ELECTRONICA DE POTENCIAS

INFORME FASE 4 TRABAJO PRÁCTICO.

Presentado por: Arley
por: Arley Fernando Zúñiga Cod: 1083895741
Cristian Fabián Arias Ordoñez Cod: 1143829574
Fabián Sánchez Cerón Cod: 12265941
German
Tutor:
Diego Fernando Nava.

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A en proyectos en la cual se

DISTANCIA  UNAD
–

enmarca el curso y que garantiza

ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS,
TECNOLOGÍA E INGENIERÍA
NOVIEMBRE 2017
INTRODUCCIÓN
El presente trabajo contiene la
evidencia del desarrollo de las de
las actividades requeridas para el
componente práctico del curso,
las cuales están indicadas en la
guía de actividades y cuyo
objetivo es desarrollar
habilidades de identificaciones,
selección y utilización
circuitos convertidores
acondicionadores de señales;
basados en el uso
Semiconductores de potencia.
Todo esto contextualizado en la
estrategia de aprendizaje basado
PROCEDIMIENTO
1. El estudiante
estudiante debe inscribirse para
realizar las prácticas a través del
aplicativo de oferta integrada de
laboratorios en campus virtual
la asimilación de los
conocimientos propuestos.
OBJETIVOS
• Identificar y desarrollar los
circuitos de disparo requeridos
para semiconductores de
potencia. SCR, MOSFET e IGBT.
• Desarrollar un análisis
teórico-práctico sobre el
comportamiento de estos
componentes bajo diferentes
de voltajes y corrientes de disparo.
y
• Realizar las actividades
de prácticas propuestas para
contextualizar el desarrollo de los
componentes teóricos del curso
de Electrónica de Potencia.
http://academia.unad.edu.co/laboratorio
s/programacion.
2. El intervalo de tiempo para
desarrollar la práctica es informado en el
momento que el estudiante se inscribe
por el Aplicativo Oferta Integrada de
Laboratorios - OIL.
3. Es necesario que
que el estudiante
verifique los componentes electrónicos
solicitados en los experimentos, en caso
tal que amerite la realización de cálculos
previos por favor darle cumplimiento,
con el fin que puedan adquirir los
elementos antes de ir al centro a realizar
la práctica.
4. El producto esperado es la asistencia
participación y un informe final en
formato IEEE que el estudiante debe
entregar a su tutor de prácticas.
5. El tutor de prácticas de laboratorio
asignado en el centro
orientara y evaluara el desempeño del
estudiante. El tutor deberá reportar la
calificación final en el aplicativo de oferta
integrada de laboratorios.
6. Los estudiantes que se les haga
imposible asistir a las prácticas (in-sito
presencial) deben informar al tutor de
prácticas asignado en su centro con
soportes de justa causa la razón por la
cual no podrán asistir, para que este
decida si le autoriza la realización de la
práctica de manera auto dirigida. 2. Ajuste V1 de modo tal que el VAK sea
aproximadamente 15 Voltios.

CUERPO DEL TRABAJO

V1=2v
PRACTICA No.1 CARACTERÍSTICAS DEL SCR 
V2=3.3 v
RTA:
Ajustando V1 de modo que VAK sea
aproximadamente 15 v y en la práctica
da los siguientes resultados

Grafica que muestra los resultados en la

práctica de 0.14

1. Realice el montaje del circuito de la

figura.
RTA:

Grafica que muestra 0.3 MA tomados
desde el ánodo hasta la resistencia
El circuito SCR está funcionando debido a
que circula corriente por el circuito
Al cerrar el gate no conduce corriente
por lo tanto el circuito scr no trabaja
V1= 2v
V2= 12v
Del potenciómetro al gate la corriente
que circula es de 1.3 MA
1.3 MA tomados desde el ánodo hasta la
resistencia.
Corriente que circula desde el ánodo a la
resistencia 1.3Ma
Corriente que circula desde el ánodo al
cátodo es 10.1 Ma
Por lo que podemos concluir que el
voltaje es la diferencia de potencial entre
dos puntos.
Después de 10 Ma la corriente del
circuito empieza a trabajar y se
comporta como un diodo y si es menor a
10 no trabaja el scr
3. Lentamente varié el valor de V2 hasta
que el SCR conduzca. ¿Qué sucede
con el valor del VAK y porque?
Lo que sucede es que la Corriente que
circula desde el ánodo al cátodo es 10.1
Ma con V1: 2V Y v2 A 12V, Además el
voltaje que circula desde el ánodo al
cátodo es de 5v al cerrarse y al abrirse
da 0 v.
con V1: 2V Y v2 A 12V, podríamos decir
que le SRC cuando inicia a trabajar
realiza un corto.
4. Asegúrese que el SCR está en estado
de conducción.
Se encuentra en estado de conducción
debido a que alcanza el lumbral a 10
Ma en la fuente v1
5. Desconecte temporáneamente el pin
puerta (GATE) y poco a poco reducir
la tensión V1 hasta que la corriente
del SCR repentinamente cae a cero.
Tenga en cuenta el valor de la
corriente anterior a cero “este es el
 valor de la corriente de 1. Realice el montaje del circuito de la
mantenimiento IH. anterior figura.

