ELECTRÓNICA ANALÓGICA

Alumno: Testa Morales Mario Alberto

M131

Entrega: 6/28/18

Transistor Bipolar

Profesor: Alejandro Martínez Badillo

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1. Transistor Bipolar.
1.1 Introducción.---------------------------------------------------------------------------------------------3
1.2 Construcción del transistor.----------------------------------------------------------------------------4
1.3 Tipos de transistor.-----------------------------------------------------------------------------------------------4
1.3.1 Transistor de Contacto Puntual.---------------------------------------------------------4
1.3.2 Transistor de Unión Unipolar.-----------------------------------------------------------4
1.3.3 Transistor bipolar.-------------------------------------------------------------------------5
1.3.3.1 Ejemplos de transistores de Unión Bipolar.---------------------------------8
1.3.4 Transistor de efecto de Campo (JFET).------------------------------------------------9
1.3.5 Fototransistor.----------------------------------------------------------------------------11
1.4 Configuraciones del transistor.-------------------------------------------------------------------------------12
1.4.1 Configuración en base común.---------------------------------------------------------12
1.4.2 Configuración emisor común.----------------------------------------------------------14
1.4.3 Configuración colector común.--------------------------------------------------------18
2. aplicaciones.
2.1 Aplicaciones prácticas.--------------------------------------------------------------------------------20
3 Cálculos Básicos.-------------------------------------------------------------------------------------------------22
4 Resumen.---------------------------------------------------------------------------------------------------------24
5 Conclusión.-------------------------------------------------------------------------------------------------------------25

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 Transistores Bipolares
Introducción:

Durante el periodo de 1904 a 1947, el tubo de vacío, o bulbo, fue sin duda el dispositivo electrónico de
mayor interés y desarrollo. J. A. Fleming presentó en 1904 el diodo de tubo de vacío. Poco tiempo
después, en 1906, Lee de Forest agregó un tercer elemento, llamado rejilla de control al diodo de tubo
de vacío y el resultado fue el primer amplificador, el tríodo. En los años que siguieron, la radio y la
televisión dieron un gran estímulo a la industria de los bulbos. La producción se elevó de
aproximadamente 1 millón de bulbos en 1922 a cerca de 100 millones en 1937. A principios de la década
de 1930 el tetrodo de cuatro elementos y el pentodo de cinco tuvieron un rol destacado en la industria
de los bulbos de electrones. En años posteriores, la industria llegó a ser una de las de primordial
importancia y de rápido avance en el diseño, técnicas de fabricación, aplicaciones de alta potencia y alta
frecuencia, así como en la miniaturización. El 23 de diciembre de 1947, sin embargo, la industria de la
electrónica iba a experimentar el advenimiento de una dirección completamente nueva en cuanto a
interés y desarrollo. Fue en la tarde de este día en que Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron
la acción amplificadora del primer transistor en los laboratorios Bell. El transistor original (un transistor
de punto de contacto) se muestra en la figura 1.1 Las ventajas de este dispositivo de estado sólido de
tres terminales sobre el bulbo fueron obvias de inmediato. Era más pequeño y más liviano; no tenía que
calentarse ni perdía calor; su construcción era robusta; era más eficiente, puesto que el dispositivo
consumía menos potencia; estaba disponible al instante para su uso, ya que no requería un periodo de
calentamiento, y se podían obtener voltajes de operación más bajos.

Fig. 1.1 Primer transistor

Fue un proyecto desarrollado en los Laboratorios Bell de Estados Unidos con el objetivo de encontrar un
sustituto de las válvulas de vacío. Por este hallazgo, los tres investigadores fueron galardonados con el
Premio Nobel de Física en el año 1956 y abrieron la puerta a toda una revolución tecnológica que nos ha
llevado, por ejemplo, a los procesadores Ivy Bridge de Intel que, en 160 milímetros cuadrados, son
capaces de alojar alrededor de 1.400 millones de transistores.

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 Construccion del transistor
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo ny
una de material tipo po de dos capas de material tipo p y una de material tipo n. El primero se llama
transistor npn y el segundo transistor pnp Fig.2.1

La capa del emisor está muy dopada, la base ligeramente, y el colector sólo un poco
dopado. Los grosores de las capas externas son mucho mayores que las del material
tipo p o n emparedado. Para los transistores mostrados en la figura 3.2 la relación
entre el grosor total y el de la capa central es de 0.150/0.001 150:1. El dopado de la
capa emparedada también es considerablemente menor que el de las capas
externas (por lo común de 10:1 o menor). Este menor nivel de dopado reduce la
conductividad (incrementa la resistencia) de este material al limitar el número de
portadores “libres”.

