉𝑃
𝑖𝑜𝐴𝐶 = =
𝑅 2𝑅
𝑉𝑃2
𝑃𝑜𝐴𝐶 = 𝑉𝑜𝐴𝐶 ∗ 𝑖𝑜𝐴𝐶 =
4𝑅
La eficiencia en la carga se calcula dividiendo la potencia real en la carga sobre la potencia ideal
𝑉𝑃2⁄
𝑃𝑜𝑏𝑗𝑒𝑡𝑖𝑣𝑜 2 4
𝜂𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = = 2 𝜋 𝑅 = 2 = 0.405 = 40.5 %
𝑃𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 𝑉𝑃 ⁄ 𝜋
4𝑅
En cuanto a la eficiencia de entrada-salida, esta se calcula teniendo en cuenta la potencia objetivo en la
carga y la potencia total que entra al sistema.
𝑃𝑜𝑏𝑗 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑃𝑜𝐷𝐶 𝑃_𝑜𝐷𝐶
𝜂𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎−𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎 = = =
𝑃𝑡𝑜𝑡 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 𝑆𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 𝑖𝑓𝑅𝑀𝑆 ∗ 𝑉𝑓𝑅𝑀𝑆
𝑉𝑃
𝑖𝑓𝑅𝑀𝑆 = 𝑖𝑜𝐴𝐶 =
2𝑅
𝑉𝑃
𝑉𝑓𝑅𝑀𝑆 =
√2
𝑉𝑃2⁄
𝜋2𝑅 2√2
𝜂𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎−𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎 = = 2 = 0.2865 = 28.65 %
𝑉 𝑉 𝜋
( 𝑃⁄2𝑅 ) ( 𝑃⁄ )
√2
422
Rectificación con tap central
Figura 3.11 Esquema de rectificación de onda completa con tap central
Se hace un análisis similar al desarrollado para el rectificador de media onda, a partir de diferentes
intervalos de tiempo
 Condiciones iniciales
Cuando el circuito se encuentra sin energizar, los diodos no se polarizan y, por tanto, se comportan como
un circuito abierto. Esto ocasiona que la corriente a través de la carga sea nula, lo que implica ausencia
de tensión entre sus terminales.
 Semiciclo positivo
En el intervalo comprendido entre0 ≤ wt ≤ π se polariza en directo el diodo D1 y en inverso el diodo D2,

por lo que se establece un camino cerrado para que fluya corriente a través de la carga R.
Figura 3.12. Semiciclo positivo en rectificación con tap central.
En este semiciclo, la rectificación hará que la tensión sobre la carga sea a misma que a la salida del
transformador, entre un punto extremo y el tap central. La ubicación del potencial hará que la corriente
fluya desde el extremo del transformador, atraviese la resistencia y retorne por el tap.
423
 Semiciclo negativo
Para este segundo semiciclo, el cambio de polaridad hace que el diodo D1 quede polarizado en inverso,
mientras que el diodo D2 queda polarizado en directo
Figura 3.13. Semiciclo negativo en rectificación con tap central.
En ambos semiciclos se tiene que la corriente atraviesa la resistencia en la misma dirección, lo que se
traduce en que la tensión sobre dicho componente tendrá siempre la misma polaridad. Debe resaltarse
que en cada semiciclo, la fuente de tensión es una combinación diferente de extremo y tap, por lo que
deben considerarse como fuentes separadas.
Figura 3.14. Forma de onda esperada de entrada (arriba - azul), I secundario 2 (centro – verde), I
secundario 1 (centro - azul), V salida (abajo - roja) e I salida (abajo – azul) para rectificador con tap
central.
424
Se analiza la potencia DC objetivo y la obtenida para el sistema.
2 𝜋 𝑉𝑃 2𝑉𝑃
𝑉𝑜𝐷𝐶 = ∫ 𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛(𝑤𝑡)𝑑𝑤𝑡 = (𝐶𝑜𝑠(0) − 𝐶𝑜𝑠(𝜋)) =
2𝜋 0 𝜋 𝜋
𝑉𝑜𝐷𝐶 2𝑉𝑃
𝑖𝑜𝐷𝐶 = =
𝑅 𝜋𝑅
4𝑉𝑃2
𝑃𝑜𝐷𝐶 = 𝑉𝑜𝐷𝐶 ∗ 𝑖𝑜𝐷𝐶 = 2
𝜋 𝑅
Para la potencia AC
𝑉𝑃
𝑉𝑜𝐴𝐶 = 𝑉𝑓𝑅𝑀𝑆 =
√2
𝑉𝑜𝐴𝐶 𝑉𝑃
𝑖𝑜𝐴𝐶 = =
𝑅 𝑅√2
𝑉𝑃2
𝑃𝑜𝐴𝐶 = 𝑉𝑜𝐴𝐶 ∗ 𝑖𝑜𝐴𝐶 =
2𝑅
Se calcula la eficiencia en la carga
4𝑉𝑃2
𝑃𝑜𝐷𝐶 𝜋 2 𝑅 8
𝜂𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = = 2 = 2 = 0.8105 = 81.05 %
𝑃𝑜𝐴𝐶 𝑉𝑃 𝜋
2𝑅
Se calcula la eficiencia entrada-salida
𝑆𝑠𝑎𝑙 = 𝑖𝑓𝐴𝐶 ∗ 𝑉𝑓𝐴𝐶
𝑉𝑃 𝑉𝑃 𝑉𝑃2
𝑆𝑠𝑎𝑙 = ∗ =
2𝑅 √2 2𝑅√2
4𝑉𝑃2
𝑃𝑜𝐷𝐶 2 4√2
𝜂𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎−𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎 = = 𝜋 𝑅2 = 2 = 0.5731 = 57.31 %
2 ∗ 𝑆𝑠𝑎𝑙 𝑉 𝜋
2∗ 𝑃
2𝑅√2
Rectificador tipo puente
Este rectificador utiliza u puente de diodos para eliminar la necesidad del uso del tap central del
transformador
425
Figura3.15. Topología de rectificador con puente de diodos.
Durante el semiciclo positivo se activan los diodos D1 y D4, y se forma un camino cerrado para la
corriente en dirección de las agujas del reloj, como se muestra en la siguiente figura.
Figura 3.16. Comportamiento durante semiciclo positivo de circuito rectificador con puente
Durante el semiciclo negativo se activan los diodos D2 y D3, y al corriente fluye en sentido contrario a las
agujas del reloj.
426
Figura3.17. Comportamiento durante semiciclo negativo de circuito rectificador con puente.
Las características de forma de onda son exactamente iguales que las del rectificador con tap central, por
lo que se puede remitir a los resultados del numeral 2 en términos de la eficiencia en la carga, mas no
para la eficiencia de entrada salida.
Dado a que no se utiliza el tap central del transformador. La función que modela la entrada del sistema
difiere respecto a la del rectificador con tap. Dado esto, se calcula la eficiencia entrada-salida para esta
configuración
4𝑉𝑃2
𝑃𝑜𝐷𝐶 2 8
𝜂𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎−𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎 = = 𝜋 𝑅 = 2 = 0.8105 = 81.05 %
𝑆𝑜𝑢𝑡 𝑉𝑃 𝑉𝑃 𝜋
𝑅√2 √2
Para el caso del rectificador con puente de diodos. Se logró igualar la eficiencia en la carga con la
eficiencia entrada-salida.
Definiciones
Rectificador: Circuito eléctrico cuya función es convertir la energía de una onda AC en DC por
medio de diferentes dispositivos, entre los que se encuentran los diodos semiconductores.
Transformador: Dispositivo eléctrico que, a través de la interacción de inductancias acopladas

magnéticamente, permite elevar o reducir el nivel de tensión de una onda AC.
Eficiencia: Relación entre la potencia convertida o aprovechada en un circuito y la potencia que

se quisiera idealmente que fuera convertida y aprovechada.
427
Factor de potencia: Relación entre la potencia aparente y la potencia real consumida en un
circuito eléctrico.
1 Transformador con tap central de entrada 120 V 60 HZ y salida 9 V – 0 V – 9 V

Diodos de propósito general 1N4004
1 Resistencia 1 kΩ a ½ W
3.2 Equipos necesarios
1 Multímetro
SIMULACION
DESARROLLO DE LA PRÁCTICA
Rectificador de media onda
Monte el siguiente rectificador de media onda.
428
Figura 3.18. Rectificador de media onda con carga R
A continuación observe, anote y mida las diferentes variables eléctricas de entrada y salida en valores
RMS y DC, así como la forma de onda vista en el osciloscopio. Compare los datos medidos y calculados
con simulaciones y teoría.
Rectificador de onda completa con tap central
Monte el rectificador de onda completa con tap central, como se muestra a continuación.
Figura 3.19. Rectificador de onda completa con tap central y carga R
A continuación observe, anote y mida las diferentes variables eléctricas de entrada (en cada secundario)
y salida en valores RMS y DC, así como la forma de onda vista en el osciloscopio. Compare los datos
medidos y calculados con simulaciones y teoría.
Rectificador de onda completa tipo puente
El circuito mostrado a continuación corresponde a un rectificador de onda completa tipo puente:
429
Figura 3.20. Rectificador de onda completa tipo puente con carga R
A continuación observe, anote y mida las diferentes variables eléctricas de entrada y salida en valores
RMS y DC, así como la forma de onda vista en el osciloscopio. Compare los datos medidos y calculados
con simulaciones y teoría.
ASPECTOS A EVALUAR EN EL INFORME DE LABORATORIO
Marco teórico: Tipos de Diodos PG y FR, y recuperación inversa del diodo (𝒕𝒓𝒓 ,𝑰𝒓𝒓 ).
Marco teórico: Funcionamiento y Características reales del Multímetro, Sondas atenuadas, Osciloscopio.
Marco teórico rectificadores carga R: ½ onda, onda completa Tap central y onda completa tipo Puente.
Cálculos teóricos completos Rectificadores carga R, 𝑉𝑜𝐷𝐶 , 𝐼𝑜𝐷𝐶 , 𝑃𝑜𝐷𝐶 , 𝑉𝑜𝐴𝐶 , 𝐼𝑜𝐴𝐶 , 𝑃𝑜𝐴𝐶 , 𝐼𝑓𝑅𝑀𝑆 , 𝑆𝑒𝑛𝑡 ,
ηcarga, η𝑒𝑛𝑡𝑠𝑎𝑙 =TUF.
Datasheet: Diodos Usados en el LAB o tabla datos obtenidos en el datasheet: 𝒕𝒓𝒓 ,𝑰𝒓𝒓 .
Simulaciones parte A, características del diodo gráficas y datos simulación 𝒕𝒓𝒓 ,𝑰𝒓𝒓 .
Simulaciones parte B, Graficas y datos simulación, 𝑉𝑜𝐷𝐶 , 𝑉𝑜𝐴𝐶 …etc.
Laboratorio: parte A gráficas y datos medidos 𝒕𝒓𝒓 ,𝑰𝒓𝒓 .
Laboratorio: parte B gráficas y valores medidos 𝑉𝑜𝐷𝐶 , 𝑉𝑜𝐴𝐶 .
Parte A: Análisis de resultados y comparación recuperación inversa
𝒕𝒓𝒓 : Simulación-osciloscopio-datasheet.
430
𝑰𝒓𝒓 : Simulación-osciloscopio-datasheet.
Comparación características diodo fast-recovery y diodo de propósito general.
Parte B: Análisis de resultados y comparación rectificadores carga R
𝑉𝑜𝐷𝐶 : Multímetro-simulación-osciloscopio.
𝑉𝑜𝐴𝐶 : Multímetro-simulación-osciloscopio.
TUF: Práctica-simulación-cálculos.
Análisis y argumentación limitaciones en el funcionamiento del multímetro: comparación Datos

laboratorio y marco teórico.
Análisis y argumentación limitaciones en el funcionamiento de las sondas atenuadas y el osciloscopio,

comparación Datos laboratorio y marco teórico.
Bibliografía y uso de las referencias bibliográficas en el documento.
6. BIBLIOGRAFÍA
431
PRÁCTICA 3.2
RECTIFICADORES MONOFÁSICOS: CARGA RC
432
1. INTRODUCCIÓN
Las cargas RC en paralelo son usadas comúnmente en el diseño de filtros para señales. Sin embargo, son
también utilizadas en la industria eléctrica para el diseño de varios circuitos cuya función principal es
evitar los estados transitorios de tensión en sistemas eléctricos, estos circuitos reciben el nombre de
Snubbers. En cuanto a rectificación, las cargas RC son efectivas para evitar cambios bruscos de tensión a
la salida.
2. OBJETIVOS
Objetivo general
Caracterizar el comportamiento eléctrico de rectificadores monofásicos con carga RC y estudiar sus

similitudes y diferencias respecto a modelos analíticos y de simulación.
Observar las características eléctricas de rectificadores monofásicos con carga RC, para diferentes
configuraciones de carga.
Establecer diferencias entre parámetros eléctricos medidos con multímetro y con osciloscopio.
Estudiar diferentes topologías de rectificación no controlada.
3. MARCO TEÓRICO
Rectificador monofásico de media onda carga RC
La utilización de un rectificador de media onda con un condensador en paralelo con la

resistencia de carga permite obtener un valor medio de la tensión de salida v0(t) mayor que en
el caso de un rectificador de media onda con carga puramente resistiva. La figura 2.21 muestra
la estructura de este tipo de circuito.
433
Figura 3.21. Rectificador de media onda carga RC
Cuando el diodo se encuentra polarizado en directo, el circuito RC pedirá corriente a la fuente

de alimentación, siempre y cuando la tensión de esta sea mayor a la tensión en la carga RC. Si
esto sucede, el condensador empezará a cargarse con la onda de tensión sinodal, al quedar la
fuente en paralelo con la carga RC, la tensión a la salida será la misma que a la entrada.
Para este intervalo tenemos
𝑉𝑂 (𝜔𝑡) = 𝑉𝐶 (𝜔𝑡) = 𝑉𝑓 (𝜔𝑡) = 𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)
Para la corriente se tienen dos casos, uno para la corriente a través de la resistencia y otro para
la corriente a través del condensador. Las ecuaciones que los modelan son las siguientes.
𝑉𝑂 (𝜔𝑡) 𝑉𝑃
𝐼𝑂 (𝜔𝑡) = 𝐼𝑅 (𝜔𝑡) = = 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)
𝑅 𝑅
𝑑𝑉𝐶 (𝜔𝑡) 𝑑𝑉𝑓 (𝜔𝑡)

