UNIDAD 2

IGBTs vs MOSFETs
Otra desventaja del igbt es una corriente de cola en el apagado.
Un transistor bipolar de compuerta aislada puede verse como el equivalente
de un transistor bipolar conducido por un mosfet. La base del bjt equivalente
es en realidad la capa n del igbt.
El igbt combina las características del bjt y el mosfet.
Como con bjt, el voltaje y corriente nominales son más altos que los del
mosfet.
En vez de ser un circuito de compuerta de conducción de corriente como un
bjt, el igbt es dispositivo controlado por voltaje, similar a un mosfet.
Para grandes corrientes, la disipación de potencia de un igbt en el estado on es
más bajo que el de un mosfet.
Poe otro lado, los transitorio encendió y apagado de los igbt, como los de un
bjt son más lentos que los del mosfet.
ELEGIR UN TRANSISTOR
Cuando se diseña un circuito electrónico de potencia, para elegir un transistor,
se seguirá el siguiente procedimiento:
a. Calcular el voltaje de bloqueo requerido (el valor máximo diseñado
Voff_state mas un margen 20%) y la corriente máxima (el valor máximo
diseñado de la corriente de computación mas un margen de 20%).
b. Elegir un interruptor (mosfet o igbt) de voltaje y una corriente nominal
de 1.5-2 veces los valores requeridos de acuerdo a lo calculado. Los
mosfet son utilizados en aplicaciones de alta frecuencia y bajo voltaje,
mientras que los igbt son utilizados en aplicaciones de baja frecuencia y
alto voltaje.
c. Basado en la opción disponible en el ítem b, elegir el que tenga la
resistencia más baja el estado de encendido Rds(on) (para un mosfet) o
la caída de voltaje más baja en el estado encendido Von_ state a través
del interruptor(para un igbt).
 d. Verificar las veces de encendió y apagado del interruptor escogido para
asegurarse que el tiempo total de conmutación es mucho más corto que
el del periodo de conmutación, Ts.
En aplicaciones en donde la corriente de conmutación es alta, preferimos
utilizar varios mosfet conectados en paralelo para reducir la resistencia total
equivalente en el estado activado. Poe supuesto, esto es costa de necesitar
más conductores y, en consecuencia, una mayor capacidad de corriente. Cada
mosfet escogido para llevar solo una parte de la corriente de conmutación
calculada en la etapa b. una aplicación conocida por todos nosotros es el carro
a control remoto. Donde el controlador de velocidad hace uso de uno a ocho,
o incluso más, mosfet en su convertidor.
Circuito de activación de la compuerta de un mosfet usando un par de tótem.
Para mejorar la velocidad de conmutación, el mosfet debe ser activado por una
fuente de corriente seguido por una fuente de voltaje. Como se muestra en la
figura el par tótem formado por dos transistores bipolares, T1 Y T2, es utilizado
para entregar la corriente de la compuerta al mosfet. Cuando se aplica una
señal de compuerta al par de tótem, T1 es encendido, T2 apagado, y el voltaje
de compuerta, Vg, es conectado efectivamente a la compuerta. Ya que Cgs se
descarga (como el mosfet estaba en el estado desactivado), vg generara una
gran corriente a través de T1 y Rg1. Cuando Cgs está cargado (el mosfet está
en el estado activado), la corriente de compuerta es cero y conducción de la
compuerta mantendrá un voltaje constate de fuente de la compuerta. Cuando
la señal de compuerta tiene un valor negativo para pagar el mosfet, T1 es
apagado y T2 encendido. Un voltaje negativo (vg) se conectara a la salida del
variador. Cgs se descargará a través de T2 y Rg2 hasta que esté completamente
descargado. Para proteger la compuerta de sobretensión dañina, es necesario
una protección de diodo zener. El diodo zener es escogido tal que su voltaje de
ruptura es igual a un nivel de voltaje que comienza a ser peligroso para la
compuerta del mosfet. Cuando el voltaje Vgs alcanza un valor más grande que
el voltaje de ruptura del diodo zener. El diodo zener de la figura comienza a
