1er CURSO I. T.

TELECOMUNICACIÓN – CURSO 2009-2010 6) Dados los transistores NPN de la figura a temperatura ambiente,
a) Suponiendo los tres transistores en la zona activa, y con iguales tensiones de
TECNOLOGIA Y COMPONENTES ELECTRONICOS Y FOTONICOS polarización, ordenar (en orden decreciente) para los tres transistores los valores
del parámetro βF.
PROBLEMAS DE TRANSISTORES BIPOLARES b) Si se intercambian Emisor y Colector en el transistor T1, representar las
principales componentes de las corrientes cuando el “nuevo” transistor se polariza
1) Sea un transistor bipolar NPN en el que IEp = 0.15 mA, IEn = 3 mA, ICp = 0.5 μA, e en la zona activa.
ICn = 2.9 mA. Calcula los siguientes parámetros e intensidades: γ, αT, αF, βF, IB, ICO.
(Suponer que el colector está mucho menos impurificado que la base)
E B C E B C
2) Supongamos un transistor bipolar PNP de silicio en equilibrio térmico a temperatura
10 cm-3
17
17
10 cm
-3 15
10 cm
-3 14
10 cm
-3
1015cm-3 1014cm-3
ambiente, con los siguientes dopados en cada zona:
NAE=5·1017 cm-3, NDB=1015 cm-3, NAC=1014 cm-3. T1 WBB0 T2 2WBB0
a) Representar el diagrama de bandas indicando en cada una de las zonas neutras la
distancia entre EF y Ei. Indicar también la anchura de las zonas de carga espacial de
cada unión. E B C
1017cm-3 1014cm-3 1014cm-3
b) Dibujar el campo eléctrico a lo largo del transistor, indicando valores numéricos.
c) Calcular la diferencia de potencial total entre el emisor y el colector.
T3 WBB0
d) Si a la unión EB de este transistor se le aplica un voltaje externo V1 = 0.3V, que
polariza dicha unión en directa, y se polariza la unión CB en inversa aplicando un 10 V
voltaje externo V2=2V, dibujar el diagrama de bandas resultante, y las
distribuciones de portadores minoritarios en todo el transistor. 7) En la figura siguiente se muestra el circuito de polarización de
un transistor bipolar. Las características de salida están 310 KΩ 2 KΩ

3) Si aumentamos la anchura de la base de un transistor bipolar NPN, ¿cómo se representadas en la figura adjunta.
modifican los siguientes parámetros? (aumentan, disminuyen o casi no varían): a) Determina los valores de VCE, IC, e IB en continua
αT, γ, βdc, efecto Early b) Calcula los valores de β, rπ y r0.

4) Supongamos un transistor bipolar NPN de silicio en equilibrio térmico a temperatura

ambiente, con los siguientes dopados en cada zona:
NDE=1017 cm-3, NAB=1016 cm-3, NDC=1015 cm-3.
a) Representar el diagrama de bandas indicando en cada una de las zonas neutras la
distancia entre EF y Ei. Indicar también la anchura de las zonas de carga espacial de
cada unión.
b) Dibujar la densidad de carga y el campo eléctrico a lo largo del transistor,
indicando valores numéricos.
c) Calcular la diferencia de potencial total entre el emisor y el colector.

5) Se tienen los tres transistores bipolares NPN de la figura. Decir en cuál(es) de ellos:
a) es menor la alfa de continua, αF
b) el efecto Early será más apreciable

NDE=1·1019 cm-3 NDE=1·1019 cm-3 NDE=5·1017 cm-3

NAB=1·1017 cm-3 NAB=1·1017 cm-3 NAB=1·1017 cm-3
NDC=1·1015 cm-3 NDC=1·1015 cm-3 NDC=1·1015 cm-3
WBB= 0,4 µm WBB= 1 µm WBB= 1 µm

