Bol Ejercicios Resueltos

TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA
GRADO EN INGENIERÍA INFORMÁTICA
Ejercicios Resueltos
2018/19
1. Circuitos eléctricos
Tema 1
Circuitos eléctricos
E JERCICIO R ESUELTO 1.1
Determina la resistencia equivalente Req de la red de la figura si R = 1Ω.
2R R
R
Req
R R
Solución
No podemos aplicar asociación serie ni paralelo, por lo que usaremos la definición de resistencia
equivalente aplicando una fuente de tensión V , determinando la intensidad de corriente I, y finalmente
aplicando la Ley de Ohm.
1 I
2
I 2R I1 R
V + 2 R 3
I4 I3 I5
R R
4
Para el análisis de esta red aplicamos las reglas de Kirchhoff.

Número de ecuaciones de nudo linealmente independientes: n − 1 = 3, donde n es el número de
nudos disponibles en el circuito (los cuatro vértices del rombo que forman las resistencias). Hallamos las
1–1
ecuaciones de nudos:
Nudo 1: I = I1 + I2 ⇒ I1 = I − I2 ,
Nudo 2: I4 = I1 − I3 = I − I2 − I3 ,
Nudo 3: I5 = I2 + I3 .
Número de ecuaciones de malla linealmente independientes: r − (n − 1) = 6 − 3 = 3, donde r es el

número de ramas disponibles en el circuito (una rama por cada resistencia, más la rama de la fuente V ).
Escribimos ahora las ecuaciones de mallas:
Malla 4-1-2-4: − V + I1 2R + I4 R = 0,
Malla 2-1-3-2: − I1 2R + I2 R − I3 R = 0,
Malla 4-2-3-4: − I4 R + I3 R + I5 R = 0.
Sustituyendo en estas últimas ecuaciones las expresiones de I1 , I4 e I5 y el valor R = 1, tenemos:
V = 3I − 3I2 − I3 ,
0 = −2I + 3I2 − I3 ,
0 = −I + 2I2 + 3I3 ,
y aplicando la Regla de Cramer:

V −3 −1

0 3 −1

0 2 3 11V V 13
I= = ⇒ Req = = Ω.
3 −3 −1 13 I 11

−2 3 −1

−1 2 3
1–2
[Examen Julio 2012]

a) Obtén el equivalente Thévenin del circuito a la izquierda de los puntos A y B. A continuación, calcula
la potencia disipada en la carga RL .
A
R1=1[W] R2=2[W] RL=10[W]
I1=1[A]
B
b) Obtén el equivalente Norton del circuito a la izquierda de los puntos A y B. A continuación, calcula
la potencia disipada en la carga RL .
A
R1=1[W] R2=2[W] RL=10[W]
V1=1[V] V2=2[V]
Solución
a) Para obtener el equivalente de Thévenin a la izquierda de los puntos A y B, eliminamos la resistencia

RL (ya que se considera una resistencia de carga). Para hallar la resistencia de Thévenin desactivamos
la única fuente de corriente (la remplazamos por un circuito abierto), es decir:
A
R1=1[W] R2=2[W]
RTh = R2 = 2[W]
B
Para hallar el voltaje VAB = VTh , debemos tener en cuenta que la corriente I1 circulará tanto por R1
como por R2 (entre A y B no hay derivación de corriente, por estar el circuito abierto), por lo tanto,
1–3
aplicando la ley de Ohm a R2 , obtendremos VTh = I1 R2 = 1A · 2Ω = 2V.

Entonces, reemplazando por el equivalente Thévenin, procedemos a hallar la potencia en RL :
A
RTh=2[W] RL=10[W]
VTh=2[V]
2 2
2 VTh 2V
PR L = IR RL = RL = 10Ω
L
RTh + RL 2Ω + 10Ω
5
⇒ PR L = W.
18
b) Para hallar el equivalente Norton a la izquierda de A y B procedemos de modo análogo: quitamos

RL . Esta vez, desactivar las fuentes V1 y V2 implica reemplazarlas por cortocircuitos:
A
R1=1[W] R2=2[W]
B
R1 R2 1Ω2Ω 2
RN = R1 kR2 = = = Ω.
R1 + R 2 1Ω + 2Ω 3
Y para hallar la corriente de Norton IN , debemos cortocircuitar los puntos A y B. De la ecuación de la
malla a-A-B-d, tendremos I1 = V1 /R1 . Y de la malla b-A-B-c, tendremos I2 = V2 /R2 . Finalmente,
aplicando ley de nudos en b, tendremos:
a b A
R1=1[W] R2=2[W]
IN
V1=1[V] V2=2[V]
d c B
V1 V2
IN = I1 + I2 = + = 1A + 1A = 2A.
R1 R2
1–4
Ahora podemos obtener la potencia disipada en la carga RL como:
VR2L
PRL = .
RL
Para ello, necesitamos calcular (ver siguiente figura):
VRL = VRN kRL .
A
IN=2[A] RN= 2
3 [W]
RL=10[W]
B
Como
2
3 Ω10Ω 5
RN kRL = 2 = Ω,
3Ω + 10Ω 8
tenemos que
5 5
VRN kRL = (RN kRL ) IN = Ω2A = V,
8 4
con lo que
5
V RL = V
4
y, finalmente:
5
2
4V 25
PRL = = W = 0.15625W .
10Ω 160
1–5
[Examen Enero 2014]

Una lámpara del alumbrado de carretera de un automóvil se puede modelar como una resistencia y es
capaz de disipar 55W como máximo cuando está sometida a una diferencia de potencial de 12V. En la
instalación eléctrica del automóvil las lámparas izquierda (Ri ) y derecha (Rd ) se conectan en paralelo a
la baterı́a, que se modela como un generador real de tensión de fuerza electromotriz Vg y de resistencia
interna Rg = 0.4Ω.
a) Calcula la corriente máxima que puede circular por una lámpara cuando disipa la máxima potencia.
b) Calcula el valor de la resistencia (Ri = Rd ) que modela la lámpara.
c) Dibuja el circuito formado por el generador real de tensión y las dos lámparas (resistencias Ri y Rd )
conectadas en paralelo a dicho generador.
d) Calcula la corriente que entrega el generador real de tensión cuando ambas lámparas disipan la
máxima potencia.
e) Calcula el valor de la fuerza electromotriz Vg para que ambas lámparas disipen la máxima potencia.
f) Si el generador real de tensión se reemplaza por un generador ideal de tensión de 9V, calcula la
potencia que disipan las dos lámparas.
Solución
a) Para una ddp de 12V se disipan 55W, por lo que la corriente máxima se obtiene:
Pmax 55W
Pmax = V · Imax ⇒ Imax = = ⇒ Imax = 4.58A .
V 12V
b) Para una ddp de 12V se disipan 55W y la corriente máxima es de 4.58A (calculada en el apartado
anterior):
2 Pmax 55
Pmax = Imax Ri ⇒ Ri = 2
= Ω = 2.62Ω ⇒ Ri = Rd = 2.62Ω .
Imax 4.582
c) Circuito:
Rg=0.4[W]
Vg
Ri Rd=Rd=2.62[W]
d) Corriente entregada por el generador y circuito:
1–6
Rg=0.4[W] 2Imax
Imax Imax
Vg
Ri Rd=Rd=2.62[W]
I = 2Imax = 2 · 4.58A ⇒ I = 9.16A .
e) Ecuación de malla en el circuito del apartado d):
Vg = 2Imax · Rg + Imax · Ri = 2 · 4.58A · 0.4Ω + 4.58A · 2.62Ω ⇒ Vg = 15.66V .
f) Circuito formado por el generador ideal de tensión de 9V y las dos resistencias:

2Ii
Ii Id=Ii
Vg
Ri Rd=Rd=2.62[W]
9
Ii = Id = = 3.43A,
2.62
P = Ii2 · Ri + Id2 · Rd = 2Ii2 · Ri
= 2 · (3.43A)2 · 2.62Ω ⇒ P = 61.8W .
1–7
En el circuito de la figura, determina:

a) El equivalente Thévenin entre los puntos a y b.
b) El equivalente Norton entre los puntos a y b.
c) Comprueba que los circuitos equivalentes obtenidos en los anteriores apartados son, a su vez,
generadores equivalentes.
d) La potencia entregada por los generadores y absorbida por las resistencias.
a b
R3=5[W]
Vg=20[V] Ig=1[A]
R1=10[W] R2=15[W]
Solución
a) Obtención de la tensión Thévenin VTh : es la tensión Vab .

R3=5[W] I+1
a b
I Ig=1[A]
Vg=20[V]
R1=10[W] R2=15[W]
Ecuación de malla externa:
−Vg + IR3 + (I + 1)R2 = 0,

−20 + 5I + 15(I + 1) = 0,
⇒ I = 0.25A.
Por lo tanto:
VTh = Vab = I · R3 = 0.25A · 5Ω ⇒ VTh = 1.25V .
Obtención de RTh : sustituyendo los generadores por su resistencia interna (cortocircuito –resistencia
cero– en la fuente de tensión y circuito abierto –resistencia infinita– en la fuente de corriente) se
obtiene la resistencia equivalente entre a y b.
1–8
R3=5[W]
a b
R1=10[W] R2=15[W]
R1 puede eliminarse pues por ella no circuları́a corriente, ya que queda cortocircuitada (la resistencia
equivalente de cualquier resistencia en paralelo con un cortocircuito es cero). Lo verificamos
realizando el paralelo entre R1 y el cortocircuito Rcc = 0:
R1 R1
Req = Rcc · =0· = 0 · 1 = 0.
Rcc + R1 0 + R1
Es decir, el paralelo de cualquier resistencia con un cortocircuito es un cortocircuito.
RTh = Rab está formada entonces por R3 y R2 en paralelo:
5Ω15Ω
RTh = R3 kR2 = ⇒ RTh = 3.75Ω .
5Ω + 15Ω
b) Obtención de la corriente Norton IN : es la corriente de cortocircuito de a a b. Como en el caso de
R1 del punto anterior, R3 puede eliminarse pues queda cortocircuitada. La ecuación de malla externa
será:
IN+1[A]
a b
IN
Vg=20[V] Ig=1[A]
R1=10[W] R2=15[W]
1
−20 + (IN + 1) · 15 = 0 ⇒ IN = A.
3
La resistencia RN es la misma que RTh , es decir, RN = 3.75Ω .
c) Las condiciones que han de cumplir los generadores para ser equivalentes son:
RTh
a a
IN
VTh
RN
b b
RTh = RN = 3.75Ω (SÍ),

VTh = IN · RTh ⇒ 1.25V = 1/3A · 3.75Ω = 1.25V (SÍ).
d) Para los siguientes cálculos utilizaremos el circuito inicial.
1–9
IV R3=5[W] I+1= 1.25 [A]

a b
Vg=20[V] I=0.25[A]
R1=10[W] VI R2=15[W]
Ig=1[A]
Vg 20V
I1 = = = 2A.
R1 10Ω
Potencia entregada por Vg :
I Vg = I + I1 = 0.25A + 2A = 2.25A,
PV g = Vg IVg = 20V · 2.25A = 45W.
Potencia entregada por Ig :
VI g = (I + 1)R2 = 1.25A · 15Ω = 18.75V,

PI g = VIg Ig = 18.75V · 1A = 18.75W.
Potencia entregada por los generadores:
PG = PVg + PIg ⇒ PG = 63.75W .
Potencia disipada por R1 :

P1 = I12 R1 = (2A)2 · 10Ω = 40W.
P2 = (I + 1)2 R2 = (1.25A)2 · 15Ω = 23.4375W.
P3 = I 2 R3 = (0.25A)2 · 5Ω = 0.3125W.
Potencia disipada por las resistencias:
PR = P1 + P2 + P3 ⇒ PR = 63.75W .
Se comprueba que la potencia entregada total PG es igual a la potencia total disipada PR .
1 – 10
En el circuito de la figura, calcula:

a) Intensidades I1 e I2 obtenidas aplicando el teorema de superposición.
b) Potencia disipada por las resistencias y entregada por los generadores.
R1=1[W] R2=2[W]
Ig=1[A]
I1 I2
E1=1[V] E2=2[V]
Solución
a) Considerando en primer lugar Ig activo, y E1 y E2 desactivados (cortocircuitos):

a
R1=1[W] R2=2[W]
Ig=1[A]
I1 I2
′ R 1 R2
Vab = Ig
R1 + R2
′
Vab R2 2Ω 2
I1′ = = Ig = 1A · = A,
R1 R1 + R2 1Ω + 2Ω 3
V′ R1 1Ω 1
I2′ = ab = Ig = 1A · = A.
R2 R1 + R2 1Ω + 2Ω 3
Y, en segundo lugar, Ig desactivado (circuito abierto), y E1 y E2 activados:
R1=1[W] R2=2[W]
I 1 I 2
E1=1[V] E2=2[V]
1 – 11
E2 − E1 2V − 1V 1
I1′′ = −I2′′ = = = A.
R1 + R2 1Ω + 2Ω 3
Por lo tanto:
2 1
I1 = I1′ + I1′′ = A + A ⇒ I1 = 1A ,
3 3

′ ′′ 1 1
I2 = I2 + I2 = A + − A ⇒ I2 = 0A .
3 3
b) Una vez que hemos hallado las corrientes, podemos calcular las correspondientes potencias:
PR = I12 R1 + I22 R2 = (1A)2 1Ω + (0A)2 2Ω ⇒ PR = 1W ,

PG = Vg Ig − E1 I1 = 2V1A − 1V1A − 2V0A ⇒ PG = 1W .
1 – 12
En el circuito de la figura calcula:
35[V] A S
10[W] 12[W]
10[mF]
5[A]
10[V]
30[W]
B
a) Potencia disipada en las resistencias y entregada por los generadores con el interruptor S abierto.
b) Equivalente de Thévenin entre los puntos A y B.
Solución
a) Con S abierto, la corriente I = 5A circula por el bucle cerrado compuesto por las tres resistencias y
las tres fuentes. Por lo tanto tenemos:
Potencia disipada en las resistencias:
PR10 = (5A)2 10Ω = 250W,

PR12 = (5A)2 12Ω = 300W,
PR30 = (5A)2 30Ω = 750W.
Potencia consumida total:
PR = PR10 + PR12 + PR30 ⇒ PR = 1300W .
Potencias entregadas por los generadores:
PI 5 = VI5 I5 = (5A · 10Ω + 35V + 5A · 12Ω − 10V + 5A · 30Ω) · 5A = 1425W

PV35 = 35V · (−5A) = −175W
PV10 = 10V · 5A = 50W
Potencia entregada total:
PG = PI5 + PV35 + PV10 = 1425W − 175W + 50W =⇒ PG = 1300W .
Vemos que se cumple el principio de conservación de la potencia:
1 – 13
Potencia consumida total = Potencia generada total
b) Para el equivalente Thévenin, quitamos el condensador de la derecha. Para hallar RTh desactivamos
las fuentes (abrimos la fuente de corriente y cortocircuitamos las fuentes de voltaje (ver siguiente
figura). Para VTh consideramos la rama vertical. Entonces:
A
10[W] 12[W]
B
RTh = 12Ω,
12[W]
A
50[V]
B
VTh = 5A12Ω − 10V = 50V.
1 – 14
2. Carga y descarga del condensador
Tema 2
Carga y descarga del condensador
Para la señal rectangular vi (t) de la siguiente figura, donde A1 = 8V, A2 = −4V, T1 = 4ms y
T = 6ms, se pide:
vi(t) [V]
8
0 4 6 10
-4 t [ms]
a) Obtener los valores medio y eficaz, deduciendo las expresiones que los determinan.
b) Descomponer vi (t) en dos señales: vi (t) = v1 (t) + v2 (t), siendo v1 (t) el valor medio de v(t).
Determinar y representar v2 (t).
Solución
a) Sea T2 = T − T1 = 6–4 = 2ms. Aplicamos las definiciones de valor medio (dc) y valor eficaz (ef):
1 T
Z T 1 Z T
1
Z
vi,dc = vi (t)dt = A1 dt + A2 dt
T 0 T 0 T1
A1 T1 + A2 T2 8V · 4s + (−4)V · 2s
= = ⇒ vi,dc = 4V ,
T 6s
T Z T1 T
1 1
Z Z
2
vi,ef = vi2 (t)dt = A21 dt + A22 dt
T 0 T 0 T1
A21 T1 + A22 T2 (8V) · 4s + (−4V)2 · 2s
2
= 48 V2 ,

= =
T 6s
2 – 15
√ √
con lo que vi,ef = 48V = 4 3V .
b) Tenemos vi (t) = v1 (t) + v2 (t) = 4 + v2 (t) ⇔ v2 (t) = vi (t)–4. Por lo tanto, para vi = 8V
tendremos v2 = 8V–4V = 4V y para vi = –4V tendremos v2 = –4V–4V = –8V.
La representación gráfica será:
vi(t) [V]
8
0 4 6 10
-4 t [ms]
v1(t) [V]
4
0
t [ms]
v2(t) [V]
4
0 4 6 10
t [ms]
-8
2 – 16
En el circuito de la figura determina:

a) Energı́a almacenada en cada uno de los condensadores.
b) Potencia entregada por cada una de las fuentes.
c) Potencia disipada en los componentes pasivos.
DATOS
E1 = 1V C1 = 1µF
E2 = 2V C2 = 2µF
E3 = 3V C3 = 3µF
R1 = 1Ω I1 = 1A
R2 = 2Ω I2 = 2A
R2 I1
E2
R1 C1
C3
I2
E3
C2
E1
Solución
a) Aplicamos leyes de Kirchhoff (mallas y nudos), ver siguiente figura.

a R2 I b c I1
E2 IE2
R1 C1
C3
I+I1
I2 d e f g
E3
C2
h i j
I1
E1
2 – 17
Malla a-b-d:
E2 − I 1 R 1 1
E2 = IR2 + (I + I1 )R1 ⇒ I= = A.
R1 + R 2 3
Nudo a:
5
IE2 = I − I2 = − A.
3
En condiciones estables de corriente continua, las corrientes por los condensadores serán nulas, y
por lo tanto sus potencias (iguales al voltaje multiplicado por la corriente) también serán nulas. Sin
embargo, almacenarán una energı́a igual a CV 2 /2 (que, observamos, depende de sus voltajes), que es
lo que calcularemos para ellos. Como C2 está en paralelo con un cortocircuito, su voltaje será nulo:
VC2 = 0V. De aquı́ deducimos que su energı́a almacenada también será nula, WC2 = 0J .
De la malla f -g-j tendremos:
1
VC3 = E3 = 3V ⇒ WC3 = C3 VC23 = 13.5µJ .
2
De la malla b-d-h-i-e-c-b, y teniendo en cuenta que VC2 = 0V, obtendremos
1 1
VC1 = (I + I1 )R1 − E1 = V ⇒ WC1 = C1 VC21 = 55.5nJ .
3 2
b) Potencias entregadas por las fuentes de tensión:
PE1 = E1 I1 = 1V1A ⇒ PE1 = 1W ,

5 10
PE2 = E2 IE2 = 2V · − A ⇒ PE2 = − W (negativo: potencia absorbida),
3 3
PE3 = E3 I1 = 3V1A ⇒ PE3 = 3W .
Potencias entregadas por las fuentes de corriente:

1 8
PI1 = (VC1 − VC3 )I1 = V − 3V 1A ⇒ PI1 = − W (potencia absorbida),
3 3
PI2 = E2 I2 = 2V2A ⇒ PI2 = 4W .
Potencia total entregada por las fuentes:

10 8
PG = PE1 + PE2 + PE3 + PI1 + PI2 = 1W − W + 3W − W + 4W
3 3
⇒ PG = 2W .
c) Como se ha indicado en el primer punto, las potencias en los condensadores son nulas.
Potencias consumidas por las resistencias:
2
1 16
PR 1 = (I + I1 )2 R1 = A + 1A 1Ω ⇒ PR1 = W,
3 9
2
2 1 2
PR 2 = I R2 = A 2Ω ⇒ PR2 = W.
3 9
Potencia consumida total:
16 2
PR = PR1 + PR2 = W + W ⇒ PR = 2W .
9 9
2 – 18
Los condensadores de la figura están inicialmente descargados y se hallan conectados como indica el
esquema, con el interruptor S abierto.
200 [V]
6 [mF] 3 [mF]
S
a b
3 [mF] 6 [mF]
Se pide calcular:
a) Diferencia de potencial Vab .
b) Potencial del punto b después de cerrar S.
c) Cantidad de carga eléctrica que fluye a través de S cuando éste se cierra.
Solución
a) Con S abierto, los condensadores C1 = 6µF y C2 = 3µF de cada rama están en serie y la capacidad
equivalente es, en cada caso:
1 C1 C2 6µF3µF
CS = 1 1 = = = 2µF.
C1 + C2
C1 + C2 6µF + 3µF
Entonces la carga del condensador equivalente de cada rama sometido a 200V vale:
Q = CS V = 2µF · 200V = 400µC,
que es la misma carga que la de los condensadores C1 y C2 (ya que en una conexión de condensadores
en serie todos tienen la misma carga). Podemos entonces obtener los potenciales Va y Vb que
corresponden a las tensiones de los condensadores de abajo (medidas respecto de masa):
Q 400 Q 400
Va = = V; Vb = = V;
C2 3 C1 6
y la ddp (diferencia de potencial) Vab que se pide:
400 400 400 400

Vab = Va − Vb = V− V= V ⇒ Vab = V.
3 6 6 6
2 – 19
b) Con S cerrado, los dos condensadores de la mitad superior están en paralelo, al igual que los dos de
la mitad inferior (ver figura). La capacidad equivalente de cada par será entonces:
Cp = C1 + C2 = 6µF + 3µF = 9µF.
200 [V] 200 [V]
6 [mF] 3 [mF] 9 [mF]
S
a b
3 [mF] 6 [mF] 9 [mF]
Como las dos capacidades equivalentes están en serie y son del mismo valor, cada una recibirá la
mitad de la tensión (ver figura anterior derecha), es decir:
200
Vb = V ⇒ Vb = 100V .
2
c) Hay que observar la distribución de carga antes y después de cerrar S a cada lado del interruptor. Con
S abierto los 4 condensadores están cargados a 400µC y la carga neta a cada lado de S es cero (ver
la figura de abajo a la izquierda). Con S cerrado, cada uno de los 4 condensadores tiene 100V de
tensión, entonces Q6 µF = 6 · 100 = 600µC y Q3 µF = 3 · 100 = 300µC, la carga neta a cada lado
es −300µC (izquierda) y +300µC (derecha) y, por tanto, la carga que fluye a través de S al cerrar el
interruptor es de 300µC.
200 [V] 200 [V]
+400 [mC] +400 [mC] +600 [mC] +300 [mC]

3 [mF] 3 [mF]
6 [mF] -400 [mC] -400 [mC] 6 [mF] -600 [mC] -300 [mC]
0 [mC] 0 [mC] -300 [mC] +300 [mC]
3 [mF] +400 [mC] +400 [mC] 3 [mF] +300 [mC] +600 [mC]
6 [mF] 6 [mF]
-400 [mC] -400 [mC] -300 [mC] -600 [mC]
2 – 20
Supongamos dos condensadores C1 = 6µF y C2 = 3µF cargados inicialmente a 200µC y 500µC,

respectivamente. Se conectan uniendo la placa negativa de C1 con la positiva de C2 , y la placa positiva
de C1 a la positiva de un generador de 150V, y la placa negativa de C2 a la negativa del generador. Se
pide:
a) Calcular la carga final de cada condensador.
b) Obtener la tensión en cada condensador.
c) Establecer si es o no una configuración en serie.
Solución
a) Sean Q1 y Q2 las cargas de los condensadores después de la conexión, según se ve en la figura de la

derecha.
+150 [V]
C1 = 6 [mF] +200 [mC] C1 = 6 [mF] Q1
-200 [mC] -Q1
+500 [mC] Q2
C2 = 3 [mF] -500 [mC] C2 = 3 [mF] -Q2
Configuración inicial Configuración final

La carga total en las placas interiores, dentro de los rectángulos del dibujo, es −200 + 500 = 300µC,
no varı́a después de la conexión, dado que está aislada del resto del mundo (incluido el generador), y
se ha de cumplir el principio de conservación carga eléctrica, por lo que: Q2 − Q1 = 300µC.
Además, como se ha de cumplir que 150 = V1 + V2 :
Q1 Q2
150 = + ⇒ 900 = Q1 + 2Q2
6 3
y combinando esas dos ecuaciones, obtenemos:
900 = Q2 − 300 + 2Q2 ⇒ Q2 = 400µC , Q1 = Q2 − 300 ⇒ Q1 = 100µC .
b) Los voltajes se calculan utilizando las fórmulas de definición de capacidad

Q1 100 Q2 400
V1 = = V, V2 = = V,
C1 6 C2 3
verificándose que
100 400
V1 + V2 = + = 150V.
6 3
2 – 21
c) No puede considerarse que estén en serie. Cada condensador queda cargado a un valor distinto de
carga. La configuración no puede reemplazarse por una capacidad equivalente.
2 – 22
Se tiene el circuito RC de la figura, con R = 50kΩ, V = 5V.

a) ¿Cuál es la capacidad de C si tarda 0.5205 segundos en alcanzar el 50 % de su carga total? Supón que
el condensador está inicialmente descargado.
b) Indica el tiempo necesario para que el condensador se cargue aproximadamente al 63 % y al 99 % de
su carga total cuando su capacidad es C = 100µF.
c) Si en el circuito anterior se coloca una resistencia R1 = 20kΩ en serie con el resistor R y un
condensador C1 en paralelo con el condensador C (asumiendo que C = 15µF), indica el/los posibles
valores de C1 para que la constante de tiempo del circuito modificado sea τ = 7 segundos.
i(t)
R vR(t)
C vC(t)
Solución
a) Llamamos t50 % = 0.5205s al tiempo necesario para que C se cargue al 50 %. Entonces, si la carga
inicial es QI = 0, la carga en el instante t = t50 % es Q(t = t50 % ) = 0.5QF donde QF es la carga
final. Es decir:
Q(t = t50 % ) = QF (1 − e−t50 % /RC ) ⇒ 0.5QF = QF (1 − e−t50 % /RC ) ⇒ 0.5 = e−t50 % /RC ,
con lo que t50 % = −RC · ln(0.5) y, por tanto:

t50 % 0.5205s
C=− =− ⇒ C = 15µF .
R · ln(0.5) 50 · 103 Ω · (−0.693))
b) Por definición de la constante de tiempo τ :
Q(t = τ ) ≈ 0.63QF ⇒ τ = RC = 50 · 103 Ω · 100 · 10−6 F ⇒ τ = 5s ,
Q(t = 5τ ) ≈ 0.99QF ⇒ 5τ = 5RC = 5 · 5s ⇒ 5τ = 25s .
c) La resistencia equivalente es Req = R + R1 , y la capacidad equivalente es Ceq = C + C1 . La nueva

constante de tiempo será:
τ = Req Ceq = 7s = (R + R1 ) · (C + C1 )
con lo que
τ 7s
C1 = −C = − 15 · 10−6 F = 85 · 10−6 F ⇒ C1 = 85µF .
R + R1 5 · 104 Ω + 2 · 104 Ω
2 – 23
En el circuito de la figura, los condensadores están inicialmente descargados y el interruptor S abierto.

Se pide:
x
R=1[kW] C2=2[mF] C1=1[mF]
S
a b
E=150[V] C1=1[mF] C2=2[mF]
a) ¿Cuál es la d.d.p. entre a y b con S abierto en régimen permanente?

b) Si el interruptor se cierra en t = 0, ¿cuál es el potencial del punto x en t = 1ms?
Solución
a) Los condensadores C1 = 1µF y C2 = 2µF de cada rama están en serie y su capacidad equivalente
es:
1 C1 · C2 1µF · 2µF 2
CS = 1 1 = = = µF.
C1 + C2
C1 + C2 1µF + 2µF 3
Entonces la carga del condensador equivalente sometido a 150V en régimen permanente será:
2
Q = CS V = µF · 150V = 100µC,
3
que es la misma carga de los condensadores C1 y C2 de la serie (ya que, en una conexión de
condensadores en serie, todos tienen la misma carga). Podemos entonces obtener las tensiones Va
y Vb que corresponden a las tensiones de los condensadores de la parte inferior:
Q 100 Q 100
Va = = = 100V, Vb = = = 50V,
C1 1 C2 2
y la d.d.p. (diferencia de potencial) Vab que se pide es:
Vab = Va − Vb = 100V − 50V ⇒ Vab = 50V .
b) Los condensadores C1 = 1µF y C2 = 2µF, tanto de la parte superior como de la inferior, están
en paralelo siendo en cada caso la capacidad equivalente CP = C1 + C2 = 3µF, y la capacidad
equivalente del conjunto será:
CP · CP CP
CT = = = 1.5µF.
CP + CP 2
2 – 24
En el instante t = 0 en que se cierra el interruptor cambia instantáneamente la tensión del

condensador equivalente, pues éste modifica su valor de CS + CS = 4/3µF a CT = 1.5µF,
permaneciendo constante la carga neta ya que no puede cambiar en un tiempo cero (fijémonos que
hay una resistencia en el circuito y, por ello, la corriente queda siempre limitada a un valor finito).
Dicha carga se determina como la que se observa desde el punto x del circuito en el apartado anterior:
QT = 2 · Q = 200µC
y, por tanto, el voltaje inicial Vi del condensador equivalente CT vale:

QT 400
Vi = = V.
CT 3
El condensador CT se carga hasta Vf = E = 150V con una constante de tiempo:
τ = R · CT = 1kΩ · 1.5µF = 1.5ms,
y el potencial que se pide es:

−t/τ 400 1s
Vx = vCT (t = 1ms) = Vf + (Vi − Vf )e = 150V + V − 150V · e− 1.5 s
3
⇒ Vx = 141.4V .
2 – 25
Resuelve los siguientes ejercicios a partir de las siguientes figuras.
Vg=2[V]
R=5[W]
Ig=1[A]
Vg=2[V]
R=5[W]
Ig=1[A]
a) En el circuito paralelo de la izquierda determina la potencia disipada por la resistencia y la potencia

entregada por los generadores.
b) En el circuito serie de la derecha determina la potencia disipada por la resistencia y la potencia
entregada por los generadores.
c) Si en el circuito serie de la derecha se conecta un condensador de capacidad C = 1F, inicialmente
descargado, en paralelo con el generador de corriente, determina la tensión que alcanza dicho
condensador en un tiempo de 30s.
d) Si en el circuito serie de la derecha se sustituye la resistencia por un condensador de capacidad
C = 1F, inicialmente descargado, determina la tensión que alcanza dicho condensador en un tiempo
de 30s.
Solución
a) Los tres componentes están en paralelo, por lo que tienen el mismo voltaje Vg . Podemos entonces
aplicar directamente la ley de Ohm a R para hallar I:
a I
IV=I-Ig
Vg=2[V]
R=5[W]
Ig=1[A]
b
Vg 2V
I= = = 0.4A.
R 5Ω
Analizando el nudo a, obtenemos
IV = I − Ig = 0.4A − 1A = −0.6A.
El signo negativo indica que IV va en sentido contrario al indicado en la figura anterior. Las potencias
entregadas por los generadores y disipadas por las resistencias son:
PR = I 2 · R = (0.4A)2 · 5Ω ⇒ PR = 0.8W ,
PG = PV + PI = 2V · (−0.6A) + 2V · 1A ⇒ PG = 0.8W .
2 – 26
b) Los tres componentes están en serie, por lo que por ellos circula la misma corriente Ig :
I
Vg=2[V]
R=5[W]
Ig=1[A]
VIg
I = Ig = 1A.
Analizando la única malla del circuito obtenemos
VIg = −Vg + I · R = −2V + 1A · 5Ω = 3V,
con lo que las potencias entregadas por los generadores y disipadas por las resistencias son:
PR = I 2 · R = (1A)2 · 5Ω ⇒ PR = 5W ,
PG = PVg + PIg = 2V · 1A + 3V · 1A ⇒ PG = 5W .
c) Obtenemos el equivalente de Thévenin en extremos del generador de corriente:

A
Vg=2[V]
Ig=1[A]
R=5[W]
RTh = RAB = R = 5Ω
VTh = VAB = −2V + 1A · 5Ω = 3V.
La constante de tiempo del circuito equivalente es:
RTh=5[W]
C1=1[F]
VTh=3[V]
2 – 27
τ = RTh · C = 5Ω · 1F = 5s
En un tiempo de t = 30s > 5τ = 25s el condensador C se carga completamente a

vC (30s) = VTh = 3V .
d) El condensador se carga a corriente constante I = Ig = 1A, y su voltaje en t = 30s, vale:

A I
Ig=1[A]
C1=1[F]
Vg=2[V]
R 30
qC (t = 30s) Idt
vC (t = 30s) = = 0
C C
R 30
1Adt
⇒ vC (30s) = 0 = 30V .
1F
2 – 28
La señal rectangular vi (t) de la figura, donde A1 = 8V, A2 = −4V, T1 = 4ms y T = 6ms, se aplica a
la entrada de un circuito RC serie.
vR(t)
vi(t) [V]
A1
R
0 4 6 10 vi(t) C vC(t)
A2 t [ms]
Suponiendo alcanzados los valores finales de continua en el circuito, representa vC (t) y vR (t):
a) Para RC ≫ T .
b) Para RC ≪ T1 y T2 .
Solución
a) τ = RC ≫ T : vC (t) muy integrada y vR (t) poco diferenciada

vi(t) [V]
8
0 4 6 10
t [ms]
-4
vC(t) [V]
8
4
t [ms]
vR(t) [V]
4
t [ms]
-8
Carga C
Descarga C
2 – 29
b) τ = RC ≪ T1 y T2 : vC (t) poco integrada y vR (t) muy diferenciada.

vi(t) [V]
8
0 4 6 10
t [ms]
-4
vC(t) [V]
8
0 4 6 10
t [ms]
-4
vR(t) [V]
12
0 4 6 10
t [ms]
-12
Carga C
Descarga C
En t = 0: vR (t = 0) = vi (t = 0) − vC (t = 0) = 8V − (−4V) = 12V.
En t = T1 : vR (t = T1 ) = vi (t = T1 ) − vC (t = T1 ) = −4V − 8V = −12V.
2 – 30
[Examen Julio 2012]

A un circuito RC con R = 1kΩ y C = 1µF se le aplica en t = 0ms una señal de entrada vi (t) con
forma de onda cuadrada de 1V de amplitud y frecuencia 1kHz.
vi(t) [V]
1
R
vi(t) C vC(t)
1/2
t [ms]
1/2 1
Considerando el condensador inicialmente descargado:

a) Obtén la expresión del voltaje en el condensador, vC (t), en el intervalo entre t = 0 y t = 1ms.
b) Calcula el valor particular de vC (t = 0.5ms) y vC (t = 0.8ms).
c) Dibuja vC (t) superponiéndola sobre vi (t).
Solución
a) Primeramente hallamos la constante de tiempo τ del circuito RC, y el periodo T de la onda cuadrada:
1
τ = RC = 1ms, T = = 1ms
f
Aplicando la expresión general del voltaje en un condensador:

t
vC (t) = Vf + (Vi − Vf )e− τ ,
tenemos que en el intervalo t = [0, 0.5]ms, la expresión del voltaje en el condensador es:
t
vC (t) = 1V + (0V − 1V)e− 1 ms = 1 − e−t V .
Por tanto, el voltaje en el condensador en t = 0.5ms es:
Va = vC (t = 0.5ms) = 1 − e−0.5 = 0.3935V.
En el intervalo t = [0.5, 1]ms, la expresión del voltaje en el condensador es:
vC (t) = 0 + (0.3935 − 0)e−(t−0.5) = 0.3935e−(t−0.5) V .
Por tanto, el voltaje en el condensador en t = 1ms es:
vC (t = 1ms) = 0.3935e−(1−0.5) = 0.2387V.
2 – 31
b) El valor del voltaje en el condensador en t = 0.5ms ya lo calculamos en el apartado anterior. Podemos

comprobar que aplicando la expresión para el intervalo t = [0.5, 1ms] obtenemos el mismo valor:
vC (t = 0.5ms) = 0.3935e−(0.5−0.5) = 0.3935V.
En t = 0.8ms:
Vb = vC (t = 0.8ms) = 0.3935e−(0.8−0.5) = 0.2915V.
c) Con los valores calculados en los puntos anteriores podemos representar la curva vC (t)en el intervalo
[0, 1.5]ms:
vC(t) [V]
1
0.5
Va Vb
t [ms]
0.5 0.8 1
2 – 32
[Examen Julio 2014]

La señal v(t) de la siguiente figura se corresponde con la entrada de un circuito integrador con una
resistencia R = 1kΩ y un condensador de capacidad C = 2µF. Inicialmente el condensador se
encuentra totalmente descargado.
v(t) [V]
15
10
5
t [ms]
2 6 10
-5
-10
a) Dibuja el circuito e indica la entrada y la salida del mismo.

b) Calcula el valor medio de la señal v(t).
c) Calcula el valor eficaz de la señal v(t).
d) Calcula la tensión en el condensador vC (t) para t = 4ms.
e) Calcula la tensión en el condensador vC (t) para t = 6ms.
Solución
a) Entrada: vi (t), la onda cuadrada de la figura del enunciado. Salida: vo (t) = vC (t), la tensión en el
condensador:
R
vi(t) C vo(t)=vC(t)
b) Valor medio:
1 T
Z 4 Z 8
1
Z
Vdc = v(t)dt = 15dt + −10dt
T 0 8 0 4
1 1
= 15t|40 − 10t|84 = [15 · (4 − 0) − 10 · (8 − 4)] ⇒ Vdc = 2.5V .
8 8
c) Valor eficaz:
1 T 2
Z 4 Z 8
1
Z
Vef2
= v (t)dt = 2
15 dt + 2
(−10) dt
T 0 8 0 4
1 1 325 2
= 225t|40 + 100t|84 = [225 · (4 − 0) + 100 · (8 − 4)] = V
8 8 2
r
325
⇒ Vef = = 12.75V .
2
2 – 33
d) La constante de tiempo es τ = RC = 1·103 Ω·2·10−6 F = 2·10−3 s = 2ms. Aplicando la expresión

general del voltaje en un condensador, asumiendo el condensador inicialmente descargado:
t
vC (t) = Vf + (Vi − Vf )e− τ ,
tenemos:
t t
vC (t) = 15 + (0 − 15)e− 2 = 15 1 − e− 2 V.
Para t = 4ms:
4
vC (t = 4ms) = 15 1 − e− 2 = 12.97V .
e) En el intervalo t = [4, 8ms] la expresión del voltaje en el condensador es:

t−4 t−4
vC (t) = −10 + (12.97 − (−10))e− 2 = −10 + 22.97e− 2
Por lo que en t = 6ms el voltaje en el condensador es:

6−4
vC (t = 6ms) = −10 + 22.97e− 2 = −1.55V .
2 – 34
A un circuito RC integrador con R = 1kΩ y C = 1µF se le aplica a la entrada una señal cuadrada entre
0 y 5 voltios de tensión y de frecuencia 1kHz. Suponiendo que el flanco de subida del primer impulso
coincide con t = 0, se pide:
a) Representar el circuito y su señal de entrada.
b) Si el condensador del circuito integrador inicialmente se encuentra descargado, determinar el valor
de la salida en t = 0.8ms.
c) Representar la señal de la salida en régimen permanente. Obtener los valores de pico superior Vmáx e
inferior Vmı́n en régimen permanente.
d) Supuestos conocidos los valores Vmáx y Vmı́n , obtener la componente continua de la salida en régimen
permanente.
Solución
a) Primeramente necesitaremos establecer los siguientes valores:
voltaje inicial: V = 5V,

constante de tiempo: τ = R · C = 103 Ω · 10−6 F = 1ms,
periodo: T = 1/f = 1/103 Hz = 1ms.
vi(t) [V]
V=5.0 R
vi(t) C vo(t)=vC(t)
2.5
t [ms]
0.5 1
b) La señal de salida resulta de aplicar la expresión general del voltaje en un condensador:

t
vo (t) = Vof + (Voi − Vof )e− τ ,
donde Vof = vo (t → ∞) y Voi = vo (t = 0).

Para 0 ≤ t ≤ 0.5ms, Vof = 5V, Voi = 0V tenemos:
t
vo (t) = 5 + (0 − 5)e− 1 = 5 · 1 − e−t V,

con lo que:
Va = vo (t = 0.5ms) = 5 · 1 − e−0.5 = 1.967V

Para 0.5 ≤ t ≤ 1ms, Vof = 0V, Voi = 1.967V tenemos:

t−0.5
vo (t) = 0 + (1.967 − 0)e− 1 = 1.967e−(t−0.5) V,
2 – 35
entonces:
Vb = vo (t = 0.8ms) = 1.967e−(0.8−0.5) = 1.457V .
Representamos los puntos Va y Vb en la curva del voltaje de salida:
vo(t) [V]
5
2.5 Va
Vb
t [ms]
0.5 0.8 1 1.5
c) Partimos de nuevo de la expresión general del voltaje en un condensador:
t
vo (t) = Vof + (Voi − Vof )e− τ ,
donde Vof = vo (t → ∞) y Voi = vo (t = 0).

En el intervalo 0 ≤ t ≤ 0.5ms, se tiene: Vof = 5V, y Voi = Vmı́n . Entonces tenemos:
t
vo (t) = 5 + (Vmı́n − 5) e− 1
con lo que el valor Vmáx , que ha de coincidir con vo (t = 0.5ms), resulta:
Vmáx = vo (t = 0.5) = 5 + (Vmı́n − 5) e−0.5 (2.1)
En el intervalo 0.5 ≤ t ≤ 1ms, se tiene: Vof = 0 y Voi = Vmáx . Entonces tenemos:
t−0.5
vo (t) = 0 + (Vmáx − 0) e− 1 = Vmáx e−(t−0.5)
con lo que el valor Vmı́n , que ha de coincidir con vo (t = 1ms), resulta:
Vmı́n = vo (t = 1ms) = Vmáx e−0.5 (2.2)
De las Ecuaciones (2.1) y (2.2) se obtiene: Vmáx = 3.11V y Vmı́n = 1.89V .

vi(t) [V]
V=5.0
2.5
t [ms]
0.5 1
5
Vmáx
2.5
Vmín
t [ms]
0.5 0.8 1 1.5
2 – 36
d) En régimen permanente el condensador se habrá cargado con la componente continua (valor medio)
de la tensión de entrada, es decir, Vo,dc = 2.5V . Esto se puede demostrar resolviendo la integral:
"Z #
T /2 T
1
Z
(t−T /2)
− τt −
Vo,dc = V + (Vmı́n − V )e dt + Vmáx e τ .
T 0 T /2
2 – 37
El circuito de la figura se encuentra en régimen permanente con el conmutador S en la posición 1. Si en

el instante t = 0 se pasa S a la posición 2, se pide determinar y dibujar:
R1 = 1[kW]
2 S IC(t)
1
EG = 10[V] C1=1[mF]
R2=2[kW] vC(t)
a) Expresión instantánea de la tensión vC (t) y sus valores en t = 1, 2, 3ms.

b) Expresión instantánea de la corriente iC (t) y sus valores en t = 1, 2, 3ms.
Si en t = 3ms el conmutador S se pasa de nuevo a la posición 1, determina y dibuja:
c) Expresión instantánea de la tensión vC (t) para t ≥ 3ms y sus valores en t = 4, 5, 6ms.
d) Expresión instantánea de la corriente iC (t) para t ≥ 3ms y sus valores en t = 4, 5, 6ms.
Solución
t
a) Aplicando la expresión general del voltaje en un condensador vC (t) = Vf + (Vi − Vf )e− τ , donde
Vi = 0V, Vf = 10V y τ = R1 C = 103 · 10−6 = 1ms, tenemos:
vC (t) = 10 − 10e−t V ,
con lo que:
vC (t = 1ms) = 10 − 10e−1 = 6.32V,

vC (t = 2ms) = 10 − 10e−2 = 8.65V,
vC (t = 3ms) = 10 − 10e−3 = 9.50V.
vC(t) [V] Tensión máxima

del condensador
vCF = 10
8.65
6.32
t [ms]
1 2 3 5
Tensión inicial del
condensador (vCI=0)
2 – 38
b) (I) Primer método: aplicando reglas de Kirchhoff
EG − vC (t) 10V − (10 − 10e−t )

iC (t) = =
R1 1kΩ
⇒ iC (tms) = 10e−t mA ,
iC (t = 1ms) = 10e−1 = 3.68mA,

iC (t = 2ms) = 10e−2 = 1.35mA,
iC (t = 3ms) = 10e−3 = 0.50mA.
(II) Segundo método: usando la derivada. Importante: en este caso es necesario expresar el tiempo
y la constante de tiempo τ en segundos para que al derivar se obtenga la expresión correcta.
dvC (t) d
= 10−6 10 − 10e−t/10
−3
iC (ts) = C
dt dt
−6 1 −t/10−3
= 10−3 10e−t/10 A
−3
= 10 10e
10−3
Ahora, utilizando milisegundos y miliamperios, podemos expresarla como:
iC (tms) = 10e−t mA .
(III) Tercer método: usando la ecuación general de carga

t
iC (t) = If + (Ii − If )e− τ ,
donde Ii = 10mA, If = 0mA y τ = 1ms, tenemos:
iC (tms) = 10e−t mA .
La gráfica será, en este caso:

iC(t) [mA]
Corriente inicial
10
3.68
1.35 t [ms]
1 2 3 5
c) Aplicando la expresión general del voltaje en un condensador:

t
vC (t) = Vf + (Vi − Vf )e− τ ,
donde Vi = 9.5V, Vf = 0V y τ = R2 C = 2 · 103 · 10−6 = 2ms, tenemos:
t−3 t−3
vC (t) = 0 + (9.5 − 0)e− 2 = 9.5e− 2 ,
2 – 39
con lo que:
vC (t = 4ms) = 9.5e−1/2 = 5.76V,

vC (t = 5ms) = 9.5e−1 = 3.50V,
vC (t = 6ms) = 9.5e−3/2 = 2.12V.
vC(t) [V]
9.5
t [ms]
3 4 5 6
d) Obtenemos la corriente en el condensador utilizando las reglas de Kirchhoff:

iC(t) [mA]
3 4 5 6 t [ms]
-9.5/2
−vC (t) 9.5 t−3

iC (t) = = − e− 2 mA ,
R2 2
con lo que:
9.5 −1/2
iC (t = 4ms) = − e = −2.88mA,
2
9.5
iC (t = 5ms) = − e−1 = −1.75mA,
2
9.5 −3/2
iC (t = 6ms) = − e = −1.06mA.
2
2 – 40
Un generador de impulsos de frecuencia 10kHz, aplica la señal a una carga R = 1kΩ a través de un
interruptor S que se cierra en el instante t = 0 y un condensador C = 100nF, según el circuito de la
figura.
vi(t) [V]
S
10 C
vi(t) R vo(t)=vR(t)
t [ms]
0 20 100 120
Suponiendo el condensador C inicialmente descargado y la señal del generador la representada,

determina:
a) Evolución de la salida vo (t) para 0 ≤ t ≤ 150µF.
b) Forma de onda de la salida vo (t) para t > 1s, indicando los valores más significativos.
Solución
a) τ = RC = 1kΩ · 100nF = 100µs.

Podemos aplicar que la tensión en la resistencia sigue la expresión habitual:
t
vo (t) = Vof + (Voi − Vof )e− τ .
Para cualquier valor de t, tenemos que Vof = 0V.

Para 0 ≤ t < 20µs, tenemos que Voi = Vi = 10V:
t t 20
vo (t) = 0 + (10 − 0)e− 100 = 10e− 100 → vo (t = 20− µs) = 10e− 100 = 8.19V.
Para 20 ≤ t < 100µs, tenemos que Voi = −VCi = −(10 − 8.19)V = −1.81V:
t−20 100−20
vo (t) = −1.81e− 100 → vo (t = 100− µs) = −1.81e− 100 = −0.81V.
Para 100 ≤ t < 120µs, tenemos que Voi = Vg − VCi = 10 − 0.81V = 9.19V:
t−100 120−100
vo (t) = 9.19e− 100 → vo (t = 120− µs) = 9.19e− 100 = 7.52V.
Para 120 ≤ t < 200µs, tenemos que Voi = −VCi = −(10 − 7.52)V = −2.48V:
t−120 150−120
vo (t) = −2.48e− 100 → vo (t = 150µs) = −2.48e− 100 = −1.84V.
2 – 41
vo(t) [V]
10.00 9.19
8.18 7.52
0 20 100 120 200 t [ms]

-0.81
-1.81
-2.48
b) Para t = 1s > 5τ = 500µs, vo (t) ha alcanzado su valor final cero. Tomando como origen de tiempos
t = 1s, tenemos:
Para 0µs ≤ t < 20µs, Voi = V1 y Vof = 0, por lo que:
vo (t) = V1 e−t/τ vo (t = 20− µs) = V1 e− 100 = V1 e−0.2 ,

−20
→
valor que debe coincidir también con V2 , por lo que tenemos una primera ecuación:
V2 = V1 e− 100 .
−20
(2.3)
Por otra parte, también tenemos otra ecuación dada por:
vo (t = 20+ µs) = V2′ = V2 − 10. (2.4)
Para 20µs ≤ t < 100µs, Voi = V2′ y Vof = 0, por lo que:
vo (t) = V2′ e−(t−20)/τ vo (t = 100− µs) = V2′ e− = V2′ e−0.8 ,

−(100−20)
→ 100
valor que, a su vez, debe coincidir con V1′ , por lo que tenemos otra ecuación:
V1′ = V2′ e−0.8 . (2.5)
Por otra parte, también tenemos otra ecuación dada por:
vo (t = 100+ µs) = V1 = V1′ + 10. (2.6)
De las Ecuaciones (2.4), (2.5) y (2.6) se obtiene que V1 − 10 = (V2 − 10)e−0.8 que, sustituyendo en
la Ecuación (2.3) resulta:
10 + (V2 − 10)e−0.8 e−0.2

V2 = → V2 = 7.13V,
V2′ = V2 − 10 = −2.87V,
V1′ = V2′ e−0.8 = −1.29V,
V1 = V1′ + 10 = 8.71V.
vo(t) [V]
10.00
v1
v2
0 20 100 120 200 t [ms]

v1
v2
2 – 42
En el circuito de la figura se cierra el interruptor S en t = 0. Calcula el valor de la tensión en el

condensador en t = 20ms, suponiendo el condensador inicialmente descargado.
35[V] A S
10[W] 12[W]
10[mF]
5[A]
10[V]
30[W]
B
Solución
El equivalente de Thévenin a la izquierda de A y B es VTh = 50V y RTh = 12Ω.
RTh A
VTh
C vC(t)
t
Ahora, aplicando la expresión general del voltaje en un condensador: vC (t) = Vf + (Vi − Vf )e− τ , donde
Vi = 0V, Vf = VTh = 50V y τ = RTh C = 12Ω · 10 · 10−3 F = 120ms, tenemos:
t t
vC (t) = 50 + (0 − 50)e− 120 = 50 − 50e− 120 ,
por lo que:
20
vC (t = 20ms) = 50 − 50e− 120 = 7.67V .
2 – 43
2 – 44
3. Diodos de unión p–n
Tema 3
Diodos de unión p–n
Un diodo de silicio trabaja con una tensión directa de 0.7V. Calcula el factor por el que queda
multiplicada la corriente cuando la temperatura baja de 25 a −55 ◦ C.
Solución
0.7
273−55
I(−55 ◦ C) Io 2(−55−25)/10 e 2· 11600
= 0.7 = 0.579.
I(25 ◦ C) 273+25
Io e 2· 11600
3 – 45
Responde las siguientes cuestiones:

a) ¿A qué tensión la corriente inversa de un diodo p-n de silicio alcanza el 95 % de su valor de saturación
a temperatura ambiente?
b) ¿Cuál es la relación entre la corriente con polarización directa de 0.1V y la corriente con polarización
inversa del mismo valor?
c) Si la corriente inversa de saturación es de 10nA, calcula la corriente directa para las tensiones de
0.5V, 0.6V y 0.7V, respectivamente.
Solución
a) Aplicando la ecuación teórica:

V
I = Io e ηVT
−1 ,
tenemos:
V V
−0.95Io = I = Io e 2·0.026 − 1 ⇒ e 2·0.026 = 0.05 ⇒ V = 0.052 · ln0.05 = −0.156V.
b)
0.1
I(Vd = 0.1) e 2·0.026 − 1
= −0.1 = −6.84.
I(Vi = −0.1) e 2·0.026 − 1
V
c) Puesto que V ≫ VT ⇒ I ≈ Io e ηVT . Ahora calculamos:
0.5
I(0.5V) = 10 · 10−9 · e 2·0.026 = 0.15mA,
0.6
I(0.6V) = 10 · 10−9 · e 2·0.026 = 1.026mA,
0.7
I(0.7V) = 10 · 10−9 · e 2·0.026 = 7.02mA,
donde vemos que la corriente a través del diodo en directa crece rápidamente con respecto al voltaje.
3 – 46
Responde las siguientes cuestiones:

a) Dibuja la caracterı́stica lineal I − V y los tres circuitos lineales equivalentes de un diodo que tiene
estas caracterı́sticas: Vγ = 0.5V y Vz = 20V.
b) Para un diodo como el del apartado anterior calcula, razonando, la intensidad por el siguiente circuito,
primero para V = 10V, y después para V = 0.4V.
R=1[kW]
I
V
D
Solución
a) .
I [mA] A
I
CIRCUITO LINEAL EQUIVALENTE
DON D VD
Directo Inverso Zéner
VDVg Vg>VD>-VZ VD-VZ
-VZ = -20 [V] K
DON A I DOFF A I=0 DZÉNER A I
DOFF Vg = 0.5 [V] VD [V]
Vg = 0.5 [V] VZ =20 [V]

DZÉNER
K K K
b) Para V = 10V. Suponemos D ON: VD = Vγ = 0.5V:
R=1[kW]
I
V = 10 [V]
VD
Vg = 0.5 [V]
10V − 0.5V
I= = 9.5mA.
1kΩ
Comprobamos suposición D ON: ID = I = 9.5mA > 0.
3 – 47
Para V = 0.4V. Suponemos D OFF: ID = I = 0:
R=1[kW]
I
V = 0.4 [V]
VD
Comprobamos suposición D OFF: VD = 0.4V < Vγ = 0.5V.
3 – 48
En el circuito de la figura se aplica a la entrada una señal cuadrada de valor medio cero, 60V de tensión
pico a pico y perı́odo 100ms. Suponiendo diodos con Vγ = 0.65V y VZ = 20V, dibuja la señal del
generador y la resultante en la resistencia R, indicando los valores mı́nimos y máximos de tensión en
ambas.
i(t)
D D
v(t) vR(t) R=1[kW]
Solución
En directa ambos diodos están en estado ON, por lo tanto:

Im = (30 − 0.65 − 0.65)/1kΩ = 28.7mA ⇒ VRm = 28.7 · 1 = 28.7V.
En inversa los diodos están en estado OFF. No pueden estar en Zéner porque 2VZ = 40V > 30V, por
lo tanto: I = 0 ⇒ VR = 0.
v(t) [V]
30.0 vR(t) [V]
28.7
0.05 0.1 0.15

t [s]
-30.0
3 – 49
Sean dos diodos iguales de silicio con un modelo equivalente lineal con Vγ = 0.5V y VZ = 50V,
conectados tal y como se representa en el circuito de la figura. Calcula la intensidad y la tensión en cada
diodo en los siguientes casos:
a) V = 60V.
b) V = 100V.
c) V = 100V y se añade una resistencia de 10MΩ en paralelo con D2 .
d) En las condiciones del apartado anterior, determina el mı́nimo valor de V que pone a D2 en ruptura.
R = 10[MW]
D1 VD1
D2 VD2
Solución
a) Suponemos D1 ON y D2 ZÉNER: VD1 = Vγ = 0.5V y VD2 = −VZ = −50V:
R = 10[MW]
I = ID1 = -ID2 Vg = 0.5 [V]

VD1
V = 60 [V]
VZ = 50 [V]
VD2
V − Vγ − VZ 60V − 0.5V − 50V

ID1 = −ID2 = I = = = 0.95µA.
R 10MΩ
Comprobamos suposición D1 ON: ID1 0.95µA > 0.
Comprobamos suposición D2 ZÉNER: ID2 = −0.95µA < 0.
3 – 50
b) Suponemos D1 ON y D2 ZÉNER: VD1 = Vγ = 0.5V y VD2 = −VZ = −50V:
R = 10[MW]
I = ID1 = -ID2 Vg = 0.5 [V]

VD1
V = 100 [V]
VZ = 50 [V]
VD2
V − Vγ − V Z 100V − 0.5V − 50V

ID1 = −ID2 = I = = = 4.95µA.
R 10MΩ
Comprobamos suposición D1 ON: ID1 4.95µA > 0.
Comprobamos suposición D2 ZÉNER: ID2 = −4.95µA < 0.
c) Suponemos D1 ON y D2 OFF: VD1 = Vγ = 0.5V y ID2 = 0:
R = 10[MW]
I = ID1 Vg = 0.5 [V]

VD1
V = 100 [V]
I = IR1
VD2 R1 = 10[MW]
ID2 = 0
100V − 0.5V
I D1 = I = = 4.975µA,
10MΩ + 10MΩ
VD2 = −IR1 = −4.975µA · 10MΩ = −49.75V.
Comprobamos suposición D1 ON: ID1 = 4.975µA > 0.

Comprobamos suposición D2 OFF: VD2 = −49.75V > −VZ = −50V.
d) Suponemos D1 ON y D2 en ruptura, es decir, en OFF y ZÉNER simultáneamente:
VD1 = Vγ = 0.5V,
ID2 = 0, VD2 = −VZ = −50V.
3 – 51
R = 10[MW]
I = ID1 Vg = 0.5 [V]

VD1
IR1
VD2 =-VZ R1 = 10[MW]
ID2
50V
I D 1 = I = I R1 = = 5µA.
10MΩ
Por tanto, el valor mı́nimo de V que sitúa a D2 ruptura es:
V = 5µA · 10MΩ + 0.5V + 50V = 100.5V.
3 – 52
Suponiendo que los diodos del circuito de la figura son ideales, es decir, que Vγ = 0, halla Vo en los
siguientes casos:
a) V1 = V2 = 5V.
b) V1 = 5V, V2 = 0V.
c) V1 = V2 = 0V.
R1=1[kW] D1
V1
Vo
R2=1[kW] D2
V2
R3 = 10[kW]
+5[V]
Solución
a) Suponemos D1 y D2 en OFF: I = 0 ⇒ Vo = 5V:

VD1
R1=1[kW]
V1=5[V]
Vo
VD2
R2=1[kW]
V2=5[V]
R3 = 10[kW]
I=0
+5[V]
Comprobamos suposición D1 y D2 en OFF: VD1 = VD2 = 5 − 5 = 0V ≤ Vγ = 0V.
b) Suponemos D1 en OFF y D2 en ON: ID1 = 0 y VD2 = Vγ = 0V:
VD1
R1=1[kW]
V1=5[V]
Vo
R2=1[kW]
V2=0[V]
ID2=I R3 = 10[kW]
I
+5[V]
5 5
I = ID2 = = mA,
10 + 1 11
5
Vo = 5V − 10I = 5 − 10 · = 5/11 = 0.45V.
11
3 – 53
Comprobamos suposición D1 en OFF: VD1 = 0.45 − 5 = −4.55V < Vγ = 0V.

Comprobamos suposición D2 en ON: ID2 = 5/11mA > 0.
c) Suponemos D1 y D2 en ON: VD1 = VD2 = Vγ = 0V:
R1=1[kW]
V1=0[V]
ID1=I/2 Vo
R2=1[kW]
V2=0[V]
ID2=I/2 R3 = 10[kW]
I
+5[V]
10
5 = 10I + 1 · I/2 ⇒ I = mA,
21
10
Vo = 5V − 10I = 5 − 10 · = 5/21 = 0.24V.
21
Comprobamos suposición D1 en ON: ID1 = I/2 = 5/11mA > 0.
Comprobamos suposición D2 en ON: ID2 = I/2 = 5/11mA > 0.
3 – 54
4. El transistor
Tema 4
El transistor
En el circuito de la figura, Q es un MOSFET de acumulación canal N con VT = 1V y k = 1mA/V2 .
VDD = 20 [V]
R RD = 2 [kW]
D Vo
Io=0
G
Q
R1 = 200 [kW] S
Calcula:
a) Valor de R para el cual comienza a conducir el transistor.
b) Valor de R para el cual Vo = 6V.
c) Valor de R para que el transistor entre en la zona óhmica.
Solución
a) Circuito equivalente INICIAL (se indica la parte para la que se hallará el equivalente de Thévenin):
4 – 55
4. El transistor
RD
D Vo VDD
Equiv. Thévenin
G
Q
VDD R
R1 S
Para el voltaje de Thévenin, como VDD = 20V y R1 = 200kΩ = 2 · 105 Ω, para la malla GS
tenemos:
G
VDD R I
R1 VGG S
R1 2 · 105
VGG = VTh = IR1 = VDD = 20 · V. (4.1)
R + R1 R + 2 · 105
Con la correspondiente resistencia de Thévenin:
G
R
VDD=0 R1 RG S
RR1 R
RG = RTh = RkR1 = = 2 · 105 Ω Ω.
R + R1 R + 2 · 105 Ω
Circuito equivalente FINAL:
ID
RD
D Vo VDD
G
Q
VGG RG IG=0
S
De la malla GS tenemos que VGG − IG RG − VGS = 0, por lo que VGS = VGG (ya que siempre
IG = 0). Q conduce cuando VGS ≥ VT , por lo que comenzará a conducir justo en el caso de igualdad,
VGS = VGG = VT = 1V. Sustituyendo en la Ecuación (4.1):
2 · 105 Ω
20V = 1V,
RΩ + 2 · 105 Ω
y, por tanto: R = 3.8 · 106 Ω = 3.8MΩ.
4 – 56
4. El transistor
b) Tenemos Vo = VDS como dato. Analizando la malla DS tenemos que

VDD − Vo
VDD − ID RD − VDS = VDD − ID RD − Vo = 0 ⇒ ID = ,
RD
de donde:
20V − 6V 7
ID = = A = 7mA.
2000Ω 1000
Como ID =
6 0, Q no está en corte sino en conducción, de modo que Q está en saturación o en óhmica.
Como siempre, tratamos de resolver suponiendo primero Q en saturación: ID = k (VGS − VT )2 , de
donde podemos despejar VGS :
7 1
A= A/V2 (VGS − 1V)2
1000 1000
⇒ 7 = (VGS − 1)2 ⇒ 7 = VGS 2 − 2VGS + 1 ⇒ VGS 2 − 2VGS − 6 = 0,
que es una ecuación de 2º grado (VGS expresado en V). Tenemos, por tanto, dos soluciones posibles:
√

−(−2) ±
p
(−2)2 − 4 · 1 · (−6) 2 ± 28  VGS,1 = 3.65V,
VGS = = ⇒
2·1 2  V
GS,2 = −1.65V.
Como VGS no puede ser negativo, elegimos la solución positiva VGS = 3.65V.
Verificamos si este resultado cumple la condición de saturación: VDS = Vo = 6V ≥ 3.65V − 1V =
2.65V. Efectivamente, se cumple que VDS ≥ VGS − VT , por lo que la suposición de que Q está en
estado de saturación es correcta.
Ahora calculamos R de la ecuación de la malla de entrada (malla GS):
20V · 2 · 105 Ω
VGG = VGS = 3.65V = ⇒ R = 895900Ω = 895.9kΩ.
RΩ + 2 · 105 Ω
c) En la zona lı́mite óhmica/saturación se cumplen las siguientes igualdades:

ID = k(VGS − VT )2  2
⇒ ID = kVDS = (1/1000)A/V2 · VDS 2 2
= VDS /1000A.
VDS = VGS − VT 
De la malla de salida (malla DS) podemos obtener otra expresión para ID :

VDD − VDS 20V − VDS
ID = = .
RD 2000Ω
Igualando ambas expresiones tenemos:
2 20V − VDS 2
VDS /1000A = ⇒ VDS + 0.5VDS − 10 = 0,
2000Ω
que es una ecuación de segundo grado (VDS en V). Tenemos, por tanto, dos soluciones posibles:
√

p
2
−0.5 ± 0.5 − 4 · 1 · (−10) −0.5 ± 40.25  VDS,1 = 2.92V,
VDS = = ⇒
2·1 2  V = −3.42V.
DS,2
Como VDS no puede ser negativo, elegimos la solución positiva VDS = 2.92V.
Ahora, como VDS = VGS − VT ⇒ VGS = VDS + VT = 2.92V + 1V = 3.92V. Finalmente,
podemos calcular R utilizando la ecuación de la malla GS:
20 · 2 · 105 Ω
VGS = 3.92V = VGG = ⇒ R = 820408Ω = 820.41kΩ.
R + 2 · 105 Ω
4 – 57
4. El transistor
En el circuito de la figura, el MOSFET tiene VT = 2V y k = 2mA/V2 . Calcula:

a) Valor de VGG para el cual comienza a conducir el transistor.
b) Valor de VGG para que el transistor entre en zona óhmica.
VGG VDD = 24 [V]
R2 = 800 [kW] RD = 1 [kW]
D Vo
Io=0
G
Q
R1 = 200 [kW] S
Ahora, VGG se conecta a los 24V de alimentación del transistor. Calcula:

c) Valor de VGS .
d) Valor de ID .
e) Valor de Vo .
Solución
Vemos que el circuito equivalente inicial es esquemáticamente el mismo que el del ejercicio anterior,
sólo cambia en que la fuente de alimentación a la izquierda de la puerta G es VGG , distinta de VDD :
RD
D Vo VDD
Equiv. Thévenin
G
Q
VGG R2
R1 S
Por lo tanto, para simplificar hallamos el equivalente Thévenin a la izquierda del terminal de la puerta G:
G G
VDD R2 I R2
R1 VTh S VDD=0 R1 RTh S
4 – 58
4. El transistor
200 VGG
VTh = VGG = ,
800 + 200 5
200 · 800
RTh = 200k800 = = 160kΩ.
200 + 800
El circuito equivalente final queda entonces:
ID
RD
D Vo VDD
G
Q
VTh RTh IG=0
S
Dado que la corriente hacia la puerta ha de ser nula (IG = 0), tenemos:
VGG
VGS = VTh = .
5
a) MOSFET entre corte y conducción (ON/OFF): VGS = VT = 2V. Entonces:
VGG
VGS = 2 = ⇒ VGG = 10V.
5
b) MOSFET entre saturación y óhmica:

VDS = VGS − VT 
2 2
⇒ ID = kVDS = 2VDS . (4.2)
ID = k(VGS − VT ) 2 
Ecuación malla de salida:

24 = ID 1 + VDS . (4.3)
2 +V
De (4.2) y (4.3) obtenemos: 2VDS DS − 24 = 0 ⇒ VDS = 3.22V (la solución negativa para
VDS no es válida). Entonces:
VGS = VDS + VT = 3.22 + 2 = 5.22V.
Por lo que:
VGG
VGS = 5.22V = ⇒ VGG = 26.1V.
5
En resumen:
Si VGG ≤ 10V: MOSFET en zona de corte (OFF).
Si 10V ≤ VGG ≤ 26.1V: MOSFET en zona de saturación (ON).
Si VGG ≥ 26.1V: MOSFET en zona óhmica (ON).
c) VGG = 24V. Del apartado anterior se sabe que el MOSFET está en saturación:
VGG 24
VGS = = = 4.8V.
5 5
d) ID = k(VGS − VT )2 = 2(4.8 − 2)2 = 15.68mA.
e) De la malla de salida se deduce: Vo = 24 − 15.68 · 1 = 8.32V. Comprobación de MOSFET en zona
de saturación: VDS = Vo = 8.32V ≥ VGS − VT = 4.8 − 2 = 2.8V.
4 – 59
4. El transistor
[Examen Mayo 2016] Para el circuito de la figura, donde el transistor NMOS tiene parámetros VT = 1V
y k = 1mA/V2 , se pide:
VDD = 10 [V]
RD = 2 [kW]
ID V
o
D
R2 = 1 [kW]
Vi G
Q
R1 = 1 [kW] S
a) Valor de Vi que sitúa al transistor entre corte y conducción.

b) Valor de ID y Vo en ese caso.
c) Ecuación de la malla de drenador.
d) Demostrar que VGS = 3V sitúa al transistor en el lı́mite entre saturación y óhmica.
e) Valor de ID y Vo en ese caso.
f) Valor de Vi que sitúa al transistor en dicho lı́mite.
Solución
Para mayor comodidad, aplicamos Thévenin en la malla de entrada (malla a la izquierda de los puntos
G y S):
RTh = 1kΩk1kΩ = 0.5kΩ,
Vi
VTh = I1 kΩ · 1kΩ = 1 kΩ+1 kΩ · 1kΩ = 0.5Vi .
a) Q OFF-ON: VGS = VTh = 0.5Vi V = VT = 1V ya que la corriente hacia la puerta ha de ser siempre
cero. Por tanto: Vi = 2V.
b) Q OFF-ON: ID = 0 ⇒ Vo = 10 − 0 · 2kΩ = 10V.
c) 10V = RD ID + VDS = 2ID mA + VDS .
d) Asumimos VGS = 3V y comprobamos si los valores de VDS e ID correspondientes al lı́mite entre
2 son consistentes con la ecuación de malla de
saturación y óhmica VDS = VGS − VT e ID = kVDS
drenador: 10 = 2ID + VDS con ID ≥ 0.
2
VDS = VGS − VT = 3 − 1 = 2V, por lo que ID = kVDS = 1 · 22 = 4mA. Comprobamos
que, efectivamente, con estos valores de VDS e ID se cumple la ecuación de la malla de drenador:
10 = 2 · 4 + 2.
e) ID = 4mA, Vo = VDS = 2V.
f) VGS = 3V = VTh = 0.5Vi ya que la corriente hacia la puerta ha de ser siempre cero. Por tanto
Vi = 6V.
4 – 60
4. El transistor
[Examen Julio 2016] Para el circuito de la figura, donde el transistor NMOS tiene parámetros VT = 1V
y k = 1mA/V2 , se pide:
VDD = 10 [V]
R1 = 1 [kW] RD = 2 [kW]
ID
D Vo
G
Q
R S
a) Valor de la resistencia R que sitúa al transistor entre corte y conducción.

b) Valor de ID y Vo en ese caso.
c) Ecuación de la malla de drenador.
d) Demostrar que VGS = 3V sitúa al transistor en el lı́mite entre saturación y óhmica.
e) Valor de ID y Vo en ese caso.
f) Valor de la resistencia R que sitúa al transistor en dicho lı́mite.
Solución
a) Q OFF-ON: ID = 0, VGS = VT = 1V. Como VG = VGS = 1V tenemos: I1 kΩ = (10−VG )/1kΩ =

9mA. Como IG es siempre cero, esa misma corriente I es la que circula por la resistencia R, por lo
que R = VR /IR = VG /IR = 1/9kΩ.
b) Q OFF-ON: ID = 0 ⇒ Vo = 10 − 0 · 2kΩ = 10V.
c) 10V = RD ID + VDS = 2ID mA + VDS .
d) Consideramos VGS = 3V y comprobamos si los valores de VDS e ID correspondientes al lı́mite entre
2 son consistentes con la ecuación de malla de
saturación y óhmica VDS = VGS − VT e ID = kVDS
drenador: 10 = 2ID + VDS con ID ≥ 0.
2
VDS = VGS − VT = 3 − 1 = 2V, por lo que ID = kVDS = 1 · 22 = 4mA. Comprobamos
que, efectivamente, con estos valores de VDS e ID se cumple la ecuación de la malla de drenador:
10 = 2 · 4 + 2.
e) ID = 4mA, Vo = VDS = 2V.
f) VGS = 3V ⇒ VR = VGS = 3V. La corriente por R es la misma que por R1 y su valor es
IR = IR1 = (VDD − VGS )/R1 = (10V − 3V)/1kΩ = 7mA, entonces R = VR /IR = VGS /IR =
3V/7mA ⇒ R = 3/7kΩ.
4 – 61
4. El transistor
Para un transistor PMOS con VT = 1V y k = 1mA/V2 , se pide determinar la intensidad de corriente

ID y el voltaje VSD en los siguientes circuitos de polarización:
VSS = 5 [V] VSS = 5 [V] VSS = 5 [V] VSS = 5 [V]
RG = 50 [kW]
S S S S
Q Q Q Q
G G G G
D D D D
RG = 50 [kW] RG = 50 [kW] RG = 50 [kW]
RD = 0.5 [kW]
RD = 0.5 [kW] RD = 0.5 [kW] RD = 0.5 [kW]
-VSS
Circuito 1 Circuito 2 Circuito 3 Circuito 4
Solución
a) Circuito 1:
VSS = 5 [V]
RG = 50 [kW]
S
Q
G
IG=0
D
ID
RD = 0.5 [kW]
IG = 0 ⇒ VSG = IG RG = 0, por lo que Q en corte y, por tanto:
ID = 0mA,
VSD = VSS − ID RD = 5 − 0 = 5V.
b) Circuito 2:
4 – 62
4. El transistor
VSS = 5 [V]
S
IG=0
Q
G
D
RG = 50 [kW]
ID
RD = 0.5 [kW]
IG = 0 ⇒ VSG = VSS − IG RG = 5V, por lo que Q en conducción. Suponemos Q en óhmica:
1 1
rSD = = = 0.25kΩ,
k(VSG − VT ) 1 · (5 − 1)
VSS 5V
ID = = = 6.67mA,
rSD + RD 0.25kΩ + 0.5kΩ
VSD = ID rSD = 6.67mA · 0.25kΩ = 1.67V.
Comprobamos que la suposición Q en óhmica se cumple:
VSD = 1.67V ≤ VSG − VT = 5 − 1 = 4V.
c) Circuito 3:
VSS = 5 [V]
Q
G
IG=0
D
RG = 50 [kW]
ID
RD = 0.5 [kW]
IG = 0 ⇒ VSG = VSD , por lo que Q en conducción y en saturación pues VSD ≥ VSG − VT .
ID = k(VGS − VT )2 = 1 · (VSG − 1)2 = VSG

