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DIODO EFECTO TUNEL, GUNN Y PIN
Juan Carlos Arenas Cruz, 28687, Cristhian David Dorado Riveros, 30699
 conductiva de ahí el nombre de sus siglas (PIN) [2].
Abstract—we can’t start this writing without knowing what a
diode is, that element is an electronic component of two terminals
that allows the electric current to flow through it in one direction;
taking into account this concept. This essay will talk about the
tunnel effect diodes, Gunn, PIN. These will explain their operation,
characteristics and properties that differentiate them from other
diodes, in addition to possible applications that can be given to
them.
Index Terms—Diode, Electric Current, Tunnel Effect, Diode
PIN, Diode GUNN.
I. INTRODUCCIÓN
E N la electrónica existen gran cantidad de componente, los
cuales varían según sus características, estilos y/o
funcionalidad de los mismos; en este caso hablaremos sobre
algunos diodos. Mas sin embargo, no se puede empezar este
escrito sin saber lo que es un diodo, dicho elemento es un
componente electrónico de dos terminales que permite la
circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo
sentido; teniendo en cuenta dicho concepto, en este ensayo se
hablara sobre los diodos efecto túnel, Gunn, PIN. De estos se
explicara su funcionamiento, características y propiedades que
los diferencian de los demás diodos, además de las posibles
aplicaciones que se le pueden dar a los mismos.
. combinación con circuitos resonantes construidos con guías de
II. DIODOS ESPECIALES
Teniendo claro el concepto y la funcionalidad básica de un
diodo dentro de la electrónica, pasaremos a explicar la
funcionalidad de algunos tipos de diodos; En primer lugar
nombraremos el diodo PIN, El cual fue descubierto en 1971 por
C.A Burrus. El cual desarrolla un nuevo tipo de emisor de luz,
el LED, de pequeña superficie radiante, idónea para el
acoplamiento en F.O [1]. Por lo que se refiere a los diodos PIN
fueron desarrollados sin dificultades y ofrecían buenas
características. Sin embargo, no podían aplicarse en longitud de
onda menores a 1100 nm [1].
Dicho diodo esta compuesto por una estructura de tres capas,
de tal manera que la capa intermedia del mismo es un
semiconductor intrínseco, y las dos capas externas, una de tipo
P y otra de tipo N ambas fuertemente dopada. En pocas palabras
esto quiere decir que es un diodo que presenta una región P y N
altamente conductoras junto a una zona intrínseca poco
Entre algunas de las múltiples aplicaciones que tiene este
diodo, Encontramos que se puede utilizar como interruptor o
como modulador de amplitud de frecuencias de microondas; ya
que para todas las aplicaciones se puede presentar como un
corto circuito en sentido directo y como un circuito abierto en
sentido inverso, debido a esta característica son utilizados como
conmutadores de RF, resistencia variable, protectores de
sobretensiones, fotodetector y atenuadores, también es utilizado
para conmutar corrientes muy intensas o tensiones muy grandes
[2].
Por otra parte, el diodo GUNN o efecto GUNN, fue
descubierto por el científico John Battiscombe Gunn en 1963 el
efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los
semiconductores y no depende de los contactos, tampoco
depende de los valores de voltaje y corriente, otra característica
es que no es afectado por campos magnéticos.
La frecuencia de la oscilación del efecto GUNN, es
determinada por las propiedades de la capa o zona intermedia
del diodo, pero también puede ser verificada desde el
exteriormente. Los diodos GUNN son usados para construir
osciladores en el rango de frecuencias comprendido entre los 10
Giga Hertz y frecuencias hasta Tera Hertz. Este diodo se usa en
ondas, cavidades coaxiales y resonadores YIG (mono cristales),
los ajustes se realizan mecánicamente, excepto en el caso de los
resonadores YIG donde los ajustes son eléctricos.
Un diodo GUNN puede funcionar en resistencia positiva es
decir cuando se aplica un voltaje a la plaquita tipo N de
Arseniuro de Galio, los electrones, que el material tiene en
exceso, circulan y producen una corriente al terminal positivo.
Si se aumenta la tensión, la velocidad de la corriente aumenta.
También se encuentre el funcionamiento en resistencia
negativa, si a la plaquita anterior se le sigue aumentando el
voltaje, los electrones saltan a una banda de energía más
elevada, que normalmente está vacía, disminuyen su velocidad
y la corriente. De esta manera una elevación del voltaje en este
elemento causa una disminución de la corriente.
Eventualmente, el voltaje en la plaquita se hace suficiente para
extraer electrones de la banda de mayor energía y menor
movilidad, por lo que la corriente aumentará de nuevo con el
voltaje.
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III. REFERENCIAS

