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Comunicaciones ópticas Noviembre 2005 Comunicaciones ópticas Noviembre 2005
Estructuras Láser
Reducir Ith
Eliminar modos laterales
EMISIÓN DE BORDE Po grande y estable EMISIÓN DE SUPERFICIE
Mayor enfoque posible
Monofrecuencia
Cavidad Vertical
Transmisores en Doble Heterounión Cavidad Horizontal
Comunicaciones Ópticas AREA-ANCHA Cavidad

acoplada
Red de Difracción
Geometría de Tira Cavidad Selectiva

en frecuencia
Red de
Difracción Mono-
(Cavidad Fabry-Perot) frecuencia
GUIADO
POR
Paloma Rodríguez Horche GANANCIA Guiado por Índice
POZO CUÁNTICO
Dpto. de Tecnología Fotónica (Quantum-Well)
E.T.S.I. Telecomunicación DÉBIL
Guiado Fuerte
Universidad Politécnica de Madrid (Estructuras Enterradas) SIMPLE MÚLTIPLE
PRH PRH
1 2
Estructuras Láser: Guiado Lateral Láseres de Pozo Cuantico (I)

Ec Ec
metal metal metal
active contac
contac contac 20%
oxide AlGaAs AlGaAs
oxide p GaAs GaAs
p-cladding p-cladding blocking 25% 25% AlGaAs AlGaAs
active a n n layer
n-cladding n-cladding p n p confinement 60% 60%
layer 20%
substrate substrate substrate
Ev Ev
Guiado por ganancia: Guiado débil por índice: Guiado fuerte por índice 3D 2D
Fabricación sencilla Fabricación más compleja (estructuras enterradas, HB) Láser de Volumen (bulk) Láser de pozo cuántico (QW)
Haz inestable Control de modos laterales Fabricación muy compleja Zona activa: 0,2-0,5 µm Zona activa: 5-10 nm
Menor volumen bombeado Confinamiento óptico y de
portadores
Mínimo volumen bombeado
PRH PRH
3 4
Láseres De Pozo Cuántico (II) Láseres Monofrecuencia (Single Frequency) (I)
Zona activa: 5-20 nm

Confinamiento de e- y h+ en sub-bandas de energía
Ventajas:
n-cladding p-cladding
EC Confinamiento Confinamiento 9 Menor volumen + efectos 2D ⇒
QW
menor corriente umbral
||ψei
2
9 Más grados de libertad (long. onda)

Eei 9 Más velocidad
∆Eei-hj
Ehj
• Desde 2000 (casi) todos los LD son de
EV LÁSER FABRY-PEROT (LD-FP) LÁSER MONOMODO
||ψhj
2
QW
SMSR = 3 - 20 dB SMSR = 30 - 40 dB
y • Futuro:
→ Punto cuántico (QD)?
Side Mode Supression Ratio (SMSR) = 10 log (P0/Ps)
→ Cascada cuántica (QC)?
PRH PRH
5 6
Láseres Monofrecuencia (II) Láseres Sintonizables
+ +
grating
p-type p-type
Láser de cavidad externa
n-type Región DBR n-type DBR

activa
- -
DFB: Distributed Feedback Laser DBR: Distributed Bragg Reflector
→ Seleccionan un único modo Láser DBR multisección

longitudinal de la cavidad
Longitud de onda de Bragg:
→ Tecnología muy compleja
Λ = m λB / 2 neff
→ Alto precio
PRH PRH
7 8
Láseres De Emisión Superficial

LED
Principios de Funcionamiento y Estructuras
Vertical Cavity Surface
Emitting Lasers (VCSELs)
→ Pequeño volumen: menor 9 LED:

ganancia, menor Ith
Motivación: Fortalecer la emisión espontánea
→ Alta densidad (producción)
Principios de funcionamiento
→ Posibilidad de arrays 2D Mecanismos de recombinación
→ Tecnología compleja Ancho de Banda de Modulación
→ Problemas térmicos Estructuras LED
→ Bajo precio!
PRH PRH
9 10
LED: Principios de funcionamiento