𝐼𝐶 (𝜔𝑡) = 𝐶 = 𝜔𝐶 = 𝜔𝐶𝑉𝑃 𝐶𝑜𝑠(𝜔𝑡)
𝑑𝑡 𝑑𝑡
A la expresión 𝜔𝐶𝑉𝑃 𝜔𝐶𝑉𝑃 𝐶𝑜𝑠(𝜔𝑡) se denomina InrushPeak, corresponde al sobrepico de

corriente al inicio del semiciclo que, como se puede apreciar, puede ser muy alto en
determinados casos y es mayor cuando 𝜔𝑡 = 0.
A partir de las corrientes de los dos componentes pasivos, se determina la corriente de la fuente
simplemente sumando estas dos cantidades.
434
𝑉𝑃
𝐼𝑓 (𝜔𝑡) = 𝐼𝐶 (𝜔𝑡) + 𝐼𝑅 (𝜔𝑡) = 𝜔𝐶𝑉𝑃 𝐶𝑜𝑠(𝜔𝑡) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)
𝑅
Luego del instante 𝜔𝑡 = 𝜋⁄2, la tensión de la fuente empezará a descender hasta un punto en
el que será menor que la tensión en el condensador. Cuando esto suceda, el diodo quedará
polarizado en inverso y el condensador se descargará a través de la resistencia, como se
muestra a continuación.
Figura3.22. Descarga de condensador en rectificador de media onda
Para determinar este instante de tiempo, empleamos la ecuación de corriente del diodo, la cual
será igualada a cero, ya que el mismo se encuentra polarizado en inverso.
𝐼𝐷 (𝜔𝑡 = 𝜃) = 𝐼𝐶 (𝜔𝑡 = 𝜃) + 𝐼𝑅 (𝜔𝑡 = 𝜃) = 0
𝑉𝑃
𝜔𝐶𝑉𝑃 𝐶𝑜𝑠(𝜃) + 𝑆𝑒𝑛(𝜃) = 0
𝑅
𝜔𝑅𝐶𝐶𝑜𝑠(𝜃) + 𝑆𝑒𝑛(𝜃) = 0
𝑆𝑒𝑛(𝜃)
−𝜔𝑅𝐶 = = 𝑡𝑎𝑛(𝜃)
𝐶𝑜𝑠(𝜃)
𝜃 = tan−1(−𝜔𝑅𝐶) = 𝜋 − tan−1(𝜔𝑅𝐶)
De donde 𝜋⁄2 < 𝜃 < 𝜋
A partir de este momento, y con las condiciones iniciales del circuito, en el circuito de descarga,
el condensador se va a comportar como una fuente de tensión que se descarga a través de la
resistencia, lo que permite calcular las formas de onda de la tensión y la corriente de salida.
435
𝑑𝑉𝐶 𝑉𝐶 𝑡
𝐶 + = 0 → 𝑉𝐶 𝑒 − ⁄𝜏
𝑑𝑡 𝑅
Condiciones iniciales: 𝑉𝐶 (𝜔𝑡 = 𝜃) = 𝑉𝑝𝑆𝑒𝑛(𝜃)
𝜔𝑡−𝜃
−( )
𝑉𝐶 (𝜔𝑡) = 𝑉𝑂 (𝜔𝑡) = 𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛(𝜃)𝑒 𝑤𝜏
𝑉𝑅 𝑉𝑃 𝜔𝑡−𝜃
−( )
𝐼𝑂 (𝜔𝑡) = 𝐼𝑅 (𝜔𝑡) = −𝐼𝐶 (𝜔𝑡) = = 𝑆𝑒𝑛(𝜃)𝑒 𝑤𝜏
𝑅 𝑅
Este comportamiento se mantiene durante todo el semiciclo negativo, en el que el condensador

se sigue descargando. Si al finalizar el ciclo negativo, el condensador no se ha descargado
completamente, se hace necesario calcular el punto donde se van a cruzar la descarga del
condensador y el nuevo semiciclo positivo de la fuente. Este punto se conoce como 𝛼 y se
calcula de la siguiente manera:
Primero se calcula la tensión del condensador al finalizar el semiciclo negativo de la fuente de

tensión. Para esto se calcula el valor de Vc en el instante 𝜔𝑡 = 2𝜋, y si este valor es mayor que
cero, se procede al cálculo del parámetro 𝛼 igualando la tensión de la fuente con la tensión del
condensador en descarga, en dicho instante 𝛼.
𝛼+2𝜋−𝜃
−( )
𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛(𝜃)𝑒 𝑤𝜏 = 𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛(𝛼)
Este valor de determina por iteración y métodos numéricos, sea manualmente o con
calculadora.
Una vez hallados todos los valores, se pueden bosquejar las formas de onda del circuito.
436
Figura 3.23. Vin (azul) contra Vout (rojo) en rectificador de media onda carga RC
Figura 3.24. Vin (azul), If (morado), Ic (verde) e IR (rojo) para el rectificador de media onda con carga RC.
Los parámetros eléctricos se calculan de la siguiente manera:
1 𝜃 1 𝛼+2𝜋 𝜔𝑡−𝜃
𝑉𝑂𝐷𝐶 = ∫ 𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡 + ∫ 𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)𝑒 −( 𝑤𝜏 ) 𝑑𝜔𝑡
2𝜋 𝛼 2𝜋 𝜃
𝑉𝑅𝐷𝐶 𝑉𝑂𝐷𝐶
𝐼𝑂𝐷𝐶 = =
𝑅 𝑅
𝑃𝑂𝐷𝐶 = 𝑉𝑂𝐷𝐶 ∗ 𝐼𝑂𝐷𝐶
1
1 𝜃
1 𝛼+2𝜋 𝜔𝑡−𝜃 2 2
2 −( )
𝑉𝑂𝐴𝐶 = ( ∫ (𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)) 𝑑𝜔𝑡 + ∫ (𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)𝑒 𝑤𝜏 ) 𝑑𝜔𝑡)
𝑉𝑅𝐴𝐶 𝑉𝑂𝐴𝐶
𝐼𝑂𝐴𝐶 = =
𝑅 𝑅
437
𝑃𝑂𝐴𝐶 = 𝑉𝑂𝐴𝐶 ∗ 𝐼𝑂𝐴𝐶
Con estos valores se pueden calcular las eficiencias del circuito.
𝑃𝑜𝑏𝑗𝑒𝑡𝑖𝑣𝑜 𝑃𝑂𝐷𝐶
𝜆𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = =
𝑃𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 𝑃𝑂𝐴𝐶
𝑃𝑂𝐷𝐶
𝜆𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎−𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎 =
𝑆𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎
De donde se calcula 𝑆𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 de la siguiente manera:
𝑉𝑃
𝑆𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 = 𝑖𝑓𝑅𝑀𝑆 ∗ 𝑉𝑓𝑅𝑀𝑆 = 𝑖𝑓𝑅𝑀𝑆 ∗
√2
Donde 𝑖𝑓 es al corriente que suministra la fuente, es decir, en el intervalo 𝛼 ≤ 𝜔𝑡 ≤ 𝜃. Por lo

que se define.
1
𝜃 2 2
1 𝑉𝑃
𝑖𝑓𝑅𝑀𝑆 = ( ∫ (𝜔𝐶𝑉𝑃 𝐶𝑜𝑠(𝜔𝑡) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)) 𝑑𝜔𝑡)
2𝜋 𝛼 𝑅
Con lo que se concluye
1
𝜃 2 2
1 𝑉𝑃 𝑉𝑃
𝑆𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 = ( ∫ (𝜔𝐶𝑉𝑃 𝐶𝑜𝑠(𝜔𝑡) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)) 𝑑𝜔𝑡) ∗
2𝜋 𝛼 𝑅 √2
El factor de potencia se calcula de la siguiente manera
438
𝑃𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 𝑖𝑓𝑅𝑀𝑆
𝐹𝑃 = = 𝐶𝑜𝑠(𝜙)
𝑆𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 𝐼𝑓𝑅𝑀𝑆
Se puede calcular los valores de la corriente y el ángulo de la potencia real empleando la
transformada de Fourier
𝑐1
𝑖𝑓𝑅𝑀𝑆 = ⁄ Donde 𝑐1 = √𝑎12 + 𝑏12
√2
𝑎
𝜙 = tan−1 ( 1⁄𝑏 )
1
Para esto se definen los valores de a1 y b1.
2 𝜃 𝑉𝑃
𝑎1 = ∫ (𝜔𝐶𝑉𝑃 𝐶𝑜𝑠(𝜔𝑡) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)) 𝐶𝑜𝑠(𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡
2𝜋 𝛼 𝑅
2 𝜃 𝑉𝑃
𝑏1 = ∫ (𝜔𝐶𝑉𝑃 𝐶𝑜𝑠(𝜔𝑡) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)) 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡
2𝜋 𝛼 𝑅
Rectificador monofásico de onda completa con carga RC
439
Figura 3.25. Rectificadores de onda completa. Con tap central (arriba) y tipo puente (abajo)
Tanto la topología de tap central como la topología tipo puente presentan la misma señal a la
salida, ya que en ambos casos se rectifican los dos semiciclos de la señal AC de la entrada. La
diferencia radica en que, para el rectificador con tap central se debe considerar la corriente de
cada uno de los secundarios de manera independiente, a diferencia del rectificador tipo puente.
Para ambos casos, es valor de 𝛼 se calcula de la misma manera. De manera similar al de media
onda, con la diferencia que el valor se encontrará entre después de π, en lugar de después de
2π.
𝛼+𝜋−𝜃
−( )
𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛(𝜃)𝑒 𝜔𝜏 − 𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛(𝛼) = 0
Figura 3.26. Tensión de entrada (azul) y tensión de salida (rojo) para rectificador de onda completa con
carga RC
440
Figura3.27. Corriente de condensador (verde) y corriente de salida (rojo) contra tensión de fuente (azul)
para rectificador de onda completa carga RC
Este nuevo valor de 𝛼 hace que cambie la manera como se calculan los parámetros del circuito.
1 𝜃 1 𝛼+𝜋 𝜔𝑡−𝜃
𝑉𝑂𝐷𝐶 = ∫ 𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡 + ∫ 𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)𝑒 −( 𝑤𝜏 ) 𝑑𝜔𝑡
𝑉𝑅𝐷𝐶 𝑉𝑂𝐷𝐶
𝐼𝑂𝐷𝐶 = =
𝑅 𝑅
𝑃𝑂𝐷𝐶 = 𝑉𝑂𝐷𝐶 ∗ 𝐼𝑂𝐷𝐶
1
1 𝜃
1 𝛼+𝜋 𝜔𝑡−𝜃 2 2
2 −( )
𝑉𝑂𝐴𝐶 = ( ∫ (𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)) 𝑑𝜔𝑡 + ∫ (𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)𝑒 𝑤𝜏 ) 𝑑𝜔𝑡)
𝑉𝑅𝐴𝐶 𝑉𝑂𝐴𝐶
𝐼𝑂𝐴𝐶 = =
𝑅 𝑅
𝑃𝑂𝐴𝐶 = 𝑉𝑂𝐴𝐶 ∗ 𝐼𝑂𝐴𝐶
A pesar que ambos rectificadores son de onda completa, difieren en la forma de onda de la
fuente. Ya que en el rectificador de onda completa con tap central es necesario tomar de
manera independiente cada uno de los secundarios del transformador, mientras que en el
rectificador tipo puente existe solamente un secundario el cual entrega la corriente en ambos
semiciclos.
441
Rectificador tipo tap central
Figura3.28. Tensión de entrada vs corriente de secundario 1 (izquierda) y de secundario 2 (derecha)
Para este caso, se tienen las siguientes expresiones debido al uso de los dos secundarios del
transformador.
1
2 2
1 𝜃 𝑉𝑃
2𝜋 𝛼 𝑅
1
2 2
1 𝜃 𝑉𝑃 𝑉𝑃
𝑆𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 = 2 ∗ ( ∫ (𝜔𝐶𝑉𝑃 𝐶𝑜𝑠(𝜔𝑡) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)) 𝑑𝜔𝑡) ∗
2𝜋 𝛼 𝑅 √2
𝑐1
√2
𝑎
𝜙 = tan−1 ( 1⁄𝑏 )
1
442
2 𝜃 𝑉𝑃
2𝜋 𝛼 𝑅
2 𝜃 𝑉𝑃
2𝜋 𝛼 𝑅
Rectificador tipo puente
Para el rectificador tipo puente, la forma de onda de la corriente de fuente es la siguiente:
Figura3.29. Corriente de fuente (rojo) para rectificador de onda completa tipo puente carga RC
El tipo puente utiliza un único secundario para la rectificación, por lo que las expresiones de los
parámetros eléctricos son:
1
2 2
2 𝜃 𝑉𝑃
2𝜋 𝛼 𝑅
1
𝜃 2 2
1 𝑉𝑃 𝑉𝑃
𝑆𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 = ( ∫ (𝜔𝐶𝑉𝑃 𝐶𝑜𝑠(𝜔𝑡) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)) 𝑑𝜔𝑡) ∗
2𝜋 𝛼 𝑅 √2
443

𝑐1
√2
𝑎
𝜙 = tan−1 ( 1⁄𝑏 )
1
2 𝜃 𝑉𝑃
2𝜋 𝛼 𝑅
2 𝜃 𝑉𝑃
2𝜋 𝛼 𝑅
Definiciones
Condensador: Dispositivo eléctrico capaz de almacenar energía en forma de campo eléctrico entre
dos placas paralelas. La corriente a través del condensador o capacitor, es factor de la derivada de la
diferencia de tensión entre sus terminales. Por los que este dispositivo no puede experimentar cambios
abruptos en la tensión sobre sus terminales.

Inrushpeak: Incremento súbito de la corriente a través del condensador debida al proceso de carga
en el inicio del semiciclo en el rectificador. Este proceso es inherente al comportamiento eléctrico del
dispositivo, nos e puede eliminar, pero si reducir mediante técnicas de control aplicadas a rectificadores.
444
Multímetro: Instrumento de medición de mano simple y efectivo, especialmente para tomas de
datos en DC. Posee la capacidad de medir en AC, hasta ciertos niveles de frecuencia y variables eléctricas
propias de los dispositivos electrónicos (resistencia, capacitancia, inductancia, etc.), dependiendo del
equipo particular.
Diodos 1N4004
Resistencias
Condensadores
Transformador 120 V / 9V
Las resistencias y los condensadores deben ser tales que una combinación de un tao pequeño y la otra
un tao elevado. Tenga en cuenta la frecuencia de la red eléctrica (60 Hz) y calcule el inrushpeak para
cada combinación.
1 Multímetro
5. PROCEDIMEINTO DEL LABORATORIO
SIMULACIÓN
Rectificador de media onda con carga RC
445
Monte un rectificador de media onda con carga RC, como se muestra en la figura 3.30.
Figura3.30. Rectificador de media onda con carga RC
Energice el circuito con una señal sinodal y mida los valores DC y RMS tanto con multímetro como con
osciloscopio. Las mediciones se deben efectuar en la entrada, en la resistencia y en el condensador.
Compare estos valores con los cálculos y las simulaciones.
Rectificador de onda completa con tap central
Para el rectificador de onda completa con tap central mostrado a continuación:
Figura 3.31. Rectificador onda completa con tap carga RC
Mida las variables eléctricas de entrada y salida en valores RMS y DC. En el caso de la entrada mida
ambos secundarios del transformador.
Compare los valores medidos con los obtenidos en los cálculos y las simulaciones.
Monte el rectificador mostrado a continuación.
446
Figura 3.32. Rectificador de onda completa tipo puente carga RC
Repita las mediciones de los parámetros de entrada y salida para ser comparados con lo obtenido tanto
en los cálculos como en las simulaciones.
Ejemplo de tabla de toma de datos
A continuación se muestra un ejemplo de tabla de datos para el registro de la información a recolectar

en el laboratorio
Medición 𝑽𝒊𝒏𝑹𝑴𝑺 𝑽𝒐𝒖𝒕𝑹𝑴𝑺 𝑰𝒊𝒏𝑹𝑴𝑺 𝑰𝑹𝑹𝑴𝑺 𝑰𝑪𝑹𝑴𝑺 𝑽𝒊𝒏𝑫𝑪 𝑽𝒐𝒖𝒕𝑫𝑪 𝑰𝒊𝒏𝑫𝑪 𝑰𝑹𝑫𝑪 𝑰𝑪𝑫𝑪
ASPECTOS A EVALUAR EN EL INFORME DE LABORATORIO
Marco Teórico de las 3 topologías: Rectificadores monofásicos: media onda, onda completa con Tap
central y Puente con carga RC.
Cálculos Teóricos para cada topología de rectificador: 𝑉𝑜𝐷𝐶 , 𝐼𝑜𝐷𝐶 , 𝑃𝑜𝐷𝐶 , 𝑉𝑜𝐴𝐶 , 𝐼𝑜𝐴𝐶 , 𝑃𝑜𝐴𝐶 , 𝐼𝑓𝑅𝑀𝑆 , 𝑆𝑒𝑛𝑡 ,
ηcarga, η𝑒𝑛𝑡𝑠𝑎𝑙 =TUF, f.p (3 topologías - paramétrico 2 combinaciones de carga para obtener 2
constantes de tiempo diferentes).
Simulaciones Rectificadores monofásicos con carga RC, Graficas y datos simulación, 𝑉𝑜𝐷𝐶 , 𝐼𝑜𝐷𝐶 , 𝑃𝑜𝐷𝐶 ,
𝑉𝑜𝐴𝐶 , 𝐼𝑜𝐴𝐶 , 𝑃𝑜𝐴𝐶 , 𝐼𝑓𝑅𝑀𝑆 , 𝑆𝑒𝑛𝑡 , ηcarga, η𝑒𝑛𝑡𝑠𝑎𝑙 =TUF, f.p
Laboratorio: graficas de Voltajes y Corrientes en la entrada y en la salida.
447
Laboratorio: valores medición de Voltajes y Corrientes tanto con multímetro como con osciloscopio.
Análisis y comparación: Formas onda: teoría-simulación–laboratorio.
Análisis y comparación: Datos: Cálculos-simulación-mediciones laboratorio.
Análisis TUF: factor de utilización del transformador.
Análisis efecto de saturación del transformador, por el efecto del pulso de corriente (En el caso en que
se presente).
Bibliografía y uso de las referencias bibliográficas en el documento.
6. BIBLIOGRAFÍA
RASHID H, Muhammad. Electrónica de potencia – Circuitos, dispositivos y aplicaciones. 2 Edición. 1995.