Figura 2.1

Transistor de Contacto Puntual

Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia,
inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para
entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas,
dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular
la resistencia que se “ve” en el colector, de ahí el nombre de “transfer resistor”. Se basa en efectos de
superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un
golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W.
Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de Union Unipolar

También llamado de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la
práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la
barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma
más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre
sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.

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Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un
potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el
canal.

Transistor bipolar
Los transistores bipolares surgen de la unión de tres cristales de semiconductor con dopajes diferentes e
intercambiados. Se puede tener por tanto transistores PNP o NPN. Tecnológicamente se desarrollaron
antes los transistores BJT que los FET. El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se
fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen
cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes
como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos
de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con
elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o “huecos” (cargas
positivas).Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio
(Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).La configuración de uniones PN, dan como resultado
transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y
las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen
diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el
colector).El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas
contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa,
epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.

Operación del Transistor

La operación del transistor npn es exactamente la misma que sí se intercambiaran las funciones que
cumplen el electrón y el hueco. Obsérvense las similitudes entre esta situación y aquella del diodo con
polarización directa. El espesor de la región de agotamiento se redujo debido a la polarización aplicada,
lo que da por resultado un flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p
hacia el tipo n.

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Recuerde que el flujo de los portadores mayoritarios es cero, y da por resultado sólo un flujo de
portadores minoritarios. Por consiguiente, en resumen:

Una unión p-n de un transistor tiene polarización inversa, mientras que la otra tiene polarización directa.

Ambos potenciales de polarización se aplicaron a un transistor pnp, con el flujo resultante indicado de
portadores mayoritarios y minoritarios. Los espesores de las regiones de agotamiento, que indican con
claridad cuál unión tienen polarización directa y cuál polarización inversa. Habrá una gran difusión de
portadores mayoritarios a través de la unión p-n con polarización directa hacia el material tipo n. Así, la
pregunta sería si acaso estos portadores contribuirán de forma directa a la corriente de base lb o si
pasarán directamente al material tipo p. Debido a que el material tipo n del centro es muy delgado y
tiene baja conductividad, un número muy pequeño de estos portadores tomará esta trayectoria de alta
resistencia hacia la terminal de la base. La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra
en el orden de los microamperes, comparado con miliamperes para las corrientes del emisor y del
colector. La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión con
polarización inversa, hacia el material tipo p conectado a la terminal del colector. La razón de esta
relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios pueden atravesar la unión con polarización
inversa se comprenderá con facilidad si se considera que, para el diodo con polarización inversa, los
portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores minoritarios en el material tipo n. En
otras palabras, tuvo lugar una inyección de portadores minoritarios al material de la región de la base
tipo n. A la combinación de esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la región de
agotamiento atravesarán la unión con polarización inversa de un diodo puede atribuírsele el flujo.

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Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al transistor pnp, como si fuera un solo nodo, se obtiene.

IE = IC + IB

y se observa que la corriente del emisor es la suma de las corrientes del colector y de la base. Sin
embargo, la corriente del colector está formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y
minoritarios. Al componente de corriente minoritaria se le denomina corriente de fuga y se le asigna el
símbolo lco (corriente lc con la terminal del emisor abierta). Por tanto, la corriente total del colector se
determina mediante la ecuación.

IC = ICmayoritaria + ICOminoritaria

Para los transistores de propósito general, le se mide en miliamperes, mientras que lco se mide en
microamperes o nanoamperes. Ico, al igual que Is para un diodo con polarización inversa, es sensible a la
temperatura y debe analizarse con cuidado cuando se consideren rangos amplios de temperatura. Sí lo

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anterior no se considera de manera adecuada, es susceptible de afectar de manera severa la estabilidad
de un sistema a una temperatura alta. Las mejoras en las técnicas de construcción han generado niveles
significativamente más bajos de lco, a tal grado que casi siempre es posible omitir sus efectos.

Ejemplos de transistores de Unión Bipolar

2N4401, 2n3906 y 2n4402: Transistores de unión bipolar de mediana potencia, destinados para
propósito general en amplificación y conmutación, construidos con semiconductor de silicio en
diferentes formatos. Pueden amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias y trabajar a
frecuencias medianamente altas.