conducir, manteniendo (sujetando) el vgs al voltaje voltaje del zener.
CIRCUITO PARA PRODUCIR UNA FORMA DE ONDA DE CONMUTACIÓN QUE
UTILICÉ UN CIRCUITO DE ARRANQUE PARA CONDUCIR EL LADO DE ALTO DE
MOSFET.
La figura muestra un circuito que produce una forma de onda de voltaje de
salida de conmutación. Contiene dos mosfet.
Como podemos ver de inmediato, podemos encender el interruptor de lado de
baja, S2, sin problema pero necesitamos un circuito adicional para encender el
interruptor de lado de alta, S1.
El circuito de potencia es suministrado por una fuente DC, Vdc, con respecto
a la referencia GND. La salida de voltaje, Vout, es controlada por dos mosfet, S1
y S2, que son operados complementariamente. Cuando S1 está en ON y S2
en OFF, Vout es igual a Vdc. Cuando S1 está en OFF y S2 en ON es igual a cero.
El circuito de activación de compuerta genera la señal Ho y Lo para S1 y S2,
respectivamente. El circuito de activación de compuerta es suministrado por la
fuente vcc con respecto al vss de referencia. El vss de referencia es conectado
a la fuente del lado de baja del mosfet S2. Sin embargo, la fuente del lado de
alta del mosfet S1 es conectado a Vout. El nodo Vout está flotando porque su
nivel de voltaje varía. Consecuentemente, S2 se encenderá si Lo es VCC, y se
apagara si Lo es cero.es fácil mantener S2 en el estado ON, como su fuente está
conectada a tierra, por lo que su VGS se vuelve igual a VCC. Para apagar S1,
también es fácil: el mosfet inferior SB en la activación de compuerta se
enciende y el mosfet superior SA se apaga. De este modo, el voltaje de la
fuente de la compuerta de S1 es cero.
Más difíciles es encender y mantener al igual la parte superior del mosfet S1.
Si S1 está en on, el nivel de voltaje de Vout es Vdc. Con el fin de mantener el
estado on de S1, el voltaje de la fuente de la compuerta tiene que ser más alto
que su voltaje de maseta. Entonces, ¿cómo puede el circuito de activación de
compuerta mantener tal voltaje de la fuente de compuerta? Si Ho es Vcc con
respecto a la tierra de referencia (como lo fue el caso de Lo cuándo se encendió
S2), esto no es suficiente para encender S1, como VCC tendría que ser más
grande que el voltaje de maseta más el potencia Vdc con referencia a tierra de
la fuente de S1. Se necesita un circuito adicional para crear el voltaje deseado.
Un circuito de arranque compuesto por un diodo, Db, y u capacitor, Cb, puede
lograr tal función. Una placa del capacitor es conectada a la fuente de S1.
Cuando S2 está en ON, a través del camino del diodo Db, Cb y S2, el capacitor
de arranque es cargado por VCC con la polaridad ilustrada en la figura.
Para ordenar a s1 que se encienda, SA en la activación de compuerta es
encendido por Vg, y SB es apagado. A través de SA, Cb aparece en paralelo con
la fuente de la compuerta de S1 en serie con la resistencia de la compuerta.
Como Cb ha sido completamente descargado, se aplicara un voltaje suficiente
entre la compuerta y la fuente de S1. Entonces, el estado ON de si se puede
mantener. Consecuentemente, no importa el valor de Vout, el driver de la
compuerta puede suministrar el voltaje necesario de fuente de compuerta para
el lado de alta del mosfet con el circuito de arranque. Por lo tanto sin en circuito
de arranque, VCC(Ho) se estaba aplicando entre la compuerta de S1 y tierra,
que requería un VCC alto. Con el circuito de arranque, VCC( el voltaje de Cb
ahora) es aplicado directamente a través de la fuente de la compuerta de S1 en
serie con la resistencia de la compuerta, el cual requiere un menor VCC.
Los drivers de compuertas están disponibles en forma de circuitos integrados.
Por ejemplo, para activar un interruptor en un convertidor buck, boost o buck-
boost, podemos elegir el driver MC34152.
TRANSFERENCIA DE CALOR PARA SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

La trasferencia de calor ineficaz debería hacer que las partes se calientes, y en algún punto esto provocara un fallo.