Prentice Hall Hispanoamericana S.A. ISBN 968-880-586-6
HART, Daniel W. Electrónica de Potencia. 1 Edición. 2001. PEARSON EDUCATION S.A. ISBN 84-205-3179-0
BAQUERO R, Giovanni. Laboratorio de Electrónica de Potencia. Universidad Nacional de Colombia. 2014
448
PRÁCTICA 3.3
RECTIFICADORES MONOFÁSICOS: CARGA RL
449
1. INTRODUCCIÓN
Las bobinas o inductores son elementos circuitales que almacenan energía en forma de campo
magnético, el comportamiento eléctrico de una bobina viene modelado por la relación:
𝑑𝑖
𝑉𝑖 (𝜔𝑡) = 𝜔𝐿 (1)
𝑑𝜔𝑡
La expresión (1) indica que la diferencia de tensión entre los terminales de la bobina depende de la
derivada de la corriente a través del elemento, lo que a nivel eléctrico nos indica que la bobina no
permite cambios abruptos en la corriente a través del elemento.
Las bobinas son el elemento fundamental en la construcción de motores, por lo que la rectificación RL
nos permitirá modelar una aproximación a la energización de un motor DC.
2. OBJETIVOS
Objetivo general
Estudiar diferentes configuraciones de rectificadores monofásicos con carga RL en términos de sus

características eléctricas y las similitudes y diferencias con sus modelos analítico y de simulación.
Comprobar la similitud o diferencia de datos analíticos y de simulación en rectificadores

monofásicos con carga RL, frente a mediciones en circuitos reales.
Observar los estados transitorios propis de la rectificación con carga RL, para diferentes
constantes de tiempo.
Apreciar el efecto del diodo volante en un rectificador de media onda con carga RL.
450
3. MARCO TEÓRICO
Rectificador de media onda sin diodo volante
El rectificador de media onda sin diodo volante presenta una conexión en serie de los elementos de
circuito: fuente de alimentación, diodo rectificador, resistencia y bobina. La tensión de salida del circuito
se mide entre la serie RL, como se muestra en la figura 3.33.
Figura3.33. Esquemático de rectificador de media onda sin diodo volante
Cuando la fuente 𝑉1 se encuentra en el semiciclo positivo, el diodo se polariza en directo y la tensión de

salida 𝑉𝑜𝑢𝑡 se convierte en la tensión de la fuente de alimentación.
𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝑓 = 𝑉𝐿 + 𝑉𝑅 (2)
De donde cada una de las variables corresponde a:
𝑉𝑓 (𝜔𝑡) = 𝑉𝑝 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡) (3)
𝑑𝑖(𝜔𝑡)
𝑉𝐿 (𝜔𝑡) = 𝜔𝐿 (4)
𝑑𝜔𝑡
𝑉𝑅 (𝜔𝑡) = 𝑅𝑖(𝜔𝑡) (5)
Reemplazando (3), (4) y (5) en (2).

𝑑𝑖(𝜔𝑡)
𝑉𝑝 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡) = 𝜔𝐿 + 𝑅𝑖(𝜔𝑡) (6)
𝑑𝜔𝑡
Se tiene entonces que la corriente 𝑖(𝜔𝑡) es la solución de una ecuación diferencial de primer orden con
función forzante sinodal. De tal forma, la corriente 𝑖(𝜔𝑡) tendrá la siguiente forma
𝑖(𝜔𝑡) = 𝑖𝑛𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑙 + 𝑖𝑓𝑜𝑟𝑧𝑎𝑑𝑎 (7)
451
Para una ecuación diferencial, la respuesta natural del sistema se modela como una función exponencial
𝑡
𝑖𝑛𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑙 = 𝐴𝑒 −( ⁄𝜏) (8)
Para la respuesta forzada del circuito, se analiza el circuito de la Figura 3.33 sin el diodo. Para dicha
topología, en estado estable, la corriente del circuito se define como:
𝑉𝑝
𝑖𝑓𝑜𝑟𝑧𝑎𝑑𝑎 = 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − ∅) (9)
𝑍
Siendo, para la ecuación (9).
𝑍 = √(𝜔𝐿)2 + 𝑅 2 (10)
∅ = tan−1 (𝜔𝐿⁄𝑅 ) (11)
Se reemplazan (8) y (9) en (7).
𝜔𝑡⁄ ) 𝑉𝑝
𝑖(𝜔𝑡) = 𝐴𝑒 −( 𝜔𝜏 + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − ∅) (12)
𝑍
Para obtener el valor de A, se resuelve (12) para las condiciones iniciales del sistema, las cuales son de
𝑖(0) = 0
𝑉𝑝
𝑖(0) = 𝐴 + 𝑆𝑒𝑛(−∅) = 0 (13)
𝑍
Resolviendo (13) se obtiene
𝑉𝑝
𝐴= 𝑆𝑒𝑛(∅) (14)
𝑍
Con lo que se obtiene la respuesta completa del circuito.
𝑉𝑝 𝜔𝑡 𝑉𝑝
𝑖(𝜔𝑡) = 𝑆𝑒𝑛(∅)𝑒 −( ⁄𝜔𝜏) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − ∅) (15)
𝑍 𝑍
Cuando termina el semiciclo positivo de la fuente, se pensaría inicialmente que el diodo queda en
polarización inversa y el circuito deja de funcionar. Sin embargo, se debe recordar la característica de
funcionamiento de la bobina. Dicho elemento ha almacenado energía durante el semiciclo positivo y,
ahora, sin una fuente de alimentación, empezará a descargarse emulando a una fuente de corriente.
Dicha descarga mantendrá la corriente en el circuito mientras la bobina se descarga, lo que añadirá un
lapso de funcionamiento al circuito, con el mismo comportamiento descrito en (15).
Para determinar el punto en el que la bobina se ha descargado totalmente, se emplea la ecuación (15) y
se calcula el punto, diferente a 𝜔𝑡 = 0, en el que la corriente del circuito es 0. Dicho punto se conoce
como ángulo de extensión y se representa con la letra griega 𝛽.
𝑉𝑝 𝛽
−( ⁄𝜔𝜏) 𝑉𝑝
𝑖(𝛽) = 𝑆𝑒𝑛(∅)𝑒 + 𝑆𝑒𝑛(𝛽 − ∅) = 0 (16)
𝑍 𝑍
Una vez la corriente se ha interrumpido, el circuito queda desenergizado hasta el siguiente semiciclo
positivo de la fuente de alimentación.
452
Figura3.34. Forma de onda de Vin (azul) contra Iout (rojo) e If (verde)
Figura 3.35. Forma de onda de tensión de entrada (azul) vs tensión de salida (roja)
A continuación se determinan los parámetros de eficiencia de la configuración;
1 𝛽 𝑉𝑝
𝑉𝑂𝐷𝐶 = ∫ 𝑉𝑝 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡 = (1 − 𝐶𝑜𝑠(𝛽)) (17)
2𝜋 0 2𝜋
1 𝛽 𝑉𝑝 𝜔𝑡 𝑉𝑝
𝑖𝑂𝐷𝐶 = ∫ [ 𝑆𝑒𝑛(∅)𝑒 −( ⁄𝜔𝜏) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − ∅)] 𝑑𝜔𝑡 (18)
2𝜋 0 𝑍 𝑍
Para simplificar el cálculo de la corriente de salida DC, se parte de la definición que la corriente de salida
es la misma para ambos elementos, por lo que se podrá deducir a partir de la ley de Ohm, para la
resistencia.
𝑉𝑅𝐷𝐶 𝑉𝑂𝐷𝐶 − 𝑉𝐿𝐷𝐶
𝑖𝑂𝐷𝐶 = = (19)
𝑅 𝑅
Para la aproximación a DC, la bobina se comporta como un corto circuito, por lo tanto, la tensión entre
los terminales de la misma es cero.
𝑉𝑅𝐷𝐶 𝑉𝑂𝐷𝐶 − 𝑉𝐿𝐷𝐶 𝑉𝑂𝐷𝐶
𝑖𝑂𝐷𝐶 = = = (20)
𝑅 𝑅 𝑅
453
Finalmente la potencia DC se define como
𝑉𝑂2𝐷𝐶
𝑃𝑂𝐷𝐶 = 𝑖𝑂𝐷𝐶 ∗ 𝑉𝑂𝐷𝐶 = (21)
𝑅
Para los parámetros AC, se tiene.

1⁄ 1⁄
2 2
1 𝛽 𝑉𝑝 1 𝑆𝑒𝑛(2𝛽)
𝑉𝑂𝐴𝐶 = ( ∫ 𝑉𝑝2 𝑆𝑒𝑛2 (𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡) = ( (𝛽 − )) (22)
2𝜋 0 2 𝜋 2
𝑉𝑅𝐴𝐶 𝑉𝑂𝐴𝐶 − 𝑉𝐿𝐴𝐶

𝑖𝑂𝐴𝐶 = = (23)
𝑅 𝑅
1⁄
2 2
𝑖𝑂𝐴𝐶 = ( ∫ ( 𝑆𝑒𝑛(∅)𝑒 −( ⁄𝜔𝜏) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − ∅) 𝑑𝜔𝑡) ) (24)
2𝜋 0 𝑍 𝑍
𝑃𝑂𝐴𝐶 = 𝑉𝑂𝐴𝐶 ∗ 𝑖𝑂𝐴𝐶 (25)
Finalmente se determinan las eficiencias para el circuito y el factor de potencia
𝑉𝑂2𝐷𝐶⁄
𝑃𝑂𝐷𝐶 𝑅
𝜂𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = = (26)
𝑃𝑂𝐴𝐶 𝑉𝑂𝐴𝐶 ∗ 𝑖𝑂𝐴𝐶
𝑉𝑂2𝐷𝐶⁄ 𝑉𝑂2𝐷𝐶⁄
𝑃𝑂𝐷𝐶 𝑅 = 𝑅
𝜂𝑒𝑛𝑡−𝑠𝑎𝑙 = = (27)
𝑆𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 𝑖𝑓𝑅𝑀𝑆 ∗ 𝑉𝑓𝑅𝑀𝑆 𝑉𝑝
𝑖𝑂𝐴𝐶 ∗ ⁄
√2
𝑃𝑒𝑛𝑡 𝑖𝑓𝑅𝑀𝑆 𝑖𝑓
𝐹. 𝑃 = = 𝐶𝑜𝑠(𝜙1 ) = 𝑅𝑀𝑆 𝐶𝑜𝑠(𝜙1 ) (28)
𝑆𝑒𝑛𝑡 𝐼𝑓𝑅𝑀𝑆 𝑖𝑂𝐴𝐶
Para 𝑖𝑓𝑅𝑀𝑆 se emplea la transformada de Fourier de la corriente del circuito.
𝑎1 = ∫ ( 𝑆𝑒𝑛(∅)𝑒 −( ⁄𝜔𝜏) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − ∅)) 𝐶𝑜𝑠(𝜔𝑡) 𝑑𝜔𝑡 (29)
2𝜋 0 𝑍 𝑍
𝑏1 = ∫ ( 𝑆𝑒𝑛(∅)𝑒 −( ⁄𝜔𝜏) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − ∅)) 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡) 𝑑𝜔𝑡 (30)
2𝜋 0 𝑍 𝑍
𝑐1 = √𝑎12 + 𝑏12 (31)
𝑐1
𝑖𝑓𝑅𝑀𝑆 = ⁄ (32)
√2
454
𝑎
𝜙1 = tan−1 ( 1⁄𝑏 ) (33)
1
Rectificador de media onda con diodo volante
Al circuito de la Figura 3.33 se le agrega un segundo diodo llamado diodo volante. A continuación se
analizarán los efectos de este segundo diodo en el comportamiento del circuito.
Figura 3.36. Rectificador de media onda con diodo volante y carga RL
Durante el semiciclo positivo de la fuente de alimentación, el circuito presentará el mismo

