EXPERIENCIA N° 6

AMPLIFICADOR CON JFET

I. OBJETIVO
Verificar el comportamiento de un amplificador con JFET

II. INTRODUCCION
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de
campo de juntura o unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales
que puede ser usado como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o
resistencia controlada por voltaje. Posee tres terminales, comúnmente
llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S).

A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al ser un dispositivo

controlado por un voltaje de entrada, no necesita de corriente de polarización.
La carga eléctrica fluye a través de un canal semiconductor (de tipo N o P) que se
halla entre el drenaje y la fuente. Aplicando una tensión eléctrica inversa al terminal
de puerta, el canal se "estrecha" de modo que ofrece resistencia al paso de la
corriente eléctrica. Un JFET conduce entre los terminales D y S cuando la tensión
entre los terminales G y S (VGS) es igual a cero (región de saturación), pero cuando
esta tensión aumenta en módulo y con la polaridad adecuada, la resistencia entre
los terminales D y S crece, entrando así en la región óhmica, hasta determinado
límite cuando deja de conducir y entra en corte. La gráfica de la tensión entre los
terminales D y S (VDS) en el eje horizontal contra la corriente del terminal D (ID o
corriente de drenaje) es una curva característica y propia de cada JFET.

Un JFET tiene una gran impedancia de entrada (que se halla frecuentemente en

el orden de 1010 ohmios), lo cual significa que tiene un efecto despreciable respecto
a los componentes o circuitos externos conectados a su terminal de puerta.
III. INFORME PREVIO

A. RESPONDA LAS SIGUIENTES PREGUNTAS.

1. ¿Cómo funciona el JFET?
2. ¿Cuál es su símbolo eléctrico?
3. ¿Cuáles son los pines de un FET? Compárelos con los pines de los
transistores BJT.
4. ¿Qué es corriente de drenador máxima?
5. ¿Explique el fenómeno de corte y estrangulamiento de la puerta?
6. ¿Qué es la zona óhmica?
7. Obtenga la Hoja de características “DATASHEET” del JFET 2N5486 o
afín, y téngalo presente en el desarrollo del laboratorio.

BIBLIOGRAFIA: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA – MALVINO.

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo

IV. MATERIALES Y EQUIPOS

 01 GENERADOR DE FUNCIONES
 01 OSCILOSCOPIO
 01 MULTIMETRO (cada grupo debe tener su multímetro)
 07 RESISTENCIAS: 1MΩ (02), 10 KΩ (02), 3.9 KΩ, 47 KΩ, 1KΩ (todas 1/4
W tolerancia 5%)
 03 CONDENSADORES: 47 uF (Electrolítico).
 01 JFET de canal N: 2N5486 o afín.

V. EXPERIMENTO N° 1

PROPÓSITO: Implementar y analizar en la práctica el siguiente circuito con

JFET.
PASO 1: Implemente el siguiente circuito.
 Vcc R4
20 V R2 3.9kΩ
1MΩ

Q1
2N5486

R3
1MΩ R5
10kΩ

Figura 1. Polarización mediante divisor de tensión

PASO 2: Haciendo uso del multímetro realice las siguientes mediciones I G, Is,
ID, VGS, VDS.
PASO 3: Implemente el siguiente circuito amplificador con JFET.

Vcc R4
20 V R2 3.9kΩ
1MΩ C2

47µF
R6
R1 C1 Q1 10kΩ
2N5486
V1
47kΩ 47µF
10mVpk R3
1kHz 1MΩ R5 C3
0°
10kΩ 47µF

Figura 2. Amplificador con JFET en fuente común

PASO 4: Genere una señal sinusoidal de 10mVp, 1KHz.

PASO 5: Ajuste la fuente de alimentación DC en 20V.
 PASO 6: Tome nota de la señal de salida, compare con la señal de ingreso.
¿Existe desfase? ¿Amplifica? Calcule la ganancia de tensión.
PASO 7: Incremente la señal de entrada hasta visualizar un recorte en la salida.
De existir un recorte ¿Cuál es la tensión analógica de entrada para la cual la
salida se recorta? ¿A qué se debe el recorte?.
PASO 8: Tome el siguiente nuevo valor de: R6= 1KΩ; repita el paso 6,
¿justifique las diferencias?.

VI. INFORME FINAL

1. Presente resultados obtenidos en esta práctica de acuerdo a los
experimentos y pasos ejecutados ordenadamente, incluyendo los gráficos
obtenidos en la realización de esta experiencia. Esto es indispensable para
la validación de la realización de esta experiencia.
2. Verifique si los valores teóricos de IG, Is, ID, VGS, VDS., obtenidos del circuito
de la figura 1, coinciden con los valores obtenidos experimentalmente en la
realización de esta experiencia.
3. Realice los cálculos teóricos y la simulación del circuito de la figura 2, para
obtener el voltaje de salida (Vo) y la ganancia de tensión Av = Vo/Vi, haga
una comparación con los datos obtenidos experimentalmente. Utilice datos
del transistor JFET 2N5486 o afín (remítase a la hoja de características
“datasheet” del transistor).
4. Observaciones y conclusiones.