Tema04 PDF

Tema 4
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
DE PEQUEÑA SEÑAL
ENTRADA SIMPLE
Tema 4: Nociones generales
Estructuras ideales
CLASIFICACIÓN Salida Corriente Salida Tensión
Entrada Corriente A. de Corriente Transrresistor
Entrada Tensión Transconductor A. de Tensión
2/51
Definición de parámetros
● Ganancia en tensión, AV V OUT I OUT

AV = AI =
● Ganancia en corriente, AI VIN IIN
Impedancia de entrada, ZIN
V IN
●
V OUT
● Impedancia de salida, ZOUT
ZI N=
I IN
Z OUT =( )
I OUT Thevenin
DEPENDENCIA RESPECTO A LA FRECUENCIA
3/51
Objetivos
A. DE TENSIÓN A. DE CORRIENTE
AV → ∞ Z I N →∞ Z OUT → 0 AI → ∞ ZI N →0 Z OUT → ∞
TRANSRESISTOR TRANSCONDUCTOR
AV → ∞ ZI N →0 Z OUT → 0 AI → ∞ Z I N →∞ Z OUT → ∞
SIN EMBARGO, QUIZÁS CADA DISEÑADOR IMPONGA SUS CRITERIOS
4/51
Relaciones entre parámetros
Ganancia respecto fuente
V OUT
AVS =
VS
ZI N
AVS = AV ·
Z I N + RS
ZL IO AV AI VO AV
AV = A I · GM = = = =Z L · A I =
ZIN V I N ZL Z I N II N ZIN
RELACIONES ÚTILES PARA AGILIZAR CÁLCULOS
5/51
Tema 4: Acoplamiento
Acoplo de señales
Elementos en negro...
● Fijan el punto de operación
Elementos en rojo...
● Introducen la señal que amplificar
¡PERO ALTERAN EL PUNTO DE OPERACIÓN!
SOLUCIONES...
●USO DE CAPACIDADES DE DESACOPLO (CASO DE
ELEMENTOS DISCRETOS)
●SELECCIÓN CUIDADOSA PUNTO OPERACIÓN

(CASO DE LOS ICs)
6/51
Tema 4: Acoplamiento
Acoplo de señales
A frecuencia elevada, los

condensadores son cortocircuitos.
Función de los condensadores...
● C1 y C2: En serie con otros, BLOQUEO para señales DC

● C3: En paralelo con otros, PASO para señales AC
● C4: Estabiliza la fuente, DESACOPLO
7/51
Tema 4: Topologías comunes
Emisor Común
Notas
● Punto de operación fijado por red con degeneración de emisor

● A frecuencias medias, los condensadores son cortocircuitos
→ ¡RE desaparece!
8/51
Emisor Común (pequeña señal)
vI N
De manera inmediata, surge el valor de ZIN: Z I N = i =hie / / R1 / / R2
IN
−1 vi n −1
v OUT =−h fe ·i b · h oe / / RC / / R L =−h fe · ·(h oe / / RC / / RL )
Zi n
v OUT (h−1
oe / / RC / / R L ) (h−1
oe / /RC )
→ AV = =−h fe · →−h fe · si R L →∞
vI N hie hie
i OUT Zi n
→ AI = = AV · −1
Z OUT =( RC / / h oe )
iI N ZL
9/51
Emisor Común (Baja frecuencia)
Grosso modo, las condiciones de trabajo...

1 1 1
∣ ∣≪ RS , Z I N ∣ ∣≪ R E ∣ ∣≪ R L , Z O
s ·C B s ·C E s ·C L
APARECEN CEROS EN S=0 Y EL MISMO NÚMERO DE POLOS

Al llegar a una frecuencia determinada, la ganancia es constante
10/51
Emisor Común (Alta frecuencia)
Teorema de Miller
(Aproximado...)
APARECEN POLOS Y CEROS EN AMBAS ETAPAS
11/51
Emisor Común (Alta frecuencia)
vI N 1
Z HF
I N = i =(hie / / R1 / / R2 / /
IN s · ( C π+ ( 1+ AV , DC ) ·C μ )
)
−1 1 HF
(h oe / / R C / / R L / / ) i out HF Z i n
HF vout s ·C μ AHF = = A V ·
A =
V =−h fe · I
i i ,n ZL
vi ,n hie
HF −1 1
Z OUT =( RC / / h oe / / )
s · Cμ
12/51
Emisor Común: Influencia del punto de operación
● ZIN: Aumenta cuanto menor sea la corriente de base (y colector) y mayor R1//R2
No es contradictorio
● AV: Aumenta con el valor de RC y, generalmente, aumenta con la corriente de

