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Técnicas de Crecimiento,
EPITAXIAL
Tema 3. Tecnología y Fabricación de CIs
I. Crecimiento EPITAXIAL : Introducción
EPITAXIA: es el crecimiento ordenado de una capa monocristalina que mantiene una
relación definida con respecto al substrato cristalino inferior.
EPI: sobre TAXIS: ordenación
Substrato más
Substrato de partida
Capa epitaxial
Ejemplo: crecimiento epitaxial: región p (base del transistor bipolar y región central
del MOSFET)
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Tema 3. Tecnología y Fabricación de CIs
I. Crecimiento EPITAXIAL : Introducción
EPITAXIA: es el crecimiento ordenado de una capa monocristalina que mantiene una
relación definida con respecto al substrato cristalino inferior.
Substrato más
Substrato de partida
Capa epitaxial
Ejemplo: crecimiento epitaxial: región p (base del transistor bipolar y región central del
MOSFET)
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Tema 3. Tecnología y Fabricación de CIs
I. Crecimiento EPITAXIAL : Introducción
El crecimiento epitaxial, puede dividirse en dos categorías muy amplias:
Homoepitaxia: la capa que se crece es químicamente similar al substrato:
Es la epitaxia más simple e involucra la extensión de la red del substrato en una red de material idéntico
(autoepitaxia u homoepitaxia),
Si sobre Si
GaAs sobre GaAs.
AlGaAs sobre GaAs: hay una desadaptación de la constante de red del 0.13 % (homoepitaxia)
Heteroepitaxia: la capa que se crece difiere en términos químicos, estructura cristalina, simetría o
parámetros de red con respecto al substrato.
Materiales III-V ternarios o cuaternarios sobre GaAs (AlGaAs sobre GaAs, GaN sobre SiC)
GaAs sobre Si: existe un 4.5 % de desadaptación en la constante de red
Silicon on Insulator (SOI)
Silicon on Shaphire (SOS)
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Tema 3. Tecnología y Fabricación de CIs
I. Crecimiento EPITAXIAL : Introducción
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Tema 3. Tecnología y Fabricación de CIs
I. Crecimiento EPITAXIAL : Introducción
Clasificación de las técnicas de crecimiento epitaxial
Todas ellas basadas en el transporte físico del material semiconductor hacia la
oblea calentada (en fase líquida, en fase de vapor, etc.)
Técnica VPE: epitaxia en fase de vapor
Su forma más genérica es la CVD (chemical vapor deposition) que no sólo sirve para
realizar el crecimiento del monocristal sino también para depositar otro tipo de películas
(aislantes y conductoras)
LPE (liquid phase epitaxy): epitaxia desde la fase líquida
MBE (molecular beam epitaxy): epitaxia de haces moleculares
nucleation y
crecimiento de islas Crecimiento de
absorción del precursor diffusion superficial escalones
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Tema 3. Tecnología y Fabricación de CIs
I. Crecimiento EPITAXIAL : Introducción
La calidad de la capa epitaxial, depende de la difusividad de la superficie y
de una serie de factores experimentales (limpieza de la superficie,
velocidad de deposición, Tª, etc)…
Temperatura de crecimiento
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Tema 3. Tecnología y Fabricación de CIs
II. Crecimiento EPITAXIAL : Liquid Phase Epitaxy (LPE)
Históricamente: es la epitaxia más antigua y la más simple
Fue utilizada por primera vez por H. Nelson (1963) para el crecimiento de uniones p-n de GaAs.
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Tema 3. Tecnología y Fabricación de CIs
II. Crecimiento EPITAXIAL : Liquid Phase Epitaxy (LPE)
Sistema LPE
Es necesario partir del diagrama de fases del GaAs relación
entre la composición de las fases líquida y sólida a diferentes líquido
Temperaturas.
Es característico que a la composición de la fase sólida GaAs + líquido
siempre la corresponde un 50 % de átomos de cada grupo
50 % Ga y 50 % As. GaAs + líquido
Montaje experimental
Un contenedor de gráfico dentro de un tubo de cuarzo
que se introduce en un horno.
El horno permite calentar la solución hasta la Diagrama de fases del GaAs
temperatura deseada: T0.
Se hace circular H2 (hidrógeno purificado) Para
eliminar las películas de óxido del material solvente
(óxido de Galio)
Dos regiones para depositar el substrato y la mezcla
Al alcanzar T0 el horno se inclina y la fase líquida
cubre al substrato
Después se reduce la Tª y como consecuencia, crece la
capa epitaxial sobre la superficie del substrato.
El proceso termina cuando el horno regresa a la posición
inicial, y la fase líquida se retira de la superficie del
substrato
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Tema 3. Tecnología y Fabricación de CIs
II. Crecimiento EPITAXIAL : Liquid Phase Epitaxy (LPE)
Caso particular del GaAs (procedimiento de Nelson) para el crecimiento de una capa de GaAs
Si la solución se enfría lentamente (paso de el punto (a) al punto (b)) unos pocos grados (∆T=5-20ºC)
La mezcla se vuelve supersaturada (demasiados átomos de As para esa Tª).