Los problemas básicos pueden pueden abordarse en dos puntos:

1. Cuando se pierde potencia en una parte, representa la energía térmica inyectada en la parte. Esta 1.energía debe ser

removida. En casi cualquier fuente de alimentación o convertidor de energía aparte de los de una nave espacial, la energía

perdida debe ser emitida en el aire circundante.

2. En un semiconductor de potencia, la perdida de potencia ocurre dentro el material cerca a las diversas uniones P-N.
Cualquier semiconductor tiene una temperatura máxima de unión, por encima de este valor, la parte podría
𝑇𝑗(𝑚𝑎𝑥)
estar dañada o destruida, como los átomos dopantes empiezan a difundirse, materiales para ablandar o derretir, u otros

efectos no deseados ocurren.

El problema en la mayoría de los diseños de convertidores de potencia es eliminar el calor residual a la atmosfera

suficientemente efectivo para mantener todas las temperaturas por debajo 𝑇

𝑗(𝑚𝑎𝑥)
There are three mechanisms by which heat can be transferred among objects.

Hay tres mecanismos para que el calor pueda ser transferido entre objetos.

: a) conducción; b) convección; c) la radiación.

TRANSFERENCIA DE CALOR POR CONDUCCIÓN

En la transferencia de calor por conducción, el calor fluye entre dos objetos sólidos en contacto directo.
La velocidad del flujo de calor es regida por la ley de conducción de calor de Fourier, en el que el flujo de calor q es

determinada por un gradiente de temperatura 𝛻 𝑇 tal que

q= K ∇ T,
aquí las unidade de q son W/m2, la temperatura es en kelvin, y la conductividad térmica K tiene unidade de W/(m.K).

La conductividad térmica es un a propiedad del material, y toma un valor característico para el cobre, aluminio, epoxy, o el

material que se utiliza. En un circuito electrónico la conducción térmica modela la trasferencia de calor a un disipador de

calor, accesorios de montaje u otros objetos físicos conectados a las partes.

Es importante reconocer que la velocidad de remoción de calor por conducción térmica depende del tamaño de un objeto

y de la diferencia de temperatura entre objetos o dentro de un material dado.

TRANSFERENCIA DE CALOR POR CONVENCIÓN

En la transferencia de calor pon convención, el calor fluye de UN lugar a otro por medio de un flujo de fluido.

Un ejemplo común es el enfriamiento por aire forzado con un ventilador, en el que el calor se aleja de un objeto por el

movimiento del aire.

La convección de calor se rige por la relación

q=h(𝑻 − 𝑻𝒂𝒎𝒃𝒊𝒆𝒏𝒕 )
𝒐𝒃𝒋𝒆𝒄𝒕

donde h es un coeficiente de transferencia de calor, y T_ambient es la temperatura en el fluido lejos del objeto que se está

enfriando.

La convección es un proceso crítico en casi cualquier convertidor de potencia, ya que el calor finalmente debe alcanzar el aire

circundante (o el agua en aplicaciones marinas).

El valor de h es una propiedad del sistema en lugar de una propiedad material. Depende de los caudales, la geometría de la

superficie y otros parámetros, así como de las propiedades del objeto y del fluido.

Como en el caso de la transferencia conductiva, la transferencia convectiva es proporcional a una diferencia de temperatura.

TRANSFERENCIA DE CALOR POR RADIACIÓN

En la transferencia de calor por radiación, el calor fluye por radiación electromagnética entre cuerpos a distintas temperaturas.

Las aplicaciones de naves espaciales requieren radiación como último paso para rechazar el calor residual en el medio

ambiente.
En la mayoría de las aplicaciones terrestres, el flujo de calor por radiación es relativamente poco importante. Puede ser

importante para dispositivos muy pequeños o muy calientes. La expresión para el flujo de calor en este caso es

𝐪 = 𝝐𝝈𝑻 ^ 𝟒

donde T es la temperatura absoluta. El flujo neto entre dos cuerpos es la diferencia entre el resultado de la ecuación para

cada uno. El valor 𝜎 es la constante de Stephan-Boltzman σ = 5.670 X 〖10〗 ^ (- 8) W / (𝑚 ^ 2 𝐾 ^ 4), y 𝜖 es un parámetro

llamado la emisividad del objeto caliente.

La emisividad es 1 para un cuerpo negro ideal: el emisor de radiación más eficiente. Puede ser inferior a 0.05 para objetos

blancos o altamente reflectantes. Aunque la radiación no es un componente importante de la transferencia de calor en la

mayoría de los casos, es beneficioso usar objetos oscuros para maximizar este tipo de flujo de calor.

Los disipadores de calor y las partes semiconductoras son negras cuando es posible por esta razón.

UNIDAD 7

Materiales y propiedades

Se pueden identificar tres tipos generales de materiales magnéticos:

• Dianzagnetic. El material tiende a excluir ligeramente los campos magnéticos.

• Paramagnético. El material está ligeramente magnetizado por un campo magnético.

• Ferromagnético. El material contiene pequeñas regiones, conocidas como dominios, que están fuertemente

magnetizadas.

• Los superconductores son una clase específica de materiales diamagnéticos. En estos materiales hay macro

corrientes que circulan en la estructura. Estas corrientes se oponen al campo aplicado y, como resultado, el material

excluye todos los campos exteriores.

• Cada tipo general representa grupos de materiales con una amplia gama de propiedades magnéticas especiales.

uno. Los materiales paramagnéticos se muestran ligeramente mayores que uno.

• Los materiales ferromagnéticos en particular se pueden dividir en una gama de diferentes clases, tales como

materiales de imán permanente, metales ferromagnéticos, etc. Aquí, nos ocuparemos principalmente de la

cerámica y los metales ferromagnéticos, ya que estos son de especial importancia en el diseño de componentes

magnéticos.

• Los superconductores forman un cuarto tipo de material magnético y tienen la propiedad de que tienden a excluir

todos los campos exteriores. Es probable que adquieran un mayor uso como materiales magnéticos activos

• En un material dado, la intensidad del campo magnético, H, depende de la interacción entre los electrones en el

material y la densidad de flujo local B. Se puede definir una relación constituyente para un material dado, tal que

µH = B, donde µ es el magnético permeabilidad. Para el vacío y muchos materiales no ferromagnéticos, 〖"µ"〗 _0

es constante y representa una relación lineal entre H y B. Para el vacío, µ = µ "µ" 0 _0 = 〖𝟒𝝅〗 ^ (- 𝟕) H / metro.

La permeabilidad relativa "µ" _𝑟, definida de acuerdo con µ = "µ" _𝑟 〖"µ"〗 _0 se utiliza para describir la mayoría

de los materiales. Materiales diamagnéticos exhiben "µ" _𝑟. un poco menos que

• Los materiales ferromagnéticos pueden tener valores de "µ" hasta 10000 o más. La exclusión de campo, o el efecto

Meissner en superconductores es equivalente a "µ" _𝑟 - + 0.

• En la práctica, los materiales diamagnéticos y paramagnéticos no son muy diferentes al aire en sus propiedades

magnéticas, ya que tienen "µ" _𝑟 = 1. Los superconductores aún no se han utilizado ampliamente por sus

propiedades magnéticas, por lo que los materiales ferromagnéticos son de gran interés para el diseñador

magnético. . Los materiales ferromagnéticos se componen de pequeñas regiones llamadas dominios.

• En cada una de esas regiones, los momentos magnéticos asociados con los átomos están alineados. Esto produce

un fuerte campo magnético local. Para cualquier material ferromagnético, existe una temperatura característica,

conocida como temperatura de Curie, T, por encima de la cual se altera la alineación. Cuando un material de este

tipo se calienta por encima de T, se vuelve paramagnético en lugar de ferromagnético.

• Cuando se enfríe de nuevo, los dominios se reformarán, pero se orientarán al azar entre sí. El campo magnético

externo neto es entonces cero. Calentar un material por encima de T, por lo tanto, proporciona una manera de

desmagnetizarlo. La temperatura puede ser un problema importante en los dispositivos magnéticos, ya que sus

temperaturas Curie son generalmente más bajas que las temperaturas en las que se produce un daño físico obvio.

• Cuando los campos externos se aplican a una sustancia ferromagnética, los dominios tienden a realinearse con los

campos impuestos. Esta realineación de grandes grupos de átomos produce el alto valor de permeabilidad. Una vez
 que todos los dominios se han realineado, se dice que el material está saturado, y m la permeabilidad cae a un valor

paramagnético no muy diferente de 〖"µ"〗 _0

• Varios elementos metálicos y aleaciones actúan como materiales ferromagnéticos.

• En la tabla se enumeran los elementos ferromagnéticos. Muchas aleaciones que contienen estos elementos

también son ferromagnéticas.

• Los elementos de aleación comunes incluyen aluminio, manganeso, zinc, cromo y varios metales de tierras raras.

Incluso hay algunas aleaciones y compuestos ferromagnéticos, como el dióxido de cromo, que no contienen

elementos ferromagnéticos. El hecho de que la permeabilidad cambie a medida que la sustancia se satura hace que

estos materiales no sean lineales.

circito magnetico

la siguiente imagen muestra un flujo uniforme y un campo magnético dentro de un elemento con permeabilidad

𝟐
𝝁 longitud l y área seccional Am the FMM éntrelos dos extremos del elementos es F=∫𝟏 𝑯. 𝒅𝒍 = 𝑯𝒍

Permeabilidad

• la permeabilidad es una propiedad muy importante en los materiales magnéticos, por lo tanto la discutiremos en

detalle. La permeabilidad relativa mostrada en la sesión 1.1 tiene varias interpretaciones diferentes dependiendo

de una condición especifica de definición y medición. El índice r es omitido y solamente el correspondiente índice

es usado para denotar las diferentes versiones: amplitud de la permeabilidad, permeabilidad inicial, permeabilidad

efectiva, permeabilidad incremental, permeabilidad reversible, permeabilidad compleja.

 amplitud de permeabilidad: es la permeabilidad relativa bajo la alternación del campo externo H. lo que da la

relación entre el valor pico de la inducción B y el campo magnético. la definición general es: (1.11)

donde:

B es el valor de la amplitud de la induccion promedio a lo largo de la

seccion transversal del nucleo.

H es la amplitud del campo paralela a la superficie del nucleo.

la permeabilidad inicial, es la permeabilidad relativa del material

magnético cuando el campo magnético aplicado H es muy bajo. (1.12)

• si hay un espacio de aire en un cirucito magnetico cerrado.

la permeabilidad aparente total del circuito es llamada permeabilidad efectiva

la cual es mas baja que la permeabilidad del mismo nucleo sin entre hierro.

la permeabilidad efectiva depende de la permeabilidad inicial del

material magnetico y las dimenciones de el nucelo y el entre hierro.

para nucleos con enre hierro relativamente pequeño la permeabilidad efectiva

esta dada por (1.13)

donde :

Ag= es el area seccional del entre hierro

Lc= es la longitud efectiva del camino magnetico

si el entre hierro es largo, algunas partes el flujo pasan fuera del entre
 hierro y este flujo adicional resulta en un incremento del valor de la

permeabilidad efectiva en conparacion con la ecuacion (1.13) es valida solo cuando

se ignora la permeabilidad de los "flecos". la permeabilidad efectiva tambien es

conocida como la permeabilidad de un equialente homogeneo nucleo toroidal.

permeabilidad incremental: es definida cuando un campo campo magnetico alterno

Hac es superinpuesto en un campo magnetico statico Hdc. el lazo de histéresis sigue un bucle. la permeabilidad

incremental es (1.14)

