Practica 2: Transistores Electrónica Analógica

Practica de transistores

NOMBRES:

Diego Alfredo Castro Sánchez

Luis Omar Chávez Valadez
Arturo Elias Moreno Rodriguez

CARRERA:

Mecatrónica

MATERIA:

Electrónica Analógica

PROFESOR:

Gustavo Terán Moreno Gonzales

FECHA:

14/11/2018

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Practica 2: Transistores Electrónica Analógica

Objetivo: La configuración de transistor que más

frecuentemente se encuentra aparece en la
Conectar los circuitos ya vistos en clase para figura 1 para los transistores pnp y npn. Se
observar con un multímetro el llama configuración en emisor común porque
comportamiento de los transistores en sus el emisor es común o sirve de referencia para
puntos de operación las terminales de entrada y salida (en este
Elaborar los circuitos cundo el transistor esta caso es común para las terminales base y
en saturación, en punto Q y cercano a corte. colector).

Introducción:
El transistor es un dispositivo semiconductor
de tres capas que consta de dos capas de
material tipo n y una de material tipo p o de
Fig. 2
dos capas de material tipo p y una de material
tipo n. El primero se llama transistor npn (b) y Los puntos de operación del transistor se
el segundo transistor pnp (a). conocen como:

Fig.3

La configuracion de untrancistor en emisor

comun se demuestra como (Fig. 4):

Fig. 4

Fig. 1

2
Practica 2: Transistores Electrónica Analógica

𝑉𝐶𝐶 20
Materiales: R1 = RB ( ) = 1800 ( )= 13.9 KΩ ≈ 15 KΩ
𝑉𝐵𝐵 2.58

 Protoboar 𝑅𝐵 1800
R2 = = = 2.06 KΩ ≈ 2.2 KΩ
 Trancistores 2N2222 𝑉
1− 𝐵𝐵
𝑉𝐶𝐶
1−
2.58
20
 Fuente variable de CD
 Resistencias Corroborando resultados:
 Cable  VBB =
𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 20∗2.2𝐾
= 15 𝐾+2.2 𝐾 = 2.55 V
 Multimetro 𝑅1 +𝑅2
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸 2.55−0.6
 IE = 𝑅𝐵 = 1800 = 9.78 mA
+𝑅𝐸 +180
𝛽 100

Desarrollo: Para el transistor en saturación:

Calcular todos los valores de las resitencias, VCC = 15 V

tanto las de colector y emisor como R1 y R2,
IC = 5 mA
comprobra los resultados dedichas corrientes
y voltajes teoricos con los valores comerciales VCE = 13 V
de las resistencias y trancisitores.
β = 100
Transistor en el punto Q:
Malla CE
VCC = 20 V
-15 + ICRC+ VCE + IERE = 0
IC = 10 mA
IC ≈ IE
VCE = 10 V 15−13 𝑉
IC (RC + RE) = 5 𝑚𝐴
= 400 Ω
β = 100
RC = 180 Ω
Malla CE
RE = 220 Ω
-20 + ICRC+ VCE + IERE = 0
𝛽
IC ≈ IE RB = 220*(10) = 2.2 KΩ

IC (RC + RE) =
20−10 𝑉
= 1 KΩ Malla BE
10 𝑚𝐴
-VBB + IERE + VBE + IBRB = 0
RC = 820 Ω
𝑅
RE = 180 Ω VBB = IE ( 𝛽𝐵 + RE) - VBE

𝛽 2200
RB = 180*(10) = 1.8 KΩ VBB = 5 mA ( 100 + 220) – 0.6

Malla BE VBB = 1.81 V

𝑉 15
-VBB + IERE + VBE + IBRB = 0 R1 = RB (𝑉 𝐶𝐶 ) = 2200 (1.81) = 18.23 KΩ ≈ 15 KΩ
𝐵𝐵
𝑅
VBB = IE ( 𝛽𝐵 + RE) - VBE R2 =
𝑅𝐵
=
2200
= 2.501KΩ ≈ 2.7 KΩ
𝑉 1.81
1− 𝐵𝐵 1−
15
𝑉𝐶𝐶
1800
VBB = 10 mA ( 100 + 180) – 0.6
Corroborando resultados:
VBB = 2.58 V

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Practica 2: Transistores Electrónica Analógica

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 15∗2.7𝐾 Ahora se mostraran los circuitos en la

 VBB = = = 1.63 V
𝑅1 +𝑅2 15 𝐾+2.7 𝐾
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸 1.63−0.6 protoboar:
 IE = 𝑅𝐵 = 2200 = 4.29 mA
+𝑅𝐸 +220
𝛽 100 a) Punto Q
Y para el transistor cercano a corte:

VCC = 25 V

IC = 5 mA

VCE = 0.1 V Fig. 5

β = 100 b) En saturación
Malla CE

-25 + ICRC+ VCE + IERE = 0

IC ≈ IE
25−0.1 𝑉 Fig. 6
IC (RC + RE) = 5 𝑚𝐴
= 4.98 KΩ
c) Cercano a Corte
RC = 3.9 KΩ

RE = 1 KΩ
𝛽
RB = 1K*(10) = 10 KΩ

Malla BE

-VBB + IERE + VBE + IBRB = 0

Fig. 7
𝑅
VBB = IE ( 𝐵 + RE) - VBE Solo se mostraran un par de imágenes ya que
𝛽

10000
las mediciones se hicieron correctamente:
VBB = 5 mA ( 100
+ 1K) – 0.6

VBB = 6.1 V
𝑉 25
R1 = RB (𝑉 𝐶𝐶 ) = 1800 (6.1) = 40.98 KΩ ≈ 39 KΩ
𝐵𝐵

𝑅𝐵 10000
R2 = 𝑉 = 6.1 = 13.22 KΩ ≈ 12 KΩ
1− 𝐵𝐵 1−
25
𝑉𝐶𝐶

Corroborando resultados:
𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 25∗12𝐾
 VBB = 𝑅1 +𝑅2
= 39 𝐾+12 𝐾 = 5.88 V
Fig. 8 (VBE de todos los transistores)
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸 5.88−0.6
 IE = 𝑅𝐵 = 10000 = 4.83 mA
+𝑅𝐸 +1000
𝛽 100

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Practica 2: Transistores Electrónica Analógica

Con esta práctica medimos valores de

Fig. 9 (Voltaje de R2, circuito Cercano a Corte)
Fig. 10 ( Corriente de base, en saturación)
corriente en emisor, en colector y en base, y
voltajes en las resistencias, en colector-
emisor, en base emisor, esto para comprobar
nuestros valores teóricos y ver si se
desplazaban nuestros cálculos de operación
del transistor y así, observar cuanto se movía
a zona de saturación o zona de corte
utilizando los valores comerciales de nuestras
resistencias.

Bibliografías:
ROBERT L.BOYLESTAD, L. N., 2009.
ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS Y
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS. 10 ed. CIUDAD
DE MÉXICO: PEARSON.

DONALD. L. SCHILLING, CIRCUITOS

ELECTRÓNICOS DISCRETOS E
Fig. 11 (Voltaje CE, en el puntyo Q)
INTEGRADOS, 3RA EDICION, MCGRAW
HILL.
Resultados:
Se obtubieron los siguientes resultados con el
multimetro de banco:

VALORES Punto Q Saturado Cercano a C.

VCE 10.11 V 38.66 mV 11.97 V
VRC 8.35 V 18.8 V 1.24 V
VRE 1.85 V 6.06 V 1.53 V
VR1 17.55 V 18.22 V 12.57 V
VR2 2.47 V 7.78 V 2.43 V
VBE 0.63 V 0.68 V 0.63 V
IC 10.15 mA 5.008 mA 6.84 mA
IE 10.26 mA 6.12 mA 6.81 mA
IB 44.4 µA 1.11 mA 30.8 µA
β 228.6 4.51 222.07
Tabla 1

Conclusión: