INSTITUTO TECNOLÓGICO DE PUEBLA

INGENIERIA ELECTRÓNICA
FISICA DE SEMICONDUCTORES
PROFESOR: VÍCTOR MANUEL PERUSQUÍA ROMERO.
“DIODO PIN”
EQUIPO IV
Rodolfo Cruz Martínez
Hugo Flores Ángeles
Edgar González García
Miguel Angel Sánchez Flores

El diodo que tiene la región poco contaminada y casi intrínseca entre las regiones de p y n se
llama diodo Pinto. El nombre se deriva del material intrínseco entre las capas p y n. Debido a
su construcción, el diodo quien tiene baja capacitancia y, por tanto, encuentra aplicación en
frecuencias altas. Cuando se polariza en directo, la inyección de portadores minoritarios
aumenta la conductividad de la región intrínseca. Cuando se polariza en inverso, la región i
se vacía totalmente de portadores y la intensidad del campo a través de la región es
constante.

DESCUBRIMIENTO DEL DIODO PIN.

En 1971 C.A. Burrus desarrolla un nuevo tipo de emisor de luz, el LED, de pequeña
superficie radiante, idónea para el acoplamiento en F.O. Por lo que se refiere a los
fotodetectores, los diodos PIN y los de avalancha a base de Si, fueron desarrollados sin
dificultades y ofrecían buenas características. Sin embargo, no podían aplicarse en longitud
de onda > 1100 nm. El Ge era un buen candidato a ser utilizado para trabajar entre 1100 y
1600 nm, y ya en 1966 se disponía de ellos con elevadas prestaciones eléctricas. Sin
embargo, la corriente de oscuridad (ruido) del Ge es elevada y da motivo a ensayos con
fotodiodos con materiales como InGaAsP (arseniuro fosfuro de indio y galio). El primer PIN
de InGaAs (arseniuro de indio y galio) se realiza en 1977.

SIGNIFICADO DEL NOMBRE DEL DIODO PIN

Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor
intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al
diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye bien por una capa tipo P
de alta resistividad (π) o bien por una capa N de alta resistividad (ν).

El diodo PIN es un diodo que presenta una región p y n altamente conductoras junto a una
zona intrínseca poco conductiva. De ahí viene el significado de sus siglas PIN.

 Zona tipo P. “P”

 Material Intrínseco. “I”

 Zona tipo N. “N”.

SÍMBOLO DEL DIODO PIN.

COMPOSICIÓN DEL DIODO PIN

El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja

resistividad representada, está formada por difusión de átomos de boro en un bloque de
silicio tipo P y la capa N muy delgada está formada difundiendo grandes cantidades de
fósforo. La región intrínseca i es realmente una región P de alta resistividad y se suele
denominar región p. Cuando el circuito está abierto, los electrones fluyen desde la región i
(p) hasta la región P para recombinarse con los huecos en exceso, y los huecos fluyen
desde la región i para recombinarse con los electrones de la región N. Si el material i (p)
fuese verdaderamente intrínseco, la caída de tensión en la región i sería nula, puesto que la
emigración de huecos sería igual a la emigración de electrones. Sin embargo, como el
material es en verdad p (P de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones.

Se pudo extraer un circuito equivalente del diodo para cada estado de conducción y que se
muestra en la Fig. 7. Los valores de L, RS, CT y RP son en inversa L=0.2 nH, RS=2.
CT=0.02 pF y RP=2100 . Para la polarización directa (con intensidad de 50 mA), el circuito
equivalente tiene los siguientes elementos: L=0.2 nH, RS=2. Y RI=0.8.
Fig. 7. Circuito equivalente en polarización inversa (a) y directa (b) del diodo PIN HPND-4005

CARACTERÍSTICAS RELEVANTES DEL DIODO PIN.

El diodo PIN es un diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región N
también fuertemente dopada, separadas por una región de material que es casi intrínseco.
Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que
exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia
muy alta cuando está inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido
directo. Además, las tensiones de ruptura están comprendidas en el margen de 100 a 1000
V.

En virtud de las características del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como
modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propósitos se le
puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en
sentido inverso. También se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o
tensiones grandes.

Cuando se aplica una polarización inversa al diodo los electrones y los huecos del material p
son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensión inversa simplemente
incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la longitud de la región
de transición L es aproximadamente igual a la región i y aproximadamente independiente de
la tensión inversa. Por lo tanto, a diferencia de los diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene
una capacidad inversa que es aproximadamente constante, independiente de la polarización.
Una variación típica de la capacidad podría ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variación
de la polarización inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la
región i, la longitud de la región de transición es aproximadamente constante y
considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad CR, que es
proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo que el diodo
PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de CR varían
desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN comerciales.

Cuando el diodo está polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden en
la región p, creando una capa P de baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los
electrones y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente iguales en la región
i. En la condición de polarización directa la caída de tensión en la región i es muy pequeña.
Además, al igual que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, también disminuye la
resistencia. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o
conductancia modulada. En una primera aproximación, la resistencia rd en pequeña señal es
inversamente proporcional a la corriente IDQ con polarización directa, lo mismo que en el
diodo PN.

En frecuencias de microondas se representa de maneras más sencillas por una capacidad

CR en serie con la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es aproximadamente
infinita, mientras que en polarización inversa, rd es aproximadamente nula. La capacidad CS
es la capacidad parásita paralelo que se produce soldando el diodo a la cápsula y LS es la
inductancia serie debida a los hilos de conexión desde el diodo hasta la cápsula.

CIRCUITO DE APLICACIÓN.
El fotodetector, un componente crítico en cualquier sistema de comunicaciones por fibra
óptica, ha sido menospreciado, algunas veces, en la reciente tendencia de concentrarse en
las mejoras de los transmisores láser y en las mismas fibras ópticas. Simplemente con
cambiar de un tipo de foto detector a otro se puede incrementar la capacidad de un sistema
óptico en un orden de magnitud sin tocar ningún otro componente.

El fotodiodo PIN es el detector más importante utilizado en los sistemas de comunicación

óptica. Es relativamente fácil de fabricar, altamente fiable, tiene bajo ruido y es compatible
con circuitos amplificadores de baja tensión. Además, es sensible a un gran ancho de banda
debido a que no tiene mecanismo de ganancia. Unas zonas p y n altamente conductivas
junto a otra intrínseca poco conductiva, caracterizan al diodo PIN. Los fotones entran a la
zona intrínseca generando pares electrón-hueco. El diodo se polariza inversamente con el fin
de que las cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico
presente.

Una típica estructura p-i-n planar tiene, como material absorbente de luz, a un compuesto de
InGaAs. La región de absorción es fina, siendo, generalmente, un material tipo n sobre un
sustrato tipo n de indio fosforoso. La superficie superior está recubierta de un fino aislante, o
capa pasiva, para proteger la superficie y reducir la recombinación de electrones y huecos en
dicha superficie.

Cuando un fotón entra en la zona de deflexión, es absorbido y genera un par electrón-hueco,

los cuales son dirigidos hacia los electrodos opuestos. Allí se recogen y aparecen como
corriente en el circuito exterior. Puesto el par de portadores es separado en mucho menos
tiempo que el tomado para su recombinación, el proceso de detección es rápido y eficiente.

Debido a que no existe mecanismo de ganancia en un fotodiodo p-i-n, la máxima eficiencia

del detector es la unidad y producto ganancia x ancho de banda coincide con esta última. El
ancho de banda de un diodo p-i-n está limitado por el tiempo tomando en colector las cargas.
Este tiempo es inversamente proporcional al ancho de la zona de deflexión y directamente
proporcional a la velocidad de los portadores de cargas en la región de alto campo eléctrico.

La principal fuente de ruido en un fotodiodo p-i-n es el ruido de granalla, producido en la

zona de deflexión de la unión p-n inversamente polarizada, generado por el proceso
estadístico de los electrones atravesando la unión p-n

Su aplicación principal es como receptor de señales en circuitos de transmisión de datos por

medio de fibra óptica, por ello a continuación se muestra el principio de funcionamiento de un
sistema de fibra óptica.

Estos sistemas están compuestos por un transmisor, cuya misión es la de convertir la señal
eléctrica en señal óptica susceptible de ser enviada a través de una fibra óptica. En el
extremo opuesto de la fibra óptica se encuentra el receptor, cuya misión es la de convertir la
señal óptica en señal eléctrica nuevamente.
El receptor consiste en un diodo PIN o un APD, que se acopla a la fibra óptica. Se le
denomina convertidor opto-electrónico (O/E).
El tipo de modulación utilizado es el de amplitud, modulando la intensidad de luz generada
por el emisor. Las no linealidades de los emisores y receptores al convertir las señales
eléctricas a ópticas y viceversa, así como las fuentes de ruido que se sobreponen a la señal
en los sistemas típicos de fibra óptica hacen que este sistema sea especialmente apropiado
para la transmisión de señales digitales, que corresponde a los estados de encendido-
apagado del emisor.

No obstante también es posible transmitir señales analógicas.

Otros tipos de modulación, como modulación en frecuencia y demás sistemas coherentes

están en fase de desarrollo, debido a la dificultad de obtener señales luminosas
espectralmente puras y que al mismo tiempo puedan ser moduladas en frecuencia.

La señal óptica que se propaga a través de la fibra óptica se degrada por la atenuación y
restricción de la anchura de banda de la fibra, y entonces, es preciso regenerar la señal
transmitida. El mejor método es tratar la señal en forma eléctrica. Por lo tanto, los
convertidores E/O y O/E son componentes indispensables en un repetidor óptico. El
amplificador e igualador de la señal eléctrica son similares a los de los sistemas de
transmisión convencionales.

Otra aplicación presentada es la siguiente:

ATENUADOR DE RADIO FRECUENCIA.

Otra aplicación presentada es la siguiente:
El diodo PIN es un semiconductor que opera con una resistencia variable en RF y frecuencia
de microonda. Controla altos voltajes RF con niveles de excitación DC mucho más pequeño,
para el caso de frecuencias altas

Región Directa

Al diodo se le aplica voltaje positivo (DC) en sus terminales (n-p). Presenta una resistencia
muy pequeña RS (0.5 Ω y en función de la corriente DC), denominada resistencia Forward.
En la Figura 2 siguiente se muestra el circuito equivalente del Diodo Pin en la región directa.

Circuito Equivalente del Diodo Pin en la región Directa.

Región Inversa

El diodo tiene un voltaje menor o igual a cero en sus terminales (n-p). El diodo presenta una
resistencia en paralelo RP alta (mayor a 50 KΩ y en función del voltaje en la región inversa) y
una capacidad CT, como se muestra en la Figura 3, ambas dependen de la frecuencia de la
señal RF.

Circuito Equivalente del Diodo Pin en la

Región Inversa.

Coeficiente de elevación de la temperatura. (Rodolfo)

Este coeficiente nos mide la variación de la temperatura con respecto a la potencia
consumida por el diodo (°C/W). Al multiplicarlo por la potencia consumida, obtendremos el
incremento de temperatura del diodo.

 θeff : Impedancia térmica efectiva (°C/W)-

 DF: Ciclo de trabajo (0.8%).
 θtp : Impedancia térmica Pulsada (°C/W)-
 Reemplazando valores obtenidos en la ecuación 3:

La potencia consumida del diodo es la diferencia de potencias picos de dos ensayos donde
el primero se mide sólo la potencia pico del diodo pin y carga y en el segundo se mide la
potencia pico de la carga. Para un ensayo obtuvimos una potencia consumida por el diodo
pin de 390 W.

Por lo que tendremos una variación de temperatura de 25°C, siendo la temperatura ambiente
de 20°C, el diodo tendría una temperatura de 45°C. El voltaje máximo que soporta el diodo
pin es 1KV de DC.

SISTEMA DE CONMUTACIÓN RF (Rodolfo)

Una solución para el enfasamiento de la antena es activar un camino entre dos posibles,
esto se hace mediante el empleo de diodos PIN.

El camino está conformado por líneas de transmisión (cable RG217/U – RG17 A/U). Como
se necesita conmutar entre cuatro posiciones, se emplean dos sistemas de conmutación de
dos posiciones pero con diferentes enfasamientos. En la siguiente figura se muestra el
sistema de enfasamiento para una polarización de la antena, las fases que se obtienen son
de 0°,90°,180°,270°. Los diodos ubicados en la posición 1 y 2, así como los ubicados en la
posición 3 y 4 trabajan complementariamente. Es decir si el diodo pin de la posición 1 está
conduciendo, los de la posición 2 están en circuito abierto. El diodo pin soporta un voltaje
máximo de 1KV
Para activar un camino se aplica un voltaje continuo negativo al diodo pin (n-p), el circuito
equivalente será la misma línea de transmisión sin diodo pin, dado que se encuentra en
circuito abierto.

Camino de RF activado, aplicando voltaje

Negativo al Diodo Pin.

Para desactivar un camino se aplica un voltaje DC positivo al diodo pin (aproximadamente

1V), el circuito equivalente a 𝜆/4 es como si no hubiese línea de transmisión. A mayor nivel
de corriente, la impedancia de diodo es menor mejorando el cortocircuito del diodo.
CUESTIONARIO.

1. ¿Qué es el diodo PIN?

2. ¿Cuál es su símbolo?

3. ¿Cuál es el funcionamiento del diodo PIN?

Indique, al menos, tres funciones básicas.

4. ¿Cómo funciona?

5. Dibuje un circuito en donde se utilice el diodo PIN

6. ¿Qué es el fotodiodo PIN?

7. ¿En dónde se produce el ruido de granalla en un fotodiodo pin?

8. ¿Con cuál otro nombre se le conoce al diodo láser?

9. ¿Cuál es el significado PIN?

10. ¿Qué ocurre cuando un fotón entra en la zona de deflexión?

11. PREGUNTAS Y RESPUESTAS.

1. ¿Qué es el diodo PIN?

El diodo PIN es un diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región N
también fuertemente dopada, separadas por una región de material que es casi intrínseco.

2. ¿Cuál es su símbolo?

3.- ¿Cuál es el funcionamiento del diodo PIN?

Indique, al menos, tres funciones básicas.

Cambian su resistencia en RF (Radio Frecuencia) en función de las condiciones de

polarización. Por ello, pueden actuar como:

- Como conmutador de RF.

- Como resistencia variable.
- Como protector de sobretensiones.
- Como fotodetector.

4. ¿Cómo funciona?
Cuando se polariza en directo, la inyección de portadores minoritarios aumenta la
conductividad de la región intrínseca. Cuando se polariza en inverso, la región i se vacía
totalmente de portadores y la intensidad del campo a través de la región es constante.

5. Dibuje un circuito en donde se utilice el diodo PIN.

Atenuador de Radio Frecuencia.

 6. ¿Qué es el fotodiodo PIN?

Es el detector más importante utilizado en los sistemas en los sistemas de comunicación

óptica y es compatible con circuitos amplificadores de baja tención.

7. ¿En dónde se produce el ruido de granalla en el fotodiodo pin?

Es producido en la zona de deflexión de la unión p-n inversamente polarizada, generado por

el proceso estadístico de los electrones atravesando la unión p-n

8. ¿Con cuál otro nombre se le conoce al diodo láser?

También es conocido como LED

9. ¿Cuál es el significado PIN?

- P Zona tipo p
- I Material intrínseco
- N Zona tipo n

10. ¿Qué ocurre cuando un fotón entra en la zona de deflexión?

Es absorbido y genera un par electrón—hueco, los cuales son dirigidos hacia los electrodos
opuestos, allí se recogen y aparecen como corriente en el circuito exterior
BIBLIOGRAFÍA

Inder Bahl, Prakash Bhartia. (1995) E.E.U.U.

Microwave solid state circuit design.
Edit. Wiley.
Año de edición 01/01/95.
Capítulos: 14.
489 páginas.

G. Deeboo, (1997), México.

Circuitos integrados y dispositivos semiconductores.
Boixareu
1ª reimpresión
10 capítulos.
609 páginas.

Páginas Web:

www.lu1dma.com.ar/grupooeste/eldiodo.htm
www.cienciasmisticas.com.ar/electronica/semi/tdiodos/index.php
mx.geocities.com/diet202eq4/TAREA1/diodo_semiconductor.htm
http://www.simbologia-electronica.com/simbolos/diodos.htm
http://www.electronicafacil.net/modules.php?op=modload&name=News&file=artic
www.howstuffworks.com