colector (hie predomina sobre hoe)
Depende de la resistencia de carga RL salvo si RL >> (RC // hoe-1)
● AI: Dependencia fuerte con ZL.
● ZOUT: Disminuye con RC y si aumenta IC.
COMO BUSCAMOS VALORES ALTOS DE ZIN Y AV Y BAJOS DE ZOUT...
¡HAY QUE LLEGAR A UN COMPROMISO!
13/51
Fuente Común
Notas
● Punto de operación fijado por red con degeneración de fuente

● Modelos en pequeña señal similares para ambos.
→ No hay efecto sustrato en el JFET
14/51
Fuente Común (pequeña señal)
vI N
Z I N = i =(R1 / / R2 ) Z OUT =( R D / / g −1
O )
IN
vOUT λ · I DS
AV =
vI N
=−g m ·(R D / / g −1
O / / R L )=− 2
√· K N ·
W
L
· √ DS
I ·
1+ λ · I DS · ( R D + R L )
−1 −1
λ · I DS
→ AV =−g m ·(R D / / g −1
√
O )=− 2 · K N ·
W
L
· √ I DS ·
1+ λ · R−1
D · I DS
si R L →∞
i OUT ZI N
AI = =AV ·
iI N RL
15/51
Fuente Común (Alta frecuencia)
Teorema de Miller
(Aproximado...)
APARECEN POLOS Y CEROS EN AMBAS ETAPAS
16/51
Fuente Común: Influencia del punto de operación
● ZIN: Aumenta cuanto mayor R1//R2

¡Cuidado con el ruido térmico!
● AV: Aumenta con el valor del la corriente de drenador y con RD

Depende de la resistencia de carga RL salvo si RL >> (RD // go-1)
● AI: Dependencia fuerte con ZL.
● ZOUT: Disminuye con RD y si aumenta IDS por la influencia en gO.
Todo mejora si aumenta IDS pero...
¡EL CONSUMO SE VE AFECTADO!
17/51
Emisor degenerado
Notas
● Similar a Emisor común pero sin CE.
18/51
Degeneración de emisor (pequeña señal)
R ' C =( RC / / RL )
( h−1
)
−1
oe + R ' C ·(β F + 1)
Z I N =h ie+ ( β F + 1 ) · RE · h−1
oe + R ' C + R E
h fe 1 h fe 1
AI ≈ · · ZI AV ≈ · · R 'C
h ie h fe
N hie h fe
1+ R E · 1+ R E ·
hie hie
19/51
Degeneración de emisor
● Aumenta considerablemente la impedancia de entrada
● Disminución de la ganancia (Corriente y Tensión)
Degeneración de fuente con FET
● Conclusiones similares a BJT
● Aparición de efecto substrato en MOS
20/51
Base Común
Notas

● Se puede polarizar la base con una fuente constante
→ ¡R1 y R2 desaparecen!
21/51
Base Común (pequeña señal)
Z X =( RC / / R L / / h−1
ob )
−1 V AF
h =( 1+ h fe ) ·
ob
IC
vI N h ie N ·V T
ZI N= =(R E / / hib )=(R E / / )=(R E / / )
iI N 1+ h fe IE
h fb h fe IC
AV =− ·Z X= ·Z X≈ ·Z
h ib hie N ·VT X
ZI N IC ZX
AI = · AV =Z I N · · Si RL << RC, hob-1 y hib << RE, entonces AI → 1
RL N · V T RL
Z OUT =( RC / / h−1
ob )
¡SEGUIDOR DE CORRIENTE!
22/51
Base Común (Alta frecuencia)
Aparecen dos nuevas capacidades, que pueden ser incluidas en hib y hob para
calcular los distintos parámetros.
INNECESARIO EL TEOREMA DE MILLER
23/51
Puerta Común
Notas

● Se puede polarizar la puerta directamente con una fuente constante
● Aparece el efecto sustrato
→ ¡R1 y R2 desaparecen!
24/51
Puerta Común (pequeña señal)
● La tensión de puerta es nula.