2
− 2VSG + 1, (4.4)
VSS = VSD + ID RD ⇒ 5 = VSD + 0.5 · ID ⇒ ID = 10 − 2VSD .
Como VSG = VSD , tenemos:

ID = 10 − 2VSG . (4.5)
Igualando (4.4) y (4.5) tenemos:
2
√
10 − 2VSG = VSG − 2VSG + 1 ⇒ VSG = 9 = 3V,
por lo que: VSD = VSG = 3V e ID = 1 · (3 − 1)2 = 4mA.
4 – 63
4. El transistor
d) Circuito 4:
VSS = 5 [V]
S
IG=0
Q
G
D
ID
RG = 50 [kW]
RD = 0.5 [kW]
-VSS
IG = 0 ⇒ VSG = VSS − IG RG = 5V, por lo que Q en conducción. Suponemos Q en óhmica:

1 1
rSD = = = 0.25kΩ,
k(VSG − VT ) 1 · (5 − 1)
VSS − VSS 5V − (−5V)

ID = = = 13.33mA,
rSD + RD 0.25kΩ + 0.5kΩ
VSD = ID rSD = 13.33mA · 0.25kΩ = 3.33V.
VSD = 3.33V ≤ VSG − VT = 5 − 1 = 4V.
4 – 64
4. El transistor
En el circuito de polarización de la figura, que utiliza un transistor MOSFET canal p con VT = 3V y

k = 2mA/V2 , se pide determinar:
VSS = 25 [V]
RS = 5 [kW]
S
RG = 50 [kW] G
VGG = 11 [V] Q
RD = 15 [kW]
a) Valor de ID suponiendo Q en saturación.

b) Demostrar que la anterior suposición es incorrecta.
c) Valor de ID suponiendo Q en óhmica.
d) Demostrar que la anterior suposición es correcta.
Solución
a) Suponemos Q en saturación:
VSS = 25 [V]
RS = 5 [kW]
ID
VSG S
RG = 50 [kW] ID
VGG = 11 [V] VSD
G
IG=0
D
ID
RD = 15 [kW]
ID = k(VSG − VT )2 = 2(VSG − 3)2 . (4.6)

Ecuación de la malla de entrada (malla puerta - fuente):
VSS − VGG = ID RS + VSG + IG RG ⇒ 25 − 11 = ID · 5 + VSG + 0. (4.7)
4 – 65
4. El transistor
2 − 59V
De (4.6) y (4.7) tenemos: 10VSG SG + 76 = 0 ⇒ VSG = 4V (la solución de VSG menor que
VT no es válida). Entonces: ID = 2(4 − 3)2 = 2mA.
b) Ecuación de la malla de salida (malla de drenador):
VSS = ID (RD + RS ) + VSD ⇒ VSD = 25 − 2(15 + 5) = −15V.
Como VSD = −15V < VSG − VT = 4 − 3 = 1V, Q no está en saturación.

c) Suponemos Q en óhmica:
VSS = 25 [V]
RS = 5 [kW]
ID
VSG S
RG = 50 [kW] rSD
VGG = 11 [V] VSD
G
IG=0
D
ID
RD = 15 [kW]
1 1
rSD = = kΩ.
k(VSG − VT ) 2(VSG − 3)
Ecuación de la malla de entrada (malla puerta - fuente):
14 = ID · 5 + VSG . (4.8)
Ecuación de la malla de salida (malla de drenador):
VSS = ID (RD + RS ) + ID rSD . (4.9)
De (4.8) y (4.9) obtenemos:
2
40VSG − 429VSG + 916 = 0 ⇒ VSG = 7.78V,
ya que la solución de VSG menor que VT no es válida.

Entonces:
14 − VSG 14 − 7.78
ID = = = 1.24mA.
5 5
VSD = ID · rSD = 0.13V < VSG − VT = 7.78 − 3 = 4.78V ⇒ Q está en óhmica.
4 – 66
4. El transistor
Para el circuito de la figura con MOSFET con VT = 2V y k = 2.5mA/V2 , se pide:
VSS = 6 [V]
S
R1 = 75 [kW]
Vi Q
G
D Vo
R2 = 25 [kW]
RD = 2 [kW]
a) Determinar el valor de Vi que sitúa Q entre corte y conducción, y valor de Vo en este caso.
b) Determinar el valor de Vi que sitúa Q entre óhmica y saturación, y valor de Vo en este caso.
c) Obtener la caracterı́stica de transferencia Vo = f (Vi ) para 0 ≤ Vi ≤ 36V, determinando la ecuación
correspondiente a cada tramo.
Solución
R2 25
VG = Vi = Vi = 0.25Vi ⇒ VSG = VSS − VG = 6 − 0.25Vi .
R1 + R2 75 + 25
a) Q OFF-ON: VSG = VT ⇒ 6 − 0.25Vi = 2 ⇒ Vi = 16V. Como ID = 0 ⇒ Vo = 0.
b) Q SAT-OHM:
2 2
ID = kVSD = 2.5VSD . (4.10)
Ecuación malla de salida:
VSS = VSD + RD ID ⇒ 6 = VSD + 2ID . (4.11)
De (4.10) y (4.11) tenemos:
2
5VSD + VSD − 6 = 0 ⇒ VSD = 1V.
Entonces VSG = VSD + VT = 1 + 2 = 3V, por lo que:
VSG = 3 = 6 − 0.25Vi ⇒ Vi = 12V.
Con lo que, finalmente:

Vo = VSS − VSD = 6 − 1 = 5V.
4 – 67
4. El transistor
c) Para 16V ≤ Vi ≤ 36V, Q OFF: Vo = 0V.

Para 12V = Vi = 16V, Q SAT:
Vo = ID RD = k(VSG − VT )2 RD = 2.5(4 − 0.25Vi )2 .
Para 0 ≤ Vi ≤ 12V, Q OHM:

1 1
rSD = = ,
k(VSG − VT ) 2.5(4 − 0.25Vi )
por lo que:
RD 2
Vo = VSS · =6· 1 .
RD + rSD 2+ 2.5(4−0.25Vi )
4 – 68
4. El transistor
En el circuito de la figura se utilizan dos transistores unipolares MOSFET con tensión umbral VT = 2V
y constante k = 0.2mA/V2 . Se pide:
RG1 = 1 [MW]
VCC = 6 [V]
S1
Vi Q1 RD = 11 [kW]
G1
Io
D1 D2 Vo
G2
Q2
RG2 = 10 [kW] S2
a) Dibuje las curvas caracterı́sticas de salida linealizadas y las caracterı́sticas de transferencia

correspondientes a los transistores Q1 y Q2 de la figura, indicando sobre ellas los valores más
significativos, para tensiones |VGS | de 1, 2, 3, 4, 5 y 6 V.
b) Valor de Vo si Vi = 4V. Suponga Io = 0.
c) Valor de Vi para que comience a conducir Q2 .
d) Valor máximo de Io para Vi = 0V que mantiene a Q2 en zona óhmica.
Solución
a) Teniendo en cuenta que para los transistores canal N (Q2 ) y P (Q1 ) los valores de las tensiones entre
S y G son iguales, pero de signo contrario, VGS (NMOS) = VSG (PMOS) = |VGS | ≥ 0. Basándonos
en la tabla de la página siguiente establecemos las curvas caracterı́sticas (linealizadas) de salida y la
caracterı́stica de transferencia (parábola IDSAT = f (|VGS |)):
Características Característica de
ID [mA] IDSAT [mA]
de salida transferencia
3.6
3.2 |VGS| = 6 [V] 3.2 d
2.8
2.4
1.8 c
1.8 |VGS| = 5 [V]
1.2
0.8 b
0.8 |VGS| = 4 [V]
a
0.2 |VGS| = 3 [V] 0.2 o
0 1 2 3 4 |VGS|  2 [V] |VDS| [V] 0 1 2 3 4 5 6 |VGS| [V]
4 – 69
4. El transistor
|VGS |V 1 2 3 4 5 6
|VDS,SAT,mı́n | = |VGS | − 2V − − 1 2 3 4
ID,SAT = 0.2(|VGS | − 2)2 mA 0 0 0.2 0.8 1.8 3.2
Tabla 4.1 – |VDS,SAT,mı́n | e ID,SAT para distintos valores de |VGS |.
b) Vi = 4V, ası́ que VSG1 = VCC − Vi = 6 − 4 = 2V = VT , por lo que Q1 OFF y entonces

ID1 = 0 ⇒ VSG2 = 0 ⇒ Q2 OFF ⇒ Vo = 6V.
c) Q2 OFF-ON: VGS2 = VT = 2V,
ID1 = VGS2 /RG2 = 2/10 = 0.2mA.
Suponemos Q1 en saturación:
ID1 = k(VSG1 − VT )2 ⇒ 0.2 = 0.2(VSG1 − 2)2 ⇒ VSG1 = 3V.
Comprobamos la suposición de Q1 en saturación:
VSD1 = VCC − VGS2 = 6–2 = 4V ≥ VSG1 –VT = 3–2 = 1V.
Por tanto: Vi = VCC –VSG1 = 6–3 = 3V.
d) Vi = 0 ⇒ VSG1 = VCC − Vi = 6–0 = 6V.
Suponemos Q1 también en zona óhmica:
1 1
rSD1 = = = 1.25kΩ,
k(VSG1 − VT ) 0.2(6 − 2)
RG2 10
VGS2 = VCC · =6· = 16/3V.
RG2 + rSD1 10 + 1.25
Comprobamos la suposición de Q1 en óhmica:
VSD1 = VCC − VGS2 = 6–16/3 = 0.67V ≤ VSG1 –VT = 6–2 = 4V.
Ahora:
VDS2,máx = VDS2,SAT,mı́n = VGS2 − VT = 16/3–2 = 10/3V,
ID2,máx = VDS2,máx /rDS2 = (10/3)/1.5 = 20/9mA.
Finalmente:
Io,máx = ID2,máx − IRD = 20/9–(6–10/3)/11 = 1.98mA.
4 – 70
4. El transistor
Los transistores MOSFET del circuito de la figura tienen |VT | = 1V y k = 2mA/V2 .

VCC = 5 [V]
S1
Vi Q1 D2
G1
G2
D1 Q2
R1 = 1 [kW] S2
Vo
R2 = 1 [kW]
Se pide:
a) Dibuje las caracterı́sticas de salida linealizadas en fuente común (SC) del transistor Q1 del circuito
de la figura para los valores de VSG de 1, 2, 3, 4 y 5V. Indique sobre la gráfica los valores más
significativos.
b) Determine el valor de Vi que sitúa al transistor Q1 entre corte y conducción, y valor de Vo en este
caso.
c) Determine el valor de Vi que sitúa al transistor Q2 entre corte y conducción, y valor de Vo en este
caso.
d) Determine el valor de Vo para Vi = 0 V.
Solución
a) PMOS con k = 2mA/V2 y VT = 1V:
VSG V 1 2 3 4 5
VSD,SAT,mı́n = VSG − 1V 0 1 2 3 4
ID,SAT = 2(VSG − 1)2 mA 0 2 8 18 32
Tabla 4.2 – VSD,SAT,mı́n e ID,SAT para distintos valores de VSG .
Con esos datos obtenemos las siguientes curvas linealizadas.
4 – 71
4. El transistor
Características
ID [mA]
de salida
36
32 VSG = 5 [V]
28
24
18 VSG = 4 [V]
12
8 VSG = 3 [V]
2 VSG = 2 [V]
0 1 2 3 4 VSG  1 [V] VSD [V]
b) Q1 OFF-ON: VSG1 = VCC − Vi = VT ⇒ Vi = VCC − VT = 5 − 1 = 4V,

Q2 OFF: IR1 = IR2 = ID = 0 ⇒ Vo = 0V.
c) Q2 OFF-ON: VGS2 = VT = 1V ⇒ IR1 = IR2 = VT /R1 = 1/1 = 1mA,
Q2 OFF-ON: ID2 = IS2 = 0mA.
Suponemos Q1 en saturación:
ID1 = k(VSG1 − VT )2 ⇒ 1 = 2(VSG1 − 1)2 ⇒ VSG1 = 1.71V. Por tanto:
Vi = VCC − VSG1 = 5 − 1.71 = 3.29V,

Vo = IR2 R2 = 1mA1kΩ = 1V.
Comprobamos suposición de Q1 en SAT:

VSD1 = VCC − ID1 (R1 + R2 ) = 5 − 1 · 2 = 3V ≥ VSG1 − VT = 1.71 − 1 = 0.71V.
d) Suponemos Q1 en óhmica: rSD1 = 1/(k(VSG1 − VT )) = 1/(2(5 − 1)) = 1/8kΩ. Y suponemos Q2
en saturación:
ID2 = k(VGS2 − VT )2 = 2(VGS2 − 1)2 , (4.12)

VGS2 = ID1 R1 = ID1 V, (4.13)
VCC = ID1 rSD1 + VSG2 + (ID1 + ID2 )R2 ⇒ 5 = ID1 (1/8) + VSG2 + (ID1 + ID2 ). (4.14)
De (4.12), (4.13) y (4.14) obtenemos: ID1 = 1.78mA, ID2 = 1.22mA, VSG2 = 1.78V.
Comprobamos suposición de Q1 en óhmica:
VSD1 = ID1 rSD1 = 1.78 · (1/8) = 0.22V ≤ VSG1 − VT = 5 − 1 = 4V.
Comprobamos suposición de Q2 en saturación:
VSD2 = VCC − (ID1 + ID2 ) · R2 = 5 − (1.78 + 1.22) · 1 = 2V ≥ VSG2 − VT = 1.78 − 1 = 0.78V.
Finalmente: Vo = (ID1 + ID2 )R2 = (1.78 + 1.22) · 1 = 3V.
4 – 72
4. El transistor
Se aplica la señal vi (t) dada al circuito de la figura. Determina vo (t) para 0 ≤ t ≤ 1µs, suponiendo C
inicialmente cargado a +5V. Datos del MOSFET: VT = 2.5V, k = 5mA/V2 .
vi(t) [V] VDD = 5 [V]

5
RD = 2 [kW]
Vo
D
RG = 100 [kW]
t [ms] Vi
Q C = 90[pF]
0 0.1 1.0 G
Solución
En t = 0+ : VGS = vi (t = 0+ ) = 5V y vo (t = 0+ ) = VDS = VC,i = 5V, entonces:
VDS = 5V ≥ VGS − VT = 5 − 2.5 = 2.5V ⇒ Q SAT.
VDD = 5 [V]
RD = 2 [kW]
Vo
D
RG = 100 [kW] ID
Vi
G C = 90[pF]
Aplicando Thévenin en extremos del condensador:
RTh,1 = RD = 2Ω,
VTh,1 = −ID RD + VDD = −31.25 · 2 + 5 = −57.5V.
Con Q en saturación el condensador se descarga con
VC,i = 5V, VC,f = −57.5V, τ1 = RTh,1 · C = 2 · 90 = 180ns,
con lo que:
vo (t) = vC (t) = VC,f + (VC,i − VC,f )e−t/τ1 = −57.5 + 62.5e−t/180 .
4 – 73
4. El transistor
Obtenemos ahora el instante de tiempo t = t1 en el que Q llega al lı́mite SAT-OHM. Dado que:
vo (t = t1 ) = VDS,SAT,mı́n = VGS –VT = 5 − 2.5 = 2.5V, entonces:
vo (t = t1 ) = 2.5 = −57.5 + 62.5e−t1 /180 ⇒ t1 = 7.35ns.
Para t ≥ t1 , Q estará en óhmica:
VDD = 5 [V]
RD = 2 [kW]
Vo
D
RG = 100 [kW] rDS
Vi
G C = 90[pF]
rDS = 1/(k(VGS − VT )) = 1/(5 · (5 − 2.5)) = 0.08kΩ.
Aplicando Thévenin en extremos del condensador:

rDS RD 0.08 · 2
RTh,2 = = = 0.077kΩ,
rDS + RD 0.08 + 2
rDS 0.08
VTh,2 = VDD =5· = 0.19V.
rDS + RD 0.08 + 2
Con Q en óhmica el condensador se descarga con
VC,i = 2.5V, VC,f = 0.19V, τ2 = RTh,2 · C = 0.077 · 90 = 6.92ns,
con lo que:
vo (t) = vC (t) = VC,f + (VC,i − VC,f )e−(t−t1 )/τ2 = 0.19 + 2.31e−(t−7.35)/6.92 .
El instante t2 en que se alcanza el valor final vo (t = t2 ) = VC,f = 0.19V es:
t2 = t1 + 5τ2 = 7.35 + 5 · 6.92 = 42ns.
En t = 100ns Q pasa a corte, y el condensador se carga a 5V a través de RD con τ3 = RD C =

2 · 90 = 180ns.
El instante t3 en que se alcanza el valor final vo (t = t3 ) = VC,f = 5V es:
t3 = 100 + 5τ3 = 100 + 5 · 180 = 1000ns = 1µs.
4 – 74
5. Familias Lógicas
Tema 5
Familias Lógicas
[Enero 2012] Dadas dos familias lógicas con las caracterı́sticas indicadas en la tabla:
PAR ÁMETRO FAMILIA A FAMILIA B

VCC 5.00V 5.00V
VOHmı́n 2.50V 4.99V
VIHmı́n 2.00V 4.20V
VOLmáx 0.50V 0.10V
VILmáx 0.80V 1.20V
IIHmáx 20.00µA 20.00µA
IILmáx −0.40mA −0.02mA
IOHmáx −0.40mA −4.00mA
IOLmáx 8.00mA 4.00mA
a) Hallar los márgenes de ruido de cada una de las familias.

b) Calcular también el fan-out de cada una de las familias.
c) ¿Se puede interconectar una puerta de la familia A a la salida de otra de la familia B? En caso
afirmativo, ¿cuántas puertas de la familia A pueden conectarse a la salida de una de la familia B?
d) ¿Se puede interconectar una puerta de la familia B a la salida de otra de la familia A? En caso
afirmativo, ¿cuántas puertas de la familia B pueden conectarse a la salida de una de la familia A?
5 – 75
Solución
a) Familia A:
NML = VILmáx − VOLmáx = 0.8V − 0.5V = 0.3V,

NMH = VOHmı́n − VIHmı́n = 2.5V − 2V = 0.5V. (5.1)
El peor caso es NML, porque corresponde a un menor margen de error de voltaje, por lo tanto, para
la familia A: NM = 0.3V.
Familia B:

NMH = VOHmı́n − VIHmı́n = 4.99V − 4.2V = 0.79V. (5.2)
El peor caso es NMH, por lo tanto, para la familia B: NM = 0.79V.

b) Familia A:

IOHmáx
, IOLmáx

Fan-Out = mı́n
IIH IIL
máx
máx
−0.4mA 8mA
= mı́n 20µA , −0.4mA
= 20. (5.3)
Esto significa que a la salida de una puerta de la familia A se pueden conectar hasta 20 puertas de la
misma familia.
Familia B:

IOHmáx IOLmáx
Fan-Out = mı́n
IIH
,
IIL

máx máx

−4mA 4mA
= mı́n 20µA , −0.02mA
= 200. (5.4)
A la salida de una puerta de la familia B se pueden conectar hasta 200 puertas de la misma familia.
c) De acuerdo al enunciado, consideramos a las puertas de la Familia A como “Input (I)”, y la puerta
de la Familia B como “Output (O)”. Para la compatibilidad de tensiones tendremos:
VOLmáx ≤ VILmáx ⇒ 0.1V ≤ 0.8V ⇒ se cumple,

VOHmı́n ≥ VIHmı́n ⇒ 4.99V ≥ 2V ⇒ se cumple.
Para la compatibilidad de corrientes:
|IOLmáx | ≥ |IILmáx | ⇒ |4mA| ≥ |−0.4mA| ⇒ se cumple,

|IOHmáx | ≥ |IIHmáx | ⇒ |−4mA| ≥ |20µA| ⇒ se cumple.
Se cumplen las compatibilidades de tensión y de corriente, por lo tanto este tipo de conexión es
factible.
5 – 76
El correspondiente fan-out será entonces:

IOHmáx IOLmáx
Fan-Out = mı́n
IIH
,
IIL

máx máx

−4mA 4mA
= mı́n 20µA , −0.4mA
= 10. (5.5)
A la salida de una puerta de la familia B se pueden conectar hasta 10 puertas de la familia A.
d) Ahora consideramos a las puertas de la Familia B como “Input (I)”, y la puerta de la Familia A como
“Output (O)”. Para la compatibilidad de tensiones tendremos:

VOHmı́n ≥ VIHmı́n ⇒ 2.5V ≥ 4.2V ⇒ no se cumple.
Por lo tanto esta conexión es incompatible.
5 – 77
Un fabricante proporciona las siguientes caracterı́sticas de dos familias lógicas.
PAR ÁMETRO TTL CMOS

VCC 5.00V 5.00V
VOHmı́n 2.40V 3.00V
VIHmı́n 2.00V 2.20V
VOLmáx 0.40V 1.00V
VILmáx 0.80V 1.50V
IIHmáx 40.00µA 10.00nA
IILmáx −1.60mA −1.00µA
IOHmáx −0.40mA −2.00mA
IOLmáx 16.00mA 4.00mA
Se desea conectar un inversor CMOS la salida de otro inversor TTL.

a) ¿Es posible? ¿Por qué?
b) Hallar los márgenes de ruido en esta conexión.
c) ¿Cuántas puertas CMOS se podrán conectar a la salida de una TTL?
d) Repetir los apartados anteriores para el caso en que se conecte un inversor TTL a la salida de otro
inversor CMOS.
Solución
a) De acuerdo al enunciado, consideramos a la puerta CMOS como “Input (I)”, y la puerta TTL como
“Output (O)”. Para la compatibilidad de tensiones tendremos:

VOHmı́n ≥ VIHmı́n ⇒ 2.4V ≥ 2.2V ⇒ se cumple.
Para la compatibilidad de corrientes:
|IOLmáx | ≥ |IILmáx | ⇒ |16mA| ≥ |−1µA| ⇒ se cumple,

|IOHmáx | ≥ |IIHmáx | ⇒ |−0.4mA| ≥ |10nA| ⇒ se cumple.
Se cumplen las compatibilidades de tensión y de corriente, por lo tanto este tipo de conexión es
factible.
5 – 78
b) Siguiendo las consideraciones del apartado anterior respecto de los subı́ndices “Input (I)” y “Output
(O)”, tenemos

El peor caso es NMH, por lo tanto: NM = 0.2V.

c) El correspondiente fan-out será entonces:

IOHmáx IOLmáx
Fan-Out = mı́n
IIH , IIL

máx máx

−0.4mA 16mA
= mı́n 10nA , −1µA
= 16000. (5.7)
d) Ahora tendremos la puerta TTL como “Input (I)”, y la CMOS como “Output (O)”. Para la
compatibilidad de tensiones tendremos:
VOLmáx ≤ VILmáx ⇒ 1V ≤ 0.8V ⇒ no se cumple,
por lo que no continuamos comprobando los demás criterios: esta conexión no es compatible.
5 – 79
Apoyándose en el siguiente cuadro comparativo, justificar detalladamente la posibilidad de conexión

(compatibilidad) de las siguientes interconexiones. Para los casos en que las puertas interconectadas
sean compatibles, determinar márgenes de ruido y fan-out.
+5[V] +5[V] +5[V] +5[V]
ALSTTL ACMOS ACMOS ALSTTL
PAR ÁMETRO TTL ALSTTL CMOS ACMOS

VILmáx V 0.8 0.8 1.5 1.5
VIHmı́n V 2.0 2.0 3.5 3.5
VOLmáx V 0.4 0.5 0.5 0.1
VOHmı́n V 2.4 2.5 4.5 4.9
IILmáx mA −1.6 −0.1 −0.1 · 10−3 −1.0 · 10−3
IIHmáx µA 40.0 20.0 0.1 1.0
IOLmáx mA 16.0 8.0 0.5 24.0
IOHmáx mA −0.4 −0.4 −0.5 −24.0
Rango VCC V 5.0 ± 5 % 5.0 ± 10 % 3.0 a 15.0 3.0 a 5.5
Pd mW/1MHz 10.0 1.0 0.5 0.5
tp ns/50pF 10.0 4.0 50.0 3.0
fmáx MHz 35 70 12 125
Solución
Verificamos la compatibilidad ALSTTL-ACMOS, es decir ALSTTL: Output, ACMOS: Input. Para las
tensiones tendremos:

VOHmı́n ≥ VIHmı́n ⇒ 2.5V ≥ 3.5V ⇒ no se cumple,
por lo tanto no son compatibles: no puede garantizarse que un nivel alto de salida en ALSTTL será
inequı́vocamente interpretado como nivel alto a la entrada del ACMOS.
Verificamos ahora la compatibilidad ACMOS (Output)-ALSTTL (Input).
5 – 80
Para las tensiones tendremos:

VOHmı́n ≥ VIHmı́n ⇒ 4.9V ≥ 2.0V ⇒ se cumple.
Mientras que para las corrientes:
|IOLmáx | ≥ |IILmáx | ⇒ |24mA| ≥ |−0.1mA| ⇒ se cumple,

|IOHmáx | ≥ |IIHmáx | ⇒ |−24.0mA| ≥ |20.0µA| ⇒ se cumple.
Este tipo de conexión es factible.

Para los márgenes de ruido tendremos

El correspondiente fan-out será:

IOHmáx
, IOLmáx

Fan-Out = mı́n
IIH IIL
máx
máx
−24.0mA 24.0mA
= mı́n 20.0µA , −0.1mA
= 240. (5.9)
5 – 81
[Enero 2011] La puerta inversora CMOS de la figura, alimentada a VDD = +5V está constituida por
transistores con |VT | = 1.5V y k = 1mA/V2 y cargada con una resistencia RL = 1kΩ. Si a la entrada
de la puerta se aplica una señal vi (t) como la de la figura, calcular:
a) La señal vo (t) a la salida de la puerta.
b) La corriente de salida de la puerta para los dos valores que toma vi (t).
c) El estado de los transistores para los dos valores que toma vi (t).
VDD
S2 vi(t) [V]
5
Q2
G2
t [ns]
D2
vi 100
D1
io
G1
Q1 RL vo
S1
Solución
a) Para vi = 5V,
vS2 G2 = VDD − vi = 5V − 5V = 0V < VT = 1.5V ⇒ Q2 OFF

vG1 S1 = vi = 5V > VT = 1.5V ⇒ Q1 ON.
Si el transistor Q2 está en corte (OFF), entonces io = 0mA, por lo tanto:
vD1 S1 = Io RL = 0V < vG1 S1 − VT = 5V − 1.5V = 3.5V ⇒ Q1 está en zona óhmica.
Por lo tanto,
vo = vRL = 0V, io = iRL = 0mA.
b) Para vi = 0V,
vS2 G2 = VDD − vi = 5V − 0V = 5V > VT = 1.5V ⇒ Q2 ON

vG1 S1 = vi = 0V < VT = 1.5V ⇒ Q1 OFF.
5 – 82
Como Q2 está activo, supongamos que está en óhmica, entonces:

1 1 2
r S2 D 2 = = 2
= = 0.28kΩ,
k (vS2 G2 − VT ) 1mA/V (5V − 1.5V) 7
−VDD −5V 35
io = = = − mA = −3.89mA,
r S2 D 2 + R L 2/7kΩ + 1kΩ 9
35
vo = −io RL = mA1kΩ = 3.89V.
9
Comprobamos que Q2 esté en óhmica:
35 2
v S2 D 2 = i o r S2 D 2 = mA kΩ = 1.09V ≤ vS2 G2 − VT = 5V − 1.5V = 3.5V ⇒ se cumple.
9 7
Dado un inversor CMOS básico alimentado a VDD = +3.0V, constituido por transistores con una
constante de transconductancia k = 8mA/V2 y una tensión umbral |VT | = 0.75V. Se pide:
a) Obtener y representar la caracterı́stica de transferencia Vo = f (Vi ) para Io = 0mA.
b) Determinar el valor de VOHmı́n para un valor de entrada VILmáx = 0.8V con una corriente
IOHmáx = −2mA.
c) Determinar el valor de VOLmáx para un valor de entrada VIHmı́n = 2V con una IOLmáx = 2mA.
d) De acuerdo a los cálculos anteriores, obtener los márgenes de ruido.
VDD = 3 [V]
S2
VS2G2=3-Vi
Q2 (PMOS)
G2
ID2
D2
Vi Vo
D1
Io
ID1
G1
Q1 (NMOS)
VG1S1=Vi S1
Solución
a) Cuando 0 ≤ Vi ≤ VT = 0.75V, la función de transferencia se encuentra en la Zona I. En los apuntes

de teorı́a se demuestra que Q1 está en corte y Q2 en óhmica. Como Q1 está en corte, ID1 = ID2 = 0
(teniendo en cuenta que Io = 0), por lo tanto:
Vo = VDD − ID2 rS2 D2 = VDD − 0 · rS2 D2 = VDD = 3V.
5 – 83
Cuando VT = 0.75V ≤ Vi ≤ VDD /2 = 1.5V, la función de transferencia se encuentra en la Zona II.

En este caso Q1 se encuentra en saturación y Q2 se mantiene en óhmica. Entonces, como ID1 = ID2 ,
VG1 S1 = Vi y VS2 G2 = VDD − Vi :
k(VG1 S1 − VT )2
Vo = VDD − ID2 rS2 D2 = VDD −
k(VS2 G2 − VT )
(Vi − VT ) 2 (Vi − 0.75)2
= VDD − =3− ,
(VDD − Vi − VT ) (2.25 − Vi )
que es la ecuación de una parábola. El punto lı́mite de la Zona II se establece con Vi = VDD /2, es
decir:
VDD
Vo (Vi = 1.5V) = + VT = 1.5V + 0.75V = 2.25V.
2
Zona III: Vi = VDD /2, Q1 y Q2 se encuentran en saturación, y VDD /2 + VT = 2.25V ≤ Vo ≤

VDD /2 − VT = 0.75V. Además,
2
VDD
ID1 = I D2 = k − VT = 8(1.5 − 0.75)2 = 4.5mA.
2
Zona IV: VDD /2 ≤ Vi ≤ VDD − VT = 2.25V, Q1 se encuentra en óhmica y Q2 en saturación. Por

lo tanto:
k(VS2 G2 − VT )2
V o = I D 2 rD 1 S1 =
k(VG1 S1 − VT )
(VDD − Vi − VT )2 (2.25 − Vi )2
= = ,
(Vi − VT ) (Vi − 0.75)

VDD VDD
Vo Vi = = 1.5V = − VT = 0.75V.
2 2
Zona V: VDD − VT = 2.25V ≤ Vi ≤ VDD = 3V, Q1 en óhmica y Q2 en corte. Entonces, Vo = 0V.

La representación gráfica de la curva de transferencia es la siguiente:
Vo [V]
I II III IV V
VDD
VOHmín
VDD/2+VT
VDD/2
VDD/2-VT VDD-VT
VOLmáx
VT VDD Vi [V]
VILmáx VDD/2 VIHmín
b) La tensión de entrada es VILmáx = 0.8V > VT = 0.75V. Supònemos que el circuito se encuentra en
la Zona II: Q1 en saturación y Q2 en óhmica:
5 – 84
VDD = 3 [V]
S2
VS2G2=VDD-0.8[V]
rS2D2 = 1/k(VS2G2-VT)
G2
ID2
D2
Vi = VILmáx Vo = VOHmín
D1
IOHmáx = -2 [mA]
G1
ID1 = k(VG1S1-VT)2
VG1S1=0.8[V]
S1
ID1 = k(VG1 S1 − VT )2 = 8(0.8 − 0.75)2 = 0.02mA,

1 1
r D 2 S2 = = = 0.0862kΩ,
k(VS2 G2 − VT ) 8(3 − 0.8 − 0.75)
ID2 = ID1 − IOHmáx = 0.02 − (−2) = 2.02mA,
VOHmı́n = VDD − ID2 rS2 D2 = 3 − 2.02 · 0.0862 = 2.83V.
Comprobación de los estados de los transistores:
VD1 S1 = 2.83V > VG1 S1 − VT = 0.8 − 0.75 = 0.05V ⇒ Q1 está en saturación;

VS2 D2 = 3 − 2.83 = 0.17V < VS2 G2 − VT = 3 − 0.8 − 0.75 = 1.45V ⇒ Q2 está en óhmica.
c) Con VIHmı́n = 2V suponemos Zona IV: Q1 en óhmica y Q2 en saturación:

VDD = 3 [V]
S2
VS2G2=VDD-2[V]
ID2 = k(VS2G2-VT)2
G2
D2
Vi = VIHmín Vo = VOLmáx
D1
IOLmáx = 2 [mA]
ID1
G1
rD1S1 = 1/k(VG1S1-VT)
VG1S1=2[V]
S1
ID2 = k(VS2 G2 − VT )2 = 8(3 − 2 − 0.75)2 = 0.5mA,

1 1
r S1 D 1 = = = 0.1kΩ,
k(VG1 S1 − VT ) 8(2 − 0.75)
ID1 = ID2 + IOLmáx = 0.5 + 2 = 2.5mA,
VOLmáx = ID1 rD1 S1 = 2.5 · 0.1 = 0.25V.
5 – 85
Comprobación de los estados de los transistores:
VD1 S1 = 0.25V < VG1 S1 − VT = 2 − 0.75 = 1.25V ⇒ Q1 está en óhmica;

VS2 D2 = 3 − 0.25 = 2.75V > VS2 G2 − VT = 3 − 2 − 0.75 = 0.25V ⇒ Q2 está en saturación.
d) Hallamos los márgenes de ruido:

5 – 86
Para la puerta con dos entradas (A y B) de la figura se pide configurar la tabla de funcionamiento,
indicando el estado de los transistores y el estado de la salida (F ). ¿Qué operación lógica realiza?
VDD
Q1
Q2
B Q3 Q4 A
Solución
Observando el circuito construimos la tabla de verdad:
A B Q1 Q2 Q3 Q4 F
L L ON ON OFF OFF H
L H ON OFF ON OFF L
H L OFF ON OFF ON L
H H OFF OFF ON ON L
De dicha tabla deducimos los siguientes comportamientos para los transistores:

PMOS (Q1 y Q2 ): F = H si A y B = L ⇒ F = A · B = A + B → Función NOR.
NMOS (Q3 y Q4 ): F = L si A o B = H ⇒ F = A + B ⇒ F = A + B → Función NOR.
5 – 87
En la puerta CMOS de la figura, determinar:

a) Tabla de verdad, indicando el estado de cada transistor.
b) Función lógica realizada.
VDD
A Q1 Q2
C Q3
Q4
Q5 Q6
Solución
a) Observando el circuito construimos la tabla de verdad:
A B C Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 F
L L L ON ON ON OFF OFF OFF H
L L H ON ON OFF OFF OFF ON H
L H L ON OFF ON OFF ON OFF H
L H H ON OFF OFF OFF ON ON H
H L L OFF ON ON ON OFF OFF H
H L H OFF ON OFF ON OFF ON L
H H L OFF OFF ON ON ON OFF L
H H H OFF OFF OFF ON ON ON L
5 – 88
b) Analizamos la relación entre las entradas A, B y C, y la salida F . Para ello, prestamos atención a los
conjuntos de transistores.
Para los PMOS (Q1 , Q2 y Q3 ):
F = H si Q1 está en ON, o si Q2 y Q3 están en ON ⇒ F = H si A = L, o B = L y C = L
⇒ F = A + B · C = A · (B + C).
Para los NMOS (Q4 , Q5 y Q6 ):
F = L si Q4 está en ON y Q5 ON, o Q6 en ON ⇒ F = L si A = H y B = H, o C = H
⇒ F = A · (B + C) ⇒ F = A · (B + C).
Resolver lo siguiente:
a) Dibujar las interconexiones necesarias con los elementos dados en la siguiente figura para construir
una puerta NAND CMOS básica de dos entradas.
b) Configurar la tabla de funcionamiento adjunta indicando el estado ON/OFF de cada transistor y el
nivel (L o H) de la salida.
c) Para transistores NMOS con VT = 1V y kn = 40mA/V2 , y PMOS con |VT | = 1V y kp =
10mA/V2 , determinar las tensiones de salida VOLmáx y VOHmı́n para VILmáx = 1V, VIHmı́n = 2.3V,
IOLmáx = 6mA, IOHmáx = −6mA, considerando VI = VIA = VIB .
VDD = 3.3 [V]
Q4 Q3
A
F
B
Q2 Q1
Solución
a) En la siguiente figura observamos las conexiones requeridas:
5 – 89
VDD = 3.3 [V]
Q4 Q3
A
F
B
Q2 Q1
b) Observando el circuito construimos la tabla de verdad:
A B Q1 Q2 Q3 Q4 F
L L OFF OFF ON ON H
L H OFF ON ON OFF H
H L ON OFF OFF ON H
H H ON ON OFF OFF L
c) Para VILmáx = 1V, Q1 y Q2 están en OFF y suponemos Q3 y Q4 en óhmica (Zona I):

