DEFECTOS EN METALES

Los cristales reales no guardan una distribución perfectamente ordenada y regular

de sus átomos, sino que por el contrario presentan ciertas imperfecciones cristalinas
las cuales pueden ser puntuales, lineales, superficiales o volumétricas.
Veremos algunos ejemplos donde se pone de manifiesto el importante papel que
juegan los defectos sobre las propiedades de los cristales. Hay propiedades
sensibles y otras insensibles a la estructura cristalina.
El concepto de red perfecta es útil para explicar aquellas propiedades insensibles
a la estructura.
Cuando se consideran aquellas propiedades sensibles a la estructura se hace
necesario comprender cierto tipo de defectos cristalinos

Propiedades sensibles e insensibles a la estructura

Propiedades Insensibles Sensibles

Mecánicas Densidad Resistencia a la rotura
Módulos elásticos Límite elástico
Resistencia a la termofluencia
Térmicas Expansión Térmica
Punto de Fusión
Conductividad Térmica
Calor Específico
Emisividad
Eléctricas Potencial Electroquímico Conductividad eléctrica
Propiedades Propiedad de
Termoeléctricas semiconductores
Magnéticas Propiedades para y Propiedades ferromagnéticas
diamagnéticas
Ópticas Reflectividad
Nucleares Absorción de la radiación

Analicemos una de las propiedades sensible a la estructura : por ejemplo la

conductividad eléctrica.
La gran conductividad eléctrica de los metales es debida a los electrones libres
(electrones de valencia) que pueden migrar a través del cristal. Simplificando (sin
considerar la teoría cuántica) se pueden considerar a la nube de electrones con un
movimiento al azar de alta velocidad. Cuando se aplica un campo eléctrico los
electrones orientan su velocidad de traslación en dirección opuesta al campo
eléctrico esto da origen a la corriente eléctrica.
La magnitud de la corriente para un dado campo eléctrico depende del número de
choques entre los electrones de conducción y los átomos.
La teoría cuántica predice que el número de choques será mayor cuanto mas
alejados de sus posiciones reticulares se encuentren los átomos.
La resistencia eléctrica se debe a la dispersión de electrones por los choques con
átomos o iones de la red. En un cristal perfecto a temperatura por encima del 0º K, la
dispersión se produce porque los átomos y iones vibran continuamente en torno de

1
sus posiciones de equilibrio y esto modifica la disposición periódica del retículo. La
amplitud de las vibraciones y la dispersión de los electrones se incrementa con la
temperatura y por lo tanto la resistividad eléctrica también.

La teoría de la dispersión debida a tales vibraciones predice que a muy baja

temperatura

1T 5 (1)

donde 1: resistividad eléctrica y T: temperatura absoluta. En cambio a alta

temperatura

1T (2)

Sin embargo, se encuentra en la práctica que existe otra componente de la

resistividad eléctrica que es aproximadamente independiente de la temperatura.
Haciendo la diferencia  - 2 = 1 (: resistividad total) se encuentra que 1 esta en
buen acuerdo con (1) y (2) para muchos metales. 2 es predominante a baja
temperatura y depende del contenido de impurezas, deformación plástica, temple y
bombardeo con partículas. Todos estos procesos introducen defectos cristalinos
que provocan la dispersión de los electrones debido a cambios locales en la
disposición periódica de los átomos.
Cuando se pueden hacer medidas confiables de los cambios de 2, la resistividad
eléctrica es un método sensible para medir la concentración de los defectos que
provocan dichos cambios de 2.
Otro ejemplo de la importancia de los defectos en las propiedades de los cristales
metálicos lo veremos cuando analicemos la influencia de las dislocaciones (defectos
lineales) en la deformación plástica.

2
 Clasificación de los defectos cristalinos

Vacancias
Cristales
idealmente puros Intersticiales

Defectos de
Punto Vacancias

Cristales reales Intersticiales

Solutos
Sustitucionales

Borde
Defectos de línea Dislocaciones
Helicoidales

Fallas de
apilamiento
Defectos
Límite de grano
superficiales
Interfaz entre
fases

Defectos de Maclas
volumen

Defectos puntuales
Todos los átomos en un retículo perfecto están en sitios atómicos específicos.
Dos tipos de defectos puntuales son posibles: ausencia de un átomo en la matriz
(vacancia) o la presencia de un átomo de impureza (átomo intersticial o
sustitucional).

3
 La eliminación o agregado de átomos extraños trae aparejados efectos
adicionales tales como la distorsión del retículo y cambios locales de carga eléctrica,
por ejemplo en cristales iónicos como el ClNa. Esto es poco importante en cristales
con unión metálica pero no para el caso de unión iónica.
En la estructura del cloruro de sodio (ClNa), cada ion cloro (negativo) está
rodeado de 6 iones sodio (positivos) y viceversa. La extracción de un átomo de Na o
Cl produce una carga eléctrica local negativa o positiva además de un sitio reticular
vacante.
Para conservar neutro al cristal, las vacancias deben producirse:
a) en pares de signos opuestos ó b) asociadas con intersticiales del mismo signo.

El mecanismo de creación de un defecto de Schottky ocurre por el movimiento de

los átomos desde posiciones del interior del cristal a posiciones sobre la superficie
del mismo.

Un defecto de Frenkel se genera cuando un átomo deja una posición reticular

dando origen a una vacancia y este se ubica en una posición intersticial.

Cómo la energía de deformación asociada con un lugar vacante es mucho menor

que la asociada a un átomo intersticial, los defectos de Schottky son más probable
que se formen que los de Frenkel.

4
Determinación del número de lugares vacantes en equilibrio
Sea w el trabajo necesario para crear un defecto de Schottky. Supongamos un
cristal que tiene nv lugares vacantes, esto producirá un aumento de la energía
interna del cristal cuando se lo compara con su situación anterior a la existencia de
estas vacancias. Este aumento de energía interna tendrá el siguiente valor n v. W.
El aumento de energía libre (F: energía libre de Helmholtz = E-TS, V = 0) de un
cristal debido a la presencia de lugares puede expresarse como:
Fv  E v  TSv
V: “debido a los lugares vacantes”
Fv  n v W  TSv (1)
SV = Entropía vibracional (=0) + entropía de mezclado

Analicemos que pasa con la entropía a causa de la presencia de una vacancia.

La entropía aumenta por dos motivos: 1) Los átomos adyacentes al agujero están
menos restringidos y por lo tanto pueden vibrar de manera más desordenada
(aumento de la entropía vibracional). Su efecto es de importancia secundaria; 2)
Aparece la entropía de mezclado (dado que se puede considerar a la nueva
situación como una mezcla entre vacancias y átomos).
Dado que el primer término (entropía vibracional) es despreciable se puede
calcular la entropía de la mezcla, considerando como si fuese una mezcla de gases
ideales A y B, por lo tanto, su entropía de mezclado está dada por:

S m  K.nC.lnC  1  C.ln 1  C (2)

n: Nº total de átomos
k: constante de Boltzmann
n
C: concentración de átomos A  A
n
n
(1 – C): concentración de átomos B  B
n
Sm: entropía de mezclado.

Esto se puede aplicar a un cristal con n lugares atómicos, n O átomos y nV

vacancias n  n o  n v 
Para reemplazar en (2), hacemos:

nv
C  Cv  (3) concentración de lugares vacantes
no  nv

no
1  C  C o  (4) concentración de átomos
no  nv

Reemplazando (3) y (4) en (2) y simplificando queda:

Fv  n v .w  Sm.T  n v .w  k.T.n o  n v  . ln n o  n v   n v .ln n v  n 0 .ln n o  (5)

5
 Esta energía libre será un mínimo si el cristal está en equilibrio, es decir que el
número de lugares vacantes en el cristal será tal que FV tenga un valor mínimo a la
temperatura a que se encuentre, o sea:

 dF v  W n ve
 
 dn  = 0  - = ln
n o  n ve
 v T k.T

n ve w
 e  k.T
nO  n v e

Como nve << no

n ve w
 e  k.T
no

Multiplicando numerador y denominador del exponente por N (número de

Avogadro = 6 x 1023) la relación funcional no se alterará:

n ve N.w n ve Qf
 e  N.k.T , dado que R  N.k ,  e  R.T
no no

En consecuencia, el número de vacancias en equilibrio, a una dada temperatura,

será expresada por:
Qf
 e  RT
nv
no

Q : calor de activación, esto es, trabajo necesario para crear un mol de

f
vacancias en cal/mol.
R =2 cal/mol K.

