DISPOSITIVOS​ ​SEMICONDUCTORES

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1ra​ ​fecha​ ​de​ ​coloquio
​ ​6​ ​de​ ​diciembre​ ​de​ ​2016

​ ​Nombre​ ​y​ ​Apellido:​ ​___________________________________________ Padrón:​ ​___________________#​​ ​_______

Correctas Incorrectas No​ ​contesta Calificación​ ​Final

1. Se​ ​tiene​ ​una​ ​oblea​ ​de​ ​silicio​ ​tipo​ ​N​ ​de​ ​200​ ​𝜇m​ ​de​ ​largo​ ​en​ ​equilibrio​ ​térmico​ ​con​ ​una​ ​distribución​ ​de​ ​dopantes​ ​no
uniforme.​ ​Conocidas​ ​las​ ​funciones​ ​de​ ​la​ ​variación​ ​espacial​ ​de​ ​dopantes​ ​(5·10​19​ ​cm​-4​·x+1·10​17​ ​cm​-3​)​ ​y​ ​portadores
mayoritarios​ ​(4.5·10​19​ ​cm​-4​·x+1.5·10​17​ ​cm​-3​),​ ​determinar​ ​el​ ​campo​ ​eléctrico​ ​máximo.

2. A​ ​una​ ​juntura​ ​MOS​ ​con​ ​V​FB​​ ​=​ ​-350​ ​mV​ ​y​ ​V​T​ <​
​ ​0​ ​se​ ​le​ ​aplica​ ​una​ ​tensión​ ​V​GB​​ ​>>​ ​0.​ ​¿Cuál​ ​es​ ​la​ ​caída​ ​de​ ​tensión​ ​en

módulo​ ​en​ ​el​ ​sustrato​ ​en​ ​esas​ ​condiciones?

3. El​ ​esquema​ ​de​ ​la​ ​figura​ ​muestra​ ​una​ ​compuerta:

4. Para​ ​el​ ​circuito​ ​de​ ​la​ ​figura​ ​con​ ​VT​ ​​ ​=​ ​1.5V​ ​y​ ​µ​ ​C​OX​​ ​W/L​ ​=​ ​1​ ​mA/V​2​,​ ​indique​ ​el​ ​rango​ ​posible​ ​de​ ​V​DD​​ ​tal​ ​que​ ​el​ ​transistor
se​ ​encuentre​ ​en​ ​saturación.

5. Un​ ​transistor​ ​PNP​ ​tiene​ ​conectado​ ​una​ ​resistencia​ ​de​ ​5​ ​kΩ​ ​entre​ ​el​ ​terminal​ ​colector​ ​y​ ​tierra​ ​y​ ​una​ ​fuente​ ​de​ ​+​ ​3​ ​V
entre​ ​emisor​ ​y​ ​tierra.​ ​En​ ​qué​ ​modo​ ​de​ ​funcionamiento​ ​se​ ​encuentra​ ​el​ ​transistor​ ​si​ ​la​ ​corriente​ ​I​E​​ ​≅​ ​1.3​ ​mA?

6. Con​ ​respecto​ ​al​ ​manejo​ ​de​ ​un​ ​IGBT​ ​como​ ​en​ ​el​ ​trabajo​ ​práctico​ ​de​ ​potencia,​ ​¿para​ ​qué​ ​es​ ​necesario​ ​un​ ​driver​ ​entre
la​ ​fuente​ ​de​ ​pulsos​ ​de​ ​control​ ​y​ ​el​ ​gate​ ​del​ ​IGBT?

7. ¿Cuál​ ​debe​ ​ser​ ​el​ ​V​GS​​ ​para​ ​que​ ​por​ ​el​ ​drain​ ​de​ ​un​ ​JFET​ ​de​ ​canal​ ​P​ ​circulen​ ​-20​ ​mA?​ ​Datos:​ ​I​DSS​​ ​=​ ​-5​ ​mA,​ ​V​P​​ ​=​ ​+1​ ​V.

8. Dado​ ​un​ ​amplificador​ ​source​ ​común​ ​sin​ ​carga,​ ​se​ ​observa​ ​que​ ​existe​ ​distorsión​ ​por​ ​saturación/triodo.​ ​Se​ ​desea
solucionar​ ​el​ ​problema,​ ​manteniendo​ ​la​ ​ganancia​ ​A​vo​​ ​calculada​ ​inicialmente.​ ​¿Qué​ ​debo​ ​hacer?

