Nombre: Hernandez Vallejo Juan Carlos fecha: 26 de marzo del 2019

PREVIO #6
1. Describir detalladamente los pasos que se deben seguir para implementar
una memoria de mayor capacidad, es decir, que cosas se toman en
consideración:
 Definir la organización de la memoria
 Definir con qué tipo de integrados se cuenta
 Definir las restricciones del material disponible (precio,
consumo de corriente, tiempo de acceso, número máximo de
circuitos integrados, etc.)
 Definir el número de circuitos integrados que se necesitan
para alcanzar la capacidad deseada (número de palabras x
bits por palabra)
 Conseguir la hoja de especificaciones del CI adquirido para
conocer su tiempo de acceso y la configuración de terminales
 Definir el número de líneas de direccionamiento que se
requieren
 Definir el número de líneas de habilitación y de control
 Definir el número de líneas de entrada y salida de datos
 Definir la circuitería adicional necesaria para el correcto
funcionamiento (compuertas lógicas o decodificadores
externos)
2. Diferencias principales entre una RAM estática y una RAM dinámica.
 La SRAM es estática (no necesita refrescar periódicamente)
mientras la SDRAM es dinámica (necesita que se suministre
energía periódicamente)
 La velocidad DRAM puede empaquetar varios gigabits en un
chip DRAM, mientras la memoria SDRAM solo puede
empaquetar varias decenas de mega bits en su chip
 El consumo de la SRAM es estable, mientras que el de la
SDRAM es mayor debido a los ciclos de refresco
 La SRAM es más cara que la SDRAM debido a su mayor
velocidad
3. Cuál es la celda de almacenamiento de una memoria SRAM (porque
elementos están construidas).
R= La celda está construida por Flip-Flops, la cual se puede visualizar a
continuación:
Nombre: Hernandez Vallejo Juan Carlos fecha: 26 de marzo del 2019

4. Implementar los arreglos de memoria que se piden en las preguntas 4, 5 y

6, tomando como circuito integrado de memoria el CI 6116 (conseguir hoja
de especificaciones y patígrama de esta memoria SRAM de 2k x 8). Para
cada implementación (4, 5 y 6) indicar los 4 incisos siguientes:
a) Número de líneas de direccionamiento que se requieren
b) Número de líneas de entrada / salida.
c) Líneas de habilitación y control
d) Circuitería adicional para que funcione completamente la
implementación.
5. Duplicar el número de localidades de la memoria original... (valor 20%)
6. Duplicar el tamaño de la palabra de la memoria original... (valor 20%)
7. Duplicar el número de localidades y el tamaño de la palabra de la memoria
original... (valor 30%)
1. Nota: guardar una copia fotostática de esta última implementación, se
revisará en la práctica.