PASO nº 2: INTRODUCCIÓN DEL SUSTRATO. Se gira el sistema para que la disolución líquida “moje”
a la oblea de GaAs sobre la que queremos hacer el crecimiento (T<1238ºC, luego la oblea no se funde).
Ventajas LPE
Es un proceso simple que requiere un equipo modesto Se puede realizar en condiciones
normales de laboratorio
Menos costosa y mayor velocidad de crecimiento que la MBE
Baja concentración de defectos
Excelente control de la estequiometria
Desventajas LPE
Las condiciones de solubilidad restringen en gran manera al número de materiales a los cuales
es aplicable esta técnica.
El control de la morfología (orientación cristalina) es muy difícil
La calidad superficial es pobre
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II. Crecimiento EPITAXIAL : Liquid Phase Epitaxy (LPE)
Ejemplos industriales de técnica LPE: Modelo: LPE_3750/4750:
Este reactor utiliza una técnica de una barquilla sobre grafito para producir
semiconductores de alta calidad a velocidades relativamente elevadas.
Un sistema automático de control proporciona uniformidad al proceso de “run” a “run”.
Un PC utiliza un Display Gráfico para desarrollar procesos de procedimientos y
técnicas de crecimiento.
El tubo del proceso puede ser entonces enfriado rápidamente, mediante un sistema
especial de enfriamiento para aumentar la velocidad.
Un sistema especial, mantiene una sobrepresión, asegurando un proceso libre de
contaminación ambiental.
Consta de numerosos sensores y monitores limitadores para proporcionar un apagado
en caso de cumplirse las condiciones específicas de operación.
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Tema 3. Tecnología y Fabricación de CIs
III. Crec. EPITAXIAL: Vapour Phase Epitaxy (VPE)
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III. Crec. EPITAXIAL: Vapour Phase Epitaxy (VPE)
La técnica VPE en Silicio
Tiene lugar en reactores como los que se observan en la Figuras inferiores.
El corazón de un epi-reactor es la cámara de reacción, fabricada típicamente en cuarzo
Dentro de la cámara hay un crisol en forma de barquilla que sirve de apoyo de los substratos (grafito recubierto
de carburo de silicio).
Se calienta hasta 900-1250 ºC (no se alcance el punto de fusión del Si).
Tiene entradas y salidas de gases de modo que puedan fluir en su interior. Estos gases contienen compuestos
de silicio volátiles y algunos compuestos dopantes.
Todos los productos son gaseosos y las reacciones tienen lugar aproximadamente a 1200ºC. Esta alta
temperatura es necesaria par que los átomos de dopantes adquieran la energía suficiente para moverse y
formar los enlaces covalentes.
La geometría del reactor se utiliza según la manera de sujetar las obleas. Fundamentalmente dos:
El disco (tarta, o tipo de oblea único) las obleas están dispuestas horizontalmente..
El de forma piramidal (o tipo de barril) las pirámides truncadas
mantienen las obleas dentro de cavidades situadas en sus caras prácticamente
verticales Tiene la ventaja de procesar un gran número de obleas al mismo tiempo.
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III. Crec. EPITAXIAL: Vapour Phase Epitaxy (VPE)
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III. Crec. EPITAXIAL: Vapour Phase Epitaxy (VPE)
La técnica VPE en Silicio: En general, los diferentes pasos que ocurren en un proceso VPE
son:
Transporte de especies gaseosas hacia la superficie de crecimiento.
Procesos superficiales: absorción, difusión en superficie, incorporación en cluster de islas o en kinks.
Deabsorción de los reactivos desde la superficie de deposición y transporte de las mismas de nuevo a
la fase gaseosa.
La dependencia con la temperatura de la velocidad de crecimiento tiene un comportamiento general,
que se establece dependiendo de cual de los pasos previamente comentados es el paso determinante.
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IV. Crec. EPITAXIAL: Molecular Beam Epitaxy (MBE)
v La técnica Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Hoy en día es la técnica más prometedora, sobre todo en el área de heteroestructuras (crecimiento
epitaxial) donde se requiere un control preciso sobre impurezas múltiples y de deposición de capas
muy delicadas.
Válida para Si y GaAs
El esquema del sistema epitaxial MBE puede observarse en la figura, está compuesto por:
Las “celdas de efusión” contienen los
materiales a ser depositados o crecidos
epitaxialmente.
La oblea:
se mantiene a una Tª controlada (400 ºC-
900 ºC, temperatura baja)
Se bombardea por los haces de los
materiales que están en las “celdas de
efusión” de manera que las moléculas que
la alcanzan puedan crecer sobre la
superficie con la orientación cristalográfica
del substrato
Gira constantemente para conseguir
capas uniformes.
