DEPARTAMENTO DE TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA

ELECTRÓNICA ANALÓGICA PRÁCTICAS DE LABORATORIO

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PRÁCTICA # 4: TRANSISTORES MOSFET

Grupo: Electrónica Industrial Fecha: 17/12/2018 Calificación

Nombre alumno: Jhohan Alejandro López Morales

Nombre alumno: Ana Isabel Gallardo Palomino

A partir del esquema de la figura, elaborar una memoria descriptiva que contenga los
apartados que se indica. Se deberá aportar una tabla comparativa con los resultados
obtenidos en el análisis teórico, en la simulación y en el montaje real tanto en DC como
en AC.

Se deberán incluir imágenes correspondientes a las simulaciones y a las medidas

reales realizadas con la instrumentación de laboratorio, tanto para valores de continua
como de las formas de onda en alterna.

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1) Realizar el estudio de la polarización y del punto de trabajo a nivel teórico.

Determinar los valores teóricos de VD, VG y VS, así como los de ID, IG e IS.

A partir de las gráficas obtenemos los valores de VGS, VDS e ID. Debido a que en la
gráfica solo se distinguen valores mayores a 200mA (los cuales no podemos usar
puesto que romperíamos el dispositivo MOSFET usando resistencias de 1/4W)
hacemos una interpolación lineal para tener un valor aproximado (debido a que no es
una zona lineal).

Primero tomamos 2 valores de VGS con su respectiva ID:

• VGS1: 4V ID1: 200mA

• VGS2: 2.4V ID1: 0mA

Luego aplicamos la fórmula de la interpolación:

𝑦2 − 𝑦1
𝑦= (𝑥 − 𝑥1 ) + 𝑦1
𝑥2 − 𝑥1

Donde y es igual a la intensidad y x es igual a la tensión:

200𝑚𝐴 − 0𝑚𝐴 𝑚𝐴 𝑚𝐴
𝐼𝐷 = (𝑉𝐺𝑆 − 2.4𝑉 ) + 0𝑚𝐴 = 125 ∗ 𝑉𝐺𝑆 − 300 𝑉 ∗
4𝑉 − 2.4 𝑉 𝑉

Luego suponemos una ID, como 10mA, con la cual calcularemos la VGS:

10𝑚𝐴 + 300𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = = 2.48𝑉
𝑚𝐴
125 𝑉

Luego nuestro punto de trabajo es:

• ID: 10mA
• VGS: 2.48 V
• VDS: 5V

Teniendo VDS calculamos RS y RD:

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑠 16𝑉 − 5𝑉
𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷 ∗ (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 ) → 𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 = = = 1.1𝐾Ω
𝐼𝐷 10𝑚𝐴

Elegimos el valor de RD=680Ω para que sea un valor mayor que RS.
Luego:

𝑅𝑆 = 1100Ω − 680Ω = 420Ω

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Una vez calculado Rs y RD calculamos Vs, VD y VG:

𝑉𝑆 = 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑆 = 10𝑚𝐴 ∗ 0,42𝐾Ω = 4.2𝑉

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 → 𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑆 = 6.68 𝑉
𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑆 = 5𝑉 + 4.2𝑉

𝑅𝐺1 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐺
𝑉𝐺 = ∗ 𝑉𝐷𝐷 → ∗ 𝑅𝐺1 = 𝑅𝐺2
𝑅𝐺2 + 𝑅𝐺1 𝑉𝐺

Suponemos que RG1 es igual a 1MΩ y calculamos RG2.

16𝑉 − 6.68𝑉
∗ 1MΩ = 1. 𝑀Ω = 𝑅𝐺2
6.68𝑉

V I(mA)
D 9.2V 10mA
G 6.68V 0
S 4.2V 10mA

2) Dibujar el modelo equivalente en pequeña señal y calcular los parámetros del

modelo equivalente en pequeña señal. Calcular los parámetros del cuadripolo
resultante; impedancia de entrada (Zin), impedancia de salida (Zo); ganancia en
tensión Av, y ganancia en corriente Ai.

