UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERIA MECÁNICA

DEPARTAMENTO ACADEMICO DE CIENCIAS DE INGENIERÍA

LABORATORIO DE ELETRÓNICA DE POTENCIA

(ML ML839-B)

DISPARO DEL TIRISTOR CON CIRCUITOS INTEGRADOS UJT T PUT

CATEDRÁTICO

Ing. HUAMANÍ HUAMANÍ, EDILBERTO

ALUMNO

UQUICHE CCORIMANYA, DAVID 20140434H

FECHA EXPERIENCIA 4 de Mayo

2018

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Contenido
OBJETIVOS ..................................................................................................................................... 3
MARCO TEÓRICO ........................................................................................................................... 3
El transistor de unijuntura (ujt) ................................................................................................. 3
Nomenclatura del UJT ............................................................................................................... 6
Disparo por put ......................................................................................................................... 7
ELEMENTOS A UTILIZAR .............................................................................................................. 10
PROCEDIMIENTOS ....................................................................................................................... 12
Experiencia N°1: Parte UJT ...................................................................................................... 12
Análisis y diseño de circuitos:.................................................................................................. 13
Experiencia N°2: PUT 2N6027 ................................................................................................. 14

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OBJETIVOS

 Diseñar circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados

UJT y PUT.
 Usando los circuitos diseñados disparar un tiristor que actuva una
carga activa.

MARCO TEÓRICO
El transistor de unijuntura (ujt)
El transistor uniunión o transistor unijuntura es un tipo de transistor que contiene
dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor (E),
base uno (B1) y base dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo
N, entre los terminales B1-B2 en la que se difunde una región tipo P+, el emisor,
en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η,
standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.

En la figura se puede apreciar la constitución de un UJT, que en realidad está

compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran
cantidad de impurezas, presentando en su estructura un número elevado de
huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo
que existen muy pocos electrones libres en su estructura. Esto hace que la
resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta cuando el diodo del emisor no
conduce. Para entender mejor cómo funciona este dispositivo, vamos a valernos
del circuito equivalente de la figura siguiente:

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R1 y R2 equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre
los terminales de las bases. El diodo D equivale a la unión formada por los
cristales P-N entre el terminal del emisor y el cristal N.
Mientras el diodo del emisor no entre en conducción, la resistencia entre bases
es igual a:

Si en estas condiciones aplicamos una tensión de alimentación VBB entre las

dos bases, la tensión que aparece entre el emisor y la base será la que
corresponda en el circuito equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensión se
cumplirá que:

Si llamamos η=R1/RBB, la ecuación queda: V1 = η VBB.

El término η representa la relación intrínseca existente entre las tensiones V1 y
VBB.
sí, por ejemplo, si un UJT posee una relación intrínseca característica igual a
0,85 y queremos determinar la tensión que aparecerá entre el terminal de emisor
y la base 1 al aplicar 12V entre bases, bastará con operar de la siguiente forma:

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Al valor de V1 se le conoce como tensión intrínseca, y es aquélla que hay que
aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos
una tensión de 8V al emisor, éste no conducirá, ya que en el cátodo del diodo D
existe un potencial positivo de 10,2V correspondiente a la tensión intrínseca, por
lo que dicho diodo permanecerá polarizado inversamente. Sin embargo, si
aplicamos una tensión superior a 10,9V (los 10,2V de V1 más 0,7V de la tensión
de barrera del diodo D), el diodo comenzará a conducir, produciéndose el disparo
o encendido del UJT. En resumen, para conseguir que el UJT entre en estado
de conducción es necesario aplicar al emisor una tensión superior a la intrínseca.

Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una tensión de
polarización directa del emisor respecto a la base 1, los portadores mayoritarios
del cristal P (huecos) inundan el tramo de cristal de tipo N comprendido entre el
emisor y dicha base (recordar que el cristal P está fuertemente contaminado con
impurezas y el N débilmente). Este efecto produce una disminución repentina de
la resistencia R1 y, con ella, una reducción de la caída de tensión en la base 1
respecto del emisor, lo que hace que la corriente de emisor aumente
considerablemente.

Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (I v), el diodo

permanecerá en conducción como si de un biestable se tratase. Esta corriente

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se especifica normalmente en las hojas de características y suele ser del orden
de 5mA.

