OBJETIVO

1. Analizar e implementar un circuito de polarización para JFET.

2. Analizar e implementar un amplificador usando JFET.

TRABAJO PREPARATORIO

1) Consultar sobre MOSFET características y ventajas.

Características eléctricas del JFET

- El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material

semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a
ambos lados, (p. ej.2N4416).
- La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente
polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser
mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de canal.
Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para que
la unión p-n se encuentre polarizado inversamente.
- Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o
drenador a source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y
VDS (tensión drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones
básicas de operación: corte, lineal, saturación y ruptura.

Ventajas

- Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy
elevada (107 a 1012 ohmios).
- Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
- Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
- Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y
permiten integrar más dispositivos en un CI.
- Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores
pequeños de tensión drenaje-fuente.
- La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
- Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.

2) Revisar las hojas de datos de al menos 4 MOSFETS y presentar un cuadro con

los valores de los parámetros más importantes.

Tabla de valores característicos de los FETs

Numeración VDS (off) máx. VGS(típico) IDSS máx.
SI4466DY -20[v] -2.5[v] 13.5[mA]
IRF8252 -25[v] -3.5[v] 25[mA]
FDS6630A -30[v] -1.5[V] 6.5[mA]
IRF7455 -30[v] -2.5[v] 15[mA]
MMFT3055E -60[v] ----- 1.7[mA]
3) Consultar la hoja de datos del JFET J304.

4) Consultar sobre el voltaje de pinch-off y como calcularlo.

- VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del canal. Al igual

que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su valor.

5) Consultar sobre la representación en AC de JFET y MOSFET.

JFET

MOSFET
6) Consultar sobre las configuraciones de amplificación que tiene el JFET y
MOSFET.

JFET
- FUENTE COMÚN

- DRENAJE COMÚN

- COMPUERTA COMÚN
 MOSFET
- FUENTE COMÚN

- DRENAJE COMÚN

- COMPUERTA COMÚN
7) Resolver el siguiente circuito en DC y AC, dibujar los voltajes de salida:
FIGURA 1

𝑰𝑫𝑺𝑺 = 20 [𝑚𝐴]
𝑽𝑷 = −8 [V]

𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2
− = 20𝑚 (1 − )
2920 −8
𝟎. 𝟗𝟏𝑽𝑮𝑺 𝟐 + 𝟏𝟓. 𝟔𝑽𝑮𝑺 + 𝟓𝟖. 𝟒 = 𝟎
𝑽𝑮𝑺𝟏 = −5.53 (𝑉) 𝑽𝑮𝑺𝟐 = −11.56 (𝑉)

𝑽𝑮𝑺𝑸 = −5.53 (𝑉)

−5.53 2
𝑰𝑫𝑸 = 20𝑚 (1 − ) = 1.90 (𝑚𝐴)
−8
𝑽𝑮 = 0 (𝑉) 𝑽𝑺 = 1.90𝑚 ∗ 2920 = 5.55 (𝑉)
𝑽𝑫 = −1.90 ∗ 5.6 + 24 = 13.36 (𝑉) 𝑽𝑫𝑺 = 13.36 − 5.55 = 7.81 (𝑉)
20𝑚 −5.53 1.54 ∗ 5.6 ∥ 10
𝒈𝒎 = −2 ∗ ∗ (1 − ) = 1.54 𝑚𝑆 𝑨𝒗 = − = −4.13
−8 −8 1 + 1.54 ∗ 0.22
𝑽𝒊𝒏𝒑 = 0.2 (𝑉) 𝑽𝒐𝒑 = 4.13 ∗ 0.2 = 0.826 (𝑉)

FIGURA 2

𝑰𝑫𝑺𝑺 = 20 [𝑚𝐴]
𝑽𝑷 = −8 [V]

30 ∗ 56𝑘 𝑉𝐺𝑆 2
( − 𝑉𝐺𝑆 ) = 11.2 (1 − )
1.056𝑘 −8
𝟎. 𝟏𝟕𝑽𝑮𝑺 𝟐 + 𝟑. 𝟖𝑽𝑮𝑺 + 𝟗. 𝟔𝟏 = 𝟎
𝑽𝑮𝑺𝟏 = −2.92 (𝑉)
𝑽𝑮𝑺𝟐 = −18.79 (𝑉)

𝑽𝑮𝑺𝑸 = −2.92 (𝑉)

2
−2.92
𝑰𝑫𝑸 = 20𝑚 (1 − ) = 8.06 (𝑚𝐴)
−8
𝑽𝑮 = 1.6 (𝑉) 𝑽𝑺 = 8.06 ∗ 0.56 = 4.51 (𝑉)
𝑽𝑫 = −8.06 ∗ 1.8 + 30 = 15.50 (𝑉) 𝑽𝑫𝑺 = 15.50 − 4.51 = 10.99 (𝑉)
20𝑚 −2.92
𝒈𝒎 = −2 ∗ ∗ (1 − ) = 3.175 𝑚𝑆 𝑨𝒗 = −3.175 ∗ 1.8 ∥ 10 = −4.84
−8 −8
𝑽𝒊𝒏𝒑 = 0.3 (𝑉) 𝑽𝒐𝒑 = 4.84 ∗ 0.3 = 1.45 (𝑉)

FIGURA 3

𝑰𝑫𝑺𝑺 = 20 [𝑚𝐴]
𝑽𝑷 = −8 [V]

𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2
− = 20𝑚 (1 − )
2.2𝑘 −8
𝟎. 𝟔𝟖𝑽𝑮𝑺 𝟐 + 𝟏𝟐𝑽𝑮𝑺 + 𝟒𝟒 = 𝟎
𝑽𝑮𝑺𝟏 = −5.24 (𝑉)
𝑽𝑮𝑺𝟐 = −12.21 (𝑉)
 −5.24 2
𝑽𝑮𝑺𝑸 = −5.24 (𝑉) 𝑰𝑫𝑸 = 20𝑚 (1 − ) = 2.38 (𝑚𝐴)
−8
𝑽𝑮 = 0 (𝑉) 𝑽𝑺 = 2.38 ∗ 2.2 = 5.24 (𝑉)
𝑽𝑫 = 10 (𝑉) 𝑽𝑫𝑺 = 10 − 5.24 = 4.76 (𝑉)
20𝑚 −2.92
𝒈𝒎 = −2 ∗ ∗ (1 − ) = 3.175 𝑚𝑆 𝑨𝒗 = 𝟏
−8 −8
𝑽𝒊𝒏𝒑 = 0.150 (𝑉) 𝑽𝒐𝒑 = 1 ∗ 0.150 = 0.150(𝑉)

8) Realizar las simulaciones de los circuitos presentados en Proteus.

FIGURA 1

FIGURA 2
 FIGURA 3

9) Presentar los voltajes de polarización.

VD VG VS VDS
FIGURA 1 21,06 0,207 0,95 20,07
FIGURA 2 23,18 1,59 1,97 21,21
FIGURA 3 6,98 0 0,81 6,17

BIBLIOGRAFÍA

- Sánchez, P. (2018). Dispositivos Eléctrónicos. [en cuaderno]. Escuela

Politécnica Nacional. Quito-Ecuador.

- Labcenter Electronics. (1989-2017). Proteus 8 Profesional.

- Transistores de Efecto de Campo [Online]. Disponible en:

https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/1/electro_gen/te
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- Sánchez, T. (2013). ELECTRÓNICA: DISPOSITIVOS Y APLICACIONES.

Escuela Politécnica Nacional. Quito-Ecuador.

- DatasheetCatalog. Disponible en: http://www.datasheetcatalog.com