Configuraciones

Emisor común

La construcción interna de un transistor como todo crcuito necesita de dos terminales de entrada y dos
de salida, pero al contar en su fabricación solo con tres terminales, se hace necesario adoptar una de las
siguientes configuraciones: Emisor común, Base común, Colector común.

Base común

Emisor común: La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta
a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia
tanto de tensión como de corriente y alta impedancia de entrada. Como la base está conectada al
emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer una tensión constante, Vg. También
supondremos que β es constante. Entonces tenemos que la tensión de emisor es: VE = VB − Vg

Base Común: La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a
las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia sólo
de tensión. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a
que parte de la corriente de emisor sale por la base.

Colector Común: La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se
conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene
ganancia de corriente, pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad. Esta configuración
multiplica la impedancia de salida por 1/β.

Más adelante se explicarán a fondo estas configuraciones.

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 Transistor de Efecto de Campo
Los transistores de efecto de campo más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor),
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET). Tienen tres
terminales denominadas puerta (o gate) a la equivalente a la base del BJT, y que regula el paso de
corriente por las otras dos terminales, llamadas drenador (drain) y fuente (source). Presentan
diferencias de comportamiento respecto a los BJT. Una diferencia significativa es que, en los MOSFET, la
puerta no absorbe intensidad en absoluto, frente a los BJT, donde la intensidad que atraviesa la base es
pequeña en comparación con la que circula por las otras terminales, pero no siempre puede ser
despreciada.

El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de Estados Unidos en diciembre de 1947 por
John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el
Premio Nobel de Física en 1956. Fue el sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos, o triodo. El
transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontró una
aplicación útil ni se disponía de la tecnología necesaria para fabricarlos masivamente. Es por ello que al
principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo
(FET). En los últimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla
mediante el campo eléctrico establecido en el canal.

Por último, apareció el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-Óxido-Semiconductor). Actualmente es el

transistor más empleado en la industria microelectrónica. Los MOSFET permitieron un diseño
extremadamente compacto, necesario para los Circuitos Integrados. Hoy la mayoría de los circuitos se
construyen con tecnología CMOS.

La tecnología CMOS (Complementary MOS ó MOS Complementario) es un diseño con dos diferentes
MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente
en un funcionamiento sin carga. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes
dopadas artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades específicas) que forman
dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la
tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base).

A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene
corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a
diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento sólo
puede explicarse mediante mecánica cuántica.

De manera simplificada, la corriente que circula por el “colector” es función amplificada de la que se
inyecta en el “emisor”, pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si

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desde una fuente de corriente continua se alimenta la “base” para que circule la carga por el “colector”,
según el tipo de circuito que se utilice.

El factor de amplificación o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se

denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de
transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia
Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos
parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de
Emisor, etc.

Los tres tipos de esquemas (configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores son
emisor común, colector común y base común. Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor
bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el
terminal de “base” para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el
terminal de puerta o reja de control (graduador) y gradúa la conductancia del canal entre los terminales
de Fuente y Drenaje.

Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada
entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de impulsar los
electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al
Drenaje (D) será función amplificada de la Tensión presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente
(Source).

Su funcionamiento es análogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a
Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y Cátodo. Los transistores de efecto de
campo, son los que han permitido la integración a gran escala disponible hoy en día, para tener una idea
aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centímetro
cuadrado y en varias capas superpuestas.

La abreviatura BJT, de transistor bipolar de unión (del inglés, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse
a este dispositivo de tres terminales. El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los
electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polarizado de forma opuesta. Si sólo
se utiliza un portador (electrón o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.

Tipo de transistores de efecto campo

El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la
fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo mejorado, o
dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto
de campo también son distinguidos por el método de aislamiento entre el canal y la puerta. Los tipos de
FETs son: Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre el
canal y la puerta:

· El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).

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· El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n

· El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN del JFET con una
barrera Schottky.

· En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET (heterostructure FET), la
banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta el cuerpo del transistor.

· Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)

·Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son
comunmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V. Aún así los
Power MOSFET todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1
a 200V.

· Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del
transistor.

· Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando una puerta fabricada de
moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales

Fototransistor
Los fototransistores (fig. 2.2) son sensibles a la radiación
electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible;
debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por
medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo
mismo que un transistor normal, sólo que puede trabajar de 2
maneras diferentes:

• Como un transistor normal con la corriente de base (IB)

Figura 2.2 (modo común)

• Como fototransistor, cuando la luz que incide en este

elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación)

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 Configuracion en base comun.