EL LAZO DE HISTÉRESIS PARA LOS MATERIALES DE POTENCIA

• En la aplicación y elección de componentes magnéticos en la electrónica de potencia, es importante relacionar la

acción y las propiedades de los materiales magnéticos en los transformadores e inductores en los circuitos que

hemos estado estudiando. Lo que produce el voltaje no es la alternancia, sino la tasa de cambio del flujo. A medida

que las formas de onda de la corriente y el voltaje cambian durante la operación, los componentes magnéticos

pasan por el bucle de histéresis característico del material magnético. En algunos casos, solo se recorre parte del

bucle de histéresis. El funcionamiento de un transformador de potencia o choke se puede diseñar para tener una

unidad bipolar como en el tipo push-pull o unipolar (modo hacia adelante o hacia atrás). En el caso bipolar, el curso

de la inducción o la excursión es en ambas direcciones para que la magnetización se invierta. La densidad de flujo o

inducción, B, recorridos para el caso de las topologías push-pull (a), forward (b) y flyback (c) se muestran en la Figura

1.12.

• En el caso unipolar, la inducción es unidireccional y la magnetización no se invierte. En la Figura 1.12b, para el

convertidor de avance, se agregó un condensador de aumento lento o un estrangulador de llamada para restablecer

el núcleo. En el caso del convertidor de retorno, (Figura 1.12c), la desviación del bucle de inducción de CA se debe

al DC generalmente presente en el convertidor de retorno. En ciertos casos en la electrónica de potencia, los límites

de la inducción son desde lo más remanente a una mayor inducción.

• El bucle atravesado es un bucle menor en el primer cuadrante similar al que se muestra en la Figura 1.13. En este

caso, la B utilizada en la ecuación de inducción sigue siendo ∆𝐵 / 2 aunque la magnetización no se invierta.

• Mientras que la ~ B y, por lo tanto, la tensión correspondiente son más pequeñas en una unidad unipolar que en la

bipolar, la construcción y el funcionamiento son mucho más simples y más económicos. En las figuras 1.14, 1.15 y

1.16 se muestran los recorridos de bucle de histéresis para convertidores de retroceso, avance y push-pull. En el

uso de ferritas como transformadores de retorno para receptores de televisión, las formas de onda de voltaje y

corriente no son sinusoidales, sino que tienen forma de diente de sierra o de retorno. Esto permite que el haz de

electrones se desplace por la pantalla del televisor con su señal visual y, cuando llegue al final, regresará

rápidamente o volverá a la posición inicial de barrido horizontal para presentar la siguiente línea inferior de

información. En este caso, la operación del transformador es unipolar. La base de la fuente de alimentación de

conmutación electrónica del módem es la acción del transistor como un interruptor. Los primeros transistores no

se construyeron para transportar mucha potencia y, por lo tanto, como en el caso de los primeros inductores y

transformadores de ferrita, se utilizaron principalmente en aplicaciones de telecomunicaciones a bajos niveles de

potencia.

El primer componente electrónico de potencia fue el inversor, que es un dispositivo que toma una entrada de CC y

produce una salida de CA de una manera distinta a la del generador giratorio habitual. Se puede incorporar un

transformador en el dispositivo para proporcionar el voltaje requerido. El dispositivo puede ser mecánico, como un

vibrador o cortador, o puede ser de la variedad de estado sólido utilizando un transistor. La palabra oscilador, a
 veces puede confundirse con un inversor, pero en el oscilador, las frecuencias pueden ser más altas y los niveles de

potencia más bajos. El segundo elemento importante, un convertidor de CC, toma la CC de una tensión y la convierte

a CC a otra tensión. Uno podría llamarlo un transformador DC. El paso intermedio en un convertidor es el de un

inversor, es decir, la conversión de CC a CA. Por supuesto, el paso adicional es la rectificación a D.C. La entrada a un

convertidor a veces puede ser una frecuencia baja (50-60 Hz) que se rectifica, se invierte, se transforma y luego se

rectifica nuevamente. La ventaja sobre un transformador convencional es que la transformación es mucho más

eficiente a la frecuencia más alta.

EFECTO DEL ENTREHIERRO SOBRE EL CIRCUITO MAGNETICO

el entre hierro aumenta la reluctancia total del circuito magnético y disminuye la inductancia.

