INSTITUTO TECNOLÓGICO DE CHETUMAL

ELECTRONICA INDUSTRIAL
INVESTIGACION UNIDAD 1
PROFESOR: ING. JUAN RAMÓN SONDA MARTÍNEZ
INGENIERÍA ELÉCTRICA
7MO SEMESTRE GRUPO B
ALUMNOS
CHICANO NAAL SERGIO IVAN
CUPUL SÁNCHEZ LUIS SAMUEL
LOPEZ GOMEZ JAVIER

PRINCIPIOS DE OPERACIÓN DE LOS

TIRISTORES

22 DE SEPTIEMBRE DEL 2017

EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Del mismo modo que el diodo de 4 capas, el SCR tiene dos estados posibles de
operación. En el estado apagado, actúa idealmente como circuito abierto entre el
ánodo y el cátodo; en realidad, en lugar de una abertura, existe una resistencia muy
alta. En el estado encendido, el SCR actúa idealmente como un cortocircuito del
ánodo al cátodo; en realidad, existe una pequeña resistencia en el estado encendido
(en directa).
Un SCR (rectificador controlado de silicio, silicon-controlled rectifier) es un
dispositivo pnpn de 4 capas similar al diodo de 4 capas, pero con tres terminales:
ánodo, cátodo y compuerta.

Circuito equivalente del SCR

Al igual que la operación de un diodo de 4 capas, la operación del SCR se entiende
mejor si su estructura pnpn interna se ve como una configuración de dos
transistores. Las capas pnp superiores actúan como un transistor, Q1; las capas
npn inferiores lo hacen como un transistor, Q2 (las capas intermedias están
compartidas).

Encendido del SCR

Cuando la corriente en la compuerta, IG, es cero, como muestra la figura 11-9(a), el
dispositivo actúa como un diodo de 4 capas en el estado de apagado. En este
estado, la muy alta resistencia entre el ánodo y el cátodo pueden ser simulados de
forma aproximada por un interruptor abierto, como se indica. Cuando se aplica un
pulso (disparo) positivo de corriente a la compuerta, ambos transistores se
encienden 11-9(b). IB2 enciende a Q2 y crea una trayectoria para IB1 hacia el colector
Q2, por lo que Q1 se enciende. La corriente del colector Q1 proporciona una corriente
adicional en la base para Q2, de tal forma que Q2 permanece en conducción una
vez que el pulso de disparo se retira de la compuerta. Por esta acción regenerativa,
Q2 mantiene la conducción en saturación de Q1 al proporcionar una trayectoria para
IB1; a su vez, Q1 mantiene la conducción en saturación de Q2 al proporcionar IB2. De
este modo, el dispositivo permanece encendido (interruptor cerrado) una vez que
es activado (11-9(c)).
Del mismo modo que un diodo de 4 capas, un SCR también puede encenderse sin
que se active la compuerta incrementando el voltaje entre el ánodo y el cátodo a un
valor que exceda el voltaje de ruptura en directa VBR(F), como se muestra en la curva
de la figura 11-10(a). El voltaje de ruptura en directa se reduce a medida que IG se
incrementa por encima de 0 V, como lo muestra el conjunto de curvas de la figura
11-10(b), la corriente en la compuerta controla el valor del voltaje de ruptura en
directa VBR(F).

Apagado del SCR

Existen dos métodos básicos de apagar un SCR: interrupción de la corriente en el
ánodo y conmutación forzada. La corriente en el ánodo puede ser interrumpida
mediante una configuración de conmutación momentánea en serie o en paralelo,
como muestra la figura 11-11. El interruptor en serie en la parte (a) simplemente
reduce a cero al corriente en el ánodo y apaga el SCR. El interruptor en paralelo en
la parte (b) aleja una parte de la corriente total del SCR, con lo cual la corriente en
el ánodo se reduce a un valor menor que IH.
El método de conmutación forzada básicamente requiere obligar
momentáneamente a la corriente que circula a través del SCR a que lo haga en la
dirección opuesta a la conducción en directa, de modo que la corriente neta en
directa se reduzca por debajo del valor de retención. El circuito básico, como
muestra la figura 11-12, consta de un interruptor (normalmente un interruptor
basado en un transistor) y un capacitor. En tanto el SCR está conduciendo, el
interruptor está abierto y Cc se carga al voltaje de alimentación por conducto de Rc,
como muestra en parte (a). Para apagar el SCR, el interruptor se cierra, lo cual
coloca el capacitor a través del SCR y la corriente fluye en la dirección opuesta a la
corriente en directa, como muestra la parte (b).