Ejemplos del efecto de la temperatura sobre el número de lugares vacantes en

equilibrio:

El valor de Q para el cobre es de 20.000 cal /mol (experimental)

f
A 300 K n  n  4,45  10  15
v o
A 1350 K n  n  6,1 10  4  n  10  3 (inmediatamente por debajo del
v o o
punto de fusión)

Vemos que a 1350 K aproximadamente 1 de cada 1000 lugares atómicos esta

vacante, esto implica que la distancia entre lugares desocupados es de sólo 10
átomos.
Mientras a 300 K la distancia entre vacantes es del orden de 105 átomos.

6
 ¿Por qué se modifica el número de las vacancias en equilibrio con la
temperatura?
Al bajar la temperatura, en la expresión de Fv, se afecta el término –TS
manteniéndose sin alteración nv.W. Esto hace que el mínimo de la curva Fv
corresponda a un menor valor de ne.
El término –TS aumenta rápidamente a bajas concentraciones, dada su variación
logarítmica y luego lo hace más lentamente.

Movimiento de los lugares vacantes

El movimiento de los lugares vacantes esta ocasionado por el salto de átomos

dentro de los lugares vacantes. El movimiento de los átomos en un sentido implica el
de los lugares vacantes en sentido contrario.
Los átomos para moverse deben vencer una barrera de energía. La energía
requerida para el movimiento es provista por las vibraciones térmicas o caloríficas
del cristal.

Si qo es la altura de la barrera de energía que el átomo debe superar, la energía

vibracional del átomo deberá ser superior a ella para que el salto sea posible.
La probabilidad que un átomo posea una energía mayor que dicha barrera es
dada por la ecuación de Maxwell:
q
 o
p  constante . e KT (Probabilidad de que un átomo tenga energía vibracional
superior a qo).

La probabilidad de que un átomo salte debe ser proporcional a esta función p, es

decir, que el número de átomos que saltan por segundo al interior de un lugar
vacante , será:
q q .N Qm
 o  o 
  A.e K.T  A.e N.K.T  A.e R.T
v

Qm: calor de activación (energía) para el movimiento de lugares vacantes,

expresado por calorías por mol.

7
 La constante A depende del número de átomos que rodean el agujero y de la
frecuencia de vibración. Cuanto mayores sean estos factores mayor será la
frecuencia de salto.

Teniendo en cuenta que, para el cobre, Qm = 29000 cal /mol:

A 300 K v  10 4 saltos seg

A 1350 K v  3  1010 saltos / seg

Es decir que a 1350 ºK un lugar vacante en el cobre se mueve 30.000 millones de

veces por segundo, en tanto que a temperatura ambiente da un salto cada 11 días.
Para el Pb a temperatura ambiente 22 saltos/seg. El principal interés esta dado por
el número de saltos promedio que dan los átomos y para ello deberemos multiplicar
n
el número de saltos de las vacancias por la relación fraccional v :
n
o
Qm
n 
Γ  v . A.e RT
a n
o
Qm
n 
Teniendo en cuenta que v e RT y reemplazando en la ecuación anterior:
n
o
Qm Qf  Qm  Qf 
   
a  A.e RT .e RT  A.e  R.T 

Dislocaciones
Existe una diferencia importante entre el límite de fluencia teórico y el
experimental.
Si se considera un cristal simple de Mg cuyo plano basal está formando 45º con la
dirección del esfuerzo de tracción, su curva tensión-deformación será:

8
 Bajo un esfuerzo de tracción de 100 lb/pulg2 (7kg/cm2), el cristal se deforma
plásticamente y se alarga fácilmente en forma de una cinta angosta que puede ser
cuatro o cinco veces más larga que el cristal original. Si examinamos la superficie del
cristal deformado, podremos ver marcas que corren alrededor de la probeta en
forma de elipses. Si se realiza un análisis cristalográfico de estas marcas resulta
que estas corresponden al plano basal (0002). Cuando ocurre este tipo de
deformación, se dice que el cristal experimenta un “deslizamiento o cizallamiento” y
las marcas visibles sobre la superficie se denominan “líneas de deslizamiento” y el
plano cristalográfico sobre el cual ha ocurrido el cizallamiento se llama “plano de
deslizamiento”.
Este valor de 100 lb/pulg2 a la que comienza el flujo plástico es sumamente
pequeño cuando se lo compara con la resistencia al corte de un cristal perfecto.
Se puede obtener una estimación de la resistencia al corte teórica de un cristal
perfecto, calculada en términos de fuerzas cohesivas.
Supongamos dos planos de átomos adyacentes con un esfuerzo cortante
aplicado según se indica en la figura:

9
 Para mover el plano superior hacia la izquierda cada átomo del plano superior se
eleva a su posición máxima según se desliza sobre su vecino del plano inferior:

Para alcanzar el punto de caballete, se requiere un movimiento horizontal de cada

átomo igual al radio atómico. Como la separación entre los dos planos es del orden
de dos radios atómicos, la deformación por el esfuerzo cortante () en el punto de
caballete es aproximadamente igual a:
a 1
 
2a 2
En un cristal perfectamente elástico, la relación del esfuerzo cortante a la
deformación por cizallamiento es igual al módulo de corte:
Ss
G

Donde Ss es el esfuerzo cortante y G es el módulo de corte, cuyo valor es
2.500.000 lb/pulg2.
El cálculo de la resistencia teórica de un cristal perfecto, en términos de fuerzas
cohesivas entre átomos es:

Ss = ½ 2,5 106 lb/pulg2

Esto demuestra que la relación entre el esfuerzo teórico para comenzar el corte
del cristal y el observado en un cristal real es:

10
 1.000.000
= 10.000 veces
100

La explicación de la diferencia entre el valor teórico y el experimental de la tensión

necesaria para la deformación de un metal se basa en que los cristales reales no
son perfectos sino que tienen defectos. Los defectos que justifican el bajo valor del
límite elástico de los cristales reales, son las dislocaciones.
Estos defectos cristalinos se los puede agrupar en:

de borde o de línea

DISLOCACIONES
(Defectos de líneas)
helicoidales o de hélice
Dislocaciones de borde
Una representación esquemática de una dislocación de borde es dada en la
siguiente figura:

La inserción de un plano ABCD en un cristal como se indica en la figura a da lugar

a una dislocación de borde positiva (línea DC), que se indica simbólicamente como
. En la figura b se muestra un corte sobre el plano x-y en este caso la líneas SP
representa la traza de plano de deslizamiento, en tanto que, la línea ab representa la
traza del extra plano de átomos. La zona que rodea a la dislocación presenta una
severa distorsión, en tanto, que los planos reticulares muestran una pequeña flexión.
Una dislocación bajo un esfuerzo de corte Ss como se indica en la figura es capaz
de moverse fácilmente de derecha a izquierda, dado que para ello solo requiere de
una ligera redisposición de los átomos en la cercanía del plano extra.

11
 Una dislocación de borde negativa se obtendrá con la inserción de un plano en la
parte inferior y se indica simbólicamente, T.

Dislocaciones helicoidales
Una representación esquemática de una dislocación helicoidal es dada en la
siguiente figura:

12
 Se producen por desplazamiento de un lado con respecto a otro, el lado ABCD
del cristal en la Figura se ha desplazado en la dirección AB. Si consideramos la línea
AB y la hacemos rotar, en sentido antihorario sobre el plano (100) alrededor de la
línea DC, al completar una vuelta habrá descendido un espacio atómico
describiendo una superficie helicoidal simple.
Si mirando hacia la línea de dislocación, un circuito recorrido en sentido horario da
como resultado una hélice que avanza sobre el plano, se dice que se trata de una
dislocación helicoidal izquierda, si sucede al revés se llama helicoidal derecha.

