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¿Cómo se hace?
Dentro de una cámara con atmósfera inerte, se coloca una barra de semiconductor
policristalino en posición vertical y se rota. Una pequeña zona de la barra se mantiene
“fundida” mediante un calentamiento por señales de RF. La zona fundida se mueve a lo
largo de la longitud de la muestra las impurezas segregadas de la zona fundida van
desplazadas hacia los extremos del lingote. las impurezas tienden a ir a la zona fundida.
Para ayudar a una cristalización inicial se coloca un cristal semilla que sirve de modelo de
crecimiento.
Características
Crecimiento epitaxial
Una capa sólida delgada se sintetiza partiendo de una fase gaseosa mediante una
reacción química. El propósito de la epitaxia es crecer una capa de Silicio de grosor
uniforme y en la cual se puedan controlar las propiedades eléctricas.
Ventajas LPE
Desventajas LPE
Las condiciones de solubilidad restringen en gran manera al número de
materiales a los cuales es aplicable esta técnica.
El control de la morfología (orientación cristalina) es muy difícil.
La calidad superficial es pobre.