Los entre hierros se emplean en inductores prácticos por dos razones.

• 1. Sin entre hierro (𝑅_𝑔 = 0), la inductancia es directamente proporcional a la permeabilidad del núcleo. Esta

cantidad depende de la temperatura y el punto de operación, y es difícil de controlar.

Por lo tanto, puede ser difícil construir un inductor que tenga un valor bien controlado de L. La adición de un espacio

de aire que tiene una reluctancia R𝑔 mayor que 𝑅_𝑚 hace que el valor de L sea insensible a las variaciones en 𝜇. ·

• 2. La adición de un espacio de aire también permite que el inductor funcione a valores más altos de la corriente de

bobinado i (t)

sin saturacion

El flujo total ϕ se representa en función de la bobina de MMF Ni en la figura 12.12.

Dado que ϕ es proporcional a B, y cuando el núcleo no está saturado, Ni es proporcional a la intensidad de campo

magnético H en el núcleo, la Fig. 12.12 tiene la misma forma que la característica B-H del núcleo

EFECTO DE PIEL

La grafica 12.23 indica la profundidad de penetracion de los condcutores de cobre. Esta grafica arte de la

comparacion en funcion de la frecuencia f y el diametro del cable d para los cables conductores estandares
americanos AWG. estos esttan enlistados o caracterizados donde puede que alguno de diametro 18=1 para un AWG

numero 4 maneja frecuencia aproximadas a los 500Khz un cable de 18=1 pero AWG numero 22 maneja frencuencia

de 10Khz

El efecto de piel hace que la resistnecia y las caracteristicas del cobre se vean perdidas al aumentar su diametro y a

exponerse a altas frecuencias. En alta frecuencia la corriente no pasa por el centro del conductor la corriente circula
por la superficie del alambre lo que causa que el interior del cable no se utilice y esto es por que el area transversal

efectiva del alambre se reduce. sin embargo el efecto piel por si solo no es suficiente para dar explicacion al aumento

de las perdidas en el cobre de los devanados entrecapas del transforador observadas en alta frecuencia.

CLASES DE NÚCLEOS Y PARÁMETROS GEOMÉTRICOS

CARACTERÍSTICAS DE LA FERRITA N27
DISEÑO SIMPLIFICADO DE UN INDUCTOR SIN ENTRE HIERRO
 𝒉 = 𝒌𝒉 (𝒅𝒂 − 𝒅𝒊 )(𝒂𝒍𝒕𝒖𝒓𝒂 𝒅𝒆𝒍 𝒕𝒐𝒓𝒐𝒊𝒅𝒆)
Para toroides de ferrita 𝒅𝒊
𝒌𝒉 ≅ 𝟏 𝒚 𝟎, 𝟓 ≤ ⁄𝒅 ≤ 𝟎, 𝟕
𝒂
Tabla 7.05 Características de los núcleos de los toroides

Algunos dispositivos de transformación

idealmente la corriente es inversamente proporcional a la relación de numero de espiras

La diferencia de la relación de transformación puede analizarse mediante el uso de un circuito equivalente figura 3.17b. en

este circuito Rs es la resistencia del devanado secundario, Xsl son las pérdidas o fugas asociada a la reactancia y a las perdidas

por el aire en los conductores del devanado secundario.

Como la corriente del primario es de una fuente u resistencia de fuga y la reactancia son insignificantes. La Relación entre la
corriente del secundario y la del primario está dada por :

la ecuación 3.60

Donde Ze es la impedancia externa de circuito secundario. Para minimizar el error es necesario agregar la admitancia de

magnetización Ylm estaba debe ser lo más pequeña posible ya que se usan materiales de baja fuerza coercitiva operando a
baja densidad de flujo. Además se adiciona una impedancia de carga la cual debe ser pequeña.

El transformador de corriente se usa para la medición de la corriente solo teniendo en cuenta la magnitud de error. Pero si es
usado como suministro de corriente se agrega en la bobina de corriente un vatímetro, calcular el error con respecto al ángulo

de fase es también muy importante.