En la configuración base común la entrada es por el emisor, y la salida por el colector como se muestra
en la siguiente figura 2.3.

Fig 2.3. Configuración base común en PNP y NPN.

Polarización para un transistor pnp en base común en la región activa (fig.2.4).

La polarización correcta de la configuración de base común en la región activa se puede determinar con
rapidez, si se utiliza la aproximación IC ≅ IE y suponiendo, por el momento, que IB ≅ 0µA. El resultado es
la configuración para el transistor pnp.

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 Figura 2.4

La flecha del símbolo define la dirección del flujo convencional para IE ≅ IC. Luego se insertan las
fuentes dc con una polaridad tal, que soportaran la dirección resultante de la corriente. Para el
transistor npn se invertirán las polaridades.

Graficas de Comportamiento

Parámetros de Entrada:
El conjunto de entrada para el amplificador de base común relacionara la corriente de entrada (IE) con
un voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB)(Fig. 2.5).

Figura 2.5

Parámetros de salida

En el conjunto de salida relacionara la corriente de salida (IC) con un voltaje de salida (VCB) para varios
niveles de corriente de entrada (IE). El conjunto de características de la salida o colector tiene tres
regiones básicas de interés.

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  Región activa: La unión base-colector se polariza inversamente, mientras que la unión emisor-
base se polariza directamente.

 Región de corte: Tanto la unión base-colector como la unión emisor-base de un transistor

tienen polarización inversa.

 Región de saturación: Tanto la unión base-colector como la emisor-base están en polarización

directa.

Configuracion emisor comun.

La configuración de transistor que se encuentra más a menudo aparece para los transistores pnp y npn.
Se le denomina configuración de emisor común debido a que el emisor es común o hace referencia a las
terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es común tanto a la terminal de base como a
la de colector). Una vez más, se necesitan dos conjuntos e características para describir por completo el
comportamiento de la configuración de emisor común: uno para el circuito de entrada o base-emisor y
otro para el circuito de salida o colector-emisor.

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Para la configuración de emisor común, las características de salida son una gráfica de la corriente de
salida (Ic) en función del voltaje de salida (Vce) para un rango de valores de corriente de entrada (Ib). Las
características de entrada son una gráfica de la corriente de entrada (Ib) en función del voltaje de
entrada (Vbe) para un rango de valores de voltaje de salida (Vce).

Polarización

El primer paso consiste en indicar la dirección de IE según lo establece la flecha en el símbolo del
transistor. Después, se presentan las otras corrientes, tomando en cuenta la relación de la ley de
corriente de Kirchhoff: IC + IB = I E. Por último, se introducen las fuentes con las polaridades que

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soportara las direcciones resultantes de Ib e Ic, para completar el concepto. El mismo sistema puede
aplicarse a los transistores pnp.

Análisis de la primera malla

VRB - VBB - VBE = 0
VRB = VBB - VBE
IBRB = VBB - VBE
IB = VBB - VBE / RB
Análisis de la segunda malla
VCC - VRC - VCE = 0
VCE = VCC - VRC
VCE = VCC - ICRC
VCE = VCC - βCD (IB)RC
Consideraciones sobre el análisis:

 VCE = 0, no hay tensión para capturar electrones negativos.

 VCE > 0, adquiere fuerza para recolectar electrones negativos.
 VCE, demasiado alto, saturado.
Características de la base

La región actica de la configuración de emisor común se puede emplear también para la amplificación
de voltaje, corriente o potencia. La región de corte para la configuración de emisor común no esta tan
bien definida como para la configuración de base común.

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Características del Colector

Obsérvese que la magnitud de Ib se indica en micro amperes, comparado con los miliamperios de Ic.
Considere también que las curvas de Ib no son tan horizontales como las que se obtuvieron para Ie en la
configuración de base común, lo cual indicia que el voltaje del colector al emisor tendrá e influencia
sobre la magnitud de la corriente del colector.

Algunas características a tomar en cuenta son:

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  Región activa: Amplificador.
 Región corte: No hay conducción.
 Región de saturación: VCE ≅ 0.2V.
 Región de disrupción: Intensidades enormes.

Configuracion Colector Comun.

La configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de
impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y baja impedancia de salida,
contrariamente a las de las configuraciones de base común y de un emisor común.

Configuración de colector común utilizado para propósitos de acoplamiento de impedancia.