Emisión espontánea; Eficiencias
• Estructura basica: diodo p-n en material de
gap directo rspon (hν) ∝ fc (E2) • [ 1 - fv (E1)] (nº de fotones por seg. Hz. y unidad de volumen)
• Basado en emisión espontánea
• Característica P-I: aprox. Lineal Efc↑ ⇒ fc (E2) ↑
Fortalece
Em. Espontánea
Incremento de Bombeo ⇒
• Baja eficiencia de conversión (2-3 %) Efv↓ ⇒ 1 – fv (E1) ↑
ηin = Rrad / Rtot = τnrad /(τesp + τnrad)

Rtot (n) = Rnrad (n) + Rspon(n) = ∆n/τtot
Eficiencia Interna
 hυ   hυ  Rnrad = ∆n / τnrad Rrad = ∆n / τspt τtot- 1= τnrad- 1+ τspt-1

Pout = ηext Pin = ηextη   I = ηe   I
 q   q  En estacionario: I = e Vact Rtot(n) Pin = Vact (hν) Rrad = ηin (hν/e) I
Se radian fotones es todas las direcciones ⇒ Pout = ηextr Pin = ηextr ηin (hν/e) I = ηe(hν/e) I
n º de fotones salida
ηextr = Eficiencia de la extracción 2 – 3 % (Máx 30 %) ηe =
Mejora con Doble Heteroestructura n º de e − inyectados
Eficiencia externa
PRH PRH
Un emisor LED es básicamente un diodo de unión p-n fabricado sobre un

semiconductor de “gap” directo y diseñado para facilitar al máximo la extracción al
exterior de la emisión espontánea.
La relación entre la potencia óptica emitida Pout y la corriente inyectada I es
aproximadamente lineal, salvo a muy altas corrientes en las que la emisión
disminuye debido al autocalentamiento. Se define como eficiencia cuántica externa
ηe la relación entre el número de fotones extraídos y el numero de electrones
inyectados. Salvo en algunas estructuras recientes, con valores de hasta el 22%, el
valor típico de ηe es bajo (1-3%), debido a las dificultades en la extracción de los
fotones espontáneamente emitidos.
La emisión espontánea del LED es incoherente, es decir, los fotones emitidos
no tienen correlación entre sí. La frecuencia, polarizacción, dirección, y fase de cada
uno de ellos es independiente de los demás.
11 12
Mecanismos de Recombinación Respuesta Dinámica del LED
P
Ec • No Radiativa: sin emisión de luz, por 90 %
ET
e- hν trampas (defectos)
h+
Ev
• Radiativa: emitiendo luz (espontánea o 10 %
N- Rad Rad estimulada) t
2.2 τn
• Filtro paso bajo:
→ Rnrad = ∆n / τnrad [cm-3 s –1] τnrad τrad τtot η P( 0)

P( ω ) = • Producto Potencia-Ancho de banda = Cte
[1 + (ωτ ) ]
1
→ Rrad = ∆n / τrad [cm-3 s –1] Si 10 ns 10 ms 10 ns 10-6
tot
2 2 ⇒ Compromiso potencia-velocidad
→ Rtot = ∆n / τtot = Rnrad + Rrad GaAs 10 ns 10 ns 5 ns 0,5
τ rise,fall ≈ 2.2τ tot • Valores típicos: 10 MHz-1 GHz
→ τtot-1 = τnrad-1 + τrad-1
→ η = Rrad / Rtot = τnrad /(τrad + τnrad)
PRH PRH
Al aplicar un escalón de corriente a un LED la potencia óptica aumenta de acuerdo