Movimiento y representación de dislocaciones

 positiva
Dislocación de borde
T negativa

helicoidal izquierda
Dislocación helicoidal
helicoidal derecha

Veamos como se mueve las dislocaciones bajo la acción del esfuerzo de corte
indicado como S.
Movimiento de dislocaciones de borde y helicoidales:

13
 La figura representa como se mueve una dislocación de borde positiva o
negativa cuando se aplica el mismo esfuerzo de corte.
Cada paso en el movimiento de la dislocación requiere sólo una ligera
redisposición de los átomos en la vecindad del plano extra. Por lo cual una fuerza
muy pequeña moverá una dislocación.
El movimiento de una dislocación simple a través de un cristal produce un escalón
sobre la superficie cuya profundidad es de una distancia atómica. Tal escalón no
será visible a simple vista. Para producir una línea de deslizamiento visible se
deberán mover muchos cientos o miles de dislocaciones a través de un plano de
deslizamiento.

La figura representa como se mueve una dislocación helicoidal derecha e

izquierda, cuando se aplica el mismo esfuerzo de corte.
En los ejemplos anteriores se ha supuesto que las dislocaciones sean líneas
rectas que atraviesan el cristal. Dada la naturaleza básica de las dislocaciones estas
no pueden terminar dentro del cristal.
Veamos algunos ejemplos en que la línea de dislocación no cruza en su totalidad
al cristal.

14
 La dislocación de borde a no atraviesa el cristal sino que en el punto A cambia de
dirección y se transforma en la dislocación de borde b. Los bordes libres de a y b
llegan a la superficie externa del cristal, en la cara frontal y en la cara superior del
cristal.
Otro ejemplo, una dislocación de borde combinada con una dislocación helicoidal.

15
Vector Burgers de las dislocaciones
Una dislocación no necesariamente debe ser puramente helicoidal o de borde,
puede ser una combinación de ambas y de esta manera se obtiene un anillo de
dislocación.

El área dentro del rectángulo abcd está cizallada una distancia atómica, esto es la
red que queda sobre el plano de deslizamiento (ABCD) ha deslizado una distancia
atómica a la izquierda en relación con la red que está por debajo del plano de
deslizamiento.
En general, un anillo de dislocaciones es una curva cerrada:

En la que el área encerrada esta cortada en una distancia atómica, es decir, que en
esta región el plano atómico ubicado sobre el plano ABCD está desplazado en una
distancia atómica con respecto al plano atómico ubicado por debajo de ABCD.

La dirección de este corte o cizallamiento es indicada por el vector b cuya
longitud es una distancia atómica. Este vector es conocido con el nombre de vector
de Burgers.
En el exterior del anillo el cristal está sin cortar, por lo tanto la dislocación es una
discontinuidad en la cual la red se desplaza del estado sin cortar al estado cortado.
Aunque la dislocación varía en orientación, el corte es a todo su largo el mismo y

está caracterizado por b que es una propiedad de la dislocación.

16
 
La dislocación queda completamente descripta cuando se conoce b y la
orientación de la misma.
Determinación del vector de Burgers en una dislocaciones de borde:

Se recorre un circuito cerrado que encierre la línea de dislocación. De a a b hay 4

espaciados atómicos; de b a c hay 5 espaciados atómicos. La distancia de e a a
constituye el módulo del vector Burgers. Esta distancia no existe si el cristal es
perfecto.
En definitiva el vector que cierra el circuito de Burgers en el cristal imperfecto es el
vector de Burgers.
Las características del vector de Burgers en una dislocación de borde son:
1. El vector de Burgers es perpendicular a la línea de dislocación.
2. El movimiento de la dislocación, en su plano de deslizamiento, es en la dirección
del vector de Burgers.

En una dislocación helicoidal:

Características de las dislocaciones helicoidales ó de Taylor-Orowan:

17
1. El vector de Burgers es paralelo a la línea de dislocación.
2. El movimiento de la dislocación, en su plano de deslizamiento, es en la dirección
perpendicular al vector de Burgers.

El plano de deslizamiento es el que contiene el vector de Burgers y a la línea de

dislocación.
Para una dislocación de borde el plano de deslizamiento es único porque la

dislocación y b son perpendiculares. Para una helicoidal son infinitos, porque el
vector de Burgers y la línea de dislocación son paralelos.

Origen y multiplicación de las dislocaciones

La densidad de dislocaciones se define como el número de líneas de

dislocaciones que penetran en una sección escogida al azar (líneas/cm 2).
Para materiales policristalino recocidos la densidad típica es de alrededor de 107 -
108 líneas/cm2 mientras que el mismo material con una fuerte deformación plástica
contiene 1011 - 1012 líneas/cm2. En función de este aumento en la densidad de
dislocaciones es evidente existe un mecanismo para producir dislocaciones cuando
un esfuerzo es aplicado.
Las dislocaciones se originan de variadas maneras siendo las más importantes la
nucleación y los focos de Frank-Read.

Foco de Frank-Read

Supongamos una dislocación de borde positiva con sus extremos anclados y

sometida a un esfuerzo Ss:

La línea formará un arco indicado con a. Un posterior esfuerzo hace que la

dislocación curvada se expanda a las posiciones b y c. En c el anillo se intercepta a
si mismo en m pero como un segmento es helicoidal de mano derecha y otro
izquierda, se cancelan uno al otro en el punto de intersección.

18
 Cuando dos formas opuestas de dislocaciones se interceptan en el mismo plano
siempre se cancelan. Esto es fácilmente demostrable con dislocaciones de borde
positivas y negativas.
La cancelación de los segmentos de dislocación de signos opuestos divide la
dislocación en dos segmentos marcados d, uno de los cuales es circular y se
expande hasta la superficie del cristal produciendo un corte de una distancia
atómica. El otro componente permanece como un borde positivo regenerado, en
condiciones de repetir el ciclo.
El esfuerzo necesario para que una fuente sea activa depende de la distancia de
los puntos de fijación de la dislocación.

El esfuerzo aplicado  produce una fuerza “normal” .b.l sobre el segmento de la

línea de dislocación, el cual se arquea entre los puntos fijos. Esta fuerza es
compensada por la componente paralela de la tensión lineal de dislocación T.
.b.l=2.T.sen
b es el vector de Burgers de la dislocación.
l es la distancia entre los obstáculos a la dislocación.
 es el esfuerzo aplicado.
T=G.b2 es la tensión lineal de la dislocación.
.l = 2.G.b.sen
De esta ecuación se deduce que se requiere un esfuerzo creciente para
producir el arqueamiento continuo de la línea de dislocación hasta el momento en
esta es semicircular, en ese momento  =90° y el esfuerzo  adquiere el máximo
valor.

Si los anillos formados por esta fuente comienzan a apilarse frente algún
obstáculo, se requiere un esfuerzo mayor para continuar con la deformación. Este
aumento del esfuerzo permite que otras fuentes diferentes, de menor tamaño (l mas
pequeño), comiencen a activarse.
La evidencia experimental muestra que los focos de F-R existen en los cristales.

Nucleación de dislocaciones
Homogénea (red perfecta)
Nucleación
Heterogénea (se forman con la
ayuda de algún defecto en el cristal)

19
 La nucleación homogénea implica que las dislocaciones se formen en un cristal
perfecto por la acción de un esfuerzo simple y sin ningún otro medio mas que el
esfuerzo.
El esfuerzo necesario para formar una dislocación por nucleación homogénea es:

(1/30).G  105 lb./pulg.2

Donde:
G es el módulo de corte en un metal 106 a 107 lb./pulg.2 en un cristal perfecto.
Los cristales metálicos deslizan con un esfuerzo de corte de 100 lb./pulg.2.

