EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN

1. Introducción
C C C C
+ +
VCB IC VCB IC
P + N +
IB IB
- VC B - VCE
B N+ B P+ B
- -
P++ - N++ -
VEB IE VEB IE
+ +

E E E E

IE + IC + IB = 0
VCE = VCB – VEB
VEB VEB

Región Región de Región Región de

activa saturación activa corte
inversa
VCB VCB

Región de Región Región de Región

corte activa saturación activa
inversa
Transistor PNP Transistor NPN
2. Comportamiento cualitativo – Efecto Transistor
 WBB
W
++
Emisor P Base N+ Colector P

IEp ICp

IE IC

IEn

ICO≈ ICn
IB1 IB2 IB3
ZCE ZCE

IB

Corrientes en el transistor bipolar en la zona activa

Condiciones del transistor bipolar:

- Dopados: NE >> NB >>NC
- La base es muy estrecha comparada con la longitud de difusión de los portadores
minoritarios en ella (WBB<< LB), de manera que prácticamente no hay generación ni
recombinación en la base.
Entonces I CO ≈ Ι Cn

Definiciones:
- Factor de transporte en la base:
Ι Cp
αT ≡ (para un transistor PNP)
Ι Ep

- Eficiencia de inyección del emisor:

Ι Ep
γ≡ (para un transistor PNP)
ΙE

De la figura, para el transistor PNP en condiciones normales de funcionamiento (región activa):

IB = -IB1 – IB2 + IB3
IE = IEp + IEn
IC = -ICp - ICn = -αT IEp - ICO = -αTγIE - ICO = -αF IE - ICO

siendo α F = γ α T .

αF IE representa la corriente de huecos procedentes del emisor que sobreviven a la recombinación en

la región cuasi-neutra de la base y logran alcanzar el colector.
ICO es la corriente inversa de saturación de la unión C-B cuando la unión E-B está en circuito abierto
(IE = 0).

El parámetro αF se llama ganancia de corriente en directa para grandes señales en la configuración de

base común.

Junto con αF, otro parámetro fundamental es βF, ganancia de corriente en directa para grandes señales
en la configuración de emisor común:

IC = -αF IE - ICO
IE + IC + IB = 0

Despejando:
αF I
IC = I B − CO
1 − αF 1 − αF
Si llamamos
αF
= βF
1 − αF
se obtiene:
IC = β F I B − (1 + β F ) ICO

Hasta aquí hemos estudiado cualitativamente el comportamiento del transistor bipolar en la zona
activa (VEB > 0 y VCB < 0 en un transistor PNP). Podemos generalizar la expresión anterior para
cualquier valor de la tensión VCB, no necesariamente en inversa. Para ello basta recordar que la
corriente que circula a través de esa unión se puede expresar como la corriente a través de una unión
PN polarizada con voltaje VCB, y cuya corriente inversa de saturación sea ICO:

IC = -αF IE + ICO { exp (qVCB/kT) – 1 }

El parámetro αF tiene un valor próximo a la unidad en la zona activa y se puede definir como:
Ι
α F ≡ − C VCB = 0
ΙE

Puesto que IE + IC + IB = 0

αF I ⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫ ⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫
IC = I B + CO ⎨exp ⎢ CB ⎥ − 1⎬ = β F I B + (1 + β F ) I CO ⎨exp ⎢ CB ⎥ − 1⎬
1− αF 1 − α F ⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭ ⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭

El parámetro βF se puede definir como:

Ι
β F ≡ C VCB =0
ΙB

Por otra parte, si el transistor se polariza en la región activa inversa, en la que la unión B-E se
encuentra en inversa y la unión C- B en inversa (VEB > 0 y VCB < 0 en un transistor PNP), se puede
expresar IE en función de IC siguiendo un razonamiento similar al anterior:

IE = -αR IC – IEO

Generalizando esta expresión para cualquier valor de la tensión E-B:

IE = -αR IC + IEO { exp (qVEB/kT) – 1 }

donde el parámetro αR se conoce como la ganancia de corriente en inversa para grandes señales en la
configuración de base común:

ΙE
αR ≡ − V =0
ΙC EB
e IEO es la corriente inversa de saturación de la unión E-B cuando la unión C-B está en circuito
abierto (es decir, cuando IC=0).