T1 T2 T3
8) Se tiene un transistor N+PN. Si el dopado NA de la base aumenta, ¿cómo se modifican
los siguientes parámetros?
a) Ganancia de corriente en emisor común β 13) Para el circuito de la figura:
b) Resistencia de salida en pequeña señal rO a) Para cada uno de los siguientes casos (i)-(iii):
RE=2 KΩ RC
- Calcular el punto de trabajo del transistor e
indicar si se encuentra en saturación,
9) Suponer un transistor bipolar P++N+P. ¿Cómo se modifican los siguientes parámetros si activa o corte.
se aumenta la anchura de la base? (razonar muy brevemente) - Representar gráficamente en el plano de las VEE VCC = 4 V
a) αT características IC(VCB) el punto de trabajo
b) γ y la recta de carga.
c) βdc (i) VEE = 20 V, RC = 0,5 KΩ
d) efecto Early (ii) VEE = 10 V, RC = 0,5 KΩ
(iii) VEE = 3 V, RC = 0,5 KΩ
b) Calcular el punto de trabajo del transistor, y representarlo gráficamente, así como
10) Por un fallo en el proceso de fabricación de un transistor PNP, el dopado del emisor también la recta de carga para los siguientes casos:
ha quedado igual que el dopado de la base: NA1, E = ND1, B >> NA1, C (T1), cuando se (i) VEE = 4 V, RC = 2 KΩ
pretendía que NA2, E >> ND1, B (T2). El resto de los parámetros ha quedado como se (ii) VEE = 4 V, RC = 0,5 KΩ
esperaba. Este fallo afecta a las características eléctricas del transistor. (iii) VEE = 4 V, RC = 0,1 KΩ
a) ¿Cómo serán los valores de la ganancia de corriente en
IC (mA)
continua en emisor común βF para el transistor T1
IE
comparados con el T2? IC2

b) La curva característica IC(VCB) esperada para el 14) En el circuito de la figura: VEE= -12 V VCC= +18
transistor T2 para una corriente de base IE es la a) Calcular IE, IC, IB, VCB y VCE si RE RC
representada en la figura (base común). ¿Cómo será la RE = 4 KΩ y RC = 2 KΩ.
VCB (Volts)
correspondiente al transistor T1 para la misma IE? b) Calcular los valores que deben tener RE
+1 -1 -2 -3 -4
y RC para que IC=3.5mA y VCE=6V.

11) Un grupo de investigadores están diseñando un transistor bipolar para ciertas