con una función exponencial similar a la de un circuito RC. El tiempo característico
τtot corresponde al tiempo de vida de portadores, tomando valores entre 1 y 10 ns.
La respuesta en frecuencia (modulación en pequeña señal) corresponde a un filtro
paso bajo de polo simple, con ancho de banda (2πτtot)-1. Los valores típicos de ancho
de banda en LEDs de comunicaciones varían entre 10 y 150 MHz, pudiéndose
encontrarse algunos de mayor velocidad. Sin embargo, cuando la velocidad es
mayor la potencia emitida disminuye en comparación con dispositivos más lentos.
13 14
Características de la Emisión
Estructuras LED
Contacto metálico
• Potencia – Corriente
epoxy
adhesivo Capa de Aislamiento
Fibra Óptica
Multimodo
(SiO)2
p+ -GaAs
Contacto
metálico
p-AlGaAs
p-GaAs
– Dependencia con la temperatura
n-GaAs etched
n-AlGaAs
substrato well n-AlGaAs
p-GaAs
p-AlGaAs
Luz de • Espectro
SiO2 salida
Contacto
metálico GaAs-substrate
Contacto metálico – Variación del espectro con:
LED Emisión Superficial
Región emisora de luz
LED Emisión Lateral • Temperatura
(SLED)
(ELED) • Corriente
• Diagramas de Radiación
LED Superluminiscente
(SLD)
PRH PRH
Existen muchas estructuras LED, dos de las cuales están representadas en las
figuras.
La de la izquierda corresponde a un LED de emisión superficial (“surface
emitting LED”, SLED), también llamado tipo Burrus, muy empleado en
comunicaciones ópticas desde hace años. La estructura de capas corresponde a
una unión p-n cuya zona activa es GaAs. Las capas epitaxiales se sueldan con la
parte superior (p) hacia abajo sobre un sumidero de calor con el fin de facilitar la
disipación. En el substrato se realiza un agujero mediante ataque químico hasta
acercarse a la zona activa, en el que se coloca una fibra MM, buscando que la
mayor parte de la luz emitida se acople a la fibra.
La estructura de la derecha corresponde a un LED de emisión lateral (“edge
emitting LED”, ELED). En este caso la extracción de la luz y acoplo a la fibra se
realiza por un lateral de la estructura de capas. El diseño de la estructura, al igual
que en un LD, da lugar a un fenómeno de guiado óptico en la dirección de inyección
de corriente, que aumenta la emisión en las caras laterales.
15 16
Característica Potencia-Corriente
Potencia - Corriente LED
(P-I)
DIODO LÁSER
60
ºC
1.6
50 -15 15 ºC
LED
1.4
Output power (mW)

Output power (µW)
25 ºC
40 25 ºC 1.2 35 ºC
1.0 45 ºC
30 65 ºC
0.8 55 ºC
P-I lineal (casi) 20 0.6
Baja pend. (tip. 10-4 W/A en fibra ) 0.4
10
Baja potencia (tip. –15 dBm) 0.2
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0.0
0 5 10 15 20 25
Current (mA)
Current (mA)
DEPENDENCIA CON LA TEMPERATURA • P-I lineal (casi)
(pequeña) • Baja pendiente (típica 10-4 W/A en • P-I con umbral (típica 10 mA)
T↑ ⇒ ηI ↓ fibra) • Alta pendiente (típica 0.1-0.5 W/A en
SLD mayor dependencia con T por emisión estimulada • Baja potencia (tip. –15 dBm) fibra)
• Poca dependencia con temperatura • Alta potencia (típica 0-10 dBm)
(SLD mayor dependencia con T por • Alta dependencia con temperatura
emisión estimulada)
PRH PRH
Las figuras comparan curvas experimentales medidas en un LED y LD comerciales

de 1300 nm acoplados a fibra.
Puede observarse que la relación P-I en el LED es casi lineal con una cierta
saturación causada por efectos de autocalentamiento. La potencia máxima acoplada
a fibra MM es baja, siendo su valor típico -10 a 15 dBm. La dependencia de la
potencia con la temperatura ambiente es pequeña.
En el caso del LD puede observarse la existencia de un valor umbral altamente
dependiente con la temperatura, según la expresión empírica:
T 
I th = I th 0 exp 
 T0 
donde T0 se denomina temperatura característica y toma valores entre 50 y 150 K.
La dependencia con la temperatura es más acusada en láseres de 2ª y 3ª ventana
que en los de 1ª ventana.
Los LDs acoplan alta potencia en fibra SM, típicamente entre 0 y 10 dBm para
láseres de comunicaciones. La pendiente de la curva P-I es altamente lineal, hasta
su potencia máxima de operación.
17 18
LED: dependencia con la temperatura Espectro de Emisión

