ELECTRÓNICA ANALÓGICA

 Docente: Xavier Serrano

 http://xavierserrano.info/
Materiales Semiconductores
 Conductores : Permite el flujo generoso de carga
cuando una fuente de voltaje es aplicada a sus
terminales

 Aislantes / Dielectrico: Presenta un nivel muy inferior

de conductividad al estar en presencia de una fuente
de voltaje aplicada a sus terminales

 SEMICONDUCTOR: Posee un nivel de conductividad

intermedio entre los conductores y dielectricos
Materiales Semiconductores:
Silicio - Germanio
 Alta pureza (1:1x106)
 Impurezas  Cambio de conductividad (dopado)
 Atomos en patron bien definido (cristal), Material
monocristal
 Estructuras Atomicas y Enlace Covalente

 Atomos tetravalentes
 Potencial de ionizacion
Caracteristicas
 Materiales Intrinsecos: material semiconductor que ha sido
cuidadosamente refinado para reducir el número de
impurezas a un nivel muy bajo (lo más puro que se pueda).

 Portadores Intrinsecos (electrones libres)

 1.5x1010 /cm3 Silicio
 2.5x1013 /cm3 Germanio

 Un incremento en la temperatura del material puede causar

un aumento sustancial en la cantidad de electrones libres del
mismo.
 El germanio y el silicio presentan una reducción de
resistencia al aumento de Temperatura
Niveles de Energia
 + Distacia del nucleo  Mayor estado de energia
 W=QV [eV]
 W=QV = (1.6x10-19 C) (1v)
 W=QV = 1.6x10-19 J

 Si añadimos impurezas a los materiales

semiconductores intrínsecos, aparecen estados
de energía en las bandas prohibidas que reducen
Eg.
Materiales tipo P y tipo N
Concepto.- Material extrínseco es un
semiconductor en el que se añaden átomos
de impureza (dopado).
Impureza de Boro en un material tipo p
(Generación de un hueco)

Impureza de Antimonio en un material

tipo n (Generación de un electrón libre)
 En un material tipo N, el electrón se denomina portador
mayoritario y el hueco portador minoritario
 En el material tipo P, el hueco es el portador mayoritario y el
electrón el minoritario
Portadores mayoritarios y
minoritarios

En un material de tipo n, el electrón se denomina portador mayoritario y

el hueco, portador minoritario.

En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrón es

el portador minoritario.
Diodo Semiconductor
 El diodo es la unión de un material tipo n y un tipo p.
 Los electrones y los huecos en la región unión (región
agotamiento) se combinan y como consecuencia,
originando una carencia de portadores en la región
cercana a la unión.
Polarización Inversa
 El número de iones positivos en la región de empobrecimiento del material
tipo n se incrementa debido a que los electrones libres son atraídos por el
potencial positivo. De la misma manera pasa en el material tipo p.
 Resultado: Barrera grande – flujo de portadores se reduce a cero.
Polarización Directa
 Reducción considerable de la zona de agotamiento –
intenso flujo de portadores mayoritarios.

Is = Corriente de Saturacion Inversa

k = 11600/n, con n=1 para Ge y n=2

para Si en niveles relativamente bajos
de corriente (bajo el punto de inflexión
de la curva), y n=1 para Si y Ge, para
la seccion de rapido crecimiento de la
curva
.
Tk=Tc + 273

VD = Voltaje aplicado al diodo.

Polarización Directa
Se puede demostrar por medio de la física de estado sólido que las
características generales de un diodo semiconductor se pueden
definir mediante la siguiente ecuación, conocida como ecuación de
Shockley, para las regiones de polarización en directa y en inversa:
Polarización Directa
Características del diodo de silicio
La dirección definida de la
corriente convencional en
la región de voltaje positivo
corresponde a la punta de
flecha del símbolo de diodo.
Comparación de diodos de Ge, Si y
GaAs (Arseniuro de Galio).
Variación de las características del
diodo de Si con la temperatura
En la región de polarización
en directa, las
características de un diodo
de silicio se desplazan a la
izquierda a razón de 2.5 mV
por grado centígrado de
incremento de temperatura.

En la región de polarización
en inversa la corriente de
saturación en inversa de un
diodo de silicio se duplica
por cada 10°C de aumento
de la temperatura.
DIODO IDEAL

Las características de un diodo ideal son las siguientes:

• Permite la conducción de corriente en una sola dirección.

• Representa un circuito cerrado en la región de conducción
• Representa un circuito abierto en la región de no conducción
DIODO IDEAL
 Circuito Cerrado
R D = VD / ID = 0 / (2, 3 … n) = 0 Ω
 Circuito Abierto
R D = VD / ID = (2, 3 …. n) / 0 = Infinito
Comportamiento del diodo en cc y
ca
 DIODO REAL
Parámetros del diodo

Tensión umbral
Es la tensión a la que la barrera de potencial
desaparece y el diodo empieza a conducir, desde
esta tensión en la curva del diodo se observan
grandes incrementos de corriente para pequeños
incrementos de tensión.

Corriente directa máxima (Imax)

Máxima intensidad de corriente que puede
conducir el diodo sin destruirse.

Corriente inversa de saturación (Is)

Es la pequeña corriente establecida al polarizar
inversamente el diodo, debido a la formación de
pares electrón hueco debido a la temperatura.

Tensión de ruptura
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede
soportar antes de darse el efecto de avalancha.

Potencia disipada
Máxima potencia que puede disipar un diodo en
condiciones normales de operación.
Circuitos Equivalentes para Diodos
Notación de diodos
semiconductores

• El ánodo se asocia con el potencial mayor (positivo)

• El cátodo con la terminal con el potencial menor (negativo)
Pruebas de diodos
Comprobar el estado mediante un multímetro digital usando:

• La función de verificación de diodos

Pruebas de diodos
• La función de óhmetro

La resistencia en polarización directa de un

diodo semiconductor es muy baja en
relación con el nivel de polarización inversa.
Para el caso de polarización inversa, la
lectura aparecerá muy alta.

Si la lectura muestra un nivel alto de

resistencia en ambas direcciones, se trata de
un dispositivo defectuoso (conexión abierta)
Si la lectura muestra un nivel muy bajo de
resistencia en ambas direcciones, indica que
el dispositivo está en cortocircuito.
Ejercicios Propuestos
Cap 1
7, 9, 13, 23, 25, 29
Referencias
 Robert L. Boylestad_ Louis Nashelsky-Electrónica_
Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos-
Prentice Hall (2009)