comportamiento que sin el diodo volante, debido a que este estará polarizado en inverso durante dicho
intervalo. En conclusión, la corriente para el semiciclo positivo de la fuente será la misma que en (15).
Para el semiciclo negativo de la fuente de alimentación, el diodo volante quedará polarizado en directo y
el diodo principal estará polarizado en inverso, lo que da lugar a la siguiente configuración circuital.
Figura 3.37. Rectificador con diodo volante en semiciclo negativo
Como se observa en la figura 3.37, el diodo volante permite, para el semiciclo negativo, establecer un
circuito de descarga para la bobina.
Para el instante 𝜔𝑡 = 𝜋
𝑉𝑝 𝜋 𝑉𝑝
𝐼(𝜋) = 𝑆𝑒𝑛(∅)𝑒 −( ⁄𝜔𝜏) + 𝑆𝑒𝑛(𝜋 − ∅) (34)
𝑍 𝑍
455
Y luego del instante 𝜔𝑡 = 𝜋 se producirá la descarga de la bobina a través de la resistencia R1. Se
determina la ecuación del circuito.
𝑑𝑖(𝜔𝑡)
0 = 𝜔𝐿 + 𝑅𝑖(𝜔𝑡) (35)
𝑑𝜔𝑡
De donde solamente se tiene la respuesta natural del circuito al cual es una exponencial decreciente con
amplitud inicial dependiente de las condiciones iniciales del circuito en el instante 𝜔𝑡 = 𝜋.
𝜔𝑡−𝜋⁄ )
𝑖(𝜔𝑡) = 𝐼(𝜋)𝑒 −( 𝜔𝜏 (36)
Para determinar la descarga del circuito se emplea el criterio de los 3𝜏. Este nuevo instante de tiempo
se llamará 𝛽 ∗, luego del cual se pueden dar dos posibles casos.
𝛽 ∗ = 3𝜏 + 𝜋 (37)
Corriente de modo discontinuo
Si 𝛽 ∗ ≤ 2𝜋, el circuito se encontrará sin corriente al momento del nuevo semiciclo positivo, por lo que
el análisis de corriente será exactamente el mismo que el descrito a lo largo del literal B.
Al no requerir más análisis para la corriente, se procede con el cálculo de los parámetros de
desempeño.
1 𝜋 𝑉𝑝
𝑉𝑂𝐷𝐶 = ∫ 𝑉𝑝 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡 = (38)
2𝜋 0 𝜋
𝑖𝑂𝐷𝐶 ≅ = = (20)
𝑅 𝑅 𝑅
𝑉𝑂2𝐷𝐶
𝑅
Para los parámetros AC
1⁄
1 𝜋 2 𝑉𝑝
𝑉𝑂𝐴𝐶 = ( ∫ 𝑉𝑝2 𝑆𝑒𝑛2 (𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡) = (39)
2𝜋 0 2
2
1 𝜋 𝑉𝑝 𝜔𝑡 𝑉𝑝
𝑖𝑂𝐴𝐶 = ( ∫ ( 𝑆𝑒𝑛(∅)𝑒 −( ⁄𝜔𝜏) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − ∅) 𝑑𝜔𝑡)
2𝜋 0 𝑍 𝑍
∗ 1⁄
2
1 𝛽 𝜔𝑡−𝜋⁄ ) 2
+ ∫ (𝐼(𝜋)𝑒 −( 𝜔𝜏 ) 𝑑𝜔𝑡) (40)
2𝜋 𝜋
𝑃𝑂𝐴𝐶 = 𝑖𝑂𝐴𝐶 ∗ 𝑉𝑂𝐴𝐶 (41)
456
Para las eficiencias
𝑃𝑂𝐴𝐶 𝑖𝑂𝐴𝐶 ∗ 𝑉𝑂𝐴𝐶
𝑃𝑜𝑏𝑗 𝑃𝑂 𝑅
𝜂𝑒𝑛𝑡−𝑠𝑎𝑙 = = 𝐷𝐶 = (43)
𝑃𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 𝑆𝑒𝑛𝑡 𝑉𝑝
𝐼𝑓𝑅𝑀𝑆 ∗ ⁄
√2
1⁄
2 2
1 𝜋 𝑉𝑝 −(𝜔𝑡⁄𝜔𝜏)
𝑉𝑝
𝐼𝑓𝑅𝑀𝑆 = ( ∫ ( 𝑆𝑒𝑛(∅)𝑒 + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − ∅) 𝑑𝜔𝑡) ) (44)
2𝜋 0 𝑍 𝑍
𝑃𝑒𝑛𝑡 𝑖𝑓𝑅𝑀𝑆
𝜂𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 = 𝐹. 𝑃 = = 𝐶𝑜𝑠(𝜙1 ) (45)
𝑆𝑒𝑛𝑡 𝐼𝑓𝑅𝑀𝑆
𝑐1
𝑖𝑓𝑅𝑀𝑆 = ⁄ (47)
√2
Donde
𝑐1 = √𝑎12 + 𝑏12 (48)
𝑎
𝜙1 = tan−1 ( 1⁄𝑏 ) (49)
1
2 𝜋
𝑎1 = ∫ 𝑖 (𝜔𝑡)𝐶𝑜𝑠(𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡 (50)
2𝜋 0 𝑓
2 𝜋
𝑎1 = ∫ 𝑖 (𝜔𝑡)𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡 (51)
2𝜋 0 𝑓
𝑖𝑓 = 𝑆𝑒𝑛(∅)𝑒 −( ⁄𝜔𝜏) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − ∅) 𝑑𝜔𝑡 (52)
𝑍 𝑍
La forma de onda de la corriente de salida será como se muestra a continuación
Figura 3.38. Vin (azul) vs Iout (rojo) e If (verde) para corriente de modo discontinuo
457
Figura 3.39. Vf (azul) y V salida (rojo) para modo discontinuo
Corriente de modo continuo
Si 𝛽 ∗ > 2𝜋, la corriente no alcanzará el valor 0 para el momento del nuevo semiciclo positivo de la
fuente. En consecuencia, existirá corriente al momento del nuevo semiciclo positivo de la fuente.
Desde el segundo semiciclo de la fuente de alimentación, en adelante, se establece la condición para el

instante cero de cada nuevo semiciclo positivo.
2𝜋−𝜋⁄ )
𝐼𝑐𝑜𝑛𝑡 (0) = 𝑖(2𝜋) = 𝐼(𝜋)𝑒 −( 𝜔𝜏 (53)
Esta corriente de modo continuo se inserta en (15) como nueva condición inicial.
𝑖(𝜔𝑡) = ( 𝑆𝑒𝑛(∅) + +𝐼(0)) 𝑒 −( ⁄𝜔𝜏) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − ∅) (54)
𝑍 𝑍
Para determinar numéricamente el valor de 𝐼(0) de itera 𝐼(0) de (53) con 𝐼(𝜋) hasta encontrar
convergencia.
A continuación se determinan los parámetros de rendimiento.

1 𝜋 𝑉𝑝
2𝜋 0 𝜋
𝑖𝑂𝐷𝐶 ≅ = = (20)
𝑅 𝑅 𝑅
𝑉𝑂2𝐷𝐶
𝑅
458
1⁄
1 𝜋 2 𝑉𝑝
𝑉𝑂𝐴𝐶 = ( ∫ 𝑉𝑝2 𝑆𝑒𝑛2 (𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡) = (39)
2𝜋 0 2
2
1 𝜋 𝑉𝑝 𝜔𝑡 𝑉𝑝
𝑖𝑂𝐴𝐶 = ( ∫ (( 𝑆𝑒𝑛(∅) + 𝐼(0)) 𝑒 −( ⁄𝜔𝜏) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − ∅) 𝑑𝜔𝑡)
2𝜋 0 𝑍 𝑍
1⁄
∗ 2
1 𝛽 𝜔𝑡−𝜋⁄ ) 2
+ ∫ (𝐼(𝜋)𝑒 −( 𝜔𝜏 ) 𝑑𝜔𝑡) (55)
2𝜋 𝜋
Para las eficiencias.
√2
1⁄
2 2
1 𝜔𝑡
𝐼𝑓𝑅𝑀𝑆 = ( ∫ (( 𝑆𝑒𝑛(∅) + 𝐼(0)) 𝑒 −( ⁄𝜔𝜏) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − ∅) 𝑑𝜔𝑡) ) (56)
2𝜋 0 𝑍 𝑍
Y recordando:
𝑐1
𝑖𝑓𝑅𝑀𝑆 = ⁄ (47)
√2
𝑐1 = √𝑎12 + 𝑏12 (48)
𝑎
𝜙1 = tan−1 ( 1⁄𝑏 ) (49)
1
2 𝜋
2𝜋 0 𝑓
2 𝜋
𝑏1 = ∫ 𝑖 (𝜔𝑡)𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡 (51)
2𝜋 0 𝑓
459
𝑖𝑓 = ( 𝑆𝑒𝑛(∅) + 𝐼(0)) 𝑒 −( ⁄𝜔𝜏) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − ∅) 𝑑𝜔𝑡 (57)
𝑍 𝑍
Figura3.40. Formas de onda Vin (azul) Iout (rojo) If (Verde) para rectificador de media onda con carga RL
y diodo volante
Figura 3.41. Vf (azul) y V salida (rojo) para modo continuo
Para aprovechar ambos semiciclos de la fuente AC, se utiliza un arreglo tipo puente de diodos, como se
muestra a continuación
460
Figura 3.42. Rectificador tipo puente con carga RL
Para el semiciclo positivo de la fuente, la corriente sale de la fuente a través del diodo D1 y regresa a
través del diodo D4, los otros dos diodos quedan polarizados en inverso, como se muestra a
continuación.
Figura 3.43. Rectificador onda completa en semiciclo positive
El circuito, para este semiciclo, es el mismo que el del rectificador de media onda, por lo que su análisis
es exactamente el mismo.
Por otra parte, para el semiciclo negativo, se tiene que el circuito de energización es equivalente, ya que
la corriente conserva el mismo sentido; sin embargo, cambia la condición inicial del circuito, ya que la
corriente inicial será diferente a cero, por lo que se muestra el análisis correspondiente.
Debido a que es la misma topología, la ecuación inicial que describe el comportamiento del circuito es
similar a (12), con la diferencia que la ecuación está definida para el intervalo:
𝜋 < 𝜔𝑡 ≤ 2𝜋
461
𝜔𝑡−𝜋⁄ ) 𝑉𝑝
𝑖(𝜔𝑡) = 𝐴𝑒 −( 𝜔𝜏 + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − 𝜋 − ∅) (58)
𝑍
Ahora se evalúa la condición inicial. Dicha condición parte del final del semiciclo positivo, tal como se
tiene en (34). Donde se define la corriente 𝐼(𝜋), para el intervalo
𝜋 − ≤ 𝜔𝑡 ≤ 𝜋 +
𝐼(𝜋) = 𝑆𝑒𝑛(∅)𝑒 −( ⁄𝜔𝜏) + 𝑆𝑒𝑛(𝜋 − ∅) (34)
𝑍 𝑍
Para la ecuación (58), con condición inicial en 𝜔𝑡 = 𝜋 se obtiene el valor de A

𝑉𝑝
𝐴+ 𝑆𝑒𝑛(−∅) = 𝐼(𝜋) (59)
𝑍
𝑉𝑝
𝐴 = 𝐼(𝜋) + 𝑆𝑒𝑛(∅) (60)
𝑍
Con esto se despeja la ecuación que define la corriente para el estado estable.
𝑉𝑝 𝜔𝑡−𝜋⁄ ) 𝑉𝑝
𝑖(𝜔𝑡) = (𝐼(𝜋) + 𝑆𝑒𝑛(∅)) 𝑒 −( 𝜔𝜏 + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − 𝜋 − ∅) (60)
𝑍 𝑍
Donde el valor de la corriente para estado estable se debe determinar por métodos numéricos.
Para calcular los parámetros de rendimiento del circuito
2 𝜋 2𝑉𝑝
2𝜋 0 𝜋
𝑖𝑂𝐷𝐶 ≅ = = (20)
𝑅 𝑅 𝑅
𝑉𝑂2𝐷𝐶
𝑅
1⁄
2 𝜋 2 √2
𝑉𝑂𝐴𝐶 = ( ∫ 𝑉𝑝2 𝑆𝑒𝑛2 (𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡) = 𝑉 = 𝑉𝑓𝑅𝑀𝑆 (62)
2𝜋 0 2 𝑝
462
1⁄
1 𝜋2 1 2𝜋 2 2
𝑖𝑂𝐴𝐶 = ( ∫ 𝑖𝑖𝑛𝑖 (𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡 + ∫ 𝑖 (𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡) (66)
2𝜋 0 2𝜋 𝜋 𝑒𝑠𝑡
Con
𝑖𝑖𝑛𝑖 (𝜔𝑡) = ( 𝑆𝑒𝑛(∅)) 𝑒 −( ⁄𝜔𝜏) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − ∅) 𝑑𝜔𝑡 (67)
𝑍 𝑍
𝑖𝑒𝑠𝑡 (𝜔𝑡) = ( 𝑆𝑒𝑛(∅) + 𝐼(0)) 𝑒 −( ⁄𝜔𝜏) + 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡 − ∅) 𝑑𝜔𝑡 (68)
𝑍 𝑍
Y aplicamos relaciones análogas a lo visto anteriormente
Para las eficiencias.
√2
𝑐1
𝑖𝑓𝑅𝑀𝑆 = ⁄ (47)
√2
𝑐1 = √𝑎12 + 𝑏12 (48)
𝑎
𝜙1 = tan−1 ( 1⁄𝑏 ) (49)
1
2 2𝜋
2𝜋 0 𝑓
2 2𝜋
𝑏1 = ∫ 𝑖 (𝜔𝑡)𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡 (51)
2𝜋 0 𝑓
𝑖𝑓 = 𝑖𝑖𝑛𝑖 (𝜔𝑡) + 𝑖𝑒𝑠𝑡 (𝜔𝑡) (69)
463
Figura 3.44. Forma de onda Vin (azul) Vout (rojo) para rectificador onda completa tipo puente carga RL
Figura 3.45. Vf (azul), Io (rojo)e If (verde) para rectificador tipo puente con carga RL
Definiciones
Diodo volante: Diodo empleado para crear un circuito de descarga para la carga RL del
rectificador de media onda durante el semiciclo negativo. Su tiempo de activación depende del tiempo
que tome el circuito RL en descargarse.
Factor de potencia: Relación entre la potencia aparente y la potencia real en un circuito

eléctrico.
Multímetro: Instrumento de medición de mano simple y efectivo, especialmente para tomas

de datos en DC. Posee la capacidad de medir en AC, hasta ciertos niveles de frecuencia y variables
eléctricas propias de los dispositivos electrónicos (resistencia, capacitancia, inductancia, etc.),
dependiendo del equipo particular.

464
Diodos 1N4004
Resistencias
Transformador 120 V en el primario
Los transformadores disponibles en el laboratorio tienen una inductancia aproximada de 0.5 H. para
asegurarse, mida la inductancia con el puente o con multímetro para tener datos certeros.
1 Multímetro
SIMULACIÓN
Rectificador de media onda con carga RL
Monte un rectificador de media onda con carga RL, como se muestra en la figura 3.46
465
Figura3.46. Rectificador de media onda con carga RL
Energice el circuito con y mida los valores DC y RMS tanto con multímetro como con osciloscopio. Las
mediciones se deben efectuar en la entrada, en la resistencia y en la bobina. Utilice dos resistencias
diferentes para obtener dos constantes de tiempo diferentes.
Compare estos valores con los cálculos y las simulaciones.
Rectificador de media onda con diodo volante
Para el rectificador de media onda con diodo volante
Figura 3.47. Rectificador media onda con diodo volante
Repita las mediciones como en el numeral 6.3, e incluya la corriente a través del diodo volante
Compare los valores medidos con los obtenidos en los cálculos y las simulaciones.
Monte el rectificador mostrado a continuación.
466
Figura 3.48. Rectificador de onda completa tipo puente carga RL
Repita las mediciones de los parámetros de entrada y salida para ser comparados con lo obtenido tanto
en los cálculos como en las simulaciones.
Ejemplo de tabla de toma de datos
A continuación se muestra un ejemplo de tabla de datos para el registro de la información a recolectar

en el laboratorio
Medición 𝑽𝒊𝒏𝑹𝑴𝑺 𝑽𝒐𝒖𝒕𝑹𝑴𝑺 𝑰𝒊𝒏𝑹𝑴𝑺 𝑰𝑹𝑹𝑴𝑺 𝑰𝑳𝑹𝑴𝑺 𝑽𝒊𝒏𝑫𝑪 𝑽𝒐𝒖𝒕𝑫𝑪 𝑰𝒊𝒏𝑫𝑪 𝑰𝑹𝑫𝑪 𝑰𝑳𝑫𝑪 𝜷
∗
ASPECTOS A TENER EN CUENTA EN EL INFORME DE LABORATORIO
Marco Teórico de las 3 topologías: Rectificadores monofásicos: ½ onda, ½ onda con diodo volante y
Puente con carga RL
Cálculos Teóricos para cada topología de rectificador: 𝑉𝑜𝐷𝐶 , 𝐼𝑜𝐷𝐶 , 𝑃𝑜𝐷𝐶 , 𝑉𝑜𝐴𝐶 , 𝐼𝑜𝐴𝐶 , 𝑃𝑜𝐴𝐶 , 𝐼𝑓𝑅𝑀𝑆 , 𝑆𝑒𝑛𝑡 ,
ηcarga, η𝑒𝑛𝑡𝑠𝑎𝑙 =TUF.
Simulaciones Rectificadores monofásicos con carga RL, Graficas y datos simulación, 𝑉𝑜𝐷𝐶 , 𝐼𝑜𝐷𝐶 , 𝑃𝑜𝐷𝐶 ,
𝑉𝑜𝐴𝐶 , 𝐼𝑜𝐴𝐶 , 𝑃𝑜𝐴𝐶 , 𝐼𝑓𝑅𝑀𝑆 , 𝑆𝑒𝑛𝑡 , ηcarga, η𝑒𝑛𝑡𝑠𝑎𝑙 =TUF.(3 topologías -paramétrico 2 casos RL)
467
Simulaciones Rectificadoras monofásicas con carga RL, Fourier corriente de entrada y factor de potencia
Laboratorio: graficas de Voltajes y Corrientes
Laboratorio: valores medición de Voltajes y Corrientes
Análisis y comparación: Formas onda: teoría-simulación–laboratorio
Análisis y comparación: Datos: Cálculos-simulación-mediciones laboratorio
Análisis de Factor de Potencia
Bibliografía y uso de las referencias bibliográficas en el documento
6. BIBLIOGRAFÍA
RASHID H, Muhammad. Electrónica de potencia – Circuitos, dispositivos y aplicaciones. 2 Edición. 1995.