En la figura de la derecha, se muestra el aspecto de una de las curvas características

de un UJT. Vp (punto Q1) nos indica la tensión pico que hay que aplicar al emisor
para provocar el estado de encendido del UJT (recordar que Vp = V1 + 0,7). Una vez
superada esta tensión, la corriente del emisor aumenta (se hace mayor que I p),
provocándose el descebado del UJT cuando la corriente de mantenimiento es
inferior a la de mantenimiento Iv (punto Q2).

Nomenclatura del UJT

A la hora de manejar las hojas de características para aplicaciones prácticas y
durante el desarrollo de problemas, es muy importante conocer la nomenclatura
específica usada para determinar los parámetros principales del UJT

IE Corriente de emisor.

IEO Corriente inversa de emisor. Medida entre el emisor y la base 2 para una
tensión dada y la base 1 en circuito abierto.
IP Intensidad de pico de emisor. Máxima corriente de emisor que puede circular
sin que el UJT alcance la zona de resistencia negativa.
IV Intensidad de valle de emisor. Corriente que circula por el emisor cuando el
dispositivo está polarizado en el punto de la tensión de valle.

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rBB Resistencia interbase. Resistencia entre la base 1 y la base 2 medida para
una tensión interbase dada.
VB2B1 Tensión entre la base 2 y la base 1, también llamada tensión interbase.
VP Tensión de pico de emisor. Máxima tensión vista desde el emisor antes de
que el UJT alcance la zona de resistencia negativa.
VD Caída de tensión directa de la unión de emisor. También llamada VF(EB1) ó
VF.
VEB1 Tensión de emisor en al base B1.
VEB1 (sat.) Tensión de saturación de emisor. Caída de tensión directa entre el
emisor y la base B1 con una corriente mayor que IV y una tensión interbase dada.
VV Tensión de valle de emisor. Tensión que aparece en el punto de valle con
una VB2B1 dada.
VDB1 Tensión de pico en la base B1. Tensión de pico medida entre una
resistencia en serie y la base B1 cuando el UJT trabaja como un oscilador de
relajación.
μ Relación intrínseca.
αrBB Coeficiente de temperatura de la resistencia interbase. Variación de la
resistencia B2 y B1 para un rango de temperaturas dado y medido para una
tensión interbase y temperatura con emisor a circuito abierto dada.
Disparo por put
El Transistor Uniunión Programable, PUT es un dispositivo de disparo muy usado
en los circuitos de disparo por puerta para los Tiristores. Tiene tres terminales
que se identifican como: cátodo (K), ánodo (A) y puerta (G).

El PUT, es un pequeño Tiristor con puerta de ánodo, presentando unas

características de disparo parecidas a las del UJT, cuando es utilizado en los
osciladores de relajación, pero presenta la ventaja de poder ser programado para
determinar el valor de los parámetros μ, VP e IV mediante un sencillo circuito
externo de polarización. Una vez fijada la tensión de alimentación también es
cte; IV es cte.) El PUT permite variar estos parámetros y por tanto se pueden
obtener periodos de mayor duración.

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 Montaje y circuito equivalente de un PUT

La operación del PUT, depende de la tensión que se tenga aplicada entre el

ánodo y la puerta del

Dispositivo. El voltaje de puerta es fijado por un divisor de tensión que es utilizado

para programar el disparo del dispositivo. Si el voltaje de puerta es mayor que el
voltaje de ánodo, el PUT queda en estado de corte. Si se incrementa el voltaje
de ánodo hasta un punto alrededor de 0.7V (Voltaje de barrera de la unión P-N),
el voltaje de puerta hace que el PUT pase a conducir en un periodo de tiempo
muy corto (menos de 1μs). La tensión de ánodo (VP) que hace que el dispositivo
se dispare, es ajustada cambiando el voltaje de puerta, es decir, alterando la
relación:

En la figura se representa un circuito oscilador con PUT. Las resistencias R1,

R2 y el condensador C, actúan ajustando el retraso del voltaje de pico VP. En el
paso de corte a conducción, aparece un pulso de tensión VG (mayor de 6 V) en
el cátodo del PUT. Este será el pulso que apliquemos a la puerta del Tiristor. El
condensador se descargará a través de la resistencia de cátodo haciendo que la
corriente caiga hasta cero, cortando de esta manera al PUT. En este momento
el voltaje de ánodo se hace menor que el voltaje de puerta, comenzará a
cargarse de nuevo el condensador hasta alcanzar un voltaje VP, repitiéndose de
nuevo el ciclo.

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Cuando la tensión de ánodo, VA es superior a VG + VGA, comienza a conducir
y tiene una característica similar a la del UJT como se puede observar en la curva
característica V-I del PUT Tanto IP como IV dependen del valor de las
resistencias RA y RB, es decir, del valor de RG, siendo:

Es especialmente importante el hecho de que IP pueda reducirse hasta valores

muy bajos usando valores grandes de RG. Esta característica es muy útil en
circuitos con tiempos de retardo largos. (No hay que olvidar que se vio en el caso
del UJT que Rmáx dependía de IP). Los límites de resistencia de carga del
condensador RT se determinan de la misma forma que para el UJT.

En el problema siguiente se tratará de diseñar el oscilador de relajación con PUT

a partir de las características dadas por el fabricante y para una determinada
frecuencia.

Oscilador de relajación con PUT. Curva característica V-I del PUT

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ELEMENTOS A UTILIZAR
 Multímetro digital.

 Osciloscopio.

 2 Condensadores.

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 Resistencia que se determinan en el diseño.

 1 Tiristor 2n3669.

 1 Foco con su sokect.

 1 Potenciómetro de 2w.

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  Interruptores.

PROCEDIMIENTOS

Experiencia N°1: Parte UJT

1. Diseñar e implementar el circuito de disparo de la figura 1 para Vz=24V.

FIGURA 1. Esquema del circuito a implementar en la primera experiencia

2. Considerar que todas las resistencias y potenciómetros deben disipar

potencias de 2W o más.
3. Para C=0.22uF cerrar el interruptor SW1 y anote lo que ocurre, luego cierre
el interruptor SW2 anotando lo sucedido, luego variar RP observe y anote.
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 4. Cambiar el valor de C por los demás y repita el paso 3.
5. Para los pasos 3 y 4 colocar el osciloscopio entre los terminales del
condensador y grafique la forma de onda.

Análisis y diseño de circuitos:

Realizando el análisis del primer circuito a implementar, tenemos:

Cálculo de RB2:

10^4 10^4
𝑅2 = = = 476(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥)
𝑛 ∗ 𝑉𝑠 0.7 ∗ 30

Cálculo de Rp:

1 1 1
𝑇= = 𝑅 ∗ 𝐶 ∗ 𝐿𝑛 ( )→𝑅∗𝐶 = = 13.843𝑚(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥)
𝑓 1−𝑛 1
60 ∗ 𝐿𝑛 (0.3)

Entonces:

𝑅 > 3𝑘 → 𝐶 < 4.614𝑢

𝐶 = 1𝑢 → 𝑅 = 13.843𝑘 → 𝑅𝑝 = 11.643𝑘(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥)

𝐶 = 0.5𝑢 → 𝑅 = 27.686𝑘 → 𝑅𝑝 = 25.486𝑘(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥)

𝐶 = 0.22𝑢 → 𝑅 = 62.923𝑘 → 𝑅𝑝 = 60.723𝑘(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥)

Cálculo de RB1:

Sabemos que T=T1+T2=R*C+RB1*C

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 1
𝑇2 = 𝑇 − 𝑇1 = − 13.843 = 2.824𝑚(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) = 𝑅𝐵1 ∗ 𝐶
60

Entonces:

𝐶 = 1𝑢 → 𝑅𝐵1 = 2.824𝑘(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥)

𝐶 = 0.5𝑢 → 𝑅𝐵1 = 5.648𝑘(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥)

𝐶 = 0.22𝑢 → 𝑅𝐵1 = 12.836𝑘(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥)

Experiencia N°2: PUT 2N6027

1. Diseñar e implementar el circuito de disparo de la figura 2 para
Vz=30V.

FIGURA 2. Esquema del circuito a implementar en la segunda experiencia

2. Repetir los pasos 3, 4 y 5 de la primera parte.

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