La nucleación heterogénea implica que las dislocaciones que se formen con la

ayuda de defectos presentes en el cristal, posiblemente impurezas, que hacen que
el esfuerzo requerido para formarlas sea menor y, por lo tanto, resulte más fácil.
Los esfuerzos extremadamente elevados para la nucleación homogénea
favorecen la opinión de que si las dislocaciones no se forman en focos F-R lo hacen
por nucleación heterogénea.

Propiedades elásticas de las dislocaciones

El desplazamiento del retículo, necesario para crear una dislocación, genera un
campo elástico a su alrededor.

En una dislocación de borde positiva, la zona ubicada sobre el plano de

deslizamiento en la proximidad de la línea de dislocación está comprimida, en tanto
que debajo del plano de deslizamiento la zona próxima a la línea de dislocación
estará traccionada.
El campo de tensiones en una dislocación de borde resulta más complejo que
para una dislocación helicoidal. Este campo de tensiones pueden obtenerse
aplicando la teoría de la elasticidad a un continuo elástico isotrópico.

20
 Puesto que esta figura la línea de dislocación es paralela al eje Z, por lo tanto la
deformación en esa dirección será cero y el problema puede ser tratado como una
deformación en el plano.

z, x, y y xy, yx son distintas de cero

xz=zx=yz=zy=0

La tensión normal x actúa paralela al vector de Burgers.

El plano de deslizamiento puede ser definido como y=0. La máxima tensión de
compresión (x negativa) actúa inmediatamente sobre el plano de deslizamiento y=0
y la máxima tensión de tracción, debajo de y=0.
Las ecuaciones que dan las tensiones actuantes para ambas dislocaciones,
varían con 1/r lo cual implica que en r=0 sus valores se hacen . Naturalmente,
tensiones infinitas en el centro de las dislocaciones no pueden ser soportadas y ello
significa que estas expresiones son válidas hasta un cierto rr00.
Estimaciones realizadas sugieren que este valor es:
r0 5 a 10Å
La región central alrededor de la dislocación es conocida como núcleo de la
dislocación. Es la región correspondiente a r<r0.
Esto no solamente es cierto para las cuatro posiciones mostradas sino tambien
para cualquier ángulo intermedio, aplicando coordenadas polares podrán ser
calculadas posiciones intermedias.

En una dislocación helicoidal el anillo de material isotrópico de la figura b) ha sido

deformado para producir una distorsión similar a la de la dislocación helicoidal AB de
la figura a).

En este caso el campo de tensiones es simplemente de corte puro. La

b
  Z  G.  Z  G
2. .r
deformación de corte total expresada en coordenadas polares será:

G: módulo de corte

Energía de deformación de una dislocación

La existencia de un campo de tensiones alrededor de una dislocación significa
que la dislocación tiene una energía de deformación, la cual es el trabajo elástico
necesario para formarla. Este trabajo está dado por ½ de la tensión por la
deformación.
La energía total será:

Etotal = Enúcleo + Edeformación elástica

La energía de deformación involucrada en la formación de una dislocación de

borde puede ser estimada a partir del trabajo involucrado en el desplazamiento de
corte OA una distancia b a lo largo del plano de deslizamiento.

21
 1 r1 1 r1 dr

2 0r

E elást.  r .b.dr  
2 0
r
 0 .b 2 . cos  .
r
Pero cos =1 a lo largo del plano de deslizamiento, por lo tanto la energía de
deformación estará dada por:

G.b 2 r
E elást.  ln 1
4. .1    r2

De la misma manera la energía elástica para una dislocación helicoidal estará

dada por:

1 r1 1 r1 b 2 .G  r1 
2 r0 2 r0
E elást   z .b.dr  G.b 2
.
dr  ln  
4.  r2 

r1 es el diámetro externo del cristal

Estas expresiones dan las energías elásticas de las dislocaciones aisladas y para
ambos casos la energía elástica asociada con una dislocación es directamente
proporcional al cuadrado del vector de Burgers
Se han hecho estimaciones del valor de la Enúcleo resultando esta sólo una
pequeña fracción de la energía elástica.

Interacciones entre dislocaciones paralelas

Los campos de tensiones, generados por la presencia de dislocaciones de borde
o helicoidales, juegan un importante rol en la interacción entre dislocaciones:

 Si los campos de tensiones entre dos dislocaciones se refuerzan estos se

rechazan.
 Si los campos de tensiones entre dos dislocaciones se cancelan estas se atraen.
Esto puede ser entendido a partir de considerar el cambio de energía. Para dos
dislocaciones separadas una gran distancia, la energía de deformación elástica será:
Cuando las dos dislocaciones están muy cerca pueden ser consideradas como
G.b 2 r
2 ln 1
4. .(1   ) r0
una dislocación con vector de Burger 2b, su energía de deformación elástica será:

G.(2b) 2 r
ln 1
4. .(1   ) r0

22
 En este caso la energía es dos veces que cuando las dislocaciones están
separadas, las dislocaciones tenderán a repelerse unas de otras para reducir la
energía de deformación elástica.
La fuerza por unidad de longitud entre dos dislocaciones puede ser expresada en
coordenadas polares de la siguiente manera:

Dislocaciones de
F C.b1 .b2 borde y helicoidales
  
 l r r
C.b1.b2.sen Dislocaciones de borde
 
F r
  
 l  cero Disolocaciones
helicoidales

La fuerza es proporcional al producto escalar de dos vectores de Burgers C es igual

a G/2 para dislocaciones helicoidales y G/2(1-) para dislocaciones de borde.
Donde:  es el módulo de Poisson y  es el ángulo entre los planos de deslizamiento
de las dos dislocaciones.

23
 En la figura (1) las dos dislocaciones de borde son del mismo signo y sus planos
de deslizamiento son coincidentes, por lo tanto, se rechazan debido a que sus
campos de tensiones se refuerzan.

24
 En la figura (2) ambas dislocaciones de borde son del mismo signo pero sus
planos de deslizamiento forman un ángulo () entre ellos. En función del valor que
tome este ángulo () las dislocaciones de atraen o rechazan. Si el valor de () es
menor de 45º las dislocaciones se rechazan dado que sus campos de tensiones se
refuerzan parcialmente, si el ángulo es mayor de 45º ambas dislocaciones se atraen
dado que sus campos de tensiones se cancelan parcialmente.
En la figura (3) las dislocaciones son de signos opuestos y los planos de
deslizamiento coinciden, por lo tanto, estas se atraen y se cancelan produciendo una
red perfecta. Si los planos de deslizamiento no son coincidentes las dislocaciones se
atraen y se anulan, formando en este caso una línea de lugares vacantes o átomos
intersticiales.
La energía de un cristal que contiene dislocaciones de borde puede disminuir si
éstas se ordenan una arriba de la otra, formando una pared estable de
dislocaciones, tal como se muestra en la figura.

Estas paredes son

llamadas límites de bajo
ángulo (o subgrano) el cual
se conoce también como
límite de flexión. La
estabilidad temporal de los
límites de flexión es el
resultado de la ausencia de
esfuerzos en los planos de
deslizamiento así como de
la cancelación de campos
de esfuerzos de largo
alcance. El ángulo de
desorientación a través de
este límite es:

b
sen   
d
en donde d es la distancia
entre dislocaciones.

Interacción entre dislocaciones que se cortan

La intersección entre dos dislocaciones no paralelas, produce un codo o escalón
en una o en ambas líneas de dislocación. Para entender este concepto,
consideremos el movimiento, bajo la influencia de un esfuerzo cortante , del
semiplano extra DD que corresponde a la dislocación de borde mostrada en la
figura. Al moverse la línea del semiplano extra a lo largo de su plano de
deslizamiento en la dirección OY, la mitad inferior de la hilera de átomos sufre un
desplazamiento igual al vector de Burgers.

25
 En la siguiente figura se muestra la intersección de dos dislocaciones de borde
cuyos planos extras son ABCD y EFGH.

Los vectores de Burgers son bA y bE. A medida que el semiplano extra ABCD se
desplaza hacia la derecha la mitad superior del plano EFGH se desplaza una
magnitud igual al vector de Burgers bA. Esto produce un codo en la línea de
dislocación EF. Esta última ha cortado también al plano ABCD pero debido a que el
vector de Burgers bE es paralelo a la línea AD, no se forma ningún codo, en su lugar
la longitud de la línea AD ha sufrido un aumento igual a bE.
Es posible formar codos diferentes al anterior que están contenidos en el plano de
deslizamiento (en este caso en el plano KLIJ de la figura anterior). Este tipo de
codos se denominan “codos del plano de deslizamiento”. En la siguiente figura se
muestra la formación de estos codos por intersección de dos dislocaciones de borde.

26
 Figura 4-16 Propiedades Mecánicas pag.87
Ver que pasa con el sentido del esfuerzo.

Interacción entre dislocaciones y lugares vacantes

El plano de deslizamiento de una dislocación se define como el plano que
contiene tanto a la línea dislocación como al vector de Burgers. Dado que en una
dislocación helicoidal el vector de Burgers es paralelo a la línea de dislocación,
cualquier plano que los contenga es un posible plano de deslizamiento. En cambio
en una dislocación de borde el vector de Burgers y la línea de dislocación son
perpendiculares, en este caso hay un solo posible plano de deslizamiento.
Una dislocación helicoidal puede moverse por deslizamiento en cualquier
dirección perpendicular a sí misma, pero una dislocación de borde solo puede
moverse en su plano de deslizamiento. Sin embargo, puede producir un movimiento
perpendicular al plano de deslizamiento mediante la interacción lugares vacantes
este movimiento de llama ascenso.

En la figura se representa una dislocación de borde, en esta un lugar vacante se

presenta a la derecha del átomo a . Si el átomo a salta dentro del lugar vacante el
borde de la dislocación pierde un átomo , si todo los otros átomos que forman el
borde original del plano extra interactúan con lugares vacantes la dislocación de
borde ascenderá una distancia interatómica en la dirección perpendicular al plano de
deslizamiento. Este tipo de movimiento se designa como ascenso positivo y resulta
en una disminución del tamaño del extra plano de átomos.
Un ascenso negativo corresponde a lo opuesto de lo anterior, en ese caso el extra
plano de átomo crece en tamaño, en la figura se ilustra el mecanismo.

27
 Debido a que en el ascenso positivo estamos removiendo material del interior del
cristal este efecto causa una contracción en la dirección perpendicular al extra plano
de átomo. Por lo tanto este movimiento está asociado a una deformación
compresiva y por lo tanto será promovido por un esfuerzo de compresión en
dirección perpendicular al extra plano de átomo. De manera similar un esfuerzo de
tracción aplicado en dirección perpendicular al extra plano de átomo promueve su
crecimiento y en consecuencia produce un ascenso negativo.
Tanto el ascenso positivo como el negativo requieren que los lugares vacantes se
muevan en la red, hacia la dislocación en el primer caso y en dirección opuesta en el
segundo. Dado que el movimiento de los lugares vacantes es un proceso
térmicamente activado el ascenso (o trepado) de las dislocaciones de borde es un
fenómeno que se vuelve más importante cada vez según aumenta la temperatura.

Reacciones entre dislocaciones

Dos dislocaciones de borde paralelas con vectores de Burgers b 1 y b2 pueden
reaccionar para formar una tercera con vector de Burgers b 3. Para que esta reacción
sea posible, la energía de b3 deberá ser menor a la suma de las energías de b 1 y b2.
Debido a que la energía de una dislocación, como se demostró anteriormente es
proporcional a b2, la reacción será favorable cuando:
b12 + b22  b32
En forma similar una dislocación con vector de Burgers b1 se puede dividir en dos
dislocaciones b2 y b3 si:
b12  b22 + b32
La dirección cristalográfica y la magnitud del vector de Burgers están relacionadas
con la distancia entre posiciones atómicas. En un cristal cúbico la dirección puede
expresarse por los índices de Miller hkl, y la magnitud por: c.a. h2 + k2+ l2 donde
c es una fracción cualquiera y a es el parámetro de la red cristalina. Normalmente se
usa la notación simplificada ca [hkl, por ejemplo: a/2[011, por lo tanto:
b2= c2.a2.(h2+k2+h2)
El plano de deslizamiento primario en la red cúbicas de caras centradas (ccc) se
produce sobre los planos octaédricos {111}. En la figura siguiente se ha
representado una vista en dirección normal a este plano, cuando se mira hacia abajo
sobre el plano de deslizamiento muestra una dislocación de borde. Los círculos

28
oscuros representan el plano compacto (111) en el cual termina el plano extra de la
dislocación de borde, mientras que los círculos claros son los átomos en el plano
compacto (111) próximo siguiente. En este último plano falta una fila de átomos en
zigzag. Esto corresponde al plano faltante de la dislocación de borde.

El movimiento de los átomos de este plano a través de la distancia horizontal b

desplaza a la dislocación una unidad hacia la izquierda. El vector b representa el
 
vector de Burgers de la dislocación el cual se designa 1/2 110 , de acuerdo a lo
delineado anteriormente. Movimientos similares de los planos de átomos que se
encuentran a la izquierda de la dislocación ocasionará que esta se mueva a través
de todo el cristal.
El movimiento de una distancia b de un plano de átomos tal como se ha indicado
en el párrafo anterior implicaría una deformación muy grande de la red. Lo que
sucede realmente es que el plano de átomos hace un movimiento indicado por
vectores c y d en la figura siguiente. Este movimiento puede ocurrir con una
deformación mucho mas pequeña de la red. El conjunto de esto dos movimiento
lleva a los átomos a las mismas posiciones finales que el desplazamiento simple b.

En esta forma, la fila aislada de átomos simples en zigzag tiene una dislocación
incompleta en cada uno de sus lados. Los vectores de Burgers de estas
dislocaciones son los vectores c y d mostrados en la figura anterior. La notación
vectorial para estos vectores de Burgers puede ser deducida con la ayuda de la
siguiente figura.

29
 Esta figura muestra la superficie (111) de un cristal CCC en relación a la celda
unitaria de la estructura. Las posiciones de los átomos en la superficie están
indicados por círculos en líneas de trazo. Los lugares que serian ocupados por los
átomos en el plano próximo superior están designados por círculos pequeños. El
vector de Burgers de la dislocación total es igual a la distancia B1B2, mientras que
los vectores de Burgers de las dos dislocaciones parciales son los indicados por las
distancias B1C y CB2. El vector de Burgers de la dislocación total es
1
2
 
110 ,lo cual

 
se deduce de la discusión previa. La línea B1C queda en la dirección 121 , este es
un vector cuya longitud es dos veces la distancia mn, de la figura anterior. Como B1C
es justamente un tercio de la línea mn, el vector de Burgers para esta dislocación es

 
1
6
121 , de la misma manera puede demostrarse que el vector CB2 puede ser

representado por
1
6
 
211 . La dislocación total es capaz de disociarse en dos
dislocaciones parciales de acuerdo con la relación:
1
2
  1
6
   
1
110  121 + 211
6
Haciendo el cálculo de energía se puede justificar la disociación de la dislocación
completa en dos dislocaciones parciales:

2 2
a a
b1  0 2 b2  b3  0 2
4 18

a02/4 2  a02/18 2 por lo tanto b1  b2 + b3

Debido a que las dislocaciones parciales representan igual deformación en la red
existe una fuerza repulsiva entre ellas que fuerza a separarse, esto añadirá planos
adicionales de átomos al plano simple en zigzag como se muestra en la figura.