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  Para la configuración de colector común, las características de salida son una gráfica de IE en
función de VCE para un rango de valores de IB·

 La corriente de entrada es la misma tanto para las características del emisor común como para
las del colector común

 El eje horizontal del voltaje para la configuración del colector común se obtiene con sólo
cambiar el signo del voltaje del colector al emisor de las características del emisor común.

 Por último, existe un cambio casi imperceptible en la escala vertical de IC de las características
de emisor común, si le se reemplaza por IE para las características de colector común.

Graficas de Comportamiento

Parámetros de Entrada

Se relaciona la corriente de entrada (IB) con el voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de
salida (VCE).

Una vez que el transistor este encendido se supondrá que el VBC es: VBE = 0.7V.

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Parámetros de Salida
Se relaciona la corriente de salida (IE) con el voltaje de salida (VCE) para varios niveles de corriente de
entrada (IB).

Aplicaciones Practicas.
Amplificación
Los amplificadores usan transistores para amplificar sonido. Los micrófonos, guitarras, teclados y
baterías electrónicas usan transistores para transmitir sonido electrónico.

Interruptores
Muchos interruptores utilizan transistores para encender y apagar. Los interruptores pueden ser
encontrados en amplificadores, aviones, automóviles, casa, lámparas y radios.

Computadoras
Muchos transistores microscópicos trabajan dentro de una computadora para calcular y transmitir
códigos binarios a otros transistores. Los transistores trabajan como un grupo denominado circuito
integrado.

Ayuda auditiva
Pequeños transistores ayudan a escuchar a la gente con pérdida auditiva. Los pequeños transistores
ayudan a amplificar el sonido a un nivel ajustable al usuario.

Radios
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Los transistores ayudaron a llevar radios personales a mucha gente en la década de 1960 y ayudaron a
mejorar la comunicación.

Exploración espacial
Las mejoras y nuevos usos de los transistores ayudaron a la causa de la exploración espacial. Con su uso
en computadoras, comunicaciones e interruptores, el transistor hizo posible el lanzamiento de un ser
humano a la luna y pusieron en la órbita terrestre grandes telescopios que nos ayudan a estudiar el
universo.

Aplicaciones de los fototransistores .

Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos, etc. Para comunicaciones con
fibra óptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. También se pueden utilizar en la detección
de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor de proximidad. Se utilizan ampliamente
encapsulados conjuntamente con un LED, formando interruptores ópticos (opto-switch), que detectan la
interrupción del haz de luz por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisión y de reflexión.
Teniendo las mismas características de un transistor normal, es posible regular su corriente de colector
por medio de la corriente de base. Y también, dentro de sus características de elemento
optoelectrónico, el fototransistor conduce más o menos corriente de colector cuando incide más o
menos luz sobre sus junturas. Los dos modos de regulación de la corriente de colector se pueden utilizar
en forma simultánea. Si bien es común que la conexión de base de los fototransistores no se utilice, e
incluso que no se la conecte o ni siquiera venga de fábrica, a veces se aplica a ella una corriente que
estabiliza el funcionamiento del transistor dentro de cierta gama deseada, o lo hace un poco más
sensible cuando se debe detectar una luz muy débil. Esta corriente de estabilización (llamada bias, en
inglés) cumple con las mismas reglas de cualquier transistor, es decir, tendrá una relación de
amplificación determinada por la ganancia típica de corriente, o hfe. A esta corriente prefijada se le
suman las variaciones producidas por los cambios en la luz que incide sobre el fototransistor. Los
fototransistores, al igual que los fotodiodos, tienen un tiempo de respuesta muy corto, es decir que
pueden responder a variaciones muy rápidas en la luz. Debido a que existe un factor de amplificación de
por medio, el fototransistor entrega variaciones mucho mayores de corriente eléctrica en respuesta a
las variaciones en la intensidad de la luz.

Calculos Basicos
Transistor bipolar como amplificador

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base
y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere
decir que entre base y emisor tendremos una tensión igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6
a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.
Pero la gracia del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente
de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para transistores normales de señal, β

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varía entre 100 y 300.
Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:
Emisor común

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las masas
tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia tanto de
tensión como de corriente y alta impedancia de entrada. En caso de tener resistencia de emisor, RE > 50
Ω, y para frecuencias bajas, la ganancia en tensión se aproxima bastante bien por la siguiente

expresión: ; y la impedancia de salida, por RC

Como la base está conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer una
tensión constante, Vg. También supondremos que β es constante. Entonces tenemos que la tensión de
emisor es: VE = VB − Vg

Y la corriente de emisor: .
La corriente de emisor es igual a la de colector más la de

base: . Despejando
La tensión de salida, que es la de colector se calcula

como:

Como β >> 1, se puede aproximar: y,

entonces,

Que podemos escribir como

Vemos que la parte es constante (no depende de la señal de entrada), y la

22
parte nos da la señal de salida. El signo negativo indica que la señal de salida está desfasada
180º respecto a la de entrada.