Prentice Hall Hispanoamericana S.A. ISBN 968-880-586-6
HART, Daniel W. Electrónica de Potencia. 1 Edición. 2001. PEARSON EDUCATION S.A. ISBN 84-205-3179-0
BAQUERO R, Giovanni. Laboratorio de Electrónica de Potencia. Universidad Nacional de Colombia. 2014
468
PRÁCTICA 3.4
RECTIFICADORES TRIFÁSICOS
469
1. INTRODUCCIÓN
La manipulación de una red trifásica es común en el ámbito industrial. Para el caso de motores DC donde
se requiere suministrar gran cantidad de potencia, los circuitos rectificadores trifásicos encuentran su
principal aplicación. Normalmente se emplean dos topologías de este circuito, a saber, el rectificador
trifásico simple y el rectificador trifásico en puente. El primero es utilizado en vehículos como aviones,
automóviles o barcos debido a que solo hay una conexión a tierra (chasis o masa), mientras que el
segundo es utilizado en las fábricas por sus ventajas en el aspecto de factor de potencia [1].
2. OBJETIVOS
Objetivo general
Implementar las dos topologías de rectificadores trifásicos (simple y tipo puente) con diodos de
propósito general y usando bombillas incandescentes como cargas del sistema.
 Adquirir experiencia con la manipulación y las conexiones de la red trifásica.

 Aprender a realizar mediciones sobre la red trifásica.
 Comparar el comportamiento de los circuitos con los datos teóricos correspondientes.
3. MARCO TÉORICO
Rectificador Trifásico Simple
Figura3.49. Circuito Rectificador trifásico Simple [1]
470
Las formas de onda tanto de la tensión de entrada como de la corriente de entrada al rectificador se
muestran en la figura 3.50 En la figura 3.50(a) se muestran las tres fases de la red eléctrica que entran al
rectificador. En la figura 3.50 (b) se observa la corriente de entrada por una de las fases, para este caso
se muestra la corriente en la fase a, es decir, la corriente a través del diodo D1 en la figura 3.49
Obsérvese que en la forma de onda de la corriente de entrada, cada diodo conduce cada 2π⁄3 [2].
(a)
(b)
Figura 3.50. (a) Forma de onda de la red trifásica en la entrada del rectificador. (b) Forma de onda de la
corriente en la fase a (entrada) del rectificador trifásico simple [2].
En la figura 3.51 se observan los parámetros de salida para el rectificador trifásico simple. Las formas de
onda de tensión y corriente a la salida se encuentran en fase y son proporcionales al valor de la carga,
específicamente la resistencia de carga. El hecho de que la carga sea resistiva permite trabajar los
parámetros de salida de forma lineal.
471
Figura 3.51. Formas de onda de salida de tensión y corriente para el rectificador triásico simple [2]
Como el objetivo de los rectificadores es el de entregar DC en la carga [1], se pueden determinar los
parámetros correspondientes de la siguiente manera: El valor DC de la tensión de salida se calcula a
partir de la integral como se muestra en la ecuación (1) [1]. La obtención de esta definición deriva de la
forma de onda de salida, ya que se toma la mitad del intervalo de conducción de cada diodo, es decir,
π/3 por esa razón la integral se multiplica por dos. Como se está trabajando con la red trifásica se tiene
en cuenta el aporte de cada una de las fases, por esta razón se multiplica por tres el coeficiente de la
integral.
𝜋⁄
3
1𝑥2𝑥3
𝑉𝑜𝐷𝐶 = ∫ 𝑉𝑃 cos 𝜔𝑡 𝑑𝜔𝑡 (1)
2𝜋
0
También se pueden determinar otros parámetros como la corriente de salida y la potencia de salida en
corriente continua. Como la carga se está tomando puramente resistiva, la corriente se puede
determinar mediante la Ley de Ohm como en la ecuación (2). Y la potencia se determina como el
producto de la corriente en DC y el valor medio de la tensión de salida como en la ecuación (3),
𝑉𝑜𝐷𝐶
𝐼𝑜𝐷𝐶 = (2)
𝑅
𝑃𝑜𝐷𝐶 = 𝑉𝑜𝐷𝐶 ∗ 𝐼𝑜𝐷𝐶 (3)
Ahora se procede a determinar los parámetros en corriente alterna. Se comienza con determinar el valor
de la tensión RMS a la salida. Para determinar la tensión de salida en AC se aplica la raíz cuadrada de la
integral de como se muestra en la ecuación (4) [1]. La forma de la integral es similar a la del valor DC ya
que las áreas son las mismas.
𝜋⁄
3
1𝑥2𝑥3
𝑉𝑜𝐴𝐶 = √ ∫ (𝑉𝑃 cos 𝜔𝑡)2 𝑑𝜔𝑡 (4)
2𝜋
0
472
El valor de la corriente y potencia en régimen de AC se determinan como se muestra en las ecuaciones
(5) y (6). Nuevamente se puede aplicar directamente la Ley de Ohm para determinar la corriente, ya que
la carga del rectificador es completamente resistiva.
𝑉𝑜𝐴𝐶
𝐼𝑜𝐴𝐶 = (5)
𝑅
𝑃𝑜𝐴𝐶 = 𝑉𝑜𝐴𝐶 ∗ 𝐼𝑜𝐴𝐶 (6)
Otros parámetros que permiten analizar el desempeño del circuito son las eficiencias que relacionan las
potencias que se determinaron anteriormente. La eficiencia en la carga se puede determinar como la
relación entre la potencia en DC y la potencia en AC como en la ecuación (7).
𝑃𝑜𝐷𝐶
𝜂𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = (7)
𝑃𝑜𝐴𝐶
Otra eficiencia que relaciona la potencia en AC en la carga y la potencia aparente de entrada, que
normalmente se denomina Factor de Utilización del transformador [1], se determina como se muestra
en la ecuación (8).
𝑃𝑜𝐴𝐶
𝑇𝑈𝐹 = (8)
3 ∗ 𝑉𝑓𝑅𝑀𝑆 ∗ 𝐼𝑓𝑅𝑀𝑆
Para determinar la corriente RMS de la ecuación (8) se toma la corriente en AC de la salida y se divide
entre √3 como en la ecuación (9)
𝐼𝑜𝐴𝐶
𝐼𝑓𝑅𝑀𝑆 = (9)
√3
Por último se puede incluir el factor de potencia aproximando la definición a la relación entre la potencia
disipada por la resistencia y la potencia aparente de entrada como lo muestra la ecuación (10) [1].
𝐼𝑓1𝑅𝑀𝑆 𝑃𝐷𝑅
𝐹. 𝑃. = cos 𝜙 ≈ (10)
𝐼𝑓𝑅𝑀𝑆 3 ∗ 𝑆𝑒𝑛𝑡
Rectificador Trifásico en puente
Como se explicó anteriormente este tipo de rectificadores es de uso industrial, ya que la tierra de la
fuente y la de la carga son diferentes. El circuito correspondiente se muestra en la figura 3.52. El
funcionamiento de este circuito difiere del rectificador trifásico simple por el simple hecho de que la
configuración en puente causa que la salida que ve la carga no sea directamente la tensión de fase sino
que son tensiones de línea [2].
473
Figura3.52. Circuito Rectificador trifásico en Puente [1].
En la figura 3.53 (a) se observan los compuestos de línea que son las formas de onda que se ven en la
entrada del rectificador. El intervalo de conducción de cada diodo sigue siendo 2π/3 y la secuencia de
activación de los diodos se da por parejas de la siguiente manera: 1-2, 2-3, 3-4, 5-6 y 6-1 [2]. En la figura
3.53(b), se observa la forma de onda de entrada de la corriente. En esta figura se observa la corriente a
través de la fase a. A diferencia de la corriente de entrada en el rectificador trifásico simple, la corriente
en cada fase presenta regiones tanto positivas como negativas; esto se debe a que las fases en
determinados intervalos de conducción funcionan como fases de retorno debido a la ausencia de la
conexión a neutro de la red trifásica.
(a)
(b)
Figura3.53. Formas de onda para (a) los compuestos de línea y (b) la tensión de salida del puente
rectificador en puente [2].
474
La forma de onda de salida del rectificador se observa en la figura 3.54. La forma de onda resultante en
la carga se obtiene de manera similar al rectificador trifásico simple. Tomando la gráfica con todos los
compuestos de línea, la tensión de salida se forma con el compuesto de línea más positivo. En la figura
también se observa la forma de onda de la corriente en la carga. Al igual que con el rectificador trifásico
simple, la tensión y la corriente en la carga están relacionadas directamente por el valor de la resistencia,
ya que no hay presencia de elementos almacenadores de energía.
Figura 3.54. Formas de onda para la tensión y la corriente de salida del rectificador en puente [2].
Los parámetros de salida del rectificador se describen a continuación. La tensión de salida DC se calcula
como lo muestra la ecuación (11). La ecuación resulta similar a la ecuación (1) a diferencia que esta vez
se trabajan con seis compuestos de línea y no con tres fases como el caso del rectificador trifásico
simple. Lo anterior explica el factor de dos por el que se multiplica la integral. Al interior de la integral se
coloca √3, ya que la tensión de salida en este caso está dada por las tensiones de línea. La corriente y la
potencia en DC se calculan de la misma forma que en las ecuaciones (2) y (3).
𝜋⁄
3
1𝑥2𝑥3𝑥2
𝑉𝑜𝐷𝐶 = ∫ √3 ∗ 𝑉𝑃 cos 𝜔𝑡 𝑑𝜔𝑡 (11)
2𝜋
0
El valor de la tensión de salida en AC se puede determinar aplicando la definición de valor RMS de forma
similar a como se hizo con la ecuación (4) y como se muestra en la ecuación (12). Los parámetros de
corriente y potencia en AC se determinan de la misma manera que en las ecuaciones (5) y (6).
𝜋⁄
3
1𝑥2𝑥3𝑥2
𝑉𝑜𝐴𝐶 = √ ∫ (√3 ∗ 𝑉𝑃 cos 𝜔𝑡)2 𝑑𝜔𝑡 (12)
2𝜋
0
Las definiciones que se dieron para eficiencia en la carga, factor de utilización del transformador y factor
de potencia en las ecuaciones (7), (8) y (10), aplican de igual forma para este caso. La única diferencia es
la determinación de la corriente RMS en la entrada, la cual se determina como se muestra en la ecuación
(13).
475
√2𝐼𝑜𝐴𝐶
𝐼𝑓𝑅𝑀𝑆 = (13)
√3
MATERIALES Y EQUIPOS
 Protoboard
 Conectores caimán-banana, caimán-caimán.
 Varios Diodos De Propósito General 1N4004 nuevos
 3 Bombillos de filamento resistivo 60Watts/120Vrms con rosetas.
SIMULACIÓN
Al momento de realizar los montajes es recomendable utilizar diodos NUEVOS, ya que si se conectan
diodos usados, el desempeño del circuito no será el adecuado. De igual forma, si se presenta algún corto
durante la prueba de los montajes, se deben cambiar los diodos por unos NUEVOS, ya que los
dispositivos pueden sufrir algún tipo de envejecimiento que afecte el funcionamiento del circuito.
Rectificador trifásico Simple
 Implemente el circuito de la figura 3.55, conectando como carga tres bombillas en serie. Utilice la
red trifásica como fuente de alimentación [3].
476
Figura 3.55. Montaje experimental para le rectificador trifásico simple [3].
 Realice medidas del voltaje con el osciloscopio y con el multímetro (Tensiones RMS, Valor pico,
valor medio). Compare con los resultados teóricos y de simulación [3].
 Registre las observaciones de la práctica [3].
Rectificador Trifásico en Puente
 Implemente el circuito de la figura 3.56, conectando como carga tres bombillas en serie. Utilice
la red trifásica como fuente de alimentación [3].
Figura 3.56. Montaje experimental para le rectificador trifásico tipo puente [3].
477
 Realice medidas del voltaje con el osciloscopio y con el multímetro (Tensiones RMS, Valor pico,
valor medio). Compare con los resultados teóricos y de simulación [3].
 Observe el comportamiento del rectificador si algunos diodos fallan. Lleve a cabo el análisis
correspondiente para un diodo, dos diodos y tres diodos cualesquiera [3].
 Registre las observaciones de la práctica [3}.
ASPECTOS PARA EVALUAR EN EL INFORME [3]
Para la elaboración del informe de laboratorio se van a tener en cuenta cada uno de los siguientes
puntos en el orden que se establecen a continuación.
Marco Teórico para las dos topologías: Rectificador trifásico simple, Rectificador trifásico en puente
Cálculos Teóricos para cada topología: 𝑉𝑜𝐷𝐶 , 𝐼𝑜𝐷𝐶 , 𝑃𝑜𝐷𝐶 , 𝑉𝑜𝐴𝐶 , 𝐼𝑜𝐴𝐶 , 𝑃𝑜𝐴𝐶 , 𝐼𝑓𝑅𝑀𝑆 , 𝑆𝑒𝑛𝑡 , ηcarga,
η𝑒𝑛𝑡𝑠𝑎𝑙 =TUF.
Simulaciones para cada topología con los datos de simulación correspondientes: 𝑉𝑜𝐷𝐶 , 𝐼𝑜𝐷𝐶 ,
𝑃𝑜𝐷𝐶 , 𝑉𝑜𝐴𝐶 , 𝐼𝑜𝐴𝐶 , 𝑃𝑜𝐴𝐶 .
Simulaciones para Fourier de la corriente de entrada y F.P. para cada topología.
Gráficas de tensión y Corriente obtenidas en el laboratorio para cada topología.
Mediciones de tensión y Corriente obtenidas en el laboratorio para cada topología.
Análisis y Comparación de las formas de onda obtenidas por teoría, simulación y laboratorio para
las dos topologías.
Análisis y Comparación de datos obtenidos por cálculos, simulación y mediciones para las dos
topologías (incluyendo efecto no lineal del bombillo) .
Análisis para el Factor de Potencia para las dos topologías.
Bibliografía y Referencias en el informe.
5. BIBLIOGRAFIA
[1] NOTAS DE CLASE. Electrónica de Potencia. 2014
[2]RASHID, Muhammad. POWER ELECTRONICS HANDBOOK.2001. AcademicPress.
[3] BAQUERO, Giovanni. LABORATORIO ELECTRÓNICA de POTENCIA. Guías De Laboratorio.
478
PRÁCTICA 3.5
CARACTERÍSTICAS DE LOS TIRISTORES:
EL SCR EN DC Y EN AC
479
1. INTRODUCCIÓN
El proceso de rectificación puede realizarse tanto de forma controlada como no controlada. Esta última
es la que se realiza con los diodos. El proceso de rectificación controlada permite establecer el ángulo de
conducción a partir del cual el dispositivo rectificador empezará a funcionar. Para ello se emplea un
dispositivo denominado SCR, el cual debe cumplir las especificaciones de polarización de un diodo entre
los terminales de ánodo y cátodo para entrar en estado de conducción; además posee un terminal
adicional (compuerta) para activar el dispositivo. El comportamiento de un SCR presenta una respuesta
diferente si se trabaja en DC o en AC.
2. OBJETIVOS
Objetivo general
Implementar dos topologías de circuito para comprender el funcionamiento de un SCR tanto en

corriente continua como en corriente alterna.
 Comprender el comportamiento de encendido y apagado de un rectificador controlado.