3. Ecuaciones de Ebers-Moll
Las ecuaciones

⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫
I E = I EO ⎨exp ⎢ EB ⎥ − 1⎬ − α R IC
⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭
⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫
I C = −α F I E + I CO ⎨exp ⎢ CB ⎥ − 1⎬
⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭

son válidas para cualquier régimen de funcionamiento del transistor y fueron deducidas por primera
vez por J. J. Ebers y J. L. Moll en 1954. Se pueden expresar también de la siguiente forma:

⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫ ⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫
I E = I ES ⎨exp ⎢ EB ⎥ − 1⎬ − α R ICS ⎨exp ⎢ CB ⎥ − 1⎬ = I F − α R I R
⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭ ⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭

⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫ ⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫
I C = −α F I ES ⎨exp ⎢ EB ⎥ − 1⎬ + I CS ⎨exp ⎢ CB ⎥ − 1⎬ = − α F I F + I R
⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭ ⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭

en donde

I EO I CO
I ES = I CS =
1 - α Fα R 1 - α Fα R

IES es la corriente inversa de saturación de la unión E-B cuando la unión C-B está en cortocircuito
(VCB=0)

ICS es la corriente inversa de saturación de la unión C-B cuando la unión E-B está en cortocircuito
(VEB=0).

Los parámetros αF, αR y las corrientes IEO, ICO IES e ICS son constantes que dependen de la estructura
física del transistor bipolar, es decir de los dopados de cada una de las zonas, de la anchura de la base
y de las longitudes de difusión de electrones y huecos en el semiconductor.

Las ecuaciones de Ebers-Moll verifican la condición de reciprocidad:

α F I ES = α R I CS
y, por tanto:
α F I EO = α R I CO
 A partir de estas ecuaciones podemos obtener un circuito equivalente, conocido como modelo
de Ebers-Moll para grandes señales.

IE = IF − αR IR
IC = − α FIF + I R
αRIR αFIF

IE IC
E C
+ IF IR +
(IES) (ICS)
IB
VEB VCB

- -
B

Transistor PNP en la zona activa

W>>LpB
“muy mal transistor”: mucha recombinación en la base

pnB(0)= pn0exp(VEB/kT)
VEB>0

pn0
≈
~3LpB
ZCE ZCE

pnB(W)= pn0exp(VCB/kT)
~3LpB VCB<0

x=0 x=W
W<<Lp
“buen transistor”
W~LpB

≈
ZCE ZCE ZCE ZCE
 4. Regiones de funcionamiento del transistor bipolar

VEB
E C
Región de saturación P++ N+ P

Región activa VEB>0 VCB>0

B
VEB>0 VCB<0 VCE<0
IE>0 (entra) C
IE>0 (entra) Si |VEB|>|VCB|⇒
IC<0 (sale) IC,IB<0 (salen)
VCB IC
IB<0 (sale) Si |VEB|<|VCB|⇒ IE,IB <0 e IC>0
+
IB
VCB B VCE
Región de corte Región activa inversa
-
VEB<0 VCB<0 VEB<0 VCB>0
IE<0 (sale)
VEB IE
IC>0 (entra)
IB<0 (sale) E

Transistor PNP

A. Región activa (PNP)

kT kT
VEB >> y VCB >>
q q

Configuración en Base Común

⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫ ⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫
I E ≈ I ES ⎨exp ⎢ EB ⎥ − 1⎬ − (−α R I CS ) ≈ I ES ⎨exp ⎢ EB ⎥ ⎬ = I F > 0
⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭ ⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭
⎡ qV ⎤
ya que exp ⎢ EB ⎥ >> 1 αFIE
⎣ kT ⎦ E C
⎧ ⎡ qVEB ⎤ ⎫
I C ≈ −α F I ES ⎨exp ⎢ ⎥ ⎬ − I CS ≈ − α F I F ≈ − α F I E < 0 IE IC
⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭
IB
I B = −I E - I C ≈ −(1 − α F )I E < 0
B
 Configuración en Emisor Común
⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫ βFIB C
I E ≈ I ES ⎨exp ⎢ EB ⎥ ⎬ > 0 B
⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭
⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫
I C = β F I B + (1 + β F ) ICO ⎨exp ⎢ CB ⎥ − 1⎬ ≈ β F I B + (1 + β F ) (−I CO ) = IB IC
⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭
= β F I B − (1 + β F ) I CO ≈ β F I B < 0
IE

⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫
I B = −I E - I C ≈ −(1 − α F )I ES ⎨exp ⎢ EB ⎥ ⎬ < 0 E
⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭

WBB
W
Emisor P++ Base N+ Colector P

IEp ICp

IE IC

IEn

ICn≈ ICO
IB1 IB2 IB3
ZCE
ZCE

IB Corrientes en el transistor
bipolar en la zona activa

Emisor P++ Base N+ Colector P

pB(x) nC0

nE(x) nC(x)
pB0

nE0

Distribuciones de portadores minoritarios en el transistor

bipolar en la zona activa
 B. Región activa inversa (PNP)

kT ⎡ qV ⎤
VEB<0, VEB >> ⇒ exp ⎢ EB ⎥ << 1 αRIC IR
q ⎣ kT ⎦
E C
kT ⎡ qV ⎤
VCB>0, VCB >> ⇒ exp ⎢ CB ⎥ >> 1 IE IC
q ⎣ kT ⎦
IB

⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫ ⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫ B
I C ≈ α F I ES + ICS ⎨exp ⎢ CB ⎥ ⎬ ≈ ICS ⎨exp ⎢ CB ⎥ ⎬ > 0
⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭ ⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭
⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫ ⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫
I E ≈ − I ES − α R ICS ⎨exp ⎢ CB ⎥ ⎬ ≈ − α R I ES ⎨exp ⎢ CB ⎥ ⎬ = − α R I C < 0
⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭ ⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭
I B = − I E - IC ≈ −(1 − α R )IC < 0

WBB
W
Emisor P++ Base N+ Colector P

IEp ICp

IE ICn IC

IEn

IB1 IB2 IB3

ZCE ZCE

Corrientes en el transistor bipolar

IB en la zona activa inversa

Emisor P++ Base N+ Colector P

nC(x)
pB(x)
nC0
Distribuciones de
pB0 portadores minoritarios en
nE0 el transistor bipolar en la
nE(x) zona activa inversa
 C. Región de saturación (PNP)

kT ⎡ qV ⎤
VEB>0, VEB >> ⇒ exp ⎢ EB ⎥ >> 1
q ⎣ kT ⎦
kT ⎡ qV ⎤
VCB>0, VCB >> ⇒ exp ⎢ CB ⎥ >> 1
q ⎣ kT ⎦
El transistor bipolar se comporta como un cortocircuito. Las corrientes que circulen por él
dependerán del circuito externo.

+ - - +
E C E C

IE IC
≈
IE IC
IB IB

B B
⎡ qV ⎤ ⎡ qV ⎤
I E ≈ I ES exp ⎢ EB ⎥ − α R ICS exp ⎢ CB ⎥ = I F − α R I R
⎣ kT ⎦ ⎣ kT ⎦

⎡ qV ⎤ ⎡ qV ⎤
I C = −α F I ESexp ⎢ EB ⎥ + I CSexp ⎢ CB ⎥ = − α F I F + I R
⎣ kT ⎦ ⎣ kT ⎦
⎡ qV ⎤ ⎡ qV ⎤
I B = −I E − IC = −(1 − α F ) I ES exp ⎢ EB ⎥ − (1 − α R ) I CSexp ⎢ CB ⎥ = − (1 − α F ) I F − (1 − α R )I R
⎣ kT ⎦ ⎣ kT ⎦

WBB
W
++
Emisor P Base N+ Colector P

ICp

IEp
IE IC
I’Cp
I’Ep

IEn ICn
IB2
IB1 (rec.) IB3
ZCE
ZCE

Corrientes en el transistor bipolar

IB en la zona de saturación (directa)
 Emisor P++ Base N+ Colector P

pB(x)
nC(x)

nC0
Distribuciones de
nE(x) portadores minoritarios en
pB0
el transistor bipolar en la
nE0 zona de saturación (directa)

D. Región de corte (PNP)

kT ⎡ qV ⎤
VEB<0, VEB >> ⇒ exp ⎢ EB ⎥ << 1
q ⎣ kT ⎦
kT ⎡ qV ⎤
VCB<0, VCB >> ⇒ exp ⎢ CB ⎥ << 1
q ⎣ kT ⎦
I E ≈ − I ES − α R I CS = − I ES − α F I ES = − I ES (1 − α F ) ≈ − I EO
I C ≈ −α F I ES − I CS = − ICS (1 − α F ) ≈ − ICO

El transistor se comporta como un interruptor en circuito abierto. Las tensiones en bornes del emisor,
base y colector dependerán del circuito externo.

IES(1-αF) ICS(1-αR)
E C E C

IE IC
≈ IE IC
IB
IB
B B

Situaciones de corte:

- VCB<0 e IE =0. Entonces, IC ≡ ICB0 = -ICO (ICB0: Corriente de saturación en Base Común)

- VCE<0 e IB=0 ⇒ IC ≡ ICE0 ≈ -(1+β)ICO (ICB0: Corriente de saturación en Emisor Común)

 WBB
W
Emisor P++ Base N+ Colector P

IE IEn IC
ICn

IB1 IB3
ZCE ZCE

Corrientes en el transistor bipolar

IB en la zona de corte

Emisor P++ Base N+ Colector P

nC0

pB0 Distribuciones de
portadores minoritarios
nE0 nC(x) en el transistor bipolar
pB(x) en la zona de corte
nE(x)
 5. Curvas características ideales del transistor bipolar
Partiendo de las ecuaciones de Ebers-Moll, se puede establecer una familia de curvas características
que representan el comportamiento del transistor bipolar en régimen estacionario. Vamos a
considerar las características de entrada y de salida en las configuraciones de Base Común y de
Emisor Común.

A. Características en Base Común del transistor PNP

IE IC -
E C
+ + -

(entrada) VEB VCB (salida) -

IB
- -
B B

Características de entrada del

transistor PNP en Base Común

IC (mA)
Saturación
-4 IE = 4 mA

-3 IE = 3 mA
Zona activa
-2 IE = 2 mA

-1
IE = 1 mA
ICBO Corte
IE = 0 mA
+1 0 -2 -4 -6 VCB (Volts)
Características de salida del transistor
PNP en Base Común

PNP: IC = -αF IE + ICO { exp (qVCB/kT) – 1 }

Zona de corte: Si IE = 0, y la unión CB está polarizada en inversa:

IC ≡ ICBO = -ICO
B. Características en Emisor Común del transistor PNP
IC
C -
+

IB
B
VCE
+

VBE
IE
- -
E E -

Características de entrada del

transistor PNP en Emisor Común

IC (mA)
Saturación

-8 IB = -80 µA

-6 IB = -60 µA
Zona activa
-4 IB = -40 µA

-2 IB = -20 µA
ICEO Corte
IB = 0 µA

0 -2 -4 -6 VCE (Volts)

Características de salida del transistor

PNP en Emisor Común

⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫
PNP: I C = β F I B + (1 + β F ) ICO ⎨exp ⎢ CB ⎥ − 1⎬
⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭
Zona de corte: Si IB = 0, y la unión CB está polarizada en inversa:

I C ≡ I CEO = − (1 + β F ) I CO
C. Características en Base Común del transistor NPN

IE IC
E C
+ + -
-
(entrada) VEB VCB (salida)
IB -
-
- -
B B -
-
-
-
- - - - - VEB (V)

Características de entrada del

transistor NPN en Base Común

IC (mA)
Saturación
4 IE = -4 mA

3 IE = -3 mA
Zona activa
2 IE = -2 mA

1
IE = -1 mA
ICBO Corte
IE = 0 mA
-1 0 2 4 6 VCB (Volts)

Características de salida del transistor

NPN en Base Común

NPN: IC = -αF IE - ICO { exp (qVBC/kT) – 1 }

Zona de corte: Si IE = 0, y la unión CB está polarizada en inversa:

IC ≡ ICBO = ICO
D. Características en Emisor Común del transistor NPN

IC
C
+

IB
B
VCE
+

VBE
IE
- -
E E

Características de entrada del

transistor NPN en Emisor Común

IC (mA)
Saturación

8 IB = 80 µA

6 IB = 60 µA
Zona activa
4 IB = 40 µA

2 IB = 20 µA
ICEO Corte
IB = 0 µA

0 2 4 6 VCE (Volts)