aplicaciones concretas. La estructura sobre la que trabajan es de tipo P/N+/P
(NE << NB >> NC). 15)
a) Comparar la eficiencia de inyección del emisor γ, y la ganancia de corriente en (a) Para el circuito de la figura, calcular el punto de
emisor común βF de este transistor con los correspondientes a uno con los dopados trabajo del transistor indicando si se encuentra en
VCC=10 V
habituales P++/N+/P. saturación, activa o corte, y representar
b) Hacer un esquema con las componentes de la corriente que entran o salen de cada gráficamente el punto de trabajo y la recta de
terminal del transistor en saturación directa. carga en el plano de las características IC(VCE) RC=1 KΩ
c) Representar de forma cualitativa las densidades de portadores minoritarios en el para los siguientes valores de RB:
emisor npE(x), en la base pnB(x), y en el colector npC(x), cuando el transistor se (i) RB = 100 KΩ VBB=4 V β=100
encuentre polarizado en activa. (ii) RB = 50 KΩ VCE(sat) = 0
RB
(ii) RB = 20 KΩ
(b) Razonar hacia qué zona se mueve el punto de
12) Se tienen dos transistores bipolares T1 y T2. Son P++N+P, y se sabe que los dopados trabajo al disminuir la resistencia de base RB.
de emisor, base y colector son iguales para ambos y que βF1 > βF2. (c) Razonar hacia qué zona se mueve el punto de
a) ¿En cuál de ellos la anchura de la base WBB será mayor? trabajo si se aumenta la resistencia de colector RC.
b) ¿Cuál tendrá mayor factor de transporte en la base αT?
c) ¿Cuál tendrá mayor eficiencia de inyección del emisor γ?
d) ¿En cuál será más importante el efecto Early?
 16) Suponer un transistor bipolar N++P+N cuyas características de salida ideales en c) Ordena (en orden creciente) los tres transistores para los valores de: (NE/NB), WB
emisor común se representan en la figura 16.1. y NC .
a) Representar en un esquema todas las componentes de la corriente de electrones y d) Considerar el transistor T2. ¿Cuál de las dos gráficas representa mejor la
huecos en la zona activa, indicando brevemente cuáles son importantes. distribución de portadores minoritarios en la base en función de la posición? ¿Por
b) De los siguientes parámetros, ¿cuáles afectan a la ganancia en emisor común βF y en qué?
qué forma?:
Dopado del emisor NE, de la base NB y del colector NC; anchura del emisor 3) Se han fabricado tres transistores PNP que tienen el mismo αT ICn
WEE, de la base WBB y del colector WCC; densidad de centros profundos en la factor de ganancia en emisor común, β=24. Sin embargo, se T1 0,98 0,032 µA
base NT. ha observado que la estructura interna de los mismos no es T2 0,965 0,01 µA
c) La fig. 16.2 representa las características de salida en emisor común de un transistor igual. Todos tienen el mismo dopado en el emisor NE, pero T3 0,99 0,030 µA
comercial. Comentar la(s) diferencia(s) más importante(s) que se aprecia(n) con las diferentes dopados en la base NB y en el colector NC, así
ideales y qué efecto(s) la(s) produce(n). como diferente anchura de la base WB. Se ha encontrado que para un cierto valor
d) Para el circuito de la figura, calcular el punto de trabajo (VCE, IC) y representarlo de los voltajes aplicados en activa, la corriente de colector de huecos es
gráficamente junto con la recta de carga. Usar para ello las características de la ICp = 2,9 mA (igual en los tres transistores). Para estas condiciones, en la tabla se
figura 16.1. Si es necesario, interpolar las características. indican los valores de αT e ICn de cada transistor.
e) Si disminuye el voltaje de la fuente VBB, razonar hacia qué zona de polarización se a) Para el transistor T1, indicar los valores de las componentes de la corriente
desplazará el punto de trabajo. de base IB, su sentido y origen.
b) Ordena (en orden creciente) los tres transistores para los valores de: NB,
WB, NC.
10
IC (mA) IB = 30 µA IC (mA)
c) Dibujar el diagrama de bandas de los transistores T2 y T3 mostrando las
VCC=18 V diferencias entre los dos de forma cualitativa.
IB = 24 µA
8
RC=2,5 KΩ
IB = 18 µA
6
VBB=4 V

IB = 12 µA RB=550KΩ
4

IB = 6 µA
2
Fig. 16.3

0 4 8 12 16 20
VCE (Volts) VCE (Volts)
Fig. 16.1 Fig. 16.2

17) Se tienen tres transistores PNP

IEp IEn ICp ICn
polarizados en activa. Todos tienen el
T1 8,0 mA 0,06 mA 7,97 mA 0,2 µA
mismo dopado en la base NB, y también
igual tiempo de vida media de los T2 7,8 mA 0,26 mA 7,74 mA 0,8 µA
portadores minoritarios, pero diferentes T3 7,2 mA 0,86 mA 7,19 mA 0,3 µA
dopados en el emisor NE y en el colector NC,
así como diferente anchura de la base WB. En (1) (2)

la tabla se indican las corrientes de los tres p (x) nB

pnB(x)
transistores.
a) Para el transistor T1, indicar los valores
de las componentes de la corriente de base Zona neutra Zona neutra
IB, su sentido y origen. de la base de la base

b) Calcula los parámetros γ, αT, αF y βF para cada transistor