0
1.0 LED Fabry-Perot
-10 laser diode
Power Intensity (dBm)

Power Intensity (a.u.)
Poca dependencia con 0.8
-20
temperatura T↑ ⇒ ηI ↓
0.6
-30
0.4 -40
0.2 -50
SLD mayor dependencia con T por
0.0 -60
emisiónT↑estimulada
⇒η ↓
I 1100 1200 1300 1400 1500 1270 1280 1290 1300 1310 1320
Wavelength (nm) Wavelength (nm)
(a) (b)
P 125 0
DFB laser
(mW) 100 50 ºC
-10 VCSEL
Power Intensity (dBm)

Power Intensity (dB)
-20
SLED 75 45
40 -30
50
35 -40
25
ELED 30
-50
0 25
SLD -25 20
-60
15
-70
-50
20 60 T ºC 1536 1537 1538 1539 1540 1541
-80
840 842 844 846 848 850 852 854
Wavelength (nm) Wavelength (nm)

(c) (d)
PRH PRH
En las figuras se comparan los espectros de emisión medidos experimentalmente de

cuatro tipos de emisores:
a) LED: Su espectro es habitualmente asimétrico y con un único lóbulo, de ancho a
mitad de altura ∆λ entre 30 y 150 nm.
b) LD-FP: presenta diferentes picos correspondientes a los modos longitudinales.
Cada pico es muy estrecho, y el ancho de la envolvente vale típicamente entre 0,5 y
2 nm.
c) LD-DFB: presenta un único pico de emisión cuya anchura será comentada
posteriormente.
d) VCSEL: presenta también un único pico sin lóbulos secundarios, salvo a altas
corrientes en las que los modos transversales desdoblan la emisión en varios picos
muy cercanos.
19 20
Espectro de Emisión (LED) ESPECTRO LASER FP: variación con I
Dependencia con dopaje y temperatura:

Chirp en frecuencia
λ
• hνP = Eg + (kT/2) (ev) P (mw)
• ∆λ ≈ 1,45 λp2 (kT) (∆λ, λp (µm))
• Típico: 30-60 nm
• Espectro más ancho para materiales
fuertemente dopados.
• T↑ ⇒ se desplaza el pico de emisión
⇒ ∆λ↑
I (mA)
PRH PRH
21 22
ESPECTRO LASER FP: variación con I ESPECTRO LASER DFB: variación con T
Salto de modo (“mode hopping”) longitudinal, → Aumento de temperatura → desplazamiento de la longitud de onda de emisión
autocalentamiento: al aumentar la temperatura interna el “gap” (variación del índice con la temperatura). Este fenómeno tiene como aplicación
del semiconductor se estrecha y el máximo del espectro de directa la selección de longitud de onda a partir del control de la temperatura
ganancia se traslada a longitudes de onda mayores. (“temperature tuning”)
Adicionalmente también se aprecia un ligero desplazamiento de
cada uno de los modos a longitud de onda más alta al aumentar
la corriente; es debido a la dependencia con la temperatura del
índice de refracción.
40 mA
Variación de longitud de onda:
35 mA
Cada modo neff (I, T)
30 mA
Saltos:
láser DFB
25 mA
9ganancia (T)
20 mA
16 mA 9 efectos no lineales
I = 14 mA
PRH λ (nm) PRH
En la figura puede observarse la variación del espectro de un láser FP por encima