Control de activación y desactivación de la corriente

La figura muestra un circuito de SCR que permite cambiar la corriente a una carga
mediante el cierre momentáneo del interruptor SW1 y eliminar de la carga
mediante el cierre momentáneo del interruptor SW2.
Suponiendo que el SCR inicialmente está apagado, el cierre momentáneo de SW1
proporciona un pulso de corriente hacia la compuerta, lo que enciende el SCR de
tal forma que conduce corriente a través de RL. El SCR permanece conduciendo
incluso después de que se termina el contacto momentáneo de SW1 si la corriente
en el ánodo es igual a o más grande que la corriente de retención, IH. Cuando
SW2 se cierra momentáneamente, la corriente se desvía alrededor del SCR, por lo
que su corriente en el ánodo se reduce por debajo del valor de retención, I H. Esto
apaga el SCR y reduce a cero la corriente en la carga.

Bibliografía

Thomas, L. F. (2008). Dispositivos Electrónicos. México: PEARSON EDUCATION.

 Funcionamiento del UJT
Por sus siglas en inglés significa Transistor de Unijuntura.
Consiste en un dispositivo de tres terminales, dos bases (B1 y B2) en sus terminales
y una compuerta representada por el emisor en el que se controla en disparo.

El disparo ocurre entre E y B1, la tensión a la que ocurre este disparo debe ser tal
que llegue a un voltaje denominado voltaje pico:
𝑉𝑝 = 0.7 + 𝑛 𝑥 𝑉𝐵2𝐵1
n: Relación intrínseca de separación.
VB2B1: Voltaje entre las dos bases.
La fórmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a
0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.

En la figura se puede ver la conexión de un UJT, con sus tres terminales, el ánodo
y el cátodo (base 1 y 2) se polarizan directamente, cada uno con su respectiva
resistencia, mientras que la compuerta (emisor) se alimenta de un capacitor con una
resistencia, no habrá tensión en el emisor hasta que la corriente aumente la caída
de tensión en la resistencia del emisor, se creará un pulso instantáneo como se
observa en la gráfica VB1 y decaerá en instantes, la caída de tensión en la RB1
instantánea tendrá un efecto sobre la tensión en la RB2, esta caerá repentinamente
al mismo tiempo que la caída en RB1 aumenta.
El voltaje pico para activar la compuerta, su gráfica se puede representar por una
señal creciente de voltaje que al llegar al Vp se activará el UJT y el voltaje medido
en el emisor disminuye dramáticamente.
TRANSISTOR DE UNA SOLA UNIÓN PROGRAMABLE (PUT)
Un PUT (transistor de una sola unión programable) es un tipo de tiristor de tres
terminales que conduce cuando el voltaje en el ánodo excede el voltaje en la
compuerta. La estructura es de cuatro capas.
Observe que la compuerta está conectada a la región n adyacente al ánodo. Esta
unión pn controla los estados de encendido y apagado del dispositivo. La compuerta
siempre esta polarizada positivamente con respecto al cátodo. Cuando el voltaje en
el ánodo excede el voltaje en la compuerta en aproximadamente 0.7 V, la unión pn
está polarizada en directa y el PUT se enciende. El PUT permanece así hasta que
el voltaje se reduce por debajo de este nivel, en cuyo caso el PUT se apaga.

Ajuste del voltaje de disparo

La compuerta puede ser polarizada a un voltaje deseado con un divisor de voltaje
externo, como muestra la figura 11-43(a), de tal forma que cuando el voltaje en el
ánodo excede este nivel “programado” el PUT se enciende.
 Tiristor GTO
Es un dispositivo que puede ser encendido por solo un pulso de corriente positiva
en la terminal o puerta (G), al igual que el tiristor normal, pero en cambio puede ser
apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos
estados, tanto el encendido como el apagado, son controlados por la corriente en la
puerta (G).
Características:
El disparo se realiza mediante una VGK > 0.
El bloqueo se realiza mediante una VGK < 0.
La ventaja del bloqueo es que no se precisan de los circuitos de bloqueo forzado
que requieren los SCR.
La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que
el generador debe estar más dimensionado.
El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.
Funcionamiento
Al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicación de una señal positiva
de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una señal negativa de
compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se contruye con
especificaciones de corriente y voltajes similares a las de un SCR. Un GTO se activa
aplicando a su compuerta un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso
negativo corto.
Para encender un GTO es necesario aplicar una determinada corriente entrante por
la puerta. Sin embargo, en el encendido de un GTO la corriente máxima por la puerta
IGM y la velocidad de variación de dicha corriente al principio de la conducción
deben ser lo suficientemente grandes como para asegurar que la corriente circula
por todo el cátodo, si esto no fuese así y sólo algunas islas cátodo condujeran, la
densidad de corriente en estas islas sería tan elevada que el excesivo calentamiento
en zonas localizadas podría provocar la destrucción del dispositivo.
Al comenzar a circular corriente positiva por la puerta, la corriente de ánodo a cátodo
se concentra en las zonas situadas entre los terminales de puerta, aumentando la
densidad de corriente de estas zonas.
De esta forma, el GTO no comienza a apagarse hasta que la corriente de ánodo a
cátodo ha quedado reducida a pequeños filamentos entre los terminales de puerta.
Entonces la tensión vAK, hasta entonces muy pequeña al estar el GTO en
funcionamiento, comienza a aumentar. Como la gran densidad de corriente que
circula por estos pequeños filamentos podría ocasionar su destrucción, se utiliza un
condensador snubber en paralelo con el GTO, que ofrece a la corriente un camino
alternativo por donde circular. Así, cuando vAK comienza a aumentar el
condensador comienza a cargarse, por lo que parte de la corriente que circulaba
por el GTO lo hace ahora por el condensador.

IGBT - TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA DE SALIDA

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los

atributos del BJT y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por
consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate (G) maneja voltaje como
el MOSFET. El símbolo más comúnmente usado se muestra en la figura. Al igual
que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenómeno de ruptura secundario
como el BJT.
La estructura del IGBT es similar al un MOSFET de canal n, una porción de la
estructura es la combinación de regiones n+, p y n- que forman el MOSFET entre el
source S y el gate G con la región de flujo n - que es el drain D del MOSFET. Otra
parte es la combinación de 3 capas p+ n- p-, que crea un transistor de unión bipolar
entre el drain D y el source S.
La región p actúa como colector C, la región n- actúa como la base B y la región p+
actúa como el emisor E de un transistor pnp. Entre el drain y el source existen 4
capas p+n-p-n+ que forman un tiristor. Este es parásito y su efecto es minimizado por
el fabricante del IGBT. tiristor
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que
no existe ningún voltaje aplicado al gate. Si un voltaje V GS es aplicado al gate, el
IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va
desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente ID persiste para el tiempo tON en
el que la señal en el gate es aplicada.
Para
encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con
respecto a la terminal S. La señal de encendido es un voltaje positivo VG que es
aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud
aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 µs,
después de lo cual la corriente de drain ID es igual a la corriente de carga IL
(asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene así por
una señal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la
disipación de potencia en el gate es muy baja.
EL IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje V G de la terminal
gate. La transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar
apenas 2 µs, por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de
los 50 kHz
EL IGBT requiere un valor límite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a
apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje
VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido
se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente ID se
auto limita.
El IGBT se aplica en controles de motores eléctricos tanto de corriente directa como
de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW.