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Vo g mVgs Rs g m Rs
AV
Vi 1 1 g m Rs V gs 1 g m Rs
Empleando rm =1/gm tenemos que la ganancia de voltaje esta dada por:
1
Rs
Vo rm Rs
AV
Vi 1 rm Rs
1 1 Rs
rm
Se observa que la ganancia de voltaje no se invierte y es menor que 1. La ganancia se acerca a
la unidad conforme RS se hace mayor en comparación con rm. La resistencia de entrada del
amplificador es menor que 1, acercándose a la unidad conforme RS se hace mayor en
comparación con rm. La resistencia de entrada del amplificador es:
Ri RG
en tanto que la resistencia de salida es el resistor de polarización de Source, RS, en paralelo
con la resistencia AC del dispositivo, rm:
R0 Rs || rm
Voltaje Drain 15 V
VD
Voltaje de 699.999 mV
entrada Vin
Voltaje de 468.778 mV
salida Vout
Desfase
1. Con respecto al amplificador Drain Común conteste las siguientes preguntas:
a. ¿Qué ventaja tiene el amplificador Drain Común con respecto al amplificador Emisor
Común?
• Son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar más
dispositivos en un CI.
• Se comportan como resistencias controladas por tensión para valores pequeños de tensión
drenaje-fuente.
• La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para
permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
• Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
b. ¿Qué desventaja tiene el amplificador Drain Común con respecto al amplificador Emisor
Común?
• Los FET´s presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de
entrada.
• Los FET´s presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.