La cámara presenta condiciones de vacío
extremo (10 –10 torr.) y está llena de nitrógeno
para impedir la contaminación e interacciones
entre compuestos
La velocidad de crecimiento es
aproximadamente 1nm/sec (es muy baja) lo Características
que permite la variación gradual de la generales de un
composición del material sistema MBE típico
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IV. Crec. EPITAXIAL: Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Las “celdas de efusión” contienen los materiales a ser depositados
o crecidos epitaxialmente, donde se realiza su evaporación térmica
controlada:
Son pequeños crisoles, generalmente fabricados en cuarzo, o Nituro de
Boro Pyrolitico (PNB) o Grafito Pyrolitico(PG).
Tienen uno o dos filamentos arrollados junto con termopares de modo que
están sujetos a unos controles exhaustivos de temperatura.
Se diseñan para la evaporación de compuestos y la sublimación en rangos de
temperatura de 200 ºC hasta 1400 ºC
Materiales MBE III-V Standard son: Al, Ga, In.
También puede utilizarse como una fuente de dopantes (Si o Be)
Se puede mantener una presión de vapor fija para cada uno de los materiales
Tienen una pequeña abertura de cara a la oblea.
Para definir interfaces químicas, los haces atómicos pueden ser obturados
on/off a gran velocidad.
Celdas de efusión
dentro de una
cámara de vacío
dirigiendo haces
de Al, Ga, As y
dopantes hacia
un substrato de
GaAs
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IV. Crec. EPITAXIAL: Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Las mayores ventajas de la técnica MBE son :
La versatilidad y simplicidad de su principio de operación.
El entorno de vacío ultra-alto (UHV) da lugar a que los haces de átomos o moléculas sean
direccionados hacia el cristal del substrato donde se forma la capa cristalina.
Este entorno de UHV hace posible que puedan aplicarse:
Técnicas de medida y caracterización “in situ” (espectroscopía de masas, espectroscopía de
electrones Auger (AES), espectroscopia de masa de iones secundarios (SIMS), microscopía de
visualización electrónica (SEM), difractómetros, etc.) para estudiar los procesos fundamentales
que tienen lugar en el crecimiento del cristal.
Monitorización y herramientas de diagnóstico.
Realización de un grabado por chorro de iones (limpieza “in situ” ) previamente a la
realización del crecimiento epitaxial, etc.
Posibilidad de introducir gran variedad de dopantes y gran control de su perfil de dopado.
No hay reacciones químicas complejas.
Gran calidad de los substratos obtenidos.
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IV. Crec. EPITAXIAL: Molecular Beam Epitaxy (MBE)
MBE posee diferentes sistemas de monitorización y caracterización de la capa epitaxial.
Sistema de difracción de reflexión de electrones muy energéticos (RHEED)
Informa acerca de la limpieza de la superficie del substrato.
Se generan un haz de electrones que se hacen incidir en la muestra en diferentes ángulos con energías
típicamente de 5 –15 keV.
Inicialmente, la superficie es lisa y las condiciones de difracción se satisfacen por lo que aparecen picos
elevados en las señales de la difracción.
Para crecer una capa completa debemos ir cubriendo una capa en el cuál existe un gran desorden
superficial lo cual da lugar a una reducción en el máximo de las intensidades de las difracciones.
La amplitud de las oscilaciones decrece con el número de capas crecidas: se puede calibrar el grosor del
material crecido.
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IV. Crec. EPITAXIAL: Molecular Beam Epitaxy (MBE)
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IV. Crec. EPITAXIAL: Molecular Beam Epitaxy (MBE)
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IV. Crec. EPITAXIAL: Molecular Beam Epitaxy (MBE)
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V. Defectos
La perfección cristalina de la capa epitaxial
nunca supera la del substrato y normalmente es
inferior.
Defectos comunes que ocurren en capas
epitaxiales:
(1) representación esquemática de una dislocación
inicialmente presente en el substrato y que se
extiende dentro de la capa epitaxial.
(2) Los precipitados de impurezas en la superficie
del substrato son una clase de defecto superficial
que da lugar una “stacking fault”
(3) Precipitado de impurezas por contaminación
causado por la continuación del proceso epitaxial
(4) Crecimiento de montículos, pirámides y otras
formas de crecimiento pueden estar relacionadas al
proceso o al proceso de finalización del crecimiento
de la oblea
(5) “stacking fault” en una intersección de la
superficie del substrato y que se extiende hacia la
capa epitaxial
Fotografía de los defectos en obleas actuales:
(1) Dislocaciones como grabados circulares
(agujeros) en una región de deslizamiento de una
oblea (100)
(2) “stacking fault” epitaxial
(3) Dislocaciones en una oblea (111)
(4) Crecimiento de un montículo en una oblea (111)
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