● La fuente del MOS es la entrada
g O + g m + g nb RD
AV = AI =
1 1 R D+ R L
gO+ +
R D RL
AI Z OUT ≈ RD
ZI N= ·R
AV L
Si RL << RD
g + g m+ g nb RL
AI ≈1 AV = O ZI N= Z OUT ≈ RD
1 AV
gO+
RD
¡SEGUIDOR DE CORRIENTE!
25/51
Puerta Común (Alta frecuencia)
● Dos capacidades principales

● C puede combinarse con RD
GD
● C se combina con RA por Thévenin e introduce
GS
un polo por desvío de corriente.
26/51
Colector Común (o Seguidor de emisor)
Notas

● La resistencia de carga puede ser la propia resistencia de emisor
→ El colector se une directamente a tierra.
27/51
Colector Común (pequeña señal)
R P=( R E / / R L / / h−1
oc )
R B=( R1 / / R2 )
v ec =v OUT
1 1 1
AV = ≈ = ≈1
hic h ie N ·V T
hrc − 1+ 1+
h fc · R P R P ·(1+ h fe ) RP · I E
iI N −1 N · V T −1
Z −1 =R−1 −1 −1
I N= B + h ic · ( 1− AV )≈ R B + hic · ≈ R−1
B + ( R P ·(h fe + 1)) → Z I N≈ RB
vI N RP · I E
ZI N RB
AI = · AV ≈
RL RL
¡SEGUIDOR DE TENSION!
28/51
Colector Común (alta frecuencia)
Teorema de Miller,
con K = AV,DC
Las capacidades se integrarían en RB
29/51
Drenador Común (o Seguidor de fuente)
Notas

● La resistencia de carga puede ser la propia resistencia de fuente
→ El drenador se une directamente a tierra.
30/51
Drenador Común (pequeña señal)
R P=(RS / / R L )
RG =(R 1 / / R 2)
v I N =v G
v OUT =v S
gm gm 1 El cociente gm/gmb vale 0.1-0.3 en

AV = ≈ =
g m+ g mb+ g O+ R P −1
g m + g mb gm transistores reales.
1+
g mb
ZI N RG 1
Z I N =RG AI = · AV = · Z OUT =( RS / / g −1 −1
RL RL g O / / g −1m / / g mb )
1+ m
g mb
SEGUIDOR DE TENSION, PEOR QUE BJT
31/51
Tema 4: Fuentes de corriente
Problema
Muchos parámetros mejoran con valores elevados de RC, RE, RD, RS...
Sin embargo, su uso fuerza el uso de valores de corriente menores.
Solución
Utilizar fuentes de corriente para polarizar los circuitos
● Fijan el valor de la corriente de polarización
● En pequeña señal, equivalen a una resistencia muy elevada
ALGUNOS EJEMPLOS...
32/51
Tema 4: Fuentes de Corriente
Ejemplos con BJTs
Base Común
Degeneración emisor
Seguidor de emisor
SOLUCION SIMILAR PARA CMOS

USAR CASCODE O WIDLAR
33/51
Tema 4: Amplificadores CMOS
Polivalencia de los MOSFET
Los MOSFET pueden ser considerados como resistencias no lineales o fuentes.
Ejemplo de amplificadores inversores
PUEDE PRESCINDIRSE DE LAS RESISTENCIAS
34/51
Tema 4: Varios Transistores
Configuraciones típicas BJT: Par CC-CE (Colector común, emisor común)
Se busca una mejor amplificación. Suponemos sin acoplo capacitivo y polarizado

con fuente de corriente como en muchos amplificadores operacionales.
Notas
●La resistencia RX es opcional para polarizar Q1. Puede

usarse una fuente de corriente.
● IQ puede reemplazarse por una simple resistencia.
●Se supone alimentación bipolar. VEE puede reemplazarse

por tierra.
●La tensión de entrada se sitúa en torno a -VEE+ 2·V para

evitar que los transistores no dejen la ZAD.
35/51
Configuraciones típicas BJT: Par CC-CE (Pequeña señal)
Se combinan ambos modelos de transistor en pequeña señal.
R P1=(h−1
oc1 / / hie2 )
R P2=(h−1
oe2 / / RQ)
Z I N =h ic1−h fc1 · R P1 · h rc1≈hie1+ (1+ h fe1 )· R P1 Muy elevada

R P2 · R P1 R P2 · R P1
AV =h fe2 · h fc1 =−h fe2 ·(1+ h fe1) ·
hie2 · Z I N h ie2 · Z I N
Z OUT =(h−1 INVIERTE LA SEÑAL
oe2 / / R Q )
36/51
Configuraciones típicas BJT: Par CC-CE (Pequeña señal)
Algunas simplificaciones...
I C1 I B2 I B2
≈ I B2 · ( V AF1+ (N · V T ) ) ≈
−1 −1 −1 −1 −1
R P1=h oc1+ h ie2= + ≈h ie2
V AF1 N ·V T N ·V T
−1 −1 I C2
R P2=h oe2+ RQ ≈h oe2 =
V AF2
R P2 · R P1 h h oe2 1 h
AV =−h fe2 ·(1+ h fe1 )· ≈−h fe2 · (1+ h fe1)· oe2 ≈−h fe2 ·(1+ h fe1) · ≈− h fe2 · oe2
hie2 · Z I N ZI N h ie1+ (1+ h fe1) · hie2 2 h ie2
¡Más baja (~0.5) que una única etapa con misma fuente de corriente!
Sin embargo, al conectar una hipotética carga RL...
ZI N
AI = · AV Aumento espectacular por la impedancia de entrada
RL
Mejor amplificador de corriente

o igual de tensión con mayor impedancia de entrada
37/51
Configuraciones típicas BJT: Par Darlington
Mismas condiciones que en el caso anterior, los colectores se unen.
Notas
●La resistencia RX es opcional para polarizar Q1.

Puede usarse una fuente de corriente.
● Se supone alimentación bipolar. -VEE puede

reemplazarse por tierra.
●La tensión de entrada se sitúa en torno a -VEE+ 2·V

para evitar que los transistores no dejen la ZAD.
38/51
Configuraciones típicas BJT: Par Darlington (Pequeña señal)
Modelo de emisor común
Reordenamos...
● Ecuaciones muy complejas

● Básicamente, es un transistor con ganancia (1 + h ) utilizable en todas las
2
fe
configuración de un solo transistor.
● Comparado con CC-CE
● Menor ancho de banda → Problema

● Menor impedancia de salida → Mejora (Etapas de salida)
39/51
Configuraciones típicas BJT: Par Cascode
Útil cuando la carga se pone en serie con el amplificador
Notas
● Tensión de polarización independiente, VB.
●Se busca crear un transconductor con alta

impedancia de salida.
● Usado para atacar cargas pequeñas
● El valor DC de VIN fija el punto de operación.
UTILIZADA DESDE LOS TIEMPOS DE LAS VÁLVULAS DE VACÍO
40/51
Configuraciones típicas BJT: Par Cascode (pequeña señal)
Un transistor en emisor común y otro en base común

R−1
P1 =h oe1 + h−1
ib2≈ h−1
ib2
R−1
P2 =h ob2 + R−1
L
N ·V T hoe2 −1 V AF2
Z I N =h ie1≈
IO
−1
Z OUT =h =
ob2 ( 1+ h fe2) =( 1+ h fe2 )
IO
R P1 · R P2 h fe2 R P2
AV =h fe1 · h fb2 · ≈−h fe1 · ·
hie1 · hib2 1+ h fe2 hie1
ZIN h fe2 R P2
AI = AV · ≈−h fe1 · ·
RL 1+ h fe2 R L
41/51
Configuraciones típicas BJT: Par Cascode (Aproximaciones)
R−1
P1 =h oe1 + h−1
ib2≈ h−1
ib2
R−1 −1
P2 =h ob2 + R L
Z I N =h ie1
Z OUT =hob2
V AF2
Si R L ≪h ob2 =( 1+ h fe2 ) · → R P2≈ R L
IQ
ZIN h fe2 R P2
AI = AV · ≈−h fe1 · · ≈−h fe1
RL 1+ h fe2 R L
R P1 · R P2 h fe2 R P2 RL IQ
AV =h fe1 · h fb2 · ≈−h fe1 · · ≈−h fe1 · ≈ ·R
hie1 · hib2 1+ h fe2 hie1 h ie1 N · V T L
42/51
Configuraciones típicas BJT: Par Cascode (Versión 2)
Utilizada en circuitos integrados
Notas
●Se busca crear un TRANSCONDUCTOR

con ALTA impedancia de salida.
● El punto de operación viene fijado por la

fuente de corriente IQ.
OTRA VERSIÓN MUY POPULAR EN CIRCUITOS INTEGRADOS
43/51
Configuraciones típicas BJT