 Determinar los parámetros de polarización para el SCR
 Observar el efecto térmico en el dispositivo y como interviene en su estado de operación.
3. MARCO TÉORICO
El Rectificador Controlado de Silicio (SCR) es un dispositivo de tres terminales: ánodo, cátodo y

compuerta. Internamente el dispositivo se compone de tres uniones PN, como se muestra en la figura
53. Cuando el dispositivo se encuentra activado, es decir, la corriente va de ánodo a cátodo, dos uniones
se colocan en directo y una en inverso.
Figura 3.57. Estructura en uniones PN para el SCR [3].
480
El símbolo equivalente del dispositivo se muestra en la figura 3.57. Al igual que otros dispositivos como
el GTO, el MCT y el Triac, el SCR es un tiristor con el que se puede controlar la activación de elementos
interruptores en un circuito. Para activar este tipo de dispositivos se requiere que la diferencia de
potencial entre sus terminales de compuerta y cátodo sea mayor a cero, de tal forma que se establezca
el flujo de corriente desde ánodo hacia cátodo [1]. La dirección de la corriente y el sentido de la tensión
en el SCR, cuando está activado el dispositivo, también se muestran en la figura 3.58.
Figura3.58. Símbolo equivalente para el SCR [3].
Este dispositivo presenta condiciones tanto de encendido como de apagado, por lo que permite realizar
control unidireccional en un circuito. Comúnmente para realizar el control de activación del SCR se
inyectan pulsos de corriente de 200uA a 200mA por el terminal de compuerta, mientras que para el
apagado del dispositivo no se requiere de un driver adicional ya que se realiza de modo natural siempre
y cuando no haya corriente por el terminal de compuerta y la tensión entre ánodo y cátodo sea menor a
cero [2]. En la figura 3.59 se muestra la curva característica de tensión-corriente.
Figura 3.59. Curva característica v-i para un SCR [3].
481
La curva característica para los SCR que se muestra en la figura 3.59, consisten básicamente de una
familia de curvas en donde se observan la forma que adquiere la gráfica dependiendo del valor de la
corriente de compuerta. Esta sección de la curva posee dos extremos, el primero es cuando la corriente
de gate es igual a 0 donde la tensión ánodo-cátodo es igual a la tensión de ruptura en directo, el otro
extremo de la curva es cuando la corriente de compuerta es igual a la corriente de disparo de
compuerta, cuyo valor se encuentra en las hojas de datos del tiristor [5].
Los SCR se pueden activar de otras formas diferentes a la corriente de compuerta. Por ejemplo,
variaciones de tensión repentinas o diferencias de potencial entre los terminales de ánodo-cátodo
mayores al voltaje de ruptura en directo; el problema es que estos métodos de activación podrían
resultar destructivos para el tiristor. Como el tiristor es un dispositivo fabricado con semiconductores.,
responde a las formas de activación mediante luz y calor. Para poder activar un SCR a través de luz se
requiere que las uniones pn del dispositivo estén expuestas al haz luminoso. Por otra parte, cuando se
incrementa la temperatura del dispositivo, se generan pares electrón-hueco al interior de las uniones, lo
que causa un incremento en las corrientes de fuga y por tanto la activación del SCR [5]
 SCRs de referencia C106 con disipadores.

 Diodo LED.
 Fuentes de alimentación variables DC.
 Resistencias: 100Kohms, 200Kohm, 470Kohm, 1Mohm, 10Mohm.
 Bombilla para 120Voltios/100Watios con roseta.
SIMULACIÓN
La práctica se divide en dos partes: características de los SCR en DC y características de los SCR en AC.
Antes de iniciar con la práctica de laboratorio, se debe disponer de la totalidad de los materiales, con el
fin de evitar retrasos en el desarrollo de la misma. En la sección de ANEXOS se brinda una lista detallada
de los mismos.
482
Características de los tiristores en DC
 En esta parte de la práctica se debe emplear el circuito que se muestra en la figura 3.60. El valor
de la resistencia de carga debe ser de 20Ω y la fuente de alimentación V1 debe ser fijada a 5V. La
resistencia que se encuentra en serie con el LED es de 470Ω [4].
Figura 3.60. Montaje experimental para análisis de SCR en DC [4]
 Posteriormente, la fuente Vgate debe variarse hasta que el LED que se encienda. Lo anterior
indicará que el SCR se encuentra en su estado de conducción. En este punto se debe determinar
la corriente de gate mediante la siguiente ecuación [4]:
𝑉𝑔𝑎𝑡𝑒 (𝑜𝑛)
𝐼𝑔𝑎𝑡𝑒 (𝑜𝑛) =
𝑅𝑔𝑎𝑡𝑒
 Donde Vgate(on) corresponde a la tensión en la fuente que alimenta el circuito de compuerta para
el cual el LED se encendió y Rgate es un valor de resistencia seleccionado de la lista de materiales
mostrada anteriormente.

 Luego de encontrar al corriente de compuerta que enciende el SCR se debe retirar, y observar el
comportamiento del circuito bajo las nuevas condiciones [4].
Características de los tiristores en AC
483
Para la segunda parte del laboratorio se va a trabajar con la red eléctrica, por tanto es importante seguir
las recomendaciones de seguridad que se mencionaron anteriormente.
 Realice el montaje del circuito que se muestra en la figura 3.61. El valor de la resistencia Rgate se
selecciona de la lista de materiales que se mostró anteriormente.
Figura 3.61. Montaje experimental para análisis de SCR en AC [4]
 Varíe la fuente de alimentación Vgate y registre los distintos valores de tensión entre ánodo y
cátodo al igual que los distintos valores de corriente de compuerta. Con el osciloscopio observe el
comportamiento del SCR. Concluya acerca de la relación entre VAK e Igate[4].
 Ahora retire la corriente en el terminal de compuerta del SCR y observe el comportamiento tanto
del circuito como del SCR [4].
 Finalmente verifique el efecto térmico en los tiristores. Para ello retire la fuente del terminal de
compuerta junto con el disipador del SCR. Caliente el dispositivo y describa lo que ocurre [4].
ASPECTOS PARA EVALUAR EN EL INFORME [4]
Al momento de presentar el informe deben estar explícitamente los siguientes aspectos en el orden
que se presentan a continuación.
484
Marco Teórico para los Tiristores: curva característica, encendido, apagado, efecto térmico.
Datos del datasheet para el SCR.
Investigación o consulta del modelo pspice-altium del SCR.
Cálculo de 𝑅𝑔 para el SCR en DC
Medición de 𝑉𝑔 y determinación de 𝐼𝑔𝑡 en el laboratorio para el SCR en DC.
Análisis y Comparación de 𝐼𝑔𝑡 obtenida del datasheet y del laboratorio para el SCR en DC.
Análisis del comportamiento de encendido y apagado del SCR en DC.
Gráficas de la tensión ánodo-cátodo obtenidas en el laboratorio para el SCR en AC.
Medición de los parámetros de encendido del SCR en AC: 𝑉𝑔 , 𝐼𝑔𝑡 , 𝑉𝑎𝑘
Análisis y Comportamiento de los parámetros de encendido 𝑉𝑎𝑘 vs 𝐼𝑔𝑡 , para el SCR en AC.
Análisis del efecto térmico cuando se calienta el dispositivo y 𝐼𝑔𝑡 , = 0, para el SCR en AC.
Bibliografía y Referencia en el Informe.
6. BIBLIOGRAFÍA
[1] HART, Daniel W. Electrónica de Potencia. 2001. Prentice Hall.
[2] NOTAS DE CLASE. Electrónica de Potencia. 2014
[3] ON Semiconductor, ThyristorTheory and DesignConsiderations, 2005.
[5] M. H. RASHID, Electrónica de Potencia, México D.C.: Prentice Hall
Hispanoamérica, 2004.
485
PRÁCTICA 3.6
CONTROL DE FASE DE TIRISTORES
DIMER con UJT y SCR
486
1. INTRODUCCIÓN
Los dispositivos rectificadores controlados (SCR) requieren un modo de activación para entrar en
funcionamiento. Existen varios métodos para llevar a cabo esta operación. Para su implementación se
construyen circuitos drivers que permiten controlar el ángulo de disparo en el que empezará a conducir
el dispositivo, siempre y cuando se cumplan las condiciones de polarización entre sus terminales ánodo y
cátodo. Uno de los métodos de disparo de SCR consiste en utilizar un transistor monojuntura (UJT).
2. OBJETIVOS
Objetivo general
Construir un circuito para controlar la fase de activación del SCR entre 0° y 180°, mediante un transistor
UJT, tomando como carga una bombilla y alimentando el circuito con la red eléctrica.
 Diseñar la red de polarización del transistor monojuntura para configurar el oscilador de relajación
del DIMMER.
 Analizar las similitudes y diferencias entre los datos del diseño y los resultados de la práctica.
3. MARCO TÉORICO
En esta práctica el elemento principal es el transistor monojuntura que es el e que permite controlar la
fase de activación del SCR. El modelo del dispositivo se muestra en la figura 3.62. El dispositivo posee dos
terminales de base B1 y B2, que modelan la resistencia del material tipo N del transistor. El diodo
simboliza la unión que hay entre el segmento del emisor tipo P y las resistencias de base del material
tipo N [1].
Figura 3.62. Circuito equivalente para el transistor monojuntura [1].
487
El dispositivo tiene una curva característica de corriente contra tensión de emisor, que se muestra en la
figura 3.63. Con esta figura se puede determinar el valor de Re tal que se intersecte la región de
resistencia negativa del transistor UJT [4]. El dispositivo presenta una región lineal hasta que el punto del
voltaje pico, de ese punto en adelante comienza la región de resistencia negativa, es decir, cuando la
corriente incrementa, la tensión disminuye. Este decremento llega hasta el punto valle donde la tensión
en el emisor es más pequeña [1].
Figura 3.63. Curva característica para el UJT y recta de carga para Re [1].
Con el transistor monojuntura se puede construir el oscilador de relajación que se muestra en la figura
3.64. Con este oscilador se construye el DIMMER de la práctica. El funcionamiento del circuito es el
siguiente: mediante la resistencia RE se carga el capacitor CE hasta el punto pico. Cuando la tensión en el
capacitor VE, llega al punto máximo, la resistencia que hay entre emisor y base 1 es pequeña, con lo cual
se logra descargar el capacitor rápidamente. Cuando el capacitor se descarga y llega por debajo del
punto valle, la resistencia entre emisor y base 1 se vuelve grande, y el capacitor se carga nuevamente [1].
Figura 3.64. Oscilador de Relajación con UJT [1].
La frecuencia de oscilación se puede determinar como se muestra en la ecuación (1) [1].
488
1
𝑓= (1)
1
𝑅𝐶 ln (1 − 𝜂 )
Donde el parámetro η, corresponde a la relación punto muerto intrínseco y se define como la relación
entre las resistencias de base, como se muestra en la ecuación (2). El parámetro RBBO es la resistencia
total cuando no se tiene en cuenta la conexión con el emisor [1].
𝑅𝐵1 𝑅𝐵1
𝜂= = (2)
𝑅𝐵𝐵𝑂 𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
Se pueden determinar otros parámetros de la figura, a continuación se muestran las ecuaciones
correspondientes:
𝑉𝑃𝐼𝐶𝑂 = 0.7 + 𝜂𝑉𝐵𝐵 (3)

𝑉𝑉𝐴𝐿𝐿𝐸 = 0.10𝑉𝐵𝐵 (4)
Finalmente la resistencia RE, se puede fijar dependiendo de los parámetros de polarización del oscilador
como se muestra en la ecuación (5) [1].
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑉𝐴𝐿𝐿𝐸 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑃𝐼𝐶𝑂
< 𝑅𝐸 < (5)
𝐼𝑉𝐴𝐿𝐿𝐸 𝐼𝑃𝐼𝐶𝑂
En la figura 3.65 se observan las forma de onda de carga y descarga del condensador y como se visualiza
la tensión en la resistencia RE y la tensión de salida del oscilador en RB1.
Figura 3.65. Formas de Onda de tensión en el oscilador de relajación [1]
Para establecer la frecuencia de operación del oscilador, generalmente se establecen un rango de

frecuencias de operación. La frecuencia mínima de operación debe ser de 120 Hz, ya que de acuerdo al
Teorema de Nyquist, la frecuencia de muestreo debe ser al menos el doble de la frecuencia base, para
este caso la frecuencia de la red eléctrica 60Hz. Por otra parte la frecuencia de operación máxima debe
estar entre 3kHz y 5.6kHz, aunque a estas frecuencias el transistor UJT se puede saturar, debido a que
los pulsos pueden estar muy cercanos, lo que hace que afecta el desempeño del circuito [3]. Para la
construcción del DIMMER es necesario utilizar un circuito de sincronización con la red eléctrica. Esta red
se muestra en la figura 3.66.
489
Figura 3.66. Circuito de sincronización con la red eléctrica para el oscilador [2].
El objetivo del circuito de la figura 3.66 es obtener una entrada sincronizada con los semiciclos positivos
de la red eléctrica que serán la fuente de alimentación del oscilador, garantizando el funcionamiento del
oscilador únicamente en dichos semiciclos positivos, garantizando la salida del tren de pulsos observado
en la figura 3.65. La forma de onda de salida se observa en la figura 3.67.
Figura 3.67. Forma de onda de salida del circuito de sincronización [3]
La figura 3.67 se obtiene del circuito de la figura 3.66. Este circuito posee inicialmente un diodo que lleva
a cabo la tarea de rectificar la señal entrante. Luego la resistencia limita la corriente que va a entrar al
diodo Zener, protegiéndolo de daños ya que la fuente de señal para este circuito será la red eléctrica.
Finalmente el diodo Zener lo que hace es regular la tensión a un valor determinado manteniendo esta
tensión constante de entrada al oscilador, hasta que la tensión de la red esté por debajo de la del diodo
Zener, lo que causa que el oscilador quede desenergizado.
Por ultimo en la figura 3.68 que corresponde al montaje que se va a implementa, se observa en la salida
del oscilador una resistencia y un diodo de propósito general. El objetivo de esta sección del circuito
DIMMER es refinar el pulso de corriente que va a entrar por el terminal de compuerta del SCR, ya que se
eliminan las componentes negativas que tenga la forma de inda de salida del oscilador en la resistencia
de base 1 [3].
490
 Transistor Monojuntura 2N2646 de encapsulado metálico

 SCRs de referencia C106 con disipadores
 Bombillo de filamento resistivo 100Watts/120Vrms con roseta
 Diodos De Propósito General 1N4004
 Diodo Zener (referencia según el diseño)
 Condensadores
 Resistencia
SIMULACIÓN
DESARROLLO DE LA PRÁCTRICA
 Diseñe el circuito que se muestra en la figura 3.68 para que cumpla las condiciones de control de
fase de 0-180° para un SCR [2]. Para diseñar la red de polarización las resistencias R2 y R3 se
pueden seleccionar en una relación 1 a 10. Para los demás componentes del oscilador utilice las
fórmulas proporcionadas en la sección 5. MARCO TEÓRICO.
Figura 3.68. Circuito DIMMER para control de fase de SCR con UJT [2].
491
 Implemente el circuito diseñado y compare con los resultados de la teoría. Para la carga utilice
una bombilla incandescente de entre 60-100W y la red eléctrica 120VRMS como fuente de
alimentación para el circuito [2].
6. BIBLIOGRAFÍA
[1] ALL ABOUT CIRCUITS. The Unijunction Transistor (UJT). Disponible en:
http://www.allaboutcircuits.com/vol_3/chpt_7/8.html. Consultado en 7 de enero de 2015.
[3]NOTAS DE CLASE. Electrónica de Potencia. 2014
[4] UJT Oscillators and Timer Circuits. Disponible en: http://faraday.ee.emu. edu.tr/eeng441/EXP3.pdf.
Consultado en: 20 de enero de 2015.
492
PRÁCTICA 3.7
CONTROL DE FASE DIAC TRIAC
493
1. INTRODUCCIÓN
Una alternativa al SCR es los componentes DIAC y TRIAC, su diferencia radica en que mientras el SCR es
unidireccional, el sistema DIAC, TRIAC por sus características, garantiza un control bidireccional, son
utilizados como dispositivos de control de calor, velocidad de motores AC, luminiscencia, entre otras.
2. OBJETIVOS
Objetivo general
Diseñar dos circuitos para hacer control de la fase mediante un sistema DIAC-TRIAC, tomando como
carga una bombilla de 60 a 100w y alimentando el circuito con la red eléctrica.
 Diseñar dos circuitos para realizar un DIMMER.