Cuando se disminuye la tención de v1 a

3.3 v el amperaje no es suficiente para
circular la corriente necesaria ya que da
1.3 Ma, por lo tanto se aproxima a 12v
v1 la corriente es de 10.1 Ma y el voltaje
en el potenciómetro cerrado es de 1.3
Ma y abierto es 10.1 Ma.

Pregunta: ¿Qué crees que va a pasar en

el circuito de la figura 1 si se dispara el
SCR, y luego se reduce la corriente de
puerta a cero de nuevo?

Cuando se dispara el SRC y se reduce la

corriente de la puerta de cero sucede
que se reduce la corriente de puerta a
cero no funciona el circuito SRC.

Pregunta:  ¿Qué observas ahora que

repentinamente usted aumenta y reduce
la corriente de puerta?
2. Ajuste VDS=10V variando V1,
En la práctica con proteus Cuando se mantenga R1 ligeramente mayor a ¼
aumenta y reduce la corriente el scr del valor total.
queda funcionando, el resultado en la
práctica con un pulsador al disminuir la
potencia y aumentar se apaga y
enciende el scr
PRACTICA No.2: CARACTERÍSTICAS DEL MOSFET

3. Cambie el valor de VGS variando el

valor de V2. (mantenga R2 en el valor
mínimo) y observe como cae el valor
de IDS cada 0.5V de variación del
voltaje VGS, llevando VGS a 5V.
4. Repita los pasos anteriores para
diferentes valores con

VDS2 = 12V.
VDS3 = 15V

Llenar las tablas.

Características de drenaje
Ajustar el VG variando el valor de V2 a
VTH.
5. Variar VDS cambiando el valor de
V1 en variaciones de
0.5V y anote el valor de IDS. (hasta que
IDS sea constante)
6. Repetir los pasos anteriores para
diferentes valores de VGS2 = VTH ±
0.1V.
 Practica No.3: Características V-I Del
IGBT

G30N60A4

Figura No.3
1. Realice el montaje del circuito de la
figura.
Pregunta: ¿Por qué los MOSFET no son
implementados en aplicaciones de
elevadas potencias?

Los transistores MOSFET son dispositivos

de gran utilidad y que presentan un bajo
consumo, sin embargo el terminal gate
es muy sensible, la capa de óxido es muy
delgada y se puede perforar y por ende
dañar con facilidad el dispositivo; se
deben manipular con mucho cuidado,
teniendo en cuenta que se pueden
destruir con facilidad si hay alta tensión
o hay electricidad estática. Por esta
última razón, no son implementados en
circuitos de lata potencia.

Su funcionamiento está limitado por 2. Inicialmente mantenga V1 y V2 al

niveles de tensión, valor mínimo.
correspondientes a redes de baja tensión 3. Seleccione el valor de V1=VCE1=10V.
y menores Va;. 4. Lentamente varié V2 (VGE) y anote
por lo que son empleados en soluciones VGE e IC en cada
de baja y mediana 0.5V de cambio tenga en cuenta que el
potencia. VGE máximo debe
ser 8 voltios.
5. Seleccione el valor de V1=VCE1=10V