Sin Rs
RSS
RG

VG2 gmVgs
RL
RD
+

Primero calculamos Zin y Zout:

1.4𝑀Ω∗1𝑀Ω
𝑍𝐼𝑁 = 𝑅𝐺 = 𝑅𝐺1 ||𝑅𝐺2 = 1.4𝑀Ω+1𝑀Ω = 0.58𝑀Ω

𝑍𝑂𝑈𝑇 = 𝑅𝐷 = 0.68𝐾Ω

Ahora calculamos la ganancia en tensión, para ello debemos calcular gm y K:

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𝐼𝐷 10𝑚𝐴 𝑚𝐴
𝐼𝐷 = 𝐾 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 → 𝐾 = = = 21.62
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 (2.48𝑉 − 1.8𝑉 )2 𝑉2
𝑚𝐴 𝑚𝐴
𝑔𝑚 = 2 ∗ 𝐾 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 ) = 2 ∗ 21.62 2 ∗ (2.48𝑉 − 1.8𝑉 ) = 29.4
𝑉 𝑉
𝑉0 𝑉0 𝑉𝑖
= ∗
𝑉𝑠𝑠 𝑉𝑖 𝑉𝑠𝑠

𝑉0 −𝑔𝑚 ∗ 𝑉𝑔𝑠 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) 𝑅𝐷 ∗ 𝑅𝐿

= = −𝑔𝑚 ∗
𝑉𝑖 𝑉𝑔𝑠 𝑅𝐷 + 𝑅𝐿

𝑍𝐼𝑁 𝑉𝑖 𝑍𝐼𝑁
𝑉𝑖 = 𝑉𝑆𝑆 ∗ → =
𝑍𝐼𝑁 + 𝑅𝑆𝑆 𝑉𝑉𝑠𝑠 𝑍𝐼𝑁 + 𝑅𝑆𝑆

𝑉0 𝑅𝐷 ∗ 𝑅𝐿 𝑍𝐼𝑁 𝑚𝐴 0.68𝐾Ω ∗ 10𝐾Ω 580𝐾Ω

= −𝑔𝑚 ∗ ∗ = −29.4 ∗ ∗
𝑉𝑠𝑠 𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 𝑍𝐼𝑁 + 𝑅𝑆𝑆 𝑉 0.68𝐾Ω + 10𝐾Ω 580𝐾Ω + 0.5𝐾Ω
𝑉
= −18.7
𝑉

Con Rs
RSS
RG

VG2 gmVgs
RL
RD
+

RS

Calculamos Zin y Zout:

𝑍𝐼𝑁 = 𝑅𝐺 = 0.58𝑀Ω
𝑍𝑂𝑈𝑇 = 𝑅𝐷 = 0.68𝐾Ω

Ahora calculamos la ganancia en tensión:

𝑉0 𝑉𝑔 𝑉𝑔𝑠 𝑉0
= ∗ ∗
𝑉𝑆𝑆 𝑉𝑆𝑆 𝑉𝑔 𝑉𝑔𝑠

𝑍𝐼𝑁 𝑉𝑔 𝑍𝐼𝑁
𝑉𝑔 = ∗ 𝑉𝑆𝑆 → =
𝑍𝐼𝑁 + 𝑅𝑆𝑆 𝑉𝑆𝑆 𝑍𝐼𝑁 + 𝑅𝑆𝑆
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𝑉𝑔 = 𝑉𝑔𝑠 + 𝑖 ∗ 𝑅𝑆
𝑉𝑔𝑠 1
𝑉𝑔 = 𝑉𝑔𝑠 ∗ (1 + 𝑔𝑚 ∗ 𝑅𝑆 ) → =
𝑉𝑔 (1 + 𝑔𝑚 ∗ 𝑅𝑆 )
𝑖 = 𝑔𝑚 ∗ 𝑉𝑔𝑠

𝑉0
𝑉0 = −𝑔𝑚 ∗ 𝑉𝑔𝑠 ∗ (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) → = −𝑔𝑚 ∗ (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
𝑉𝑔𝑠

𝑉0 𝑍𝐼𝑁 1 (𝑅𝐷 ∗ 𝑅𝐿 )
= ∗ ∗ −𝑔𝑚 ∗ = −1.4𝑉/𝑉
𝑉𝑆𝑆 𝑍𝐼𝑁 + 𝑅𝑆𝑆 (1 + 𝑔𝑚 ∗ 𝑅𝑆 ) (𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 )

3) Dibujar la gráfica Vo / Vi aplicando una señal de entrada senoidal de 500 mV p y 1

kHz.

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4) Simular el circuito y comparar los resultados obtenidos con los resultantes de los
puntos anteriores.

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5) Realizar el montaje, utilizando los componentes que se indica en el esquema.

Aplicar el estímulo indicado y comparar los resultados obtenidos con los anteriores
teóricos y en la simulación.

Sin Rs Con Rs

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GND CH2

CH1
+
O. Sinusoidal

VDD

𝞓V Teórica Simulada Real

Sin Rs -18.7V/V -4.2V/V -3.71V/V
Con Rs -1.4V/V -1.44V/V -1.14V/V

Como podemos ver las ganancias de tensión varían, esto se debe a distintos factores
como son la diferencia de valores de las resistencias reales frente a las teóricas y la
frecuencia en que se trabaja.

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