MICROELECTRÓNICA

Transistores MOS

MsC. Luz Adanaqué Infante

 TECNOLOGÍAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS

1. Circuitos integrados monolíticos.

2. Circuitos integrados peliculares:

De película delgada/fina
De película gruesa

3. Circuitos bipolares.

4. Circuitos CMOS.

5. Circuitos BICMOS.

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 TRANSISTORES BIPOLARES
El transistor bipolar se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden
impurezas, de forma que se obtengan tres regiones semiconductoras (npn y pnp).

Consta de tres partes:

• Colector: Zona menos dopada que el emisor.
• Base: Estrecha y poco dopada para dejar pasar toda la corriente.
• Emisor: Zona muy dopada (n+) para entregar portadores a la corriente.

La IB controla la corriente IEC

Tiene tres regiones de funcionamiento:

Corte : No circula corriente (IE <= 0), basta con VBE = 0.
Activa : Colector emisor en inversa y Base emisor en directa. Ic = B.IB
Saturación : Los dos diodos se polarizan en directa (no se cumple Ic = B.IB )

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 CIRCUITOS INTEGRADOS BIPOLARES

Los circuitos integrados bipolares son históricamente los primeros circuitos

integrados monolíticos.

Han ido perdiendo gradualmente su liderazgo a favor de los circuitos integrados MOS
básicamente por sus desventajas, relacionadas con su baja densidad de integración.

Usan componentes activos (transistores npn, pnp, diodos) y elementos pasivos (R y C)

Para el aislamiento eléctrico en la placa de monocristal de Si se emplean:

• Aislamiento con diodo.

• Aislamiento con dieléctrico.
• Aislamiento combinado.

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 CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR

Configuración Emisor-común Mallas RC.IC+VCE=VCC

RB.IB + VBE = VBB

RC IC

VCC
RB C
B

IB E RB 
VBB  VBE
RC 
VCC  VCE
VBB IE IB IC

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 EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

Un aumento en la corriente de
base IB provoca un aumento en la
corriente de colector IC. Aunque la
corriente de base siendo mucho
más pequeña que la corriente de
colector, tuviese una pequeña
variación (de I B), esto provocaría
una gran variación de IC.
Esto significa que la variación de
corriente de colector es un reflejo
amplificado de la variación de la
corriente en la base.

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 EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

El Transistor como amplificador de corriente:

Ganancia en corriente en
emisor común  entre 50 y
200. Un valor típico es 100.

IE = IC + IB

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 EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

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 TRANSISTORES MOS

El transistor MOS es un dispositivo de tres terminales:

• Puerta (gate):
• Drenador (Drain):
• Fuente (source):

Al aplicar una tensión (+ en nmos, - en pmos) entre la puerta

y el sustrato, fluye entre el drenador y fuente una corriente
que depende de la tensión VD - VS

La VD – Vs controla la IDS

Tiene tres regiones de funcionamiento:

Corte : Dispositivo apagado (Cuando Vgs < Vth)
Lineal : Resistencia controlada por la tensión en la puerta (Vgs > Vth) y Vds <(Vgs - Vth)
Saturación : Estrangulamiento del canal, la relación ya no se cumple (Vgs > Vth) y Vds > (Vgs - Vth)

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 EL TRANSISTOR A EFECTO DE CAMPO

• La corriente se controla mediante tensión: Cuando funcionan

como amplificador suministran una corriente de salida que es
proporcional a la tensión aplicada a la entrada.

• Características generales:
• Una señal muy débil puede controlar el componente.
• La tensión de control se emplea para crear un campo
eléctrico.

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 EL TRANSISTOR A EFECTO DE CAMPO

• Los tres terminales se denominan:

Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain)

• Pueden ser de canal N: o de canal P:

Parámetros FET de canal N Parámetros FET de canal P

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 EL TRANSISTOR A EFECTO DE CAMPO

• Distinguimos tres regiones o zonas importantes:

Zona lineal: al aumentar VDS aumenta ID.

Zona de saturación: al aumentar VDS

produce una saturación de ID que
hace que ésta sea constante:
El transistor trabaja como amplificador

Zona de corte: se caracteriza por tener una ID nula

• Existen tres configuraciones típicas:

Surtidor común (SC), Drenador común (DC) y Puerta común (PC)
La más utilizada es la de surtidor común que es la equivalente a la de emisor común en los transistores bipolares.

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 CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS

La técnica del metal-óxido-semiconductor complementaria (CMOS) es la más usada en

la actualidad, debido a su consumo extraordinariamente pequeño y alta integración.

En un circuito CMOS se acoplan en forma de parejas transistores pMOS y nMOS de

forma que se elimina la necesidad de resistencias o transistores de carga, de este
modo se elimina también la pérdida de potencia asociada con cualquier resistencia
eléctrica.

La principal desventaja de los CMOS es que utilizan un número mayor de

transistores por puerta que otras familias lógicas, lo cual tiende a incrementar
la complejidad y superficie del circuito.

Los circuitos se fabrican mediante la superposición sucesiva en capas (layers) de

diversos materiales sobre una superficie base de silicio.

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 CIRCUITOS INTEGRADOS BICMOS

Desarrollada en los 90s, incorporando la tecnología BJT y CMOS.

Procesamiento complejo: Tecnologías NMOS y PMOS amalgamadas con las ventajas de la
bipolar (bajo consumo y alta velocidad)
Alta impedancia de entrada (MOS) y alta ganancia de corriente (BJT).

VENTAJAS: DESVENTAJAS:
• Suministra alta carga de corriente.
• Se puede usar el BJT si la velocidad • Proceso de
es crítica.
fabricación
• Se puede usar el MOS si la potencia
es crítica. complejo y

• Adecuado para aplicaciones costoso.

intensivas de entrada/salida.

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