 Identificar la histéresis y sus efectos.
 Ver como la segunda parte afecta el circuito y analizar su comportamiento.
3. MARCO TÉORICO
El DIAC (diodo de disparo bidireccional) Es un componente electrónico que está diseñado para conducir
en ambos sentidos, por esta razón se dice que es un elemento bidireccional, siempre y cuando que se
llegue a su voltaje de disparo. Cada tipo de DIAC tendrá su propio nivel de disparo todo depende de su
construcción interna y como lo halla diseñado el fabricante.
Figura 3.69. A la derecha símbolo del diac y ala izquierda estructura interna.
494
La curva característica de corriente contra voltaje, que se muestra en la siguiente figura.
Figura 3.70. Curva característica del el DIAC.
Si se hace una comparación entre el los dispositivo unidireccionales con los bidireccionales, el DIAC se
parce al diodo como el TRIAC al SCR. Esto significa que necesita de un pulso de corriente en gate para
poder conducir entre los ánodos
Figura 3.71. A la derecha símbolo del TRIAC y a la izquierda estructura interna.
Comencemos nuestro estudio viendo primer circuitos a montar y a partir de las observaciones del
circuito de la parte superior llegaremos al de la parte inferior
495
Figura3.72. En la parte superior circuito con condiciones iniciales, parte inferior circuito con descarga del
condensador.
PARTE A
Para comenzar el análisis realizaremos un Thevenin de parte del DIAC, y suponemos que la resistencia
que ofrece el bombillo es despreciable, con lo que conseguimos es lo siguiente.
Figura 3.73. Análisis de Thevenin.
Si trasladamos el circuito a un análisis fasorial donde la carga RC la veremos como una impedancia y el
voltaje de control o de Thevenin será el mismo que el del condensador el siguiente sistema de
ecuaciones.
496
𝑉𝑝 𝜋 1
𝑉𝑐 = ∠ − ( + tan−1 (− )) (1)
2 2 𝜔𝐶1 𝑅1
1
𝜔𝐶1 √𝑅1 2 + (𝜔𝐶 )
1
A partir de la ecuación (1) dejamos expresado la función de voltaje del condensador en el tiempo
𝑉𝑝 𝜋 1
𝑉𝑐 = sin (𝜔𝑡 − ( + tan−1 (− ))) (2)
2 2 𝜔𝐶1 𝑅1
1
𝜔𝐶1 √𝑅1 2 + ( )
𝜔𝐶1
Si dejamos el condensador como la variable fija y la resistencia variable veremos un comportamiento en

la señal de la siguiente forma:
Figura3.74. Curvas del voltaje en el condensador en función de la resistencia.
Apartar de la ecuación (2) vemos cuando la amplitud de la señal será menor a el voltaje de conducción
del DIAC
𝑉𝑝
𝑉𝑑𝑖𝑎𝑐 > (3)
2
1
𝜔𝐶1 √𝑅1 2 + (𝜔𝐶 )
1
Despejando de la ecuación (3) tenemos que nuestra resistencia máxima está definida como
1 𝑉𝑝 2
𝑅1 > √( ) −1 (4)
𝜔𝐶1 𝑉𝑑𝑖𝑎𝑐
Para determinar la otra resistencia debemos fijar el valor del potenciómetro y decir que:
497
𝑅1 = 𝑅𝑓𝑖𝑗𝑎 + 𝑅𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑜𝑚𝑒𝑡𝑟𝑜 (5)
si remplazamos la ecuación (5) en (4) obtenemos que
1 𝑉𝑝 2
𝑅𝑓𝑖𝑗𝑎 > √( ) − 1 − 𝑅𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑜𝑚𝑒𝑡𝑟𝑜
𝜔𝐶1 𝑉𝑑𝑖𝑎𝑐
PARTE B
Debido a que el primer circuito deja condiciones iniciales en el condensador esto puede causar cierta
inestabilidad en el control, a este estado se le llama histéresis. La manera de controlar esto es obligando
al condensador más rápido, para eso se hace el arreglo de los diodos y resistencias que se muestra en el
segundo montaje, para hallar estas resistencias supongamos que estamos en el momento de disparo del
DIAC y que el potenciómetro está en alta impedancia. Haciendo un análisis de corrientes como se
muestra.
Figura 3.75. Análisis de corriente.
Se enriende a parir del diagrama que la velocidad de descarga está definida por R4 y R5, si usamos los
conceptos de descarga de un condensador sabemos que:
𝜏 = (𝑅4 + 𝑅5 )𝐶
Si se dice que R4 = R5=R, suponemos que 𝜏 < 1𝑚𝑠 y despejamos de la ecuación
1𝑚𝑠
𝑅<
2𝑐
498
 DIAC de 28V a 32V.

 TRIAC complementario al DIAC
 Condensador
 Resistencia
SIMULACIÓN
 Diseñe los circuitos mostrados en el marco teórico para realizar el control de fase bidireccional.
Deducir cada elemento del circuito a partir de lo explicado en el marco teórico. Para la carga utilice
una bombilla incandescente de entre 60-100W y la red eléctrica 120VRMS como fuente de
alimentación para el circuito.
6. BIBLIOGRAFÍA
[1] notas de clase ELECTRÓNICA DE POTENCIA 2013-1
499
PRÁCTICA 3.8
CONTROL DE FASE POR PWM
500
1. INTRODUCCIÓN
La modulación de ancho de pulso o PWM de una señal es una técnica que logra producir un efecto de
una señal analógica sobre un elemento análogo, a partir de la variación de la frecuencia y ciclo de trabajo
de una señal que puede ser generada tanto de manera análoga como digital. Para esta práctica
realizaremos de manera análoga y relazarla a partir de esta técnica
2. OBJETIVOS
Objetivo general
Diseñar e implementar dos circuitos para hacer control de la fase con SCR y un foto-triac y TRIAC,
tomando como carga una bombilla entre 60 a 100W y alimentando el circuito con la red eléctrica.
 Comprender la característica de cada circuito y sus diferencias.

 Importancia de comprender el concepto de punto y no punto de un transformador.
3. MARCO TÉORICO
Para poder aplicar un PWM se tiene que tener claro dos conceptos fundamentales de este el ciclo de
trabajo y la frecuencia, el primero describe la cantidad de tiempo que la señal está en un estado en alto
o encendida y el segundo describe la cantidad de ciclos que se presenta en un instante de tiempo. El
ciclo de trabajos se da como una relación porcentual del tiempo que dura la señal prendida y el tiempo
total que esta toma para completar un ciclo. Se determina como
𝑡𝑜𝑛
𝐷= ∗ 100% = 𝑡𝑜𝑛 ∗ 𝑓𝑃𝑊𝑀 ∗ 100%
𝑇𝑃𝑊𝑀
501
Figura 3.76. Señal de PWM.
Señales de PWM son utilizadas comúnmente para realizar control de elementos mecánicos como
motores DC, válvulas, bombas, sistemas hidráulicos, y algunos elementos mecánicos. La frecuencia de
PWM depende de gran medida de la aplicación y del tiempo de respuesta del sistema que está siendo
controlado, si el sistema es de respuesta lenta se considera una frecuencia entre los 10 a 1 kHz, en
motores DC 5 k a 10 kHz y Fuentes de poder o amplificadores de audio entre 20k y 200 kHz
El optoacoplador es un elemento análogo donde se busca aislar dos sistemas diferentes pero donde uno
depende de la respuesta del otro, este dispositivo electrónico funciona como un interruptor donde el
“habilitador” es un LED que activa o satura un fototransistor o en este caso un fototriac, de estos
elementos se encuentra de muchas clases, que varían desde la cantidad de corriente y voltaje hasta la
velocidad de reacción.
Figura 3.77. A la derecha símbolo del fototransistor y a la izquierda símbolo del fototriac.
Ahora hablemos de un elemento que es muy comúnmente usado en la electrónica pero pocas veces se
toma en consideración y es el transformador, es un elemento que apartar de una señal AC atreves de a
inducción electromagnética, reducir o elevar su tención conservando la potencia, es decir que la
potencia de entrada siempre será la misma de la salida.
Para este caso de la práctica lo que se busca es su capacidad de invertir una señal sinusoidal del
primario, esto se debe a la convención de punto, que define la polaridad de la tensión de salida del
transformador está en función de cómo se realice la conexión, el siguiente diagrama explica de manera
sencilla la conexión y sus efectos.
502
Figura 3.78. Diagrama de convención de punto.
PARTE A
Figura 3.79. Circuito PWM para SCR.
Para comprender este circuito vamos a dividirlo en tres partes, una por cada ampliador operacional.
Tanto el primer amplificador como el tercero son comparadores y el segundo es un integrador.
Entendiendo el comportamiento del primer amplificador se observar un comportamiento el tiempo de la

siguiente manera
503
Figura 3.80. Señales de entrada y salida del amplificador número 1.
Debido a que el amplificador operacional está en modo comparador, la señal sinusoidal está siendo
“convertida” a una onda cuadrada con ciclo útil del 50%, esto se debe a que el amplificador operacional
cuando hace la comparación con 0 V con la onda seno, comienza a saturarse entre Vcc y -Vcc y así logras
conseguir una onda cuadrada con frecuencia de 60 Hz.
Ya lograda onda cuerda vamos a integrarla para conseguir una onda triangula, si hacemos la
comparación directamente con la onda sinusoidal el control no tendrán comportamiento línea.
Recordemos que para lograr la integración usamos un circuito con amplificador operacional y con un RC
donde su ecuación hasta definía como:
1
𝑉𝑜𝑢𝑡 (𝑡) = − ∫ 𝑉𝑖𝑛 (𝑡) 𝑑𝑡
𝑅𝐶
Esta cosa siempre tendrá validez si se tienen cuenta los siguientes dos requerimientos, las dos
resistencias que van con el amplificador operacional sean iguales Y que el sistema de carga sea 10 veces
mayor que la frecuencia del periodo en la mitad perdió la señal, traduciendo esto una ecuación significa
que:
𝜏 = 10𝑡𝑜𝑛 = 𝑅𝐶
Se tiene que ver la señal de entrada y salida como se viene la siguiente figura.
504
Figura 3.81. Señales de entrada y salida del amplificador número 2.
Ya para realizar el PWM lo único que quiero hacer es compararlo con un voltaje DC volviendo a causar
un amplificador en modo comparación donde una entrada en ser a la onda triangular y el otro lado un
potenciómetro donde era todo el curso desde𝑉𝐶𝐴 –𝑉𝐶𝐶 , con esto lograremos hacer la modificación del
ancho del pulso de la señal.
Figura 3.82. Señales de entrada y salida del amplificador número 3, con modificación del ciclo útil.
505
PARTE B
Figura 3.83. Circuito de control para TRIAC.
Este circuito a diferencia del anterior permite un control de las dos fases, parte de la comparación de la
misma señal pero haz una doble comparación permitiéndole a realizar un control en los dos semiciclos
de la señal de la red eléctrica, otra diferencia esta que realiza el PWM a partir de la comparación con
una diente de sierra y no con una señal triangular, simple y parece no tener mucha importancia pero
cuando se hacen análisis de Fourier del PWM sin comprender la diferencia ya que está será single said
band y la anterior será doble said band donde representa la mitad del consumo de potencia que me
caso el circuito interior.
Igual que el caso anterior vamos a realizar un análisis gráfico por cada uno de los amplificadores con el
fin de llegar a la respuesta final.
Comencemos mirando la señal que entre los amplificadores de la tapa de comparación, igual que el caso
anterior va a generar una onda cuadrada de 60Hz pero si detallamos bien una de la negación de la otra.
Figura 3.84. Señal de entrada del amplificador 1 y 2 y sus salidas.

506
Después de pasarnos por el circuito RC vemos que surgieron unos pulsos, que nos ayuda ayudar a
generar la onda diente de sierra.
Figura 3.85. Pulsos de voltaje generados por el RC.
Por último toca rectificar las señales de los pulsos para saturar el transistor (Vb), esto causará que se
descargue el condensador generando nuestra señal de dientes sierra.
507
Figura 3.86. Pulsos rectificados y generación de la diente de sierra.
Por último hay que realizar la comparación entre el voltaje DC variable y diente de sierra.
508
Figura 3.87. Pulsos rectificados y generación de la diente de sierra.
 Transformador de 120Vrms a 9Vrms

 Amplificadores operacionales
 Condensadores
 Resistencia
 Transitar PNP
 Otpotriac MOC3011

SIMULACIÓN
Diseñe los circuitos mostrados en el marco teórico para realizar el control de fase bidireccional y
unidireccional. Deducir cada elemento del circuito a partir de lo explicado en el marco teórico. Para la
509
carga utilice una bombilla incandescente de entre 60-100W y la red eléctrica 120VRMS como fuente de
alimentación para el circuito.
6. BIBLIOGRAFÍA
510
PRÁCTICA 3.9
GENERADORES DE PWM
1. INTRODUCCIÓN
En el momento que se necesita realizar un PWM existen dos formas de realizarlo, de manera digital o
análoga, dependiendo de la aplicación se aplica una u otra, si hacemos un recuento de la práctica
número ocho (control de fase por PWM) se hizo con el fin de controlar un SCR y un TRIAC a bajas
frecuencias y siendo solo era útil para ese tipo de montaje. En esta práctica vamos a realizar nuestro
propio PWM de manera discreta y con un integrado.
2. OBJETIVOS
Objetivo general
Diseñar un circuito que genere un PWM y comprender las diferencias y utilidades de usar un
componente ya integrado.
 Diseñar un circuito para realizar PWM.

