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22 DE SEPTIEMBRE DE 2018
TECNOLÓGICO DE ESTUDIOS SUPERIORES DE COACALCO
Ingeniería en Mecatrónica – MCT – 201620108
ELECTRÓNICA ANALÓGICA UNIDAD I SANDOVAL CHIMAL OMAR JAVIER
TECNOLÓGICO DE ESTUDIOS SUPERIORES DE COACALCO
Índice
1825: El inventor británico William Sturgeon crea un dispositivo que iba a contribuir
significativamente a la fundación de las comunicaciones electrónicas: el electroimán.
1827: El profesor alemán Georg Simon Ohm publica el resultado de sus experimentos
que demuestran la relación entre Voltaje, Corriente y Resistencia. Conocida hoy
como Ley de Ohm. Su trascendencia fue menospreciada por sus colegas de la época
y solo reconocida dos décadas después.
1831: Michael Faraday, diez años después de su "motor eléctrico", descubre un efecto
inverso al descubierto por Øersted. Un campo magnético en movimiento sobre un
conductor induce en este una corriente eléctrica. Crea la Ley de Inducción Magnética
y base de los generadores eléctricos. También descubre que, en electricidad estática,
la carga eléctrica se acumula en la superficie exterior del conductor eléctrico cargado.
Este efecto se emplea en el dispositivo denominado Jaula de Faraday y en los
capacitores. En reconocimiento a sus importantes descubrimientos, la unidad de
capacidad eléctrica se denomina Faradio.
1846: El físico alemán Gustav Kirchhoff expone dos reglas, con respecto a la
distribución de corriente en un circuito eléctrico con derivaciones, llamadas Leyes de
Kirchhoff.
entre electricidad y magnetismo. Predijo que era posible propagar ondas por el
espacio libre utilizando descargas eléctricas.
1887: Heinrich Rudolf Hertz, físico alemán, corrobora la predicción de James Clerk
Maxwell creando el primer transmisor de radio, generando radiofrecuencias.
Desarrolló también un sistema para medir la velocidad (frecuencia) de las ondas de
radio. En su honor la unidad de medida de frecuencia se denominó Hertz (o Hertzio).
1903: El físico británico John Ambrose Fleming encuentra una aplicación práctica de
la válvula termoiónica de efecto Edison, que posteriormente de denominaría:
"Diodo", al usarlo como detector de ondas electromagnéticas. John Ambrose Fleming
es considerado "el padre de la electrónica".
establece que la persona que acuñó este término fue más concretamente el científico inglés
William Gilbert quien en el siglo XVI habló de “eléctrico” para mencionar los fenómenos de
cargas de atracción que descubrieron ya los griegos.
La electricidad es una propiedad física manifestada a través de la atracción o
del rechazo que ejercen entre sí las distintas partes de la materia. El origen de esta propiedad
se encuentra en la presencia de componentes con carga negativa (denominados electrones) y
otros con carga positiva (los protones).
La electricidad, por otra parte, es el nombre que recibe una clase de energía que se
basa en dicha propiedad física y que se manifiesta tanto en movimiento (la corriente) como
en estado de reposo (la estática). Como fuente energética, la electricidad puede usarse para
la iluminación o para producir calor.
El ser humano se ha dedicado a generar electricidad para poner en marcha todo tipo
de máquinas, artefactos y sistemas de transporte.
Como decimos, hoy la electricidad es fundamental pues gracias a la misma llevamos
a cabo un sinfín de tareas y tenemos posibilidad de disfrutar de aplicaciones que nos facilitan
y hacen mejor nuestra calidad de vida.
Electrónica.
Hasta el griego debemos remontarnos para conocer el origen etimológico de la
palabra electrónica. En concreto, podemos determinar que procede de la unión de dos partes
léxicas claramente diferenciadas: elektron que se traduce como “ámbar” y el sufijo –iko que
viene a significar “relativo a”.
Se conoce como electrónica al análisis de los electrones y a la aplicación de sus
principios en diferentes contextos. Puede decirse, por lo tanto, que la noción de electrónica
refiere a lo que está vinculado con el electrón, que es una de las partículas esenciales de los
átomos.
La ingeniería y la física se encargan del desarrollo y el análisis de
los sistemas creados a partir del movimiento y el control de electrones que tienen una carga
de electricidad.
Los denominados circuitos electrónicos posibilitan la conversión y la distribución de
la energía eléctrica, por lo que se pueden emplear en el procesamiento y el control
de información.
Las señales electrónicas, por otra parte, pueden dividirse en dos
grupos: analógicas (cuya cantidad de valores es finita) o digitales (que trabajan con valores
finitos).
Al definir los conceptos podemos entender que la electricidad es fundamental en la
electrónica, ya que la electricidad es el instrumento con el cual trabaja la electrónica.
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3. Materiales Semiconductores.
En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubrió que si a ciertos
cristales se le añadía una pequeña cantidad de impurezas su conductividad eléctrica variaba
cuando el material se exponía a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo
de las celdas fotoeléctricas o solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley,
investigador también de los Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden, desarrollaron
el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron “transistor” y
que se convertiría en la base del desarrollo de la electrónica moderna.
Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por
ejemplo, constituyen elementos que poseen características intermedias entre los cuerpos
conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo,
bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulación de la corriente
eléctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar
corriente alterna, detectar señales de radio, amplificar señales de corriente eléctrica,
funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrónica digital, etc.
Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Periódica
constituyen la materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar diodos
detectores y rectificadores de corriente, transistores, circuitos integrados y
microprocesadores.
Los átomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco
electrones en su última órbita, de acuerdo con el elemento específico al que pertenecen. No
obstante, los elementos más utilizados por la industria electrónica, como el silicio (Si) y el
germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su última órbita. En este caso, el
equilibrio eléctrico que proporciona la estructura molecular cristalina característica de esos
átomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones.
Normalmente los átomos de los elementos semiconductores se unen formando
enlaces covalentes y no permiten que la corriente eléctrica fluya a través de sus cuerpos
cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente eléctrica.
En esas condiciones, al no presentar conductividad eléctrica alguna, se comportan de
forma similar a un material aislante.
Tabla de Elementos Semiconductores
14 Si (Silicio) 4 e- +4
IVa Metaloide
32 Ge (Germanio)
15 P (Fósforo) No metal 5 e- +3, -3, +5
33 As (Arsénico) Va
Metaloide
51 Sb (Antimonio)
16 S (Azufre) 6 e- +2, -2 +4, +6
No metal
34 Se (Selenio) VIa
52 Te (Telurio) Metaloide
6. Enlaces Químicos.
En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de
agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro con el fin de cambiar sus
propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a
dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como
extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como un conductor que
como un semiconductor, es llamado degenerado.
7. Materiales N y P.
Tipo N
Cuando se introducen sustancias
dopantes de tipo pentavalente (5
electrones de valencia), entonces cuatro
átomos de las sustancias dopantes
formarán enlaces covalentes con los
átomos de Si, el quinto electrón que no
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Tipo P
De manera similar, si
introducen en la red de Si. Impurezas
de tipo trivalente (tres electrones de
valencia), aparece un enlace covalente
con el resto de los átomos de Si. Sin
formar, entonces es un enlace roto o
una ausencia del electrón de valencia
para llevar enlace.
Esta deficiencia de electrón en los enlaces que puede formar el átomo trivalente
provoca que sea aceptado un electrón de los enlaces covalente de los átomos de Si.
Formándose en consecuencia hueco en la banda de valencia. El semiconductor dopado con
sustancias triviales se llama de tipo P y dichas sustancias (B, Al, Ga) se denominan aceptores.
8. Bibliografía.
Ruiz, E., Valls, G., & Mari, M. (1994). Electrónica Analógica. Barcelona: Edebé.