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 = .    = .    = .  
6. Repita los pasos anteriores con
diferentes valores de VGE y
dibuje la gráfica de VGE vs IC.
Practica No.4: Control De Fase De
Media Onda
Cuando se pretende desarrollar un
control del ángulo de encendido del SCR
partiendo de la misma tensión que
alimenta a la carga, es preciso recurrir a
circuitos capaces de retardar la señal de
disparo durante un intervalo regulable
mientras transcurre todo el semiciclo de
conducción del dispositivo.
La configuración más sencilla para
conseguirlo se puede materializar
utilizando una red desfasadora serie R-C,
a cuyos extremos se aplica una fracción
de la tensión que ha de estar presente
en la carga. La propia naturaleza de la
red R-C introduce un desfase variable
entre 0° y 90° respecto de la tensión
aplicada, pudiéndose conseguir con una
adecuada relación de valores resistencia-
capacidad un control pleno de la
corriente por la carga entre los 0° y
prácticamente los 180°.
En el circuito de la figura 2 la red
desfasadora está formada por R1 + P1 y
C, que tiene aplicada la tensión presente
entre ánodo y cátodo del SCR. La señal
de control, variable en fase y amplitud
por la acción de P1 se extrae en
extremos de C y se aplica entre puerta y
cátodo a través de la resistencia
limitadora R2 y el diodo D1 que previene
la descarga de C durante los semiciclos
negativos.
En el análisis del funcionamiento del
control debe tenerse presente que
cuando el valor de la reactancia que
presenta C es mucho mayor que el de la
resistencia serie asociada con éste R1 +
P1 (P1 al mínimo), el circuito se
comporta como capacitivo, la tensión que
se extrae del condensador es máxima y
se puede considerar en fase con la
tensión aplicada; la conducción del SCR
se produce casi al inicio de cada
semiperiodo positivo.

4.1. Montar en el simulador el circuito de

la Figura 2. (Anexe imagen del circuito al
informe).
Podemos evidenciar en la gráfica anterior
obtenida al simular el
circuito propuesto con un valor de P1
mínimo, para la cual se
obtiene la corriente y voltaje de
conducción para el SCR.

4.3.  Observar la tensión de salida para

diferentes valores del potenciómetro P1.
¿Qué sucede cuando la resistencia
disminuye?

Para un 70% de P1(3.5k) se observa que

4.2.  Realizar la simulación anexe la
gráfica que muestre al menos 4 ciclos de
la tensión entrada V1 y la de la tensión
en la carga RL ¿Que ha notado?
aún no se alcanza ni la
corriente de disparo no el voltaje
requerido para que el SCR se
encuentra en modo de conducción.

4.4. ¿Para qué valor de P1 la potencia

entregada a la carga es la
Podemos evidenciar en la gráfica mitad de la potencia máxima?
obtenida al simular el circuito
propuesto, que al no obtener un voltaje
suficiente, y por ende
no alcanzar la corriente de disparo, para
que el SCR pueda
conducir, la señal es la misma que la que
se aplica a la entrada
del circuito. Esto con un valor de P1
máximo es decir 5K, es Siendo que la corriente mínima de
decir un periodo de 0.1667ms conducción para el SCR es
de 32.5mA; se puede concluir, soportado
en la gráfica, que la
mitad de la potencia se entrega a RL
cuando P1 vale el 64% de
valor real, es decir 3.2k.
4.5 Calcule los ángulos de disparo y
conducción para al menos
6 valores distintos de P1 Registrar los
valores en una tabla.
Utilizar como referencia la Figura 3 y
emplear las siguientes
ecuaciones.
Figura No.6 Onda rectificada controlada
Ángulo de conducción ⱷt2  = 180º -
ángulo de disparo ⱷt1
se tendrán en cuenta los siguientes
datos:
Luego entonces, determinando mediante
el osciloscopio de
Proteus el tiempo de disparo para cada
uno de los valores
seleccionados tenemos que:
CONCLUSIONES.
Con esta práctica pudimos ver otra utilidad
importante de los SCR. Ya que se puede formar
una gran cantidad de circuitos para diversas
utilidades como la generación de señales de
sinoidales, y sus ángulos de disparo, etc. Para
realizar estos circuitos siempre debe de quedar
muy claro que siempre se va a trabajar con
componentes electrónicos muy comerciales así
que no siempre se debe esperar los resultados
teóricos.
3.Podemos apreciar en los diferentes
componentes que nos ayudan a disminuir o
aumentar las potencias de un motor como el
controlador de fase de media onda.
BIBLIOGRAFÍA
Introducción a los sistemas electrónicos de potencia.
Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009).
Electrónica de potencia: convertidores, aplicaciones y
diseño (pp. 3-14). Recuperado de
ttp://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/re
ader.a
ction?ppg=22&docID=10565530&tm=1482450097688
Unidad 3: Ciumbuela, G. Guasch, L. (2004). Máquinas
y accionamientos eléctricos. Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/r
eader.action?ppg=3&docID=1
0165681&tm=1502339724954