 Comprender las diferencias y en qué casos de aplica cada uno.
3. MARCO TÉORICO
 Rc = 200Ω / 1Watt.
 TL494 o LM3524
 LM 321 o LM 353
5. PROCEDIMIENTO DE LA PRÁCTICA
SIMULACIÓN
El circuito que vamos a implementar en la primera parte de esta práctica se presenta en la siguiente
figura
511
Figura 3.88. Generador de PWM discreto.
Este circuito está compuesto de dos partes, de un generador de onda triangular y un comparador. La
primera parte está formada por el amplificador operacional U1 y U2, si lo separamos del comparador
veremos que eta compuesto de las siguientes partes:
Figura 3.89. Generador de onda cuadrada-triangular.
512
Este circuito puede considerarse que es un doble generador de señal donde la salida de U1 puede salir
una onda cuadrada de siclo útil del 50%, también se puede ver cómo y en la salida de U2 la señal de onda
deseada que es la onda triangular. Este sistema está representado por la ecuación:
𝑅1
𝑓=
4𝜋𝑅2 𝑅3 𝐶1
Es necesario tener en cuente que este circuito solo funciona con fuente simétrica, es decir una fuente de
alimentación negativa y positiva. También R1 debe ser mayor a R3. Si son de valores aproximados es
mejor, pero al ser iguales el circuito no funcionara, por ultimo toca usar amplificadores alta velocidad
para poder generar señales de alta frecuencia.
A partir de las recomendaciones anteriores se tiene que observar las siguientes señales saliendo del
generador.
Figura 3.90. Señales del generador de onda cuadrada-triangular.
Dependiendo de lo que se necesite se usa una señal o la otra, sabemos que el circuito opera con
normalidad cuando vemos la onda cuadrada sale del amplificador uno (U1) y la triangular del
amplificador dos (U2).
Por ultimo realizamos la comparación con el amplificador número tres y como resultado tenemos que
comprobar que efectivamente realiza el PWM.
513
Figura 3.91. Señal de PWM con el generador de onda cuadrada-triangular.
Comprobará que a medida que realiza la primera parte de la práctica este circuito tiende a tener
problemas como por ejemplo, dependiendo del amplificador la velocidad y su velocidad de subida (slew
rate) tendrá un límite de trabajo o si no se ponen el condensador y las resistencias correctas el circuito
jamás prendera, por eso como contra parte tendemos los integrados TL494 o el LM3524.
Circuito integrado TL494 originalmente está diseñado para el control de fuentes de alimentación
conmutadas ha sido fabricado desde la década de los 70 y combina muchas características que varios
circuitos de control. En cambio el LM3524 es un regulación de ancho de pulso es comúnmente utilizado
como elemento de control y modulación aunque también permite que sea utilizado en otras
aplicaciones. Para esta práctica se darán los diagramas de conexión y los datos importantes a tener en
cuenta aunque el estudiante tiene que realizar una previa investigación sobre como escoger los
elementos para el oscilador y los transistores internos (sistemas open colector). También para saber más
de sus características de rendimiento, sus limitaciones y características generales.
514
En la siguiente figura vemos como se realiza la circuitería para esta prueba
515
Figura 3.92. (superior) conexión TL494, (inferior) conexión LM3524.
6. BIBLIOGRAFÍA
516
PRÁCTICA 3.10
INVERSOR DE VOLTAJE Y MODULACION SPWM
1. INTRODUCCIÓN
Hay momentos donde necesitamos ir a contrario de lo que normalmente se ha hecho a lo largo del
curso y eso es volver una señal DC en una AC, en el mundo real esto se aplica cuando se acoplan
sistemas de 120Vrms/60Hz a 220Vrms/50Hz, sistemas de redes que funcionan con paneles solares o en
UPS. Existen varios métodos para poder hacer la conversión DC-AC para este caso usaremos la técnica de
SPWM.
2. OBJETIVOS
Objetivo general
Diseñar e implementar circuito realice una modulación SPWM Y un inversor de voltaje.
 Comprender el funcionamiento el inversor de voltaje y sus aplicaciones.

 Diseñar un circuito que realice el SPWM.
 Diseño de inductores.
3. MARCO TÉORICO
 RL = 100Ω / 10Watt.
 TL494 o LM3524
 LM 321 o LM 353
 L6203
SIMULACION
Para realizar un inversor se pueden aplicar varias técnicas, en este caso vamos a usar SPWM donde
buscamos a partir de una modulación generar una señal seno de gran amplitud, aunque suene extraño, a
partir de una señal seno muy pequeña se busca “amplificarla” hasta el nivel deseado, la razón por la que
517
se usa este método es que la amplificación solo depende de la señal modulada y esto se logra
aumentando la amplitud de la fuente.
Comencemos con dos conceptos básicos para entender SPWM la moduladora y portadora, la
moduladora es la onda o mensaje que se desea trasmitir, y la moduladora es la que lleva en mensaje,
existen varias formas de realizar esta tarea por ejemplo esta las más conocidas como AM y FM. En
nuestro caso usamos la variación de ancho de pulso (PWM) como se dijo anterior mente solo con
ampliar la amplitud del PWM lograremos tener una seno más grande.
Ahora la cuestión está en lograr esto, para eso vamos a realizar la comparación entre una señal
triangular y una seno esto nos dará el SPWM que deseamos, para comenzar usando los circuitos de la
práctica pasada podemos realizar esto de manera discreta o con los integrados TL494 o LM3524.
Lo segundo es tener en cuenta es la modulación, se tiene que tener en cuenta la frecuencia y la

amplitud de del portadora y la moduladora, la señal seno se puede generar de diferentes maneras
desde, un recetador de señal asta con un sistema digital y el uso de un DAC, pero en esta práctica no nos
enfocaremos en fabricar la moduladora, así que solo se usara un generador de señales, ahora la triangula
ya está por defecto en la práctica anterior, siendo así los única modificación en los circuitos será la
siguiente.
Figura 3.93. SPWM discreto.
518
Figura 3.94. SPWM con TL494.
Figura 3.95. SPWM con LM3524.
Para tener en cuenta en la amplitud de la seno y la frecuencia de la triangular tengamos en cuenta las
siguientes formulas.
𝑉𝑝𝑖𝑐𝑜 𝑠𝑒𝑛𝑜
𝑀𝑎 =
𝑉𝑝𝑖𝑐𝑜 𝑡𝑟𝑖𝑎𝑛𝑔𝑢𝑙𝑎𝑟
519
𝑓𝑝𝑤𝑚
𝑀𝑓 =
𝑓𝑠𝑒𝑛𝑜
𝑉𝑝𝑖𝑐𝑜 𝑠𝑒𝑛𝑜 𝑓𝑖𝑙𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 = 𝑉𝐷𝐶 ∗ 𝑀𝑎
La primera fórmula habla del índice de modulación de la amplitud y la segunda de la frecuencia, este mas
sea Mi cercano a uno mejor la traición y a mayor sea Mf el filtro trabaja mejor. Por último tenemos la
que dará la señal de salida, si se nota que si Ma es muy pequeño el voltaje de alimentación del puente
será muy alto para lograr la amplitud decida.
Ahora las señales de entrada y salida deben verse así
Figura 3.96. Señal de entrada seno y triangular.
Hay que anotar que el nivel DC de las dos señales tiene que ser iguales.
520
Figura 3.97. SPWM unipolar.
Debido a que el puente necesita también SPWM negado, esto se puede hacer con una compuerta lógica
NOT o un amplificador operacional, depende de cada estudiante escoger como desea negar la señal. Al
final l tiene que lograr la siguiente imagen.
Figura 3.98. SPWM negado
Por ultimo entre las ramas del puente se tiene que ver la siguiente señal
521
Figura 3.99. PWM bipolar.
Aunque sea una señal confusa si trasladamos al mundo de Fourier se verá la portadora y la moduladora,
para el puente se puede hacer con un L6203 pero si así lo desea puede ser discreto.
Figura 3.100. SPWM analizado en Fourier.
522
El primer armonio que se ve a mano izquierda corresponde a la señal seno con frecuencia de 60Hz y a
mano derecha la frecuencia de PWM, ahora se usa un filtro pasa bajos para lograr eliminar estas
frecuencias no deseadas. Eso se logra con un filtro LC, se usa este filtro porque en electrónica de
potencia es el único filtro que no consume energía como el RC o RL.
Figura 3.101 Filtro RLC
Recuerde que la frecuencia de corte de este circuito está definido como:

1
𝑓𝑐 =
2𝜋√𝐿𝐶
Por último se verá la señal seno de salida.
A continuación se muestra un código en MATLAB si el estudiante desea ver las formas de onda y el
comportamiento de Fourier de la señal.
clc
clear all;
close all;
Fs = 60000; % frecuencia de muestreo
T = 1/Fs; % periodo de muestreo
L = 1666; % duración de la señal
t = (0:L-1)*T; % tiempo de el vector
f = Fs*(0:(L/2))/L;
523
%señal seno
f1=60;
V1=3.332*sin(2*pi*f1*t);
%señal triangular
f2=40000;
V2=5*sawtooth(2*pi*f2*t)+1.666;
%señal de pwm
u1 = V1>=V2;
u2 = u1-1;
pwm = 5*u1;
pwm_n = 5*u2;
H=pwm+pwm_n;
y=fft(H);
P2 = abs(y/L);
P1 = P2(1:L/2+1);
P1(2:end-1)=2*P1(2:end-1);
subplot(2,2,1), plot(t,V2);
title('señal triangular');
xlabel('t(s)');
ylabel('V');
grid on;
subplot(2,2,2), plot(t,V1);
title('señal seno');
524
xlabel('t(s)');
ylabel('V');
grid on;
subplot(2,2,3), plot(t,H);
title('señal PWM');
xlabel('t(s)');
ylabel('V');
grid on;
subplot(2,2,4), plot(f,P1);
title('señal de pwm en el dominio de la frecuencia');
xlabel('f (Hz)');
ylabel('|y(f)|');
grid on;
6. BIBLIOGRAFÍA
525
PRÁCTICA 3.11
INVERSOR DE VOLTAJE Y MODULACION SPWM
1. INTRODUCCIÓN
Ya se vio conversores AC-DC, AC-AC y DC-AC pero falta el converso DC-DC, originalmente diseñado por
Thomas A. Edison, aunque emula lo que un transformador realiza den los modelos AC, trabaja atreves
del PWM, de los elevadores de voltaje se pueden encontrar de muchas topologías e incluso uno con algo
de ingenio y astucia, se puede diseñar su propio conversor DC-DC. Para concluir en esta práctica solo se
utilizara el elevador tipo boost.
2. OBJETIVOS
Objetivo general
Diseñe y monte un Elevador fijo de 12Vdc a 36Vdc, para una carga de 100ohms/10W
 Diseñar un circuito que realice el PWM.

 Diseño de inductores.
 Análisis del comportamiento del circuito.
3. MARCO TÉORICO
SIMULACIÓN
526
Imagine la siguiente situación, se pose dos elementos que almacenan energía y se quiere pasar una al
otro en ciertos instantes de tiempo pero y gastarla e manera dosificada, con el fin de que los diferentes
elementos jamás queden “vacíos”, esto a modo general es lo que buscamos hacer en esta práctica.
El circuito tipo boost realiza esto sin necedad de muchos elementos, todo en función de un PWM que se
encarga de encender y apagar un “swich”, un condesado y una bobina donde se almacena la energía.
Figura 3.102 Circuito BOOST
Ahora en esta guía solo nos encargaremos de calcular los elementos del circuito, más la parte teórica se
puede remitir a los textos guía o a sus apuntes de clase.
Prosigamos con la escoger el siclo útil. Se define

1
𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉
1 − 𝐷 𝑖𝑛
𝑡𝑜𝑛
𝐷=
𝑇𝑝𝑤𝑚
Con el requerimiento que solicita y el laboratorio hallamos D esto ayudara a definir la inductancia, sea L:
𝑇𝑝𝑤𝑚 ∗ 𝑉0 𝑇𝑝𝑤𝑚 ∗ 𝑅
𝐿> 𝐷(1 − 𝐷)2 = 𝐷(1 − 𝐷)2
2 ∗ 𝐼0 2
Definida la inductancia hallamos el condensador
𝐼𝑜 ∗ 𝐷 ∗ 𝑇𝑝𝑤𝑚
𝐶>
𝑉𝑜
Para el pwm se pude hacer los siguientes circuitos.
527
Figura 3.103. PWM con TL494.
Figura 3.104. PWM con LM3524.
El swich lo remplazamos con un mosfet, debe realizarlo cono se muestra en la siguiente figura.
528
Figura 3.105
Por último el diodo, se recomienda un Schottkey debido a las corrientes altas y la frecuencia.
6. BILBIOGRAFIA
529

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LIBRO DE PRÁCTICAS DE

Programa de Ingeniería Electrónica

1. Prácticas de laboratorio de electrónica analógica 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3

2. Prácticas de laboratorio de electrónica analógica 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155

3. Prácticas de laboratorio de electrónica de potencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 406

 Áreas de trabajo deben tener equipos electrónicos debidamente protegidos,

Figura I. Puesta a tierra

 Evitar los “cortocircuitos” (aumento brusco de la intensidad en la corriente

Figura II. Instalaciones temporales

Protección de dispositivos semiconductores:

Figura III. Ubicación de las tensiones VCEO y VCES del transistor.

 Identificar y medir las características de diodos.

Polarizar un elemento semiconductor significa proporcionar valores adecuados de voltaje y de corriente

Curva característica del diodo semiconductor:

Figura 1.1. Curva característica del diodo

Figura 1.2. Línea de carga del diodo

Modelo del diodo en alta frecuencia

Figura 1.4. Modelo del diodo a pequeña señal y alta frecuencia

 Resistencias de 10KΩ (0.5W), 1KΩ (0.5W).

Figura 1.5. Circuito rectificador de media onda con carga de 1KΩ

Figura 1.6. Forma de onda de entrada/salida de circuito de la figura 1.5.

Figura 1.8. Grafica de entrada-salida del circuito de la figura 1.7.

6. PROCEDIMIENTO PARA LA PRÁCTICA

Para la realización de la práctica se deben seguir los siguientes pasos:

1. Pruebas de funcionamiento de dos diodos con el multímetro:

Figura 1.9. Prueba del diodo

El diodo está funcionando correctamente si la lectura es 1 o OL (Open) en reverse. La lectura

Implemente el circuito de la figura 1.10, utilice un diodo de propósito general.

Figura 1.10. Circuito rectificador de media onda

Varíe el voltaje de suministro desde 0.25V hasta 1V en intervalos de 0.25V, y continúe

3. Trace la recta de carga y halle el punto de operación

4. Experimentación con diodos emisores de luz (LEDs):

Construya el circuito de la figura 1.11 utilizando cualquier LED policromático. El ánodo

Figura 1.11. Circuito serie com diodo emissor de luz: LED.

5. Rectificación de media onda:

Figura 1.12. Circuito rectificador

Voltaje medio o promedio, también llamado de corriente continua:

Voltaje eficaz o rms de la onda rectificada media onda:

ASPECTOS PARA EVALUAR EN EL INFORME

 Explique la ecuación que representa la relación corriente-voltaje en un diodo.

¿Cuál es el voltaje mínimo para el funcionamiento de un diodo?

¿Qué significa polarizar un elemento semiconductor?

¿Qué es un diodo semiconductor y cuáles son sus características más importantes?

¿Cuál es la función de un circuito rectificador?

Malvino, A. (2007). Principios de Electrónica. Séptima Edición. McGraw-Hill

Millman, J; Halkias, Christos C. (1978). Microelectrónica. Segunda Edición. Hispano Europea.

RECTIFICACION DE ONDA COMPLETA CON DIODOS

 Comprender y analizar circuitos rectificadores de onda completa

 Identificar y medir características de diodos rectificadores.

 Resistencias de 10KΩ (0.5W), 1KΩ (0.5W).

Figura 1.13 Rectificación onda completa con tap central

Figura 1.14. Circuito rectificador de onda completa con puente de diodos.

6. PROCEDIMIENTO PARA LA PRÁCTICA

Para la realización de la práctica se deben seguir los siguientes pasos:

Figura 1.18. Rectificador de onda completa con puente.

Voltaje medio o promedio, también llamado de corriente continua:

Voltaje eficaz o rms de la forma de onda está dado por:

El factor de forma está dado por:

𝑟 = √(𝑓. 𝑑𝑒𝑓)2 − 1 = √(1.11)2 − 1 = 0.48

ASPECTOS PARA EVALUAR EN EL INFORME

 ¿Cuál es la función de un circuito rectificador?

Malvino, A. (2007). Principios de Electrónica. Septima Edición. McGraw-Hill

Millman, J; Halkias, Christos C. (1978). Microelectrónica. Segunda Edición. Hispano Europea.

OTRAS APLICACIONES CON DIODOS