30
 Una dislocación total disociada en un par de parciales separadas se llama
dislocación extendida. En esta región, la secuencia de apilamiento normal
ABCABC... de la red CCC sufre una discontinuidad y se vuelve ACABCA... El
símbolo  indica la discontinuidad. Las discontinuidades en el orden del apilamiento
de los planos (111) se llaman fallas de apilamiento.
Como los átomos sobre cualquiera de los lados de una falla de apilamiento no
están en las posiciones que ocuparían en una red perfecta, una falla de apilamiento
posee una energía de superficie, generalmente muy pequeña cuando se la compara
con la de un límite de grano. Esta energía juega un rol importante para determinar el
tamaño de una dislocación extendida. Cuanto mayor sea la separación entre las
dislocaciones parciales, menos será la fuerza repulsiva entre ellas. Por otra parte, la
energía total de superficie asociada con la falla de apilamiento aumenta con la
distancia entre las dislocaciones. En otras palabras, la separación entre dos
dislocaciones parciales representa el equilibrio entre la energía repulsiva de las
dislocaciones y la energía de superficie de la falla. Seeger y Schoeck han mostrado
que la separación de un par de dislocaciones parciales en una dislocación extendida
depende del siguiente parámetro adimensional:
.c
G b2
donde,  es la energía de superficie de la falla de apilamiento, G es el módulo de
corte en el plano de deslizamiento, c es la separación entre planos de
deslizamientos contiguos y b es el vector de Burgers.
Para el Al este parámetro es mayor de 10 -2 y la separación entre dislocaciones es
del orden de una distancia interatómica. Estos metales poseen una alta energía de
falla de apilamiento. Cuando el parámetro es menor de 10-2, caso del Cu, la
separación entre dislocaciones es del orden de 12 espaciados interatómicos, en
estos casos se dice que estos metales posen una baja energía de falla de
apilamiento.

Deslizamiento transversal

El deslizamiento transversal es un fenómeno que se presenta en cristales donde

hay dos o más planos de deslizamiento con una dirección de deslizamiento común.
Por ejemplo el Mg, hexagonal, a bajas temperaturas puede ocurrir el deslizamiento
 
sobre el plano basal o sobre planos prismáticos 1010 . Estos dos tipos de planos

tienen la dirección compacta 1120 de deslizamiento común. En la siguiente figura

se muestra en el croquis (A) al cristal cizallado sobre el plano basal, en tanto que el
segunda (B) está cizallado sobre el plano prismático y en el (C) la superficie de
deslizamiento real no es un plano simple, sino que está formado por segmentos,
parte de los cuales quedan en el plano basal y parte en el plano prismático. El perfil
resultante tiene el aspecto de una escalera.

31
 Durante el deslizamiento transversal las dislocaciones, que producen la
deformación, debe por necesidad desplazarse de un plano de deslizamiento a otro.
En el ejemplo anterior, las dislocaciones se mueven desde el plano prismático al
basal y de vuelta al prismático. Este cambio de plano de deslizamiento sólo es
posible para dislocaciones helicoidales. El siguiente esquema muestra la manera en
que una dislocación helicoidal puede producir un escalón

Atmósfera de dislocaciones
Estas son formadas por la interacción entre dislocaciones y átomos de soluto. Es
particularmente interesante la interacción entre átomos de soluto sustitucional y
dislocaciones de borde. Si el diámetro del átomo de soluto es más grande o más
pequeño que el del solvente, su presencia produce en una deformación en la red.
Estas distorsiones pueden ser relevadas en gran parte si el átomo de soluto se
encuentra en el lugar apropiado, cerca del núcleo de una dislocación.

32
 Así, la energía libre del cristal descenderá cuando un pequeño átomo de soluto
sea atraído a la región comprimida próxima a la dislocación o cuando un átomo
grande de soluto se sitúa en la zona traccionada del cristal.
De acuerdo al tamaño de los átomos de soluto estos se ubicarán por encima o por
debajo del plano de deslizamiento.

Tamaño mayor por debajo del plano

de deslizamiento.
Soluto sustitucional
Tamaño menor por encima del plano
de deslizamiento.

Soluto intersticial Siempre se ubican por debajo del

plano de deslizamiento

De este modo los átomos de soluto sustitucional más pequeños son atraídos a la
zona por encima del plano de deslizamiento en una dislocación de borde positiva y
los átomos más grandes por debajo del plano de deslizamiento.
Los átomos de soluto sustitucional no reaccionan fuertemente con las
dislocaciones helicoidales dado que en estas el campo de deformación producido es
casi de corte puro y la distorsión asociada a los átomos de soluto sustitucional puede
suponerse de forma esférica.
En cambio, los átomos de soluto intersticial pueden actuar tanto en las
dislocaciones de borde como con las helicoidales. Dada la expansión de la red que
generan, son atraídos a las regiones expandidas de las dislocaciones de borde, se
ubicarán debajo del plano de deslizamiento en una dislocación positiva.
Debido a que los átomos de soluto intersticial producen distorsiones reticulares no
esféricas en los metales cúbicos de cuerpo centrado ellos son capaces de
reaccionar con dislocaciones helicoidales en este tipo de red. Tal es el caso de los
átomos de carbono que se ubican entre un par de átomos de hierro y los separa.
Los átomos de soluto son atraídos hacia las dislocaciones como resultado de la
interacción de sus campos de tensiones. La velocidad a la que se mueven a través
de la matriz está controlada por la temperatura (difusión). A alta temperatura, la
velocidad de difusión es rápida, y los átomos de soluto se concentran rápidamente
alrededor de las dislocaciones
Si los átomos de soluto tienen una atracción mutua, puede comenzar la
precipitación de una segunda fase cristalina en la dislocación. En este caso las
dislocaciones se convierten en sumideros de átomos de soluto y el movimiento se
realiza en un sólo sentido hasta alcanzar un nuevo equilibrio de fases.
Si los átomos no forman una nueva fase, se producirá un estado de equilibrio en
el que los átomos que entran y dejan un volumen finito alrededor de la dislocación se
igualan. Para llegar a esta situación se habrá producido un incremento de soluto en
la región de la dislocación en comparación con el resto de la matriz.
Este exceso de átomos de soluto asociados con una dislocación se llama
atmósfera. El número de átomos de la atmósfera depende de la temperatura. El
aumento en la temperatura tiende a arrancar átomos de sus dislocaciones y
aumentar la entropía del cristal. A una temperatura suficientemente elevada se
puede considerar que ya no existen atmósferas de dislocaciones.

33
Fuerzas en las dislocaciones
Cuando una fuerza externa de magnitud suficiente es aplicada sobre un cristal,
las dislocaciones se mueven y producen un deslizamiento. En la figura se muestra
una línea de dislocación moviéndose en la dirección del vector de Burgers bajo la
influencia de una tensión de corte uniforme .
Un elemento de la línea de dislocación ds es desplazado bajo la acción de una
tensión cizallante uniforme , en una distancia dl en dirección normal a ds.

El área barrida por el elemento lineal es ds x dl.

El trabajo realizado por la tensión cizallante:

ds .dl
dw   .Ab
A

A: superficie del plano de deslizamiento

dw
es la fuerza que actúa sobre ds en la dirección de su normal. Por
dl
consiguiente, la fuerza que actúa por unidad de longitud es:

dw
F  b
dl .ds

Esta fuerza es normal a la línea de dislocación en cualquier punto de su longitud.

Como la energía de deformación de las dislocaciones es proporcional a su
longitud, para aumentar esta se requiere de un trabajo. Por ello se puede suponer
que las dislocaciones poseen una tensión lineal que tiende a reducir su energía
acortándolas.

LIMITES DE GRANO

En mucho de los estudios realizados hasta aquí hemos hablado de cristales

simples estos son una herramienta importante porque conducen a un entendimiento
más rápido de muchos problemas básicos. Sin embargo, estos son esencialmente

34
una herramienta de laboratorio y raramente se hallan en los objetos comerciales, los
cuales consisten de muchos miles de pequeños cristales metálicos microscópicos.
La figura muestra una estructura policristalina (muchos cristales), el diámetro
promedio de los cristales es muy pequeño, 0,05 mm aproximadamente, y cada
cristal está separado de su vecino por una línea llamada límite de grano.

Si el desajuste en la orientación cristalográfica entre granos vecinos es menos de

10º existe un límite semicoherente denominado límite de ángulo pequeño. Estos
límites se delinean por barreras de dislocaciones de borde como se explicó
anteriormente.
Cuando el desajuste entre las orientaciones cristalográficas de granos vecinos
excede los 10º, la superficie entre aquellos es un borde de ángulo grande y hay muy
poca continuidad de la red entre los granos aunque el espesor de los límites esté
constituido por unos pocos átomos.
Los límites de grano juegan un papel importante en la determinación de las
propiedades mecánicas de un material. Así , a bajas temperaturas los metales puros
fallan por fisuras que pasan a través de los cristales y no por los límites de grano.
Este tipo de fractura se llama transcristalina. A temperaturas elevadas los límites de
grano pierden su resistencia con mayor rapidez que los cristales, como resultado la
fractura corre a lo largo de los límites de grano. Este tipo de fractura se denomina
intercristalina.
La segregación de elementos de aleación o impurezas en los límites de grano de
los metales afecta su resistencia.
La presencia de los límites de grano introducen nuevas restricciones al
movimiento de las dislocaciones. La magnitud del impedimento al deslizamiento que
producen los límites de grano depende del tamaño de grano y está expresado por la
ecuación de Hall-Petch
y = i + ky.D-0,5
Donde

35
 y: es la tensión de fluencia.
i: es la tensión de fricción que se opone al movimiento de las dislocaciones.
ky: es una medida del apilamiento de las dislocaciones frente a las barreras.
D: es el tamaño de grano.

Energía de límite de grano

La presencia de dislocaciones en los límites de grano provoca un aumento de la
energía del cristal como consecuencia del apartamiento de posiciones reticulares de
aquellos átomos adyacentes a las dislocaciones.
Debido a la naturaleza bidimensional del límite de grano esta energía se expresa
en ergios/cm2 y su valor puede alcanzar unos 600 ergios/cm 2. Por esta razón son
lugares preferentes para reacciones en estado sólido tales como:

Difusión
Transformación de fases
Reacciones de precipitación

Read y Shockley desarrollaron una expresión teórica, de acuerdo al modelo de

dislocaciones, para calcular la energía de límites de ángulo pequeño en función del
ángulo de desorientación. El modelo por ellos desarrollado esta en excelente
acuerdo con los datos experimentales, tal como se muestra en la figura siguiente:

El hecho que los datos teóricos y los experimentales concuerden tan bien en este
amplio rango de ángulos de desajuste puede ser fortuito, pero no debe desestimarse
el hecho de que el modelo de dislocaciones para límites de ángulo pequeño ha sido
utilizado para predecir la dependencia de la energía del límite sobre el ángulo de
desajuste.

36
Tensión superficial del límite de grano
La energía superficial de un límite de grano está expresada
 = ergios/cm2
lo que es equivalente a:
dinas.cm/cm2 = dinas/cm

Las unidades dinas/cm son las de tensión superficial. Los datos experimentales
representados en la figura anterior muestran que la tensión superficial es una
función ascendente del ángulo de desajuste entre granos a un ángulo de 20°. Luego
permanece aproximadamente constante para ángulos mayores.
Mediciones de tensiones superficiales de superficies libres realizadas sobre Cu,
Ag y Au son del orden de 1200 a 1800 dinas/cm.
Mientras que los valores absolutos de la tensión superficial de los límites de grano
son difíciles de medir, se pueden estimar los valores relativos de la energía
superficial del límite con la ayuda de una relación simple, en la siguiente figura se ha
representando los límites de tres granos por líneas que se unen en el punto o se
tiene:

Si los tres vectores de fuerzas están en equilibrio estático, aplicando el teorema del
seno se obtiene la siguiente relación:
  
 
sen sen sen
donde , ,  son los ángulos diédricos entre límites.
Como los límites de grano son regiones de desajuste debe esperarse que ocurran
con bastante facilidad movimientos atómicos a través y a lo largo de los límites. Esto
ocasiona el movimiento del límite por el simple proceso por el cual los átomos dejan
un cristal (grano) y se unen a otro cristal al otro lado del límite. La velocidad a la cual
pueden moverse los límites depende de ciertos números de factores:

Temperatura
Velocidad de movimiento de los 
límites de grano Energía de los límites

37
 El movimiento de los átomos proviene de vibraciones térmicas, por lo tanto, el
grado de movimiento aumenta rápidamente con la elevación de la temperatura. En
función de esto debe esperarse que el mismo número de átomos cruce el límite en
ambas direcciones. Sin embrago, los movimientos de los límites ocurren únicamente
si la energía del metal en conjunto desciende por un movimiento de átomos mayor
en una dirección que en la otra.
La otra fuerza impulsora para el movimiento de los límites de grano se encuentra
en la energía de los límites mismos. Un metal puede acercarse a un estado de
menor energía reduciendo su área de límites de grano. Esto se puede lograr a través
de la desaparición de algunos granos y el crecimiento de otros. Este fenómeno se
denomina crecimiento de grano.

Interfaz entre fases

Una fase se define como un cuerpo de materia homogéneo y físicamente distinto.
Los tres estados de la materia líquido, sólido y gaseoso corresponden a fases
separadas. Para el caso de un metal puro, por ejemplo Cu, puede existir en la fase
sólida, líquida o gaseosa, cada una estable en un rango de temperatura diferente.
De acuerdo con esto parecería que no hay diferencia entre los concepto de fases y
estado. Cierto metales presentan distintos estados alotrópicos, por ejemplo Fe, cada
uno de ellos estable en un rango de temperatura diferente. Cada estructura cristalina
en este caso corresponde a una fase separada, por lo tanto, en aquellos metales
con diferentes estados alotrópicos poseen mas de tres fases posibles.
Soluciones sólida totalmente soluble se comportan como los metales puros, un buen
ejemplo de este tipo de solución ocurre cuando se funden junto el Cu y el Ni y luego
se los deja enfriar en condiciones de equilibrio ambos tipos de átomos ocupan
indiscriminadamente los sitios reticulares del cristal. Metales puros y soluciones
sólidas (monofásicas) se comportan de igual manera, en equilibrio forman un ángulo
diedro de 120º.

Soluciones sólidas parcialmente soluble, a ciertas composiciones y temperaturas,

forman fases separadas. En este caso son posible dos tipos de límites: Límites
entre fases iguales o Límites entre fases distintas. En la figura es muestra la unión
de dos granos de una fase que se encuentran con un grano de otra fase.

Si las tensiones superficiales en los límites están en equilibrio estático tendremos.


11  212 cos
2
12 1

11 
2 cos
2

11: Tensión superficial en el límite de la fases simple.

12: Tensión superficial en el límite entre las fases 1 y 2.
: es el ángulo diedro entre los dos límite que separan las fases 1 y 2.

38
 12
Graficando como una función del ángulo diedro  se observa que al alcanzar
11
la tensión superficial del límite entre dos fases el valor de 0,5, el ángulo diedro cae
rápidamente a cero.

Si la tensión superficial del límite bifásico (12) es 0,5 de la tensión superficial de

la fase simple 11, no es posible mantener el equilibrio estático de las tres fuerzas y
el punto o se mueve hacia la izquierda, lo que equivale decir que cuando el ángulo
diedro se vuelve cero, la segunda fase tiende a formar una película delgada entre los
cristales de la primera fase produciendo una red continua.

Esta situación puede ocurrir aún para muy pequeñas cantidades de la segunda
fase, un ejemplo es Bi-Cu la tensión superficial Bi-Cu es tan baja que  = 0 y la 2º
fase es continua en los límites de granos. Debido a que el Bi es un metal muy frágil,
cuando forma una película continua alrededor del Cu , éste pierde su ductilidad aún
para contenidos de Bi < 0,05%.
Para ángulos diedros mayores de cero pero menores de 60° cantidades de
segundas fases no muy pequeñas forman una red continua . Para un ángulo de 60°
el valor de la relación de tensiones superficiales es 0,582, en este caso una aleación
de Fe-C con 1,4% de C tiene un porcentaje de cementita de 8% forma una red
continua.

Figura 38.3 y 38.4 de samuels

Cuando el ángulo diedro entre los límites de la interfase es mayor 60° la segunda
fase, presente en pequeñas cantidades, no forma una red continua sino que se
dispone en forma globular.

39
 En muchos sistemas metalúrgicos las segundas fases permanecen en estado
líquido aún a temperaturas muy por debajo de la temperatura de solidificación de la
fase principal. El efecto de estas fases afectan las propiedades de deformación
plásticas en caliente. La morfología en que se disponen estas depende de su
energía interfacial.
Para energía interfacial alta el líquido tiende a formar glóbulos discretos con poco
efecto sobre las propiedades de deformación plástica en caliente.
Cuando la energía interfacial baja se forma una película continua, esta situación
ocurre para el Fe o acero con pequeñas cantidades de S, este se combina con el Fe
para formar sulfuro de Fe, este último es líquido a las temperaturas usadas para el
laminado en caliente. Como el líquido no posee resistencia mecánica no puede ser
trabajado en caliente dado que se desitengra, este fenómeno es conocido como
fragilidad en caliente.

Fallas de apilamiento
Una falla de apilamiento es un defecto de superficie y como su nombre lo indica,
es una región del cristal en que la secuencia regular en la disposición de los átomos
se ha alterado.
Este defecto se presenta en metales cúbicos de caras centradas y hexagonales
compactos donde los cristales resultan de la superposición, siguiendo una secuencia
regular, de planos compactos.
En este caso existen dos secuencias posibles ABABAB...ó ABCABC...

40
 Una capa compacta de átomos dispuesta sobre una capa A puede ubicarse
igualmente bien sea la posición B ó C y geométricamente no hay razón para que
seleccione una u otra posición particular.
El hecho de que regularmente se mantengan las secuencias ABAB... (hexagonal)
y ABCABC... (cúbico centrado en las caras) es una evidencia de que fuerzas entre
átomos que no son los vecinos más próximos no son despreciables. La posición de
los vecinos más próximos, que rodean a un átomo en cualquiera de los
empaquetamientos compactos es igual, tal que si las fuerzas entre vecinos más
próximos fueran las únicas involucradas las secuencias de regulares de
empaquetamiento serían accidentales y raras.
En la práctica la energía de un átomo depende ligeramente de la posición de
átomos distantes y esto favorece las secuencias regulares aún así las fallas de
apilamiento se producen de tanto en tanto.
En un sistema cúbico centrado en las caras existen dos tipos de fallas de
apilamiento, a las que se designa intrínseca y extrínseca.
En la figura siguiente parte de una capa C ha sido eliminada con lo cual resulta
una alteración de la secuencia de apilamiento en esa zona:

1 Fig.

También se produce una falla de apilamiento por la introducción de un plano extra

de átomos, dando lugar a una falla extrínseca como se ve en la figura:

41
 1 Fig.

Las fallas de apilamiento tienen una energía característica por unidad de área
llamada Energía de Falla de Apilamiento, en inglés SFE.
A causa de la discontinuidad reticular adicional asociada con una falla extrínseca
es de esperar que tenga una más alta energía de falla que una intrínseca.

Maclas
Se denomina macla a la porción del cristal cuya orientación es imagen especular
de la orientación de la matriz pero conserva la estructura cristalina de esta. Las
maclas pueden originarse durante el crecimiento cristalino o son producidas por
deformación del cristal.
Una deformación de corte paralela al límite de macla puede producir maclado,
particularmente cuando es difícil iniciar o propagar el deslizamiento en esa dirección,
consiste en una reorientación de la estructura cristalina. La deformación de corte
producida en la red es uniforme, es decir, el desplazamiento de un punto reticular en
la región maclada es directamente proporcional a la distancia desde ese punto hasta
el límite y es paralela al límite de macla un punto reticular.

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 El cambio de forma asociado con el maclado por deformación es un cizallado
simple y está distribuido uniformemente en un volumen localizado sobre un número
discreto de planos de deslizamiento, como se indica en la figura siguiente, en donde
se supone que la macla atraviesa todo el cristal. En cambio, en el deslizamiento la
deformación ocurre sobre planos reticulares individuales y el corte puede ser
muchas veces mayor que el espaciado reticular dependiendo del número de
dislocaciones emitidas por la fuente.

Fig. 15.2 Reed Hill

En el maclado cada átomo se mueve sólo una fracción de espaciamiento atómico

relativo a sus vecinos más próximos. Por lo tanto, la deformación de corte total
asociado con este es pequeña.
El maclado mecánico no se obtiene fácilmente en metales de simetría elevada
(cúbicos centrados en las caras).
Bajo ciertas condiciones un metal maclado puede ser deformado con mayor
facilidad que uno libre de maclas. Esto es como consecuencia que la red cristalina
dentro la macla se realinea con frecuencia dentro de una orientación de planos
deslizantes, los cuales se pueden alinear más favorablemente con respecto a los
esfuerzos aplicados para el deslizamiento.

Nucleación de maclas

Las maclas mecánicas o de deformación se forman como resultado de la

componente del esfuerzo de corte paralelo al plano de macla. Este esfuerzo
cortante teórico necesario para nuclear homogéneamente maclas de deformación en
cristales de Zn es entre 40 y 120 Kg/mm 2. Sin embargo, los valores medidos
experimentalmente sobre esfuerzos de corte para formar maclas son muy inferiores
a estos, oscilando entre 0,5 y 3,5 Kg/mm 2. Esto es una fuerte evidencia para pensar
que las maclas se nuclean heterogéneamente.
Existe evidencia de que las maclas nuclean en zonas de tensiones muy
localizadas en la red. El hecho de que las maclas se forman, parece, sólo en
materiales que han sufrido deformación previa por deslizamiento, confirma esta
suposición.
Bajo ciertas condiciones geométricas la intersección de dislocaciones con
barreras tales como, bandas de deformación, límites de grano y maclas de
deformación impiden el movimiento normal de las dislocaciones. Ante un esfuerzo
externo las dislocaciones se van acumulando frente a ellas. Como existe un campo
de esfuerzo alrededor de cada dislocación la concentración de un gran número de
dislocaciones en un volumen relativamente pequeño de un cristal conducirá a una

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intensificación del esfuerzo en este. Este esfuerzo localizado puede disminuir la
magnitud del esfuerzo exterior necesario para nuclear maclas de deformación.

Límites de maclas

Si se considera la intercara o límite entre una macla y el cristal original del punto
de vista de la estructura cristalina entre las dos retículas (cristal con y sin macla) y
esta coincide perfectamente, es decir que la separación entre átomos a ambos lados
del límite es la esperada, en estas condiciones, el plano de macla es paralelo a la
intercara o límite. Este tipo de límite se llama coherente.
La energía interfacial de un límite coherente es muy pequeña, en el caso del Cu
se ha determinado en un valor de 24 ergios/cm2.

Como la mayoría de las maclas aparecen, al menos al principio, como pequeñas

estructuras lenticulares, el límite de macla promedio no puede ser estrictamente
coherente.
En un límite real donde no hay coherencia se acepta generalmente que es
necesaria una disposición de dislocaciones para ajustar la desviación entre las redes
de la macla y la original.
La disposición de dislocaciones asociada con las maclas lenticulares representa
una energía de superficie considerablemente más elevada que un límite coherente.
Por esto las maclas tratarán de crecer hasta llegar a tener lados paralelos al plano
de maclado, eliminando así las dislocaciones y bajando la energía interfacial. Las
maclas crecen tanto en largo como en grosor.
La velocidad de crecimiento de maclas es una función de : la velocidad de carga y
el esfuerzo para nuclear maclas.

Bibliografía

-Introduction to Dislocations. D. Hull – Ed. Pergamon Press, 1965.

-Principios de Metalurgia Física. R. E. Reed Hill. - Ed. CESA 1965.
-Mechanical Metallurgy. G. E. Dieter. Ed. Mc Graw Hill. Third Edition.1986.

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-Metalurgia Mecánica. G. E. Dieter. – Ed. Aguilar.

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