de umbral al aumentar la corriente inyectada (la escala es lineal).
23 24
ANCHO DE LINEA Diagrama de Radiación (Láser)
Ancho de línea de emisión Ö anchura a mitad de altura de cada uno de los modos El diagrama de radiación de un láser convencional (emisión lateral) es
longitudinales de láser FP o del único modo de un láser DFB o DBR. fuertemente asimétrico, dando lugar a un haz con forma elíptica.
Típico (DFB): 1-10 MHz (10 mW)
∆υ = R spon
(1 + α 2 )
4π P
α: factor de ensanchamiento de línea 1
campo lejano (u.a.)

α ≈ 1-5
Originado por fluctuaciones de fase LD: depende de la estructura

provenientes de diferentes fuentes de ruido,
entre la que destaca el ruido de la emisión 0 Θ⊥ ≈ 30-50 °
espontánea acoplada al modo láser. El ancho -90 -60 -30 0 30 60 90 Θ ≈ 5-15 °
¡¡¡¡ Medidas del mismo Láser en ángulo (º)
de línea disminuye al aumentar la potencia
emitida. diferentes Laboratorios !!!!
PRH PRH
Se denomina ancho de línea de emisión a la anchura a mitad de altura de cada uno El diagrama de radiación de un láser convencional (emisión lateral) es fuertemente
de los modos longitudinales de láser FP o del único modo de un láser DFB o DBR. asimétrico, dando lugar a un haz con forma elíptica.
El ancho de línea está originado por fluctuaciones de la fase provenientes de En la dirección perpendicular a la unión es altamente divergente, con anchuras
diferentes fuentes de ruido, entre la que destaca el ruido de la emisión espontánea variables entre 30 y 50°, dependiendo de la estructura interna de capas. En la
acoplada al modo láser. Su valor es muy diferente en función del dispositivo dirección paralela a la unión toma valores muy diversos en función de la estructura
concreto y de su modo de operación, y suele expresarse en unidades de frecuencia, lateral y de las dimensiones de la zona activa, pudiendo valer entre 5 y 15°.
variando entre decenas de KHz y decenas de MHz.
El ancho de línea disminuye al aumentar la potencia emitida. Su determinación
experimental no es sencilla, y como ejemplo se adjunta un conjunto de medidas del
ancho de línea del mismo láser DFB realizadas en laboratorios diferentes, en las que
puede observarse una gran dispersión en los resultados.
El valor típico del ancho de línea garantizado por los fabricantes en DFBs
comerciales es de 1-10 MHz a 10 mW.
25 26
Diagrama de Radiación (LED)

Diagrama de Radiación (VCSEL)
Los diagramas de radiación de un LED son muy anchos y siguen una ley
Los VCSELs presentan habitualmente problemas de control de sus “lambertiana” debido a la naturaleza incoherente de la radiación.
modos transversos. Ancho teórico a mitad de altura de 120°. En el caso de los ELED es mucho más
Debido a su simetría cilíndrica, a altos niveles de inyección, tienden a estrecho (hasta 30°) en la dirección perpendicular al plano de la unión.
aparecer modos de tipo LP, similares a los de la fibra óptica. Este diagrama dificulta el acoplo a fibra.
Campo lejano (u.a.)

1
120 º
0
-90 -60 -30 0 30 60 90
ángulo (º)
LED: lambertiano
PRH PRH Θ ≈ 120 º (FWHM)
Los VCSELs presentan habitualmente problemas en cuanto al control de sus modos

transversos. Debido a su simetría cilíndrica tienden a aparecer modos de tipo LP, similares a los
de la fibra óptica a altos niveles de inyección. En la figura pueden observarse los patrones de
campo cercano de los cuatro primeros modos. Los diagramas o patrones de radiación de un LED son muy anchos y siguen una ley
“lambertiana” debido a la naturaleza incoherente de la radiación. Ello da lugar a un
ancho teórico a mitad de altura de 120°. En la práctica el ancho es algo menor, y en
el caso de los ELED es mucho más estrecho (hasta 30°) en la dirección
perpendicular al plano de la unión.
Este diagrama dificulta el acoplo a fibra de la radiación.
27 28
Ventajas y Desventajas Módulo Transmisor