VDD
S4 S3
rS4D4 rS3D3
G4 G3
D4 D3 |IOHmáx| = 6[mA]
F
1 1 1
r S3 D 3 = r S4 D 4 = = = kΩ,
k(VS3 G3 − VT ) 10(3.3 − 1 − 1) 13
1
rSD = rS3 D3 ||rS4 D4 = kΩ,
26
1
VOHmı́n = VDD − IOHmáx rSD = 3.3 − 6 · = 3.07V.
26
Comprobamos que Q3 y Q4 están en óhmica:
VS3 D3 = VS4 D4 = VDD − VOHmı́n = 3.3 − 3.07 = 0.23V < VS3 G3 − VT = 3.3 − 1 − 1 = 1.3V
⇒ Q3 y Q4 están en óhmica.
5 – 90
Para VIHmı́n = 2.3V, Q3 y Q4 están en OFF y suponemos Q1 y Q2 en óhmica (Zona V):
|IOLmáx| = 6[mA]
F
D2 D1
rD2S2 rD1S1
G2 G1 VOLmáx = ?
S2 S1
1 1 1
r D 1 S1 = = = kΩ,
k(VG1 S1 − VT ) 40(2.3 − 1) 52
6
VS2 = IOLmáx rD1 S1 = V
52
1 1
r D 2 S2 = = 6 = 0.0211kΩ,
k(VG2 S2 − VT ) 40(2.3 − 52 − 1)
rDS = rD1 S1 + rD2 S2 = 0.0403kΩ
VOLmáx = IOLmáx rDS = 6 · 0.0403 = 0.24V
Comprobamos que Q1 y Q2 están en óhmica:

6
V D 1 S1 = V S2 = = 0.115V < VG1 S1 − VT = 2.3 − 1 = 1.3V ⇒ Q1 está en óhmica;
52
6
V D 2 S2 = 6 · 0.0211kΩ = 0.127V < VG2 S2 − VT = 2.3 − − 1 = 1.18V ⇒ Q2 está en óhmica.
52
5 – 91
[Julio 2013] Para la puerta CMOS de la figura se pide:

a) Configurar la tabla de funcionamiento indicando el estado ON/OFF de cada transistor y el nivel (L o
H) de la salida F .
b) Determinar la función lógica realizada.
VDD
B Q5 Q6 C
A Q4
B Q3
Q1 A
C Q2
Solución
A B C Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 F
L L L OFF OFF OFF ON ON ON H
L L H OFF ON OFF ON ON OFF H
L H L OFF OFF ON ON OFF ON H
L H H OFF ON ON ON OFF OFF L
H L L ON OFF OFF OFF ON ON L
H L H ON ON OFF OFF ON OFF L
H H L ON OFF ON OFF OFF ON L
H H H ON ON ON OFF OFF OFF L
5 – 92
b) Analizamos la relación entre las entradas A, B y C, y la salida F . Para ello, prestamos atención a los
conjuntos de transistores.
Para los NMOS (Q1 , Q2 y Q3 ):
F = L si A = H, o (B = H y C = H) ⇒ F = A + (B · C) = A + (B · C).
Para los PMOS (Q4 , Q5 y Q6 ):
F = H si A = L, y (B = L o C = L) ⇒ F = A · (B + C) = A · (B · C) = A + (B · C).
Para un inversor CMOS alimentado a VDD = 3.5V, con transistores que presentan una constante de
transconductancia k = 10mA/V2 y una tensión umbral |VT | = 1V, se pide:
a) Determinar el valor de VILmáx para el que la salida toma el valor VOHmı́n = 3.4V con una
IOHmáx = −1mA.
b) Determinar el valor de VIHmı́n para el que la salida toma el valor VOLmáx = 0.1V con una
IOLmáx = 1V.
c) De acuerdo a los cálculos anteriores, obtener los márgenes de ruido.
VDD
S2
VS2G2=VDD-Vi
Q2 (PMOS)
G2
ID2
D2
Vi Vo
D1
Io
ID1
G1
Q1 (NMOS)
VG1S1=Vi S1
Solución
a) Tensión de entrada máxima en estado bajo VILmáx : suponemos Zona II, es decir Q1 en saturación y
Q2 en óhmica (ver siguiente figura). Por ley de nudos, ID2 +IOHmáx = ID1 . Y aplicando ley de Ohm,
1
considerando rD2 S2 = k(VS2 G2 −VT ) junto con VS2 G2 = VDD − Vi y VG1 S1 = Vi , obtenemos:
5 – 93
VDD − VOHmı́n
+ IOHmáx = k(Vi − VT )2
1/[k(VDD − Vi − VT )]
⇒ k(VDD − Vi − VT )(VDD − VOHmı́n ) + IOHmáx = k(Vi − VT )2
⇒ 10(3.5 − Vi − 1)(3.5 − 3.4) − 1 = 10(Vi − 1)2 ⇒ 10Vi2 − 19Vi + 8.5 = 0
⇒ Vi,1 = 1.18V, Vi,2 = 0.72V.
VDD = 3.5 [V]

S2
VS2G2=VDD-Vi
rS2D2 = 1/k(VS2G2-VT)
G2
ID2
D2
Vi = VILmáx Vo = VOHmín = 3.4[V]
D1
IOHmáx = -1 [mA]
G1
ID1 = k(VG1S1-VT)2
VG1S1=Vi
S1
Para que se cumpla VG1 S1 = Vi > VT , elegimos Vi = VILmáx = 1.18V.
ID1 = k(Vi − VT )2 = 10(1.18 − 1)2 = 0.324mA;

1 1
r S2 D 2 = = = 0.07576kΩ;
k(VDD − Vi − VT ) 10(3.5 − 1.18 − 1)
ID2 = ID1 − IOHmáx = 0.324 − (−1) = 1.324mA;
VS2 D2 = ID2 rS2 D2 = 1.324 · 0.0756 = 0.1V.
Comprobamos el estado de los transistores:
Q1 saturación: 3.4 > 1.18 − 1;

Q2 óhmica: 0.1 < 3.5 − 1.18 − 1.
b) Tensión de entrada mı́nima de estado alto VIHmı́n : suponemos Zona IV, es decir Q1 en óhmica y Q2
en saturación (ver siguiente figura).
5 – 94
VDD = 3.5 [V]

S2
VS2G2=VDD-Vi
ID2 = k(VS2G2-VT)2
G2
D2
Vi = VIHmín Vo = VOLmáx = 0.1[V]
D1
IOLmáx = 1 [mA]
ID1
G1
rD1S1 = 1/k(VG1S1-VT)
VG1S1=Vi
S1
1
Por ley de nudos, ID2 + IOLmáx = ID1 . Y aplicando ley de Ohm, considerando rS1 D1 = k(VG1 S1 −VT )
junto con VS2 G2 = VDD − Vi y VG1 S1 = Vi , obtenemos:
VOLmáx
k(VS2 G2 − VT )2 + IOLmáx =
1/[k(VG1 S1 − VT )]
⇒ k(VDD − Vi − VT )2 + IOLmáx = VOLmáx k(Vi − VT )
⇒ 10(3.5 − Vi − 1)2 + 1 = 0.1(Vi − 1)10 ⇒ 10Vi2 − 51Vi + 64.5 = 0
⇒ Vi,1 = 2.78V, Vi,2 = 2.32V.
Para que se cumpla VS2 G2 = VDD − Vi > VT , elegimos Vi = VIHmı́n = 2.32V. Entonces:
ID2 = k(VS2 G2 − VT )2 = 10(3.5 − 2.32 − 1)2 = 0.324mA;

1 1
r D 1 S1 = = = 0.07576kΩ;
k(Vi − VT ) 10(2.32 − 1)
ID1 = ID2 + IOLmáx = 0.324 + 1 = 1.324mA.
Comprobamos el estado de los transistores:
Q1 óhmica: 0.1 < 2.32 − 1;

Q2 saturación: 3.4 > 3.5 − 2.32 − 1.
c) Márgenes de ruido:

5 – 95
[Julio 2011] Sea la puerta inversora CMOS triestado dada en la figura, alimentada a VDD = 3.3V, donde
los transistores NMOS y PMOS tienen |VT | = 1V y k = 10mA/V2 .
a) Configurar la tabla de funcionamiento indicando el estado ON/OFF de cada transistor y el estado de
la salida.
b) Explicar el funcionamiento de la puerta, indicando para qué sirve la entrada E. Dibujar el sı́mbolo
que representa esta puerta. ¿Qué ventaja proporciona respecto a la puerta inversora CMOS básica?
Indicar algún ejemplo de uso.
c) Determinar las tensiones de entrada VILmáx y VIHmı́n para VOLmáx = 0.6V, VOHmı́n = 2.7V,
IOLmáx = 6mA, IOHmáx = −6mA, con VE = VDD y VE = 0V.
VDD
E
Q4
Q3
A F
Q2
E Q1
Solución
A E Q1 Q2 Q3 Q4 F
L L OFF OFF ON OFF Alta Z
L H ON OFF ON ON H
H L OFF ON OFF OFF Alta Z
H H ON ON OFF ON L
5 – 96
en donde “Alta Z” significa salida de alta impedancia o salida flotante.

b) La entrada E es la entrada de selección o de habilitación de la salida triestado. Cuando esta entrada
es puesta a nivel alto (E = H), Q1 y Q4 se ponen en conducción (ON) y la puerta opera como un
inversor estándar: F = A. Sin embargo, cuando la entrada de selección es puesta a nivel bajo (E =
L), Q1 y Q4 se ponen al corte (OFF), quedando la salida en estado de alta impedancia (Alta Z), pues
queda desconectada de VDD y de masa. El sı́mbolo que la representa es:
A F
E
La ventaja que proporciona es la posibilidad de poder interconectar dos o más salidas de este tipo, sin
más que asegurar que en cada momento sólo una de ellas está activa, y el resto en alta impedancia.
El ejemplo de uso más tı́pico es la escritura en el bus de datos de un computador.
c) Obtendremos VILmáx con la salida en VOHmı́n , IOHmáx .
Suponemos Q2 OFF, Q3 y Q4 en óhmica.
VDD
VS4G4 S4
VE = 0 rS4D4
G4
D4
VS3G3 S3
Vi rS3D3
G3
D3
F
VOHmín = 2.7[V]
|IOH| = 6 [mA]
Entonces:
VS4 G4 = VDD − VE = 3.3V,

1 1 1
rS4 D 4 = = = V,
k(VS4 G4 − VT ) 10(3.3 − 1) 23
1
VS3 G3 = VS3 − VG3 = VDD − |IOH | · rS4 D4 − Vi = 3.3 − 6 · − Vi = 3.04 − Vi V,
23
1 1
r S3 D 3 = = kΩ.
k(VS3 G3 − VT ) 10(2.04 − Vi )
En el circuito se ha de cumplir:
VDD − VOHmı́n = |IOH |(rS4 D4 + rS3 D3 )

1 1
⇒ 3.3 − 2.7 = 6 + ⇒ VILmáx = 0.27V.
23 10(2.04 − Vi )
Se pueden comprobar los estados supuestos de los transistores.
Por la simetrı́a de la puerta: VIHmı́n = VDD − VILmáx = 3.3 − 0.27 = 3.03V.
5 – 97
Una puerta inversora CMOS básica alimentada a VDD = 5V, constituida por transistores con |VT | = 2V,
kn = 5mA/V2 y kp = 4mA/V2 , está cargada con una capacidad CL = 50pF. Si a la entrada de
la puerta se aplica una señal vi (t) como la indicada en la figura, se pide determinar los retardos de
propagación tpHL , tpLH y tp . Para t = 0 suponga la capacidad CL cargada a 5V.
VDD = 5 [V]
S2
vG2S2=VDD-vi
vi(t) [V]
3.5 Q2 (PMOS)
G2
iD2
1.5 D2
t [ns] vi
vo
100 200
D1 iD1
G1 CL = 50 [pF]
Q1 (NMOS)
vG1S1=vi S1
Solución
En t = 0+ ,vo = vCL = 5V, vG1 S1 = vi = 3.5V > VT = 2V ⇒ Q1 ON

vS2 G2 = 5 − vi = 5 − 3.5 = 1.5V < VT = 2V ⇒ Q2 OFF (Zona I)
VDD = 5 [V]
S2
vS2G2=1.5 [V]
G2
D2 iD2 = 0 io = 0
vi = 3.5 [V]
vo
D1 iD1 = iD1
11.25 [mA]
G1 CL = 50 [pF]
vG1S1=3.5 [V]
S1
vD1 S1 = vo = 5V > vG1 S1 − VT = 3.5 − 2 = 1.5V ⇒ Q1 en saturación.

iD1 = kn (vG1 S1 − VT )2 = 5(3.5 − 2)2 = 11.25mA.
5 – 98
Para t > 0, el condensador CL se descarga a corriente constante de 11.25mA, por lo que:

t t
vo = vCL = voi − iD1 · = 5 − 11.25 · 10−3 · ⇒ vo = 5 − 2.25 · 108 · t.
CL 50 · 10−12
Para vo = 5/2 = 2.5V : vD1 S1 = vo = 2.5V > vG1 S1 − VT = 3.5 − 2 = 1.5V ⇒

Q1 sigue en saturación, y entonces 2.5 = 5 − 2.25 · 108 · tpHL ⇒ tpHL = 11.1ns.
Si tomamos de nuevo el origen de tiempo en t = 100ns, en t = 0+ :
vo = vCL = 0V, vG1 S1 = vi = 1.5V < VT = 2V ⇒ Q1 OFF

vS2 G2 = 5 − vi = 5 − 1.5 = 3.5V > VT = 2V ⇒ Q2 ON (Zona V)
VDD = 5 [V]
S2
vS2G2=3.5 [V]
iD2 = 9 [mA]
G2
D2 io = 0
vi = 1.5 [V]
Vo
iD2
D1
iD1 = 0
G1 CL = 50 [pF]
vG1S1=1.5 [V]
S1
vS2 D2 = VDD − vo = 5V > vS2 G2 − VT = 3.5 − 2 = 1.5V ⇒ Q2 en saturación.

iD2 = kp (vS2 G2 − VT )2 = 4(3.5 − 2)2 = 9mA.
Para t > 0, el condensador CL se carga a corriente constante de 9mA, por lo que:

t t
v o = v CL = i D 2 · = 9 · 10−3 · ⇒ vo = 1.8 · 108 · t.
CL 50 · 10−12
Para vo = 5/2 = 2.5V : vS2 D2 = 5V − vo = 2.5V > vS2 G2 − VT = 3.5 − 2 = 1.5V ⇒

Q2 sigue en saturación, y entonces 2.5 = 1.8 · 108 · tpLH ⇒ tpLH = 13.9ns.
Y el retardo de propagación medio es:
tpHL + tpLH 11.1 + 13.9
tp = = = 12.5ns
2 2
5 – 99
5 – 100
6. Amplificadores
Tema 6
Amplificadores
Para el amplificador de la figura realizado con un AO ideal, se pide:
R2 = 100[kW]
i2
R1 = 10[kW] +12[V]
-
vi iS
ii i- vo
i+ io
+
-12[V] RL = 1[kW]
a) Deducir la expresión de la ganancia de tensión del amplificador.

b) Calcular el valor de la ganancia de tensión y expresarla en dB.
c) Dibujar la caracterı́stica de transferencia vo = f (vi ), calculando los puntos importantes, la ecuación
de cada tramo y la situación del AO en cada zona.
d) Si a la entrada aplicamos una señal vi (t) = sen(2π100t) voltios, obtener la señal de salida
e) Dibujar las dos señales durante al menos dos ciclos indicando sus valores más significativos.
f) Determinar la intensidad de corriente a la salida del AO, en las condiciones del apartado anterior.
Solución
a) Aplicamos la ley de Ohm a R1 , a R2 , y consideramos que, como i+ = i− = 0 ⇒ i1 = i2 :
vi − 0 0 − vo vi −vo vo R2
i1 = = i2 = ⇒ = ⇒ Av = =− .
R1 R2 R1 R2 vi R1
6 – 101
6. Amplificadores
b) El valor numérico de la ganancia es
vo R2 100kΩ
Av = =− =− = −10, (6.1)
vi R1 10kΩ
Av,dB = 20 log10 |Av | = 20 log10 | − 10| = 20dB. (6.2)
c) Valores lı́mite de vi que producen la saturación del AO:

vOH 12V
vi1 = = = −1.2V,
Av −10
vOL −12V
vi2 = = = 1.2V.
Av −10
vi V Z ONA DE FUNCIONAMIENTO vo V
vi < −1.2 Saturación +12
−1.2 ≤ vi ≤ +1.2 Lineal, ganancia infinita −10vi
vi > +1.2 Saturación −12
Con la ayuda de la anterior tabla obtenemos la correspondiente gráfica:

vo[V]
Sat.
vOH = 12
1.2 vi [V]
-1.2
Sat.
vOL = -12
d) De acuerdo a la ecuación (6.1), tenemos:
vo = −10vi = −10 sen(2π100t)V. (6.3)
Pero como el rango dinámico del voltaje de salida AO es limitado (i.e. −VCC ≤ vo ≤ +VCC ),
debemos comprobar que con esta función la salida no satura (es decir, no sale de esos lı́mites).
Veamos:
Puesto que vo máx = +10V < vOH = +12V ⇒ no satura a +12V.
Puesto que vo mı́n = −10V > vOL = −12V ⇒ no satura a −12V.
6 – 102
6. Amplificadores
Esto nos permite dibujar las señales de entrada y de salida:
vi(t), vo(t) [V]

10
vo(t)
vi(t)
1 t[ms]
-1 10 20
-10
e) De lo anterior, y observando figura del enunciado, obtenemos:
vi sen(2π100t)V
ii = = = 0.1 sen(200πt)mA,
R1 10kΩ
vo −10 sen(2π100t)V
io = = = −10 sen(200πt)mA,
RL 1kΩ
is = ii − io = 10.1 sen(200πt)mA.
6 – 103
6. Amplificadores
Se conecta la salida de un amplificador no inversor a la entrada V1 de un amplificador diferencial, según

la figura siguiente:
r2
R2
r1 +VCC
v2 -
R1 +VCC
- Vo
v1 r1
+
Vi
+ -VCC
-VCC r2
Considerando los siguientes valores en el circuito:

◦ Amplificador no inversor: todas las resistencias son de 4kΩ; tensión de entrada 1V;
◦ Amplificador diferencial: r1 = 2kΩ, r2 = 4kΩ y V2 = 2V.
a) Calcular, razonando, el valor de la tensión de salida Vo .
b) Se sustituye el amplificador no inversor por un amplificador inversor. Con los mismos valores de
resistencias y tensiones dados anteriormente, calcular el valor de la tensión de salida Vo .
Solución
a) A la salida del amplificador no inversor (compuesto por el AO de la izquierda, R1 y R2 ) tendremos:

R2
V1 = V i +1 , (6.4)
R1
mientras que a la salida del amplificador diferencial (compuesto por el AO de la derecha, y las
resistencias de valores r1 y r2 ) la tensión Vo será
r2
Vo = (V1 − V2 ) . (6.5)
r1
Reemplazando la ecuación (6.4) en la (6.5) obtenemos la tensión de salida en función de todas las
resistencias, de Vi y de V2 :
r2 R2
Vo = Vi + 1 − V2 . (6.6)
r1 R1
Utilizando en esta última ecuación los datos indicados en el enunciado, obtenemos el valor de Vo :

4kΩ 4kΩ
Vo = 1V + 1 − 2V ⇒ Vo = 0V. (6.7)
2kΩ 4kΩ
6 – 104
6. Amplificadores
b) Para convertir la configuración de la izquierda en un amplificador inversor sólo tenemos que conectar
la masa al terminal + y la tensión Vi a la izquierda de R1 :
r2
R2
r1 +VCC
V2 -
R1 +VCC
Vi
- Vo
V1 r1
+
+ -VCC
-VCC r2
Como el amplificador diferencial no ha cambiado, su expresión sigue siendo la (6.5), mientras que V1
es ahora:
R2
V1 = − Vi , (6.8)
R1
la cual, reemplazada en la expresión antedicha nos da:

r2 R2
Vo = − Vi − V2 . (6.9)
r1 R1
El valor de la tensión de salida es ahora:

4kΩ 4kΩ
Vo = − 1V − 2V ⇒ Vo = −6V. (6.10)
2kΩ 4kΩ
6 – 105
6. Amplificadores
Dado el siguiente esquema:

R
R
R +VCC
Vi -
R +VCC
- Vo
V1 R
+
R
Vi
+ -VCC
R -VCC R
2Vi
Calcular, razonando, la expresión de la tensión de salida Vo en función de Vi .
Solución
La configuración corresponde a un amplificador no inversor con dos entradas Vi y 2Vi y todas sus
resistencias del mismo valor R, cuya salida se conecta a la entrada V1 de un restador cuyas resistencias
también tienen el mismo valor R.
La tensión V+ que se aplica a la entrada del amplificador no inversor se obtiene aplicando la ley de
Ohm para hallar las corrientes que circulan por las resistencias conectadas al terminal + del AO de la
izquierda, teniendo en cuenta que ambas son iguales (porque I+ = 0):
2Vi − V+ V + − Vi 3Vi
= ⇒ V+ = .
R R 2
A la salida del no inversor (amplificador de la izquierda) tendremos entonces

3Vi R
V1 = 1+ = 3Vi .
2 R
La tensión en el restador (circuito de la derecha) será finalmente

R
Vo = (V1 − Vi ) = 3Vi − Vi ⇒ Vo = 2Vi ,
R
que es la solución requerida.
6 – 106
6. Amplificadores
En el siguiente circuito de dos amplificadores operacionales
100[kW]
60[kW]
25[kW] +5[V]
+5[V]
-
15[kW]
vi
- vo
+
+ -5[V]
-5[V]
a) Calcular la ganancia de tensión total vo /vi .

b) ¿Es posible simplificar el circuito anterior utilizando un solo amplificador operacional y dos
resistencias? Si es ası́, dibuje el circuito simplificado con una posible combinación de resistencias
involucradas. En caso contrario, explique por qué no es posible dicha simplificación.
c) Dada la tensión de entrada vi (t) = 0.5cos(2πt + 45 ◦ )V, determinar la expresión de vo (t) y
representar al menos dos ciclos de vi y vo sobre los mismos ejes.
Solución
a) M ÉTODO I:
La configuración con el AO de la izquierda conforma un amplificador inversor, por tanto:
R2izq 60kΩ
Avizq = − =− ⇒ Avizq = −4.
R1izq 15kΩ
La configuración con el AO de la derecha conforma un amplificador no inversor, por tanto:
R2der 100kΩ
Avder = 1 + =1+ ⇒ Avder = 5.
R1der 25kΩ
Como ambos AOs están en serie, la ganancia total es la multiplicación de ambas:
Av = Avizq Avder = (−4) · 5 ⇒ Av = −20.
M ÉTODO II:
Analizando el circuito considerando que ambos AOs tienen realimentación negativa, y que, por lo
tanto, existe cortocircuito virtual en ambas entradas, y que, además, la corriente de entrada en ambos
casos es nula –los AOs poseen resistencia de entrada infinita–:
6 – 107
6. Amplificadores
60[kW] I2
I 1 25[kW] +5[V]
I2
+5[V]
-
I1 15[kW]
Cortocircuito
vi
- vo
virtual
Cortocircuito Vo +
virtual
+ -5[V]
-5[V]
(Vi − 0)V (0 − Vo′ )V

I1 = I2 ⇒ = ⇒ Vo′ = −4Vi ,
15kΩ 60kΩ
(0 − Vo′ )V (V ′ − Vo )V
I1′ = I2′ ⇒ = o ⇒ Vo = 5Vo′ .
25kΩ 100kΩ
Al combinar ambas ecuaciones obtenemos
Vo
Vo = 5Vo′ = 5(−4Vi ) = −20Vi ⇒ AV = = −20.
Vi
b) Es posible reemplazar el circuito por una configuración de amplificador inversor con una ganancia
AV = −R2 /R1 = −20 ⇒ R2 = 20R1 , donde R1 se elige de tal manera que se obtiene
una resistencia de entrada idéntica a la del circuito inicial, es decir R1 = 15kΩ. Por lo tanto
R2 = 20R1 = 300kΩ. El circuito equivalente es, entonces:
300[kW]
15[kW] +5[V]
-
vi
vo
+
-5[V]
c) Recordando que la salida del AO está limitada por ±VCC = ±5V, tenemos:



 +5V si − 20vi > 5V

vo (t) = −20vi = −10 sen(2πt + 45 ◦ )V si − 5V ≤ −20vi ≤ 5V (6.11)



−5V si − 20vi < −5V

cuya gráfica es la siguiente:
6 – 108
6. Amplificadores
vo(t)
5,0 [V] CURVA DE SALIDA:
Respecto de vi:
a) Invertida
b) Amplificada
c) Recortada
vi(t)
0,5 [V]
-0,5 [V]
wt[rad]
-5,0 [V]
6 – 109
6. Amplificadores
En el siguiente circuito de dos amplificadores operacionales (AOs):
120[kW] 100[kW]
120[kW]
25[kW] +5[V]
+5[V]
-
10[kW]
vi
- vo
+
+ -5[V]
-5[V]
a) Determinar el valor de la ganancia de tensión total vo /vi . Expresar el resultado en dB.

b) Representar la caracterı́stica de transferencia vo = f (vi ), obteniendo e indicando los puntos más
significativos de la misma.
Solución
a) Utilizaremos la notación indicada en el siguiente esquema:
i2 120[kW] 100[kW]
120[kW]
i3
25[kW] +5[V]
i1
+5[V]
-
ii 10[kW]
- i3 vo
vi
+
v1
+ -5[V]
-5[V]
Como ii = i1 + i2 ,
vi vo v1
=− − ⇒ v1 = −12vi − vo
10 120 120
v1 vo − v1 vo
= ⇒ v1 =
25 100 5
Combinando ambas ecuaciones obtenemos

vo
= −12vi − vo ⇒ vo = −10vi .
5
6 – 110
6. Amplificadores
Por lo tanto,
vo
Av = = −10, y Av, dB = 20 log10 |Av | = 20dB.
vi
b) Los valores lı́mite de vi que producen la saturación del AO son:
vOH +5V
vi1 = = = −0.5V,
Av −10
vOL −5V
vi2 = = = +0.5V.
Av −10
La correspondiente gráfica es entonces:
vo[V]
Sat.
5
0.5 vi [V]
-0.5
Sat.
-5
6 – 111
6. Amplificadores
Entre las salidas vo1 y vo2 de los siguientes circuitos se conecta una resistencia RL = 1kΩ. Si a la entrada
del C IRCUITO 1 se conecta una tensión vi1 (t) = 0.5 sen(2π50t), determinar la expresión de vi2 (t) para
que por RL circule una iL (t) = 2mA constante con sentido de vo2 hacia vo1 .
+5[V] +5[V]
+ +
- vo1 - vo2
vi1 -5[V] vi2 -5[V]
15[kW] 60[kW] 25[kW] 50[kW]

CIRCUITO 1 CIRCUITO 2
Solución
El circuito requerido es el siguiente:
15[kW] 60[kW] 50[kW] 25[kW]
vi1 -5[V] -5[V] vi2

- -
RL = 1[kW]
vo1 vo2
+
iL = 2[mA] +
+5[V] +5[V]
Observando dicho circuito, podemos deducir lo siguiente:
60kΩ
vo1 = − vi1 = −2 sen(2π50t),
15kΩ
50kΩ
vo2 = − vi2 = −2vi2 ,
25kΩ
vo2 − vo1 = iL RL = 2mA1kΩ = 2V ⇒ vo2 = −2vi2 = vo1 + 2V = −2 sen(100πt) + 2V
vo2
⇒vi2 = − = sen(100πt) − 1V.
2
6 – 112
6. Amplificadores
El circuito de la figura es un integrador inversor con AO ideal, con R = 5kΩ y C = 1µF. Se pide dibujar
la tensión de salida si a la entrada se aplica una señal como la de la figura. Suponer C inicialmente (t = 0)
descargado.
C = 1[mF]
vi(t) [V]
5
vi R = 5[kW]
- +15[V]
vo t [ms]
+ 2 4 6 8
-15[V]
-5
Solución
Para el amplificador integrador inversor se tiene:
tf
1
Z
vo (t) = voi − vi (t)dt.
RC ti
Para el caso particular de que apliquemos a la entrada un escalón de tensión de amplitud V , si en ti = 0

el condensador está totalmente descargado (voi = 0) tendremos, resolviendo la integral:
V
vo (t) = − t,
RC
que representa una rampa de tensión de pendiente negativa (recta de pendiente −V /RC).
Para este circuito se tiene RC = 5kΩ1µF = 5ms.
Para vi (t) = constante = 5V, se obtiene (t en ms):
V 5V
vo (t) = − t=− t = −t,
RC 5ms
es decir una rampa de pendiente negativa −1[V/ms].

Para vi (t) = −5V, se obtiene:
V −5V
vo (t) = − t=− t = t,
RC 5ms
es decir una rampa de pendiente positiva 1[V]/[ms].
6 – 113
6. Amplificadores
tf
1
Z
Mediante vof = voi − vi (t)dt podemos determinar el valor de vo (t) al final de cada tramo:
RC ti
1
1
Z
vo (t = 1ms) = 0 − 5dt = −1V,
5 0
1 3
Z
vo (t = 3ms) = −1 − −5dt = 1V,
5 1
1 5
Z
vo (t = 5ms) = 1 − 5dt = −1V,
5 3
1 7
Z
vo (t = 7ms) = −1 − −5dt = 1V,
5 5
1 9
Z
vo (t = 9ms) = 1 − 5dt = −1V.
5 7
Con esos datos podemos dibujar la señal de salida:
vi(t),vo(t) [V]
vi(t)
5
1 vo(t) t [ms]
-1 2 4 6 8
-5
6 – 114
6. Amplificadores
Para los circuitos de la figura realizados con AO ideal, se pide:
+5[V] +5[V]
+ -
VR = 0 [V] VR = 0 [V]
- vo1 + vo2
vi1 -5[V] vi2 -5[V]
15[kW] 60[kW] 15[kW] 60[kW]

CIRCUITO 1 CIRCUITO 2
a) Obtener y dibujar la caracterı́stica de transferencia vo = f (vi ) de cada circuito, calculando los puntos
importantes, la ecuación de cada tramo y la situación del AO en cada zona. Indicar también la función
que realiza cada circuito.
b) Si a la entrada del C IRCUITO 1 aplicamos una señal vi1 = 0.5 sen(2π1000t) voltios, y unimos su
salida vo1 con la entrada vi2 del C IRCUITO 2, obtener la expresión de la señal de salida vo2 . Para este
caso dibujar las tres señales vi1 , vo1 = vi2 y vo2 durante al menos dos ciclos completos, indicando
sus valores más significativos.
Solución
a) El C IRCUITO 1 corresponde a un amplificador inversor, por lo tanto:

60kΩ
vo1 = − vi1 ⇒ vo1 = −4vi1 .
15kΩ
Teniendo en cuenta el rango dinámico de la tensión de salida (es decir, que −VCC ≤ vo1 ≤ VCC ),
obtenemos su expresión general:



 +5V si vi1 < −1.25V AO Saturado,

vo1 = −4vi1 V si − 1.25V ≤ vi1 ≤ 1.25V AO en Zona Lineal



−5V si vi1 > 1.25V AO Saturado.

que conduce a la siguiente gráfica:

vo1[V]
Sat.
5
1.25 vi1 [V]

-1.25
Sat.
-5
6 – 115
6. Amplificadores
El C IRCUITO 2 corresponde a un comparador con histéresis. En este caso el AO está siempre saturado.
Los umbrales de conmutación para v+ = v− = VR = 0:
5 − vi2
Cuando vi2 → ∞ ⇒ v+ > v− ⇒ vo2 = 5V, v+ = 15 + vi2 = 0.8vi2 + 1,
15 + 60
0.8VA + 1 = 0 ⇒ VA = −1.25V;
−5 − vi2
Cuando vi2 ⇒ −∞ ⇒ v+ < v− ⇒ vo2 = −5V, v+ = 15 + vi2 = 0.8vi2 − 1,
15 + 60
0.8VB − 1 = 0 ⇒ VB = +1.25V.
Por lo tanto: 


 −5V si vi2 < −1.25V,

vo2 = No cambia si − 1.25V ≤ vi2 ≤ 1.25V



+5V si vi2 > +1.25V,

cuya gráfica es la siguiente:

vo2 [V]
5
-1.25 1.25 vi2 [V]
-5
b) Obtenemos primeramente el periodo de la señal vi1 (t) : 0.5 sen(2π1000t) = vi1m sen(ωt):
2π 2π
T = = = 1ms.
ω 2π1000
Para la tensión de salida tendremos:
vo1 = vi2 = −4vi1 = −2 sen(2π1000t).
Teniendo en cuenta la saturación del AO, la tensión de salida final será:

−1.25V

 −5V si vi1 > = +0.3125V,
−4




vo2 (t) = No cambia si − 0.3125V ≤ vi1 ≤ +0.3125V.



 +5V 1.25V
si vi1 < = −0.3125V,

−4
Los instantes de conmutación de vo2 (t) son:
0.5 sen(2π1000t1 ) = 0.3125 ⇒ t1 = 0.107ms,

T
t2 = t 1 + = 0.607ms,
2
T
t3 = t2 + = 1.107ms,
2
T
t4 = t3 + = 1.607ms.
2
6 – 116
6. Amplificadores
Las correspondientes curvas se observan en la siguiente figura:

vi(t), vo(t) [V]
vo2(t)
5
vi2(t)
1.25
vi1(t)
0.3125 t[ms]
-0.3125 t1 t2 1 t3 t4 2
-1.25
-5
117

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TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA

GRADO EN INGENIERÍA INFORMÁTICA

Determina la resistencia equivalente Req de la red de la figura si R = 1Ω.

Para el análisis de esta red aplicamos las reglas de Kirchhoff.

Número de ecuaciones de malla linealmente independientes: r − (n − 1) = 6 − 3 = 3, donde r es el

Sustituyendo en estas últimas ecuaciones las expresiones de I1 , I4 e I5 y el valor R = 1, tenemos:

y aplicando la Regla de Cramer:

E JERCICIO R ESUELTO 1.2

[Examen Julio 2012]

R1=1[W] R2=2[W] RL=10[W]

R1=1[W] R2=2[W] RL=10[W]

a) Para obtener el equivalente de Thévenin a la izquierda de los puntos A y B, eliminamos la resistencia

aplicando la ley de Ohm a R2 , obtendremos VTh = I1 R2 = 1A · 2Ω = 2V.

b) Para hallar el equivalente Norton a la izquierda de A y B procedemos de modo análogo: quitamos

Ahora podemos obtener la potencia disipada en la carga RL como:

VRL = VRN kRL .

E JERCICIO R ESUELTO 1.3

[Examen Enero 2014]

d) Corriente entregada por el generador y circuito:

I = 2Imax = 2 · 4.58A ⇒ I = 9.16A .

e) Ecuación de malla en el circuito del apartado d):

Vg = 2Imax · Rg + Imax · Ri = 2 · 4.58A · 0.4Ω + 4.58A · 2.62Ω ⇒ Vg = 15.66V .

f) Circuito formado por el generador ideal de tensión de 9V y las dos resistencias:

E JERCICIO R ESUELTO 1.4

En el circuito de la figura, determina:

a) Obtención de la tensión Thévenin VTh : es la tensión Vab .

Ecuación de malla externa:

−Vg + IR3 + (I + 1)R2 = 0,

RTh = RN = 3.75Ω (SÍ),

d) Para los siguientes cálculos utilizaremos el circuito inicial.

IV R3=5[W] I+1= 1.25 [A]

Potencia entregada por Ig :

VI g = (I + 1)R2 = 1.25A · 15Ω = 18.75V,

Potencia entregada por los generadores:

PG = PVg + PIg ⇒ PG = 63.75W .

Potencia disipada por R1 :

Potencia disipada por R2 :

P2 = (I + 1)2 R2 = (1.25A)2 · 15Ω = 23.4375W.

Potencia disipada por R3 :

Potencia disipada por las resistencias:

Se comprueba que la potencia entregada total PG es igual a la potencia total disipada PR .

E JERCICIO R ESUELTO 1.5

En el circuito de la figura, calcula:

a) Considerando en primer lugar Ig activo, y E1 y E2 desactivados (cortocircuitos):

PR = I12 R1 + I22 R2 = (1A)2 1Ω + (0A)2 2Ω ⇒ PR = 1W ,

E JERCICIO R ESUELTO 1.6

En el circuito de la figura calcula:

PR10 = (5A)2 10Ω = 250W,

Potencia consumida total:

PR = PR10 + PR12 + PR30 ⇒ PR = 1300W .

Potencias entregadas por los generadores:

PI 5 = VI5 I5 = (5A · 10Ω + 35V + 5A · 12Ω − 10V + 5A · 30Ω) · 5A = 1425W

Potencia entregada total:

PG = PI5 + PV35 + PV10 = 1425W − 175W + 50W =⇒ PG = 1300W .

Vemos que se cumple el principio de conservación de la potencia:

Potencia consumida total = Potencia generada total

Carga y descarga del condensador

E JERCICIO R ESUELTO 2.1

E JERCICIO R ESUELTO 2.2

En el circuito de la figura determina:

a) Aplicamos leyes de Kirchhoff (mallas y nudos), ver siguiente figura.

PE1 = E1 I1 = 1V1A ⇒ PE1 = 1W ,

Potencias entregadas por las fuentes de corriente: