Diodo laser

Materiales que los componen:

Láseres de diodo - ya que se componen de uniones p-n como un diodo.
Láseres de inyección - ya que los electrones son inyectados en la unión por el voltaje
aplicado.
La utilización tanto en I+D como comercial de los láseres de diodo ha cambiado
dramáticamente en los últimos 20 años. Hoy en día el número de láseres de diodo
vendidos en unos años se mide en millones, mientras que todos los demás tipos de
láser juntos se miden en millares.
Semiconductores
-En general, los sólidos pueden dividirse en tres grupos:
Aislantes - Materiales que no son conductores de la electricidad como cuarzo,
diamante, goma o plástico.
Conductores- Materiales que son conductores de la electricidad como oro, plata,
cobre.
Semiconductores- Materiales con una conductividad eléctrica intermedia entre
materiales conductores y no conductores.
-Ejemplos: Ge, Si, GaAs, InP, GaAlAs.

Estructura
La ilustración muestra las características estructurales comunes a todos los diodos
láser de onda continua (OC). La base del diodo es un subestrato formado por GaAs
o InP, tipo N, con alta impurificación. Sobre la parte superior del subestrato, y a
manera de descubrimiento, se desarrolla una capa plana más ligera del mismo
material, Tipo N y con impurificación. Sobre la capa de recubrimiento tipo N se
desarrolla una capa activa de semiconductor (AlGaAs o InGaAsP) sin
impurificaciones. Después, sobre la capa activa de tipo P, con alto grado de
impurificación.
Principios de operación
Cuando un diodo convencional o LED se polariza en directa, los huecos de la zona
p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos
desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los
electrones y huecos están en la misma región, pueden recombinarse cayendo el
electrón al hueco y emitiendo un fotón con la energía correspondiente a la banda
prohibida.
Esta emisión espontánea se produce normalmente en los diodos semiconductores,
pero sólo es visible en algunos de ellos (como los LEDs), que tienen una disposición
constructiva especial con el propósito de evitar que la radiación sea reabsorbida por
el material circundante, y habitualmente una energía de la banda prohibida
coincidente con la correspondiente al espectro visible; en otros diodos, la energía
se libera principalmente en forma de calor, radiación infrarroja o radiación
ultravioleta.
En condiciones apropiadas, el electrón y el hueco pueden coexistir un breve tiempo,
del orden de nanosegundos, antes de recombinarse, de forma que si un fotón con
la energía apropiada pasa por casualidad por allí durante ese periodo, se producirá
la emisión estimulada, es decir, al producirse la recombinación el fotón emitido
tendrá igual frecuencia, polarización y fase que el primer fotón.
En los diodos láser, para favorecer la emisión estimulada y generación de luz láser,
el cristal semiconductor del diodo puede tener la forma de una lámina delgada con
un lado totalmente reflectante y otro sólo reflectante de forma parcial (aunque muy
reflectante también), lográndose así una unión PN de grandes dimensiones con las
caras exteriores perfectamente paralelas y reflectantes. Es importante aclarar que
las dimensiones de la unión PN guardan una estrecha relación con la longitud de
onda a emitir.
Este conjunto forma una guía de onda similar a un resonador de tipo Fabry-Perot.
En ella, los fotones emitidos en la dirección adecuada se reflejarán repetidamente
en dichas caras reflectantes (en una totalmente y en la otra sólo parcialmente), lo
que ayuda a su vez a la emisión de más fotones estimulados dentro del material
semiconductor y consiguientemente a que se amplifique la luz (mientras dure el
bombeo derivado de la circulación de corriente por el diodo).
Parte de estos fotones saldrán del diodo láser a través de la cara parcialmente
transparente (la que es sólo reflectante de forma parcial). Este proceso da lugar a
que el diodo emita luz, que al ser coherente en su mayor parte (debido a la emisión
estimulada), posee una gran pureza espectral. Por tanto, como la luz emitida por
este tipo de diodos es de tipo láser, a estos diodos se los conoce por el mismo
nombre.
Curva característica
Parámetros importantes
Diodo electroluminiscente (LED) cuya estructura contiene una cavidad óptica y que
está concebido de modo que permita la emisión estimulada, y por tanto la radiación
de una onda luminosa quasi-monocromática y coherente (laser).
Ventajas:
Son muy eficientes.
Son muy fiables.
Tienen tiempos medios de vida muy largos.
Son económicos.
Permiten la modulación directa de la radiación emitida, pudiéndose modular a
décimas de Gigahercio.
Su volumen y peso son pequeños.
El umbral de corriente que necesitan para funcionar es relativamente bajo.
Su consumo de energía es reducido (comparado con otras fuentes de luz)
El ancho de banda de su espectro de emisión es angosto (puede llegar a ser de
sólo algunos kHz)
Desventajas:
• Una baja potencia a consecuencia de las bandas de energía ocupadas por los
electrones.
• Una alta sensibilidad a los cambios de temperatura.
• Alto calentamiento al pasar corriente sobre el material diodo.
• Poca colimación en el haz obtenido.
Aplicaciones

 Comunicaciones de datos por fibra óptica.

 Lectores de CD, DVD, Blu-rays, HD DVD, entre otros.
 Interconexiones ópticas entre circuitos integrados.
 Impresoras láser.
 Escáneres o digitalizadores.
 Sensores.
 Tratamiento con láser odontológico.
 Depilación corporal.
 Pantalla láser
 Odontología
 Diodo Schottky

Fabricación y materiales
El diodo Schottky difiere de los diodos ordinarios en su diseño, en el que se utiliza un
semiconductor de metal, y no una unión p-n. Está claro que las propiedades aquí son
diferentes, lo que significa que las características también deberían diferir.
De hecho, un semiconductor de metal posee tales parámetros:
Tiene una gran corriente de fuga;
Baja caída de voltaje en la transición con conexión directa;
Restaura la carga muy rápidamente, porque tiene un valor bajo.
El diodo Schottky está hecho de materiales tales como arseniuro de galio, silicio; con
mucha menos frecuencia, pero también se puede usar germanio. La elección del material
depende de las propiedades que se obtengan, pero en cualquier caso, la tensión inversa
máxima a la que se pueden hacer estos semiconductores no es superior a 1200 voltios:
estos son los rectificadores de mayor voltaje. En la práctica, se usan mucho más a
voltajes más bajos: 3, 5, 10 voltios.

Estructura
Figura 1. Encapsulado comercial de un diodo Schottky

En una deposición de aluminio Al (3 electrones en la capa de valencia), los electrones del

semiconductor tipo N migran hacía el metal, creando una región de transición en la
ensambladura.
Figura 2. Construcción y símbolo de un diodo Schottky.
Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos
materiales) están en tránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de los diodos
bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendo necesaria rehacer la
barrera de potencial (típicamente de 0,3V).
Principio de operación
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la polarización
cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de
conmutación puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo.
El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor (barrera de
Schottky), en lugar de la unión convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada
por los diodos normales.
Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario".
Esto significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con impurezas tipo N,
solamente los portadores tipo N (electrones móviles) desempeñarán un papel significativo
en la operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria y lenta de
portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la
operación del dispositivo será mucho más rápida.
Curva característica

Parámetros importantes
Diodo Schottky son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy
pequeña, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en
fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el
nombre de diodos de recuperación rápida (Fast recovery) o de portadores calientes.
Desventajas
Las dos principales desventajas del diodo Schottky son:
El diodo Schottky tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo (en sentido
de la flecha).
Esta característica no permite que sea utilizado como diodo rectificador. Hay procesos de
rectificación (por ejemplo fuentes de alimentación) en que la cantidad de corriente que
tiene que conducir en sentido directo es bastante grande.
El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR).
El proceso de rectificación antes mencionado también requiere que la tensión inversa que
tiene que soportar el diodo sea grande.
Aplicaciones

 En fuentes de baja tensión en la cuales las caídas en los rectificadores son

significativas.
 Circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes
velocidades de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo
permite poco gasto de energía.
 Variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al
variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades.
 Diodo Pin

Principio de operación

Un diodo PIN opera bajo lo que se conoce como la inyección de alto nivel. En otras
palabras, la región intrínseca "i" se inunda con los portadores de carga de las
regiones de "n", "p" y. Su función se puede comparar a llenar un cubo de agua con
un agujero en el lado. Una vez que el agua alcanza el nivel del agujero en el que
comenzará a derramar. Del mismo modo, el diodo conducir la corriente una vez que
los electrones y los huecos inundados llegan a un punto de equilibrio, donde el
número de electrones es igual al número de agujeros en la región intrínseca.
Cuando el diodo está polarizado hacia adelante, la concentración de portadores
inyectada es típicamente varios órdenes de magnitud más alta que la concentración
de portadores nivel intrínseco. Debido a esta inyección de alto nivel, que a su vez
se debe al proceso de agotamiento, el campo eléctrico se extiende profundamente
en la región. Este campo eléctrico ayuda en la aceleración del transporte de
portadores de carga desde la P a la región N, que se traduce en un funcionamiento
más rápido del diodo, por lo que es un dispositivo adecuado para operaciones de
alta frecuencia.
Curva Caracteristica
Parámetros Importantes
Un diodo PIN obedece a la ecuación del diodo estándar para señales de baja frecuencia. A
frecuencias más altas, el diodo se parece a una resistencia casi perfecta. Hay una gran
cantidad de carga almacenada en la región intrínseca. A bajas frecuencias, la carga se
puede quitar y el diodo se apaga. A frecuencias más altas, no hay tiempo suficiente para
retirar la acusación, por lo que el diodo no se apaga nunca. El diodo PIN tiene un mal tiempo
de recuperación inverso.
La resistencia de alta frecuencia es inversamente proporcional a la corriente continua de
polarización a través del diodo. Un diodo PIN, adecuadamente sesgada, por lo tanto, actúa
como una resistencia variable. Esta resistencia de alta frecuencia puede variar en un amplio
intervalo.
La región intrínseca amplia también significa que el diodo tendrá una capacitancia baja
polarizado inversamente.
En un diodo PIN, la región de agotamiento existe casi por completo dentro de la región
intrínseca. Esta región de agotamiento es mucho más grande que en un diodo PN, y casi
constante de tamaño, independiente de la polarización inversa aplicada al diodo. Esto
aumenta el volumen en el que los pares electrón-hueco pueden ser generados por un fotón
incidente. Algunos dispositivos fotodetectores, tales como fotodiodos PIN y fototransistores,
utilizan una unión pin en su construcción.
El diseño de diodo tiene algunas ventajas y desventajas de diseño. El aumento de las
dimensiones de la región intrínseca permite que el diodo se vea como una resistencia a
frecuencias más bajas. Se afecta negativamente el tiempo necesario para apagar el diodo
y su capacitancia en derivación. Diodos PIN se adaptarán para un uso particular.
Aplicaciones
Los diodos PIN son utilizados como:
 conmutador de RF
 resistencia variable
 protector de sobretensiones
 fotodetector
 atenuadores