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​ ​6​ ​de​ ​diciembre​ ​de​ ​2016

9. Con​ ​respecto​ ​al​ ​trabajo​ ​práctico​ ​1​ ​(Diodo),​ ​¿por​ ​qué​ ​el​ ​transitorio​ ​sobre​ ​el​ ​diodo​ ​tiene​ ​una​ ​constante​ ​de​ ​tiempo​ ​mayor
sin​ ​polarización​ ​que​ ​con​ ​polarización​ ​inversa?

10. Sobre​ ​una​ ​compuerta​ ​digital​ ​inversora​ ​implementada​ ​con​ ​CMOS:​ ​si​ k​ ​n<<​
​ k​p​​ ​y​ ​V​Tn​​ ​=-​VTp
​ ,​​ ​entonces​ ​el​ ​valor​ ​de​ ​V​M​​ ​es,
aproximadamente​ ​_____

11. Determinar​ ​la​ ​temperatura​ ​de​ ​juntura​ ​de​ ​un​ ​SCR​ ​en​ ​conducción​ ​(​R​on​​ ​=​ ​0.1​ ​Ω​ ​,​ ​R​ja​​ ​=​ ​50​ ​°C/W,​ R
​ ​jc​​ ​=​ ​0.45​ ​°C/W)
conectado​ ​en​ ​serie​ ​con​ ​una​ ​resistencia​ ​de​ ​820​ ​Ω​ ​y​ ​una​ ​fuente​ ​de​ ​10​ ​kV.​ ​El​ ​circuito​ ​se​ ​encuentra​ ​en​ ​una​ ​ambiente​ ​a
T​ ​=​ ​30​ ​°C.​ ​Además,​ ​para​ ​que​ ​el​ ​tiristor​ ​SCR​ ​no​ ​se​ ​vea​ ​destruido​ ​por​ ​alta​ ​temperatura,​ ​tiene​ ​adosado​ ​un​ ​disipador
que​ ​presenta​ ​una​ ​R​dis​​ ​=​ ​10​ ​°C/W.

12. En​ ​el​ ​trabajo​ ​práctico​ ​3​ ​(TBJ)​ ​era​ ​necesario​ ​colocar​ ​una​ ​resistencia​ ​limitadora​ ​en​ ​la​ ​malla​ ​de​ ​entrada​ ​durante​ ​la
medición​ ​de​ ​la​ ​curva​ ​de​ ​transferencia.​ ​¿Por​ ​qué​ ​es​ ​necesaria​ ​esa​ ​resistencia?

13. ¿Cómo​ ​se​ ​mide​ ​la​ ​resistencia​ ​de​ ​salida​ ​de​ ​un​ ​amplificador​ ​emisor​ ​común​ ​como​ ​el​ ​diseñado​ ​en​ ​el​ ​TP#4?

14. Para​ ​un​ ​amplificador​ ​source​ ​común​ ​polarizado​ ​con​ ​una​ ​fuente​ ​de​ ​corriente​ ​ideal​ ​(considere​ ​r​oc​​ ​→∞),​ ​si​ ​se​ ​disminuye
I​SUP​​ ​manteniendo​ ​V​GS​​ ​constante​ ​manteniendo​ ​al​ ​transistor​ ​en​ ​saturación,​ ​¿qué​ ​sucede?

15. La​ ​expresión​ ​n​ ​×​ ​p​ ​=​ ​n​i​2​​ ​se​ ​conoce​ ​como​ ​ley​ ​de​ ​acción​ ​de​ ​masas,​ ​¿Bajo​ ​qué​ ​condiciones​ ​se​ ​cumple​ ​fuera​ ​del​ ​estado
de​ ​equilibrio​ ​térmico?

16. Se​ ​tiene​ ​un​ ​amplificador​ ​source​ ​común​ ​implementado​ ​con​ ​un​ ​transistor​ ​JFET​ ​canal​ ​N​ ​(​I​DSS​=1mA;​ ​Vp​=-1.2​ ​V;​ ​λ​=​ ​0,01
V​−1​)​ ​polarizado​ ​con​ ​una​ ​corriente​​ ​I​DQ=0.5​
​ ​mA.​ ​ ​Considerando​ ​sólo​ ​la​ ​distorsión​ ​por​ ​alinealidad​ ​con​ ​criterio​ ​del​ ​10%​ ​de
error,​ ​¿cuál​ ​es​ ​el​ ​máximo​ ​valor​ ​de​ ​vin​​ ​ ​admisible?

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