Clase 2: Transistores bipolares (BJT)

ELECTRÓNICA I
CURSO 2019
Eduardo J. Ricciardi
BIBLIOGRAFÍA

Electrónica, Teoría de circuitos – Boylestad Nashelsky

Malvino, Albert Paul - Principios de electrónica (VI edición)
Circuitos Electrónicos – E. J. Angelo, Jr.
Integrated Electronics - J. Millman, C. Halkias
Circuitos Microelectrónicos - Sedra & Smith
Electrónica (Hambley Allan R.)
INDICE

Construcción de transistores.
Corrientes en el transistor, parámetros  y .
Operación del transistor.
Relevamiento de las curvas del transistor.
Configuración en base común.
Acción amplificadora del transistor.
Configuración de emisor común.
Configuración de colector común.
Límites de operación.
Hoja de especificaciones del transistor.
Prueba de transistores.
Encapsulado e identificación de terminales.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de ya sea dos capas de material tipo
n y una capa tipo p, o bien de dos capas de material tipo p y una tipo n. Al primero se lo denomina
transistor npn mientras que al segundo transistor pnp.

La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada, la de la base

ligeramente dopada y la del colector sólo muy poco dopada. Las
capas exteriores tienen espesores mucho mayores que los del
material tipo p o tipo n centrales. El dopado de la capa central es
también mucho menor que el dopado de las capas exteriores (casi
siempre 10:1 o menos). Este bajo nivel de dopado disminuye la
conductividad (incrementa la resistencia) de este material al limitar
el número de portadores "libres".

Los terminales se identifican mediante las letras ``E´´ para el

emisor, ``B´´ para la base y ``C´´ para el colector.

El término bipolar refleja el hecho de que tanto huecos como electrones participan en el proceso de inyección
hacia el material polarizado en forma inversa.
En la figura ambos potenciales de polarización se aplicaron sobre
un transistor pnp, con el flujo de portadores mayoritarios y
minoritarios resultante indicado. El diodo Base – Emisor se
encuentra polarizado en directa y su región de deplexión es
angosta mientras que el diodo Colector – Base está polarizado en
inversa y esto forma una región de deplexión más ancha que la
primera.

Un gran número de portadores mayoritarios se difundirán a través

de la unión p-n polarizada directamente dentro del material tipo n.

Puesto que el material de la base, es sumamente delgado y tiene una baja conductividad, un número muy
pequeño de estos portadores seguirá la trayectoria de alta resistencia hacia el terminal de la base.

La mayoría de estos portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión polarizada inversamente

dentro del material tipo p conectado al terminal del colector.

La causa de la relativa facilidad con la que los portadores mayoritarios pueden cruzar la unión polarizada
inversamente puede comprenderse si consideramos que para el diodo polarizado en inversa, los portadores
mayoritarios inyectados aparecerán como minoritarios en el material tipo n. En otras palabras, ha habido una
inyección de portadores minoritarios al interior del material de la región base de tipo n. Combinando esto con
el hecho de que todos los portadores minoritarios, en la región de agotamiento cruzarán la unión polarizada
inversamente, se explica el flujo que se indica en la figura.
En el BJT npn, la unión base-emisor en polarización
directa hace que los electrones sean inyectados del
emisor a la base. Dado que la región de la base es
delgada, estos electrones inyectados viajan completa-
mente a través de esa región y llegan a la unión base
colector en polarización inversa.

El campo Eléctrico dentro de la región de agotamiento

de esta unión apunta del lado colector al lado de
base.

Al llegar a esta unión en polarización inversa, los
electrones inyectados desde el emisor son atraídos
por el campo eléctrico a través de la región de
agotamiento y llevados al colector.
Estos electrones fluyen a través de la región del
colector y hacia afuera por su contacto.
La unión base-emisor, de polarización directa,
también hace que se inyecten huecos de la base al
emisor.
Estos huecos se convierten en parte de la corriente
del emisor, pero no contribuyen a la corriente del
colector.

Dado que los electrones son portadores negativos, su Los huecos que fluyen de la región de la base
movimiento constituye una corriente positiva, que hacia el emisor dan como resultado una
fluye hacia adentro del terminal externo del colector. componente neta de flujo de corriente hacia la
base, partiendo del terminal externo de la base.
Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor
de la figura, como si fuera un solo nodo, obtenemos:
IE = I C + IB (1)
Sin embargo, la corriente en el colector está formada
por dos componentes: los portadores mayoritarios y
minoritarios. La componente de corriente minoritaria se
denomina corriente de fuga y se simboliza mediante ICO
(corriente IC con el terminal del emisor abierto = open).
Por lo tanto, la corriente en el colector se determina
completamente mediante la ecuación:

IC = ICmayoritaria + ICOminoritaria
(2)
ICO al igual que Is para un diodo polarizado
inversamente, es sensible a la temperatura y debe
examinarse con cuidado cuando se consideren
aplicaciones de intervalos amplios de temperatura
La corriente del emisor está formada por dos
componentes: los electrones destinados a ser
inyectados a través de la unión base emisor y los
huecos inyectados desde la base hacia el emisor. Los
huecos inyectados no quedan afectados por la
presencia de la unión colector–base con polarización
inversa. Igual que la corriente del diodo de
polarización directa, la corriente total del emisor está
relacionada en forma exponencial con la tensión
base-emisor, mediante la ecuación:

𝒊𝑬 = 𝑰𝑬𝑶 𝒆𝒗𝑩𝑬Τ𝜼𝑽𝑻 − 𝟏 (3)

Donde 𝑽𝑻 es el voltaje térmico y 𝜼 el coeficiente de

emisión.
La corriente de saturación 𝑰𝑬𝑶 de la unión base-
emisor es una función de los niveles de dopado, de la
temperatura y es proporcional al área de la juntura
base-emisor, entre otros parámetros.
Note que 𝒊𝑬 se define como positiva cuando fluye
hacia afuera del emisor.
Esta polaridad es consistente con la de un flujo de
corriente positivo a través de una unión pn de
polarización directa.
En corriente contínua, los niveles de 𝑰𝑪 e 𝑰𝑬 debidos a los portadores mayoritarios se encuentran
relacionados por una cantidad denominada alfa y que se define por la siguiente ecuación:

𝑰𝑪
𝜶=
𝑰𝑬 (4)
donde 𝑰𝑪 e 𝑰𝑬 son los niveles de corriente en el punto de operación. Para los dispositivos reales, el valor de
𝜶 suele extenderse de 0.90 a 0.998, con la mayor parte aproximándose al extremo alto del intervalo.
Debido a que 𝜶 únicamente se define para los portadores mayoritarios, la ecuación (2) se reduce a:

𝑰𝑪 = 𝜶𝑰𝑬 + 𝑰𝑪𝑩𝑶 (5)

Generalmente el valor de 𝑰𝑪𝑩𝑶 resulta tan pequeño que cuando 𝑰𝑬 = 𝟎 será 𝑰𝑪 = 𝑰𝑪𝑩𝑶 de modo que también
parecerá ser que 𝑰𝑪 = 𝟎 dentro del intervalo de valores de 𝑉𝐶𝐵 .

Para condiciones de funcionamiento en alterna, donde el punto de operación se desplaza sobre la curva
característica, un 𝜶 de ac se define mediante:
∆𝑰𝑪
𝜶𝒂𝒄 = ቤ
∆𝑰𝑬 𝑽
𝑪𝑩=𝒄𝒕𝒆

De manera normal. el 𝛂𝐚𝐜 se denomina como factor de amplificación de base común de ‘‘corto circuito’’.
La corriente de electrones que llega a la unión del
colector se puede expresar como una fracción 𝛼 de la
corriente total que atraviesa la unión base emisor:

𝒊𝑪 = 𝜶𝒊𝑬

Pero por Kirchhoff 𝒊𝑬 = 𝒊𝑪 + 𝒊𝑩 de manera que la

corriente de base se puede representar como la
fracción restante de la corriente de emisor:

𝒊𝑩 = (𝟏 − 𝜶)𝒊𝑬

Surge entonces que las corrientes de colector y base

están relacionadas por:

𝒊𝑪 𝜶𝒊𝑬 𝜶 Los valores de 𝜶, y 𝜷 para un transistor dado

= = =𝜷 dependen principalmente de las densidades de
𝒊𝑩 𝟏 − 𝜶 𝒊𝑬 𝟏 − 𝜶
dopado en las regiones de base, colector y
emisor, así como de la geometría del dispositivo.
También son afectados por el proceso
secundario, cono-cido como recombinación.
La flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del
emisor (flujo convencional) a través del dispositivo.

Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura son las

direcciones reales, como las define la elección del flujo
convencional.

Observe, en cada caso, que 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 . Ohserve también que la

polaridad aplicada (fuentes de voltaje) es tal que permite establecer
una corriente en la dirección que se indica para cada rama.

Para describir completamente el comportamiento de un dispositivo

de tres terminales, como el caso de los amplificadores de base
común de la figura se requiere de dos conjuntos de características:

-- uno para el punto de excitación o parámetros de entrada.

-- y otro para el circuito de salida.

Como se muestra en la figura 1, el conjunto de entradas para el
amplificador de base común relaciona la corriente de entrada (𝐼𝐸 ) con
un voltaje de entrada (𝑉𝐵𝐸 ) para distintos niveles de voltaje de salida
(𝑉𝐶𝐵 ).
El conjunto de salida relaciona una corriente de salida (𝐼𝐶 ) con un
voltaje de salida (𝑉𝐶𝐵 ) para distintos niveles de corriente de entrada
(𝐼𝐵 ), según se muestra en la figura 2. El conjunto de características de
salida o del colector cuenta con tres regiones básicas de interés, como
se indica en la figura 2:

La región activa es la región que por lo general se utiliza

para los amplificadores lineales (sin distorsión).
En particular:
En la región activa la unión base-emisor se encuentra
polarizada de forma directa, mientras que la unión
colector-base se encuentra polarizada de forma inversa.

La región activa se define mediante los arreglos de

polarización de la figura. En la parte inferior de la región
activa. la corriente del emisor (𝐼𝐸 ) es cero: la comente del
colector simplemente es igual. debido a la corriente de
saturación inversa 𝐼𝐶𝑂 como lo señala la figura.
La corriente 𝐼𝐶𝑂 es tan pequeña en magnitud ( 𝜇𝐴 ) en
comparación con la escala vertical de 𝐼𝐶 (𝑚𝐴) que aparece
virtualmente sobre la misma línea horizontal que 𝐼𝐶 = 0.

Las condiciones del circuito que existen cuando 𝐼𝐸 = 0 para

la configuración de base común se muestra en la figura .

La notación que con más frecuencia se utiliza para 𝐼𝐶𝑂 en

las hojas de especificaciones y datos es 𝐼𝐶𝐵𝑂 .

El valor de 𝐼𝐶𝐵𝑂 para transistores de propósito general (especialmente los de silicio) en rangos de potencia
baja y mediana, es por lo regular tan bajo, que su efecto puede ignorarse.

Tanto 𝐼𝐶𝐵𝑂 como 𝐼𝑆 para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura y
puede convenirse en un factor importante debido a que aumenta rápidamente con la temperatura
Este Amplificador se caracteriza por tener baja Impedancia de Entrada, no presenta Ganancia de
Corriente pero sí de Tensión, y además tiene propiedades útiles en Altas Frecuencias.
Parámetros híbridos del transistor:
Circuito Equivalente de C.C.
Convención de corrientes y tensiones
𝛽 es un parámetro muy importante porque proporciona un vínculo directo entre el nivel de
corriente del circuito de entrada y el de salida para una configuración de emisor común.

Las dos ecuaciones que se muestran arriba desempeñan un papel muy importante para el
análisis que se realizará más adelante.
La tercera y última configuración de transistor es la configuración de colector común, que se muestra en la
figura junto con las direcciones adecuadas de corriente y su notación de voltaje.

La configuración de colector común se utiliza principalmente para propósitos del acoplamiento de

impedancias. ya que cuenta con una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, de
forma contraria a las impedancias de las configuraciones de base común y a las de emisor común.

Para propósitos prácticos, las características de

salida para la configuración de colector común,
son las mismas que para la configuración de
emisor común.

Para la configuración de colector común las

características de salida se grafican como 𝐼𝐸 en
función de 𝑉𝐶𝐸 para una rango de valores de 𝐼𝐵 .

La corriente de entrada por tanto, será la

misma para ambas configuraciones.

Para el circuito de entrada de la configuración

de colector común, las características básicas
de emisor común son suficientes para obtener
la información que se requiere.
Para cada transistor existe una región de operación sobre las características, que asegurará que no se
excedan los valores máximos y que la señal de salida presente una distorsión mínima.
Algunos de los límites de operación se explican por sí solos, como la corriente máxima del colector (a la que
normalmente se denomina en la hoja de especificaciones como corriente continua del colector) y el voltaje
máximo del colector al emisor (que a menudo se abrevia como 𝑉𝐶𝐸𝑂 o 𝑉 𝐵𝑅 𝐶𝐸𝑂 en la hoja de
especificaciones).

La potencia máxima en base

común se define como:
BIBLIOGRAFÍA

Electronica, Teoría de circuitos – Boylestad Nashelsky

Malvino, Albert Paul - Principios de electrónica (VI edicion)
Circuitos Electrónicos – E. J. Angelo, Jr.
Integrated Electronics - J. Millman, C. Halkias
Circuitos Microelectronicos - Sedra & Smith
Electrónica (Hambley Allan R.)
Gracias por la atención.

FIN