del LD respecto al LED
• Transmisión Binaria
Ventajas LASER Desventajas LASER • Respuesta dinámica del LD
• Frecuencia de modulación más • Efecto láser comienza desde
alta un corriente umbral – Modulación en frecuencia óptica (chirp)
• Potencia óptica alta (LD: mW / • Electrónica más complicada • Modulación externa
LED: µW) • Más caro
• Acoplamiento de la fibra a la • Vida útil más corta (debido • Acoplo láser fibra
fuente más eficiente a las corrientes más altas)
• Ancho espectral más estrecho
• Circuitos de ataque y polarización
(luego menor dispersión • Catálogos
cromática)
PRH PRH
29 30
Transmisión con Señales Binarias Respuesta Dinámica del Láser (gran señal)
Tiempo de encendido:
Al modular el láser en forma
digital se aplica una corriente que 9 0.2-0.5 ns
varía entre un valor IOFF y un Oscilaciones de relajación:
valor ION, dando lugar a una 9 1-20 GHz
potencia variable entre un mínimo
y un máximo. Habitualmente se
aplica como IOFF un valor cercano Anchos de banda (f3dB)
t
al umbral con el fin de evitar el −
τT
tiempo de encendido a la vez que e 9 > 1 GHz siempre
ION ≈ I(Pmax.) 9 > 25 GHz posible
se minimiza la potencia en estado
OFF. El valor de ION se escoge
para que aplique la máxima I0
potencia a la fibra. ton ≈ τ T ln Io = Ion- Ioff
Prepolarización ⇒ IOFF ≈ ITH I 0 + ( I off − I th )
PRH PRH
Al aplicar un escalón de corriente a un LD la respuesta es mucho más complicada

que en un LED y puede verse esquematizada en la Figura. Durante un tiempo inicial,
denominado tiempo de encendido, no se emite potencia. Posteriormente la potencia
emitida aumenta muy abruptamente y presenta oscilaciones hasta que se relaja a su
valor de equilibrio.
El tiempo de encendido es el necesario para que el número de portadores en la zona
activa llegue a su valor umbral. Este tiempo depende de la corriente inicial y de la
corriente inyectada, siendo su valor típico entre 0,2 y 0,5 ns. Las oscilaciones de
relajación tienen una frecuencia entre 1 y 20 GHz, dependiendo de la estructura del
láser y del valor de la corriente. En décimas de ns se suele alcanzar el estado
estacionario.
El origen de estas oscilaciones es la interacción entre las poblaciones de portadores
y fotones en el interior de la cavidad, que tienen un comportamiento resonante
similar al de un circuito LCR.
Si se evita el tiempo de encendido mediante prepolarización como veremos a
continuación, la respuesta de casi todos los láseres es muy rápida, pudiendo llegar a
anchos de banda entre 1 y 40 GHz. En aquellos láseres no diseñados para alta
velocidad, el límite viene dado por los parásitos eléctricos del encapsulado.
31 32
Dinamica en Láseres Multimodo Modulación en Frecuencia
Respuesta en régimen transitorio Modulación en AM (intensidad)

⇒ Modulación en FM (frecuencia óptica)
Concentración de
Portadores
Chirp: variación en la frecuencia
óptica de emisión causada por la
modulación AM
Pópt modo 0
Origen físico:
Pópt modo ± 1
∆I ⇒ ∆ n (portadores) ⇒ ∆ neff ⇒ ∆ν
Pópt modo ± 2 Consecuencia: Ensanchamiento del espectro emitido
Solución: Modulación Externa
PRH PRH
Uno de los mayores problemas en LDs en aplicaciones de alta velocidad y alta