Finalmente, la ganancia queda:

La corriente de entrada, , que aproximamos por .

Suponiendo que VB>>Vg, podemos escribir:

y la impedancia de entrada:
Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor más elaborados.
Es muy frecuente usar el modelo en pi.

Base común

La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las masas tanto
de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia sólo de tensión. La
impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la
corriente de emisor sale por la base. Si añadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia
impedancia de salida de la fuente de señal, un análisis similar al realizado en el caso de emisor común,

nos da la ganancia aproximada siguiente: .

La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de salida como, por
ejemplo, micrófonos dinámicos.

Colector común

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La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas
tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia de corriente,
pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad. Esta configuración multiplica la impedancia
de salida por 1/β.

Resumen del Transistor

A vista de esa prueba realizada este dispositivo ha de tener tres electrodos o bornes, uno por cada uno
de los cristales de que se compone. Al cristal que recibe la corriente, el primero de los tres, se distingue
con el nombre de emisor; el cristal del centro como base, y al cristal de salida de la corriente, colector.
Entonces, en un transistor de tipo NPN, la primera N será el emisor, P será la base, y la otra N, el
colector. Estos nombres se suelen abreviar con las letras E, B
y C respectivamente. Para comprender bien el
funcionamiento del transistor debemos recordar la teoría
atómica, donde el cristal N es un cristal que tiene exceso de
electrones, y el cristal P, es un cristal con exceso de huecos.
Por ejemplo un transistor de tipo NPN, siguiendo la imagen
en la que una fuente de alimentación (B) provee de
corriente al emisor, conectado al polo negativo en el cristal
N, negativo también. En estas condiciones se forman como unas barreras Z1 y Z2 en las uniones con el
13 13 cristal P de base, que impiden el paso de la corriente. La base está llena de huecos que pasan a ser
ocupados por los electrones más próximos de los cristales contiguos, formándose estas barreras de
átomos en equilibrio que impide el paso de la corriente (salvo una muy débil corriente de fuga de
escasísimo valor). Pero si se polariza la fuente del mismo signo que ella, es decir, con una tensión
positiva respecto al emisor, lo que se llama en sentido contrario, la barrera Z1 desaparece porque el
potencial positivo aplicado a la base repele los huecos hacia los cristales N y penetran en la zona de
resistencia. Los electrones libres del emisor la atraviesan siendo atraídos por los potenciales positivos de
la base y del colector. Dado que el potencial positivo del colector es mucho más elevado que el de la
base, los electrones se sentirán más atraídos por el primero, por lo que se obtendrá una elevada
corriente del colector (que abreviaremos IC) y una pequeña corriente de base (IB). La corriente del

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emisor (IE) será por tanto igual a la suma de la corriente de colector y la corriente de base, tal como se
deduce de las leyes de Kirchhoff. Es decir:

IE = IC + IB

De esto se deduce que la corriente que sale por el colector no va incrementada con la corriente de base.
De hecho, la corriente que pasa por emisor y que se designa IE se compone de la corriente de la base y
del colector que luego circularán en diferente sentido. En la imagen vemos un
esquema de circuito elemental de un transistor en el que se designa también el
nombre de las tensiones (V). Así tenemos que VBE es la tensión base-emisor,
VCE es la tensión colector-emisor. Como puede verse, en el emisor las
corrientes de base colector se suman, tal como dice la ley de Kirchhoff.

Conclusión

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de circuitos
electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control. Con el desarrollo de este
trabajo además de consolidar el trabajo en equipo, y consolidar nuestras capacidades investigativas nos
aportó importantes conocimientos en algunos casos en forma de cultura general, y otras ocasiones
conocimientos específicos acerca de los transistores y cada uno de los tipos más conocidos. Podemos
decir que el surgimiento de los transistores ha proporcionado un gran avance a la ciencia no solo a la
electrónica sino a la ciencia de forma general porque casi todos equipos que tenemos en la actualidad
funcionan con componentes eléctricos y con presencia de transistores.

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