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Abril de 2018
Contenido:
Lectura recomendada:
1
Esta clase es una traducción y adaptación, realizada por los docentes del curso ”Dispositivos Semicon-
ductores - de la FIUBA”, de la correspondiente hecha por el prof. Jesus A. de Alamo para el curso ”6.012 -
Microelectronic Devices and Circuits” del MIT. Cualquier error debe adjudicarse a la traducción.
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores Clase 10-2
Preguntas disparadoras
Elementos claves:
• Una capa de inversión bajo el gate (depende de VG)
• Regiones fuertemente dopadas que se extienden bajo
el gate ⇒ la capa de inversión conecta electricamente
el source y el drain
• Es un dispositivo de cuatro terminales: la tensión del
body es importante
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores Clase 10-4
de IBM Microelectronics:
http://www-03.ibm.com/chips/photolibrary/photo10.nsf/WebViewNumber/ D8B9CCA0131418F9852569EC005EE990
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores Clase 10-5
2 Sı́mbolos circuitales
2 Corte:
ID = 0
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores Clase 10-8
• VGS ↑ → |Qn| ↑ → ID ↑
• VDS ↑ → |Ey | ↑ → ID ↑
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores Clase 10-9
2 Régimen de Saturación:
3. Caracterı́sticas I-V
Iy = W Qn(y)vy (y)
ID = −W Qn(y)vy (y)
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores Clase 10-11
ID = −W Qn(y)vy (y)
dVc(y)
vy (y) ' −µnEy (y) = µn
dy
0
Qn(y) = −Cox [VGS − Vc(y) − VT ]
Todo junto:
0 dVc(y)
ID = W µnCox (VGS − Vc(y) − VT )
dy
0
ID dy = W µnCox (VGS − Vc − VT )dVc
-para y = 0, Vc(0) = 0
Entonces:
LZ
0
Z
V
ID 0 dy = W µnCox 0 DS (VGS − Vc − VT )dVc
o:
W 0 VDS
ID = µnCox (VGS − − VT )VDS
L 2
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores Clase 10-13
W 0
ID ' µnCox (VGS − VT )VDS
L
Principales dependencias:
En general,
W 0 VDS
ID = µnCox (VGS − − VT )VDS
L 2
VDS ≤ VGS − VT
Impacto de VDS :
Principales conclusiones
VDSsat = VGS − VT