Debido a su capacidad que tiene para manejar altas

frecuencia, los diodos GUNN se utilizan principalmente en [1] ecured, «ecured,» ecured, [En línea]. Available:
frecuencias de microondas y superiores, son usados https://www.ecured.cu/Diodo_p-i-n. [Último acceso:
comúnmente en los osciladores, pero también se utilizan en los 24 10 2017].
amplificadores para amplificar las señales de microondas. [2] stteven16, «blogspot,»
diodiosingenieriadetelecomunicaciones, 5 4 2015.
Otro diodo usado en la industria es el diodo tunnel este diodo [En línea]. Available:
fue inventado en 1958 por el físico japonés Leo Esaki, por lo http://diodiosingenieriadetelecomunicaciones.blogsp
cual recibió un Premio Nobel en 1973. Descubrió que los ot.com.co/2015/04/diodo-pin.html. [Último acceso:
diodos semiconductores obtenidos con un grado de 24 10 2017].
contaminación del material básico mucho mas elevado que lo [3] stteven16, «blogspot,»
habitual exhiben una característica tensión-corriente muy diodiosingenieriadetelecomunicaciones, 6 4 2015.
particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi [En línea]. Available:
proporcional a la tensión aplicada hasta alcanzar un valor http://diodiosingenieriadetelecomunicaciones.blogsp
máximo, denominado corriente de cresta. ot.com.co/2015/04/diodo-gunn.html. [Último acceso:
24 10 2017].
A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensión [4] E. unicrom, «Electronica unicrom,» Electronica
aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo unicrom, [En línea]. Available:
hasta alcanzar un mínimo, llamado corriente de valle, desde el https://unicrom.com/diodo-gunn-efecto-gunn/.
cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es [Último acceso: 24 10 2017].
al principio lento, pero luego se hace cada vez más rápido hasta [5] stteven16, «blogspot,»
llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. diodiosingenieriadetelecomunicaciones, 5 4 2015.
[En línea]. Available:
El efecto túnel es un fenómeno nanoscópico por el que una http://diodiosingenieriadetelecomunicaciones.blogsp
partícula viola los principios de la mecánica clásica penetrando ot.com.co/2015/04/diodo-tunel.html. [Último acceso:
una barrera potencial o impedancia mayor que la energía 24 10 2017].
cinética de la propia partícula. Una barrera, en términos [6] ecured, «ecured,» ecured, 12 9 2012. [En línea].
cuánticos aplicados al efecto tunel, se trata de una cualidad del Available: https://www.ecured.cu/Diodo_tunel.
estado energético de la materia análogo a una "colina" o [Último acceso: 24 10 2017].
pendiente clásica, compuesta por crestas y flancos alternos, que [7] E. unicrom, «Electronica unicrom,» Electronica
sugiere que el camino más corto de un móvil entre dos o más unicrom, [En línea]. Available:
flancos debe atravesar su correspondiente cresta intermedia si https://unicrom.com/diodo-tunnel/. [Último acceso:
dicho objeto no dispone de energía mecánica suficiente como 24 10 2017].
para imponerse con la salvedad de atravesarlo.

Este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador

debido a que tiene una corriente de fuga muy grande cuando
están polarizados en reversa. Así estos diodos sólo encuentran
aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta
frecuencia.

Este diodo presenta ventajas sobre otros ya que presenta alta

velocidad de operación esto significa que el diodo túnel se
puede utilizar para aplicaciones de RF de microondas, se han
realizado estudios del diodo túnel y su rendimiento se ha
demostrado que permanece estable durante largos períodos de
tiempo, donde otro dispositivo semiconductor puede terminar
degradados.