distancia es el fenómeno de la modulación en frecuencia que se produce al aplicar
una modulación directa en intensidad.
El origen físico de este fenómeno es la variación del índice de refracción con la
concentración de portadores, que hace que varíe a su vez la frecuencia óptica de
emisión. En el transitorio de encendido, las oscilaciones de relajación hacen que el
número de portadores varíe con el tiempo y por tanto también lo hace la longitud de
onda. Ello da lugar al denominado “chirp” del láser, ensanchamiento promedio del
espectro en conmutación. El valor del ensanchamiento depende de un parámetro del
semiconductor denominado α (“linewidth enhancement factor”), característico de
cada dispositivo.
Esta modulación de la frecuencia óptica puede ser aplicada en comunicaciones
ópticas coherentes como técnica de modulación FM; sin embargo en la mayoría de
las aplicaciones que utilizan modulación directa es un inconveniente que no puede
ser evitado. Por ello a altas velocidades (> 1 Gbs) se utiliza en ocasiones un
modulador externo en lugar de modulación directa.
33 34
Modulación externa Modulador Electro-Óptico

Óptica Integrada (LiNbO3)
• Objetivo: Modulación externa del láser para evitar
cambios en la frecuencia emitida (chirp) y partición modal.
Basado en un Interferómetro
• Principio de operación: Generalmente, modulación de la
luz por cambio en el índice de refracción. Mach-Zehnder
• Tipos: Según el mecanismo utilizado para modular el

índice de refracción se pueden clasificar en dos tipos:
• Electro-ópticos (EO): Indice de refracción modulado
por una señal eléctrica.
• Acusto-ópticos (AO): Indice de refracción modulado
por una onda acústica.
• Parámetro más importante: Relación de extinción
PRH PRH
35 36
Modulador Electro-óptico Acoplo Láser a Fibra

SEED
Diodo Láser:
• Muy sensible a la
realimentación óptica
Necesidad de:
• Aisladores Ópticos
• Componentes poco reflexivos
PRH
PRH
El acoplo de la potencia emitida por el láser a una Fibra SM tiene una gran dificultad
debido a la alta divergencia de la fuente, que además es astigmática, y a las
reducidas dimensiones del diámetro de la fibra. Lleva un complicado proceso de
alineamiento y suele llevarse a cabo con diferentes tipos de lentes.
Adicionalmente, debe minimizarse la reflexión de las lentes, o de cualquier otro
punto del sistema, puesto que la emisión del láser se desestabiliza, incluso con
niveles muy pequeños de reflexión. Esto se consigue mediante el uso de aisladores
ópticos.
37 38
Encapsulados/Acoplos Circuitos de Ataque y

Polarizacion (I)
POF-receptacle LED
Pigtailed FP-LD
Receptacle FP-LD
Vin
Receptacle VCSEL
Pigtailed DIL DFB
Uncoupled FP-LD
PRH PRH
Existe una gran variedad de modelos comerciales de encapsulado, casi todos ellos Existen todo tipo de módulos comerciales LED y láser incluyendo en el encapsulado diversos
modificaciones de los habituales en transistores y CI. El acoplo a fibra puede hacerse mediante accesorios además del propio emisor.
un “pigtail”, tramo corto de fibra terminado en conector macho, o mediante un conector de fibra Todos los láseres comerciales incluyen un fotodetector en el encapsulado que actúa como
hembra (receptacle) monitor de potencia emitida. Algunos incluyen adicionalmente un sensor de temperatura y un
dispositivo tipo “Peltier” que permite variar la temperatura mediante un controlador externo. Los
módulos de altas prestaciones pueden incluir también un aislador óptico. El acoplo a la fibra se
realiza mediante una lente, habitualmente tipo “GRIN”.
39 40
Circuitos de Ataque y Comparación de Emisores

Polarizacion (II)
LED LD-FP LD-DFB VCSEL
LED LASER Potencia en Baja Alta Alta Alta
fibra
Espectro Ancho Estrecho Muy estrecho Muy estrecho
Sens. Temper. Baja Alta Alta Alta
Velocidad Baja-Media Alta-Muy Alta Alta-Muy Alta Alta-Muy Alta
Acoplo a Fibra MM SM SM MM
Ventana 1ª, 2ª 2ª, 3ª 2ª, 3ª 1ª
Coste Bajo Medio Muy alto Bajo
Aplicaciones BT Baja BT baja/media - BT Alta - BT Alta -
Corta distancia Distancia: Larga distancia Corta distancia
baja/media
PRH PRH
41 42
Ejemplos de Catálogo – LD-FP LD-FP
PRH PRH
43 44
Ejemplos de Catálogo – LD-DFB LD-DFB
PRH PRH
45 46

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Comunicaciones ópticas Noviembre 2005 Comunicaciones ópticas Noviembre 2005

Transmisores en Doble Heterounión Cavidad Horizontal

Comunicaciones Ópticas AREA-ANCHA Cavidad

Geometría de Tira Cavidad Selectiva

Estructuras Láser: Guiado Lateral Láseres de Pozo Cuantico (I)

Láseres De Pozo Cuántico (II) Láseres Monofrecuencia (Single Frequency) (I)

Zona activa: 5-20 nm

9 Más grados de libertad (long. onda)

Láseres Monofrecuencia (II) Láseres Sintonizables

n-type Región DBR n-type DBR

→ Seleccionan un único modo Láser DBR multisección

Láseres De Emisión Superficial

→ Pequeño volumen: menor 9 LED:

LED: Principios de funcionamiento

ηin = Rrad / Rtot = τnrad /(τesp + τnrad)

 hυ   hυ  Rnrad = ∆n / τnrad Rrad = ∆n / τspt τtot- 1= τnrad- 1+ τspt-1

Un emisor LED es básicamente un diodo de unión p-n fabricado sobre un

Mecanismos de Recombinación Respuesta Dinámica del LED

• Filtro paso bajo:

→ Rnrad = ∆n / τnrad [cm-3 s –1] τnrad τrad τtot η P( 0)

Al aplicar un escalón de corriente a un LED la potencia óptica aumenta de acuerdo

Output power (mW)

Las figuras comparan curvas experimentales medidas en un LED y LD comerciales

LED: dependencia con la temperatura Espectro de Emisión

Power Intensity (dBm)

Wavelength (nm) Wavelength (nm)

Power Intensity (dBm)

Wavelength (nm) Wavelength (nm)

En las figuras se comparan los espectros de emisión medidos experimentalmente de

Espectro de Emisión (LED) ESPECTRO LASER FP: variación con I

Dependencia con dopaje y temperatura:

PRH λ (nm) PRH

En la figura puede observarse la variación del espectro de un láser FP por encima

ANCHO DE LINEA Diagrama de Radiación (Láser)

Típico (DFB): 1-10 MHz (10 mW)

campo lejano (u.a.)

Originado por fluctuaciones de fase LD: depende de la estructura

Diagrama de Radiación (LED)

Campo lejano (u.a.)

PRH PRH Θ ≈ 120 º (FWHM)

Los VCSELs presentan habitualmente problemas en cuanto al control de sus modos

Ventajas y Desventajas Módulo Transmisor

Al aplicar un escalón de corriente a un LD la respuesta es mucho más complicada

Dinamica en Láseres Multimodo Modulación en Frecuencia

Respuesta en régimen transitorio Modulación en AM (intensidad)

Uno de los mayores problemas en LDs en aplicaciones de alta velocidad y alta

Modulación externa Modulador Electro-Óptico

• Tipos: Según el mecanismo utilizado para modular el

Modulador Electro-óptico Acoplo Láser a Fibra

Encapsulados/Acoplos Circuitos de Ataque y

Circuitos de Ataque y Comparación de Emisores

Ejemplos de Catálogo – LD-FP LD-FP

Ejemplos de Catálogo – LD-DFB LD-DFB

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