Características de salida del transistor

NPN en Emisor Común

⎧ ⎡ qV ⎤ ⎫
NPN: IC = β F I B − (1 + β F ) ICO ⎨exp ⎢ BC ⎥ − 1⎬
⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭
Zona de corte: Si IB = 0, y la unión CB está polarizada en inversa:

IC ≡ ICEO = (1 + β F ) ICO
 Características aproximadas de entrada y salida del transistor PNP en Base Común

IC (mA)
IE
Saturación

IC -8 IE = 8 mA
IE
E C -6 IE = 6 mA
+ +
Zona activa
VEB VCB -4 IE = 4 mA
IB
-2 IE = 2 mA
- -
B B VEB
Corte
IE = 0 mA

0,7 V -2 -4
+0,7 0 VCB (V)

Zona activa Zona de saturación Zona de corte

(directa)
VEB>0 VCB<0 IE>0 IC<0 VEB ≈ 0,8 V VEB < 0,7 V
VEB ≈ 0,7 V IC > -αF IE IC ≈ 0
IC ≈ -αFIE VCB ≈ 0,7 V

Características aproximadas de entrada y salida del transistor PNP en Emisor Común

IC
C IC (mA)
+ IB
Saturación
IB = -80 µA
-8
IB -6
IB = -60 µA
B
VCE Zona activa
+ IB = -40 µA
-4
VBE IB = -20 µA
IE -2
Corte
IB = -0 µA
- - VBE
E E
-0,7 V 0 -0,2 V -2 -4 VCE (Volts)

Zona activa Zona de saturación Zona de corte

(directa)
VBE<0 VCE<0 IB,IC<0 VCE<0 IB,IC<0 |VBE | < 0,7 V
VBE ≈ -0,7 V VBE ≈ -0,8 V IC ≈ 0
IC ≈ βFIB -IC < -βFIB (|IC| < |βFIB|)
VCE < -0,2 V VCE ≈ -0,2 V
( |VCE|> 0,2 V)
 Características aproximadas de entrada y salida del transistor NPN en Base Común

IC (mA)
IE
Saturación

IE IC 8 IE = -8 mA

E C 6 IE = -6 mA
+ +
Zona activa
VEB VCB 4 IE = -4 mA
IB
2 IE = -2 mA
- -
B B VEB
Corte
IE = 0 mA

-0,7 V -0,7 0 2 4 VCB (V)

Región activa Región de saturación Región de corte

VEB<0 VCB>0 IE<0 IC>0 VEB ≈ -0,8 V VEB > -0,7 V
VEB ≈ -0,7 V IC < -αFIE IC ≈ 0
IC ≈ -αFIE VCB ≈ -0,7 V

Características aproximadas de entrada y salida del transistor NPN en Emisor Común

IC (mA)
C IB
IC + Saturación
IB = 80 µA
8
IB = 60 µA
IB 6
B Zona activa
VCE IB = 40 µA
+ 4
IB = 20 µA
VBE 2
IE Corte
IB = 0 µA
VBE
- -
E E 0,7 V 0 0,2 V 2 4 VCE (Volts)

Zona activa Zona de saturación Zona de corte

VBE>0 VCE>0 IB,IC>0 (directa) VBE < 0,7 V
VBE ≈ 0,7 V VCE>0 IB,IC>0 IC ≈ 0
IC ≈ βFIB VBE ≈ 0,8 V
VCE > 0,2 V IC < βFIB
VCE ≈ 0,2 V
6. Efectos no ideales en las características del transistor bipolar
A. Efecto Early o Modulación de la anchura de la base.
B. Fenómenos de ruptura

VC
+
VB
– –

VCE
A. Efecto Early, o Modulación de la anchura de la base.

W (VCB)
(anchura efectiva ZCE de la unión CB
de la base)
portadores minoritarios
Concentración de

W para VCB creciente

en la base

VCB ↑ ⇒ W ↓

El gradiente
portadores
minoritarios
aumenta con VCB

x=0 x = W (VCB)

IC (mA)

8
Características de salida del
transistor NPN en Emisor
6 Común mostrando el efecto
Early

4 ( —)
2

0 2 4 6 VCE (Volts)

B. Fenómenos de ruptura en el transistor bipolar

La ruptura en un transistor bipolar se puede deber a dos mecanismos:

B.1. Estrangulamiento o punch-through.
B.2. Avalancha.

B.1. Estrangulamiento
Al aumentar el voltaje inverso B-C, la zona de carga espacial de esa unión se ensancha, reduciendo la
anchura efectiva de la base. El efecto de estrangulamiento tiene lugar cuando la zona de carga
espacial ocupe completamente la base. La figura (a) representa un transistor bipolar en equilibrio
térmico, y la (b) el diagrama de bandas de un transistor bipolar para dos valores del voltaje de
polarización inversa de la unión Colector-Base, VR1 y VR2.
Cuando se aplica un voltaje pequeño, VR1, la barrera de potencial de la unión E-B no se ve afectada.
Si a esta unión E-B no se le aplica ningún voltaje externo, la corriente que circula por ella será nula.

Sin embargo, cuando se aplica un voltaje grande, VR2, la zona de carga espacial se extiende a toda la
base y la barrera de potencial de la unión E-B disminuye debido al voltaje de la unión C-B. En estas
condiciones, esta disminución de la barrera de potencial produce un gran aumento de corriente al
aumentar ligeramente el voltaje VCB. Este efecto se conoce como estrangulamiento o punch-through.
Los parámetros que afectan Voltaje de Ruptura por estrangulamiento son la anchura y el dopado de
la base.

B.2. Avalancha

En la figura (a) se muestra un transistor NPN con la unión

B-C polarizada en inversa y con el emisor abierto. En estas
condiciones, la corriente que circula por la unión B-C es
ICBO= -ICO. La figura (b) es un transistor NPN con la base
desconectada, al que se aplica un voltaje VCE. De esta
forma, la unión B-C también se encuentra polarizada en
inversa, y la corriente que circula por él es
ICEO= − (1+ β F ) I CO .

La corriente ICBO que circula por la unión B-C en inversa es

debida al flujo de huecos (portadores minoritarios) desde el
colector hacia la base. Este flujo de huecos hacia la base le
hace positiva con respecto al emisor, y la unión E-B se
polariza en directa. Entonces, la unión B-E produce la
corriente ICEO, debida sobre todo a la inyección de
electrones del emisor hacia la base. Puesto que el emisor
(tipo N) está mucho más dopado que la base (tipo P), esta
corriente de electrones será mucho mayor que la corriente de huecos que la ha producido. Los
electrones inyectados se difunden por la base hacia la unión B-C. Algunos de estos electrones se
recombinarán en la base. La corriente debida a los electrones que alcanzan la unión B-C será αFICEO.
Por tanto,
I
I CEO = α F I CEO + I CBO ⇒ I CEO = CBO ≈ β F I CBO
1- αF
Si el transistor se encuentra en base común con el emisor abierto (IE =0), al acercarse el voltaje VCB
hacia valores próximos a la ruptura, el aumento de la corriente ICBO se puede expresar como M·ICBO,
donde M es el factor de multiplicación:

1
M= n
⎧ V ⎫
1 − ⎨ CB ⎬
⎩ BVCBO ⎭

y de manera similar para la corriente ICEO cuando el transistor se encuentra en emisor común con la
base en circuito abierto (IB = 0):

MI CBO
I CEO = M (α F I CEO + I CBO ) ⇒ I CEO =
1- αFM

La ruptura ocurrirá para un voltaje VCB que cumpla la condición α F M = 1 :

1
αF n
=1
⎧ VCB ⎫
1− ⎨ ⎬
⎩ BVCBO ⎭

Puesto que la unión E-B se encuentra en polarización directa, VEB ≈ 0,7 V. Como la ruptura se
produce por avalancha, VCB >> VEB y, por tanto VCE ≈ VCB. Entonces:

1 BVCEO 1 BVCBO
αF =1 ⇒ = (1 - α F ) n ⇒ BVCEO ≈
⎧ V ⎫
n
BVCBO n βF
1 − ⎨ CE ⎬
⎩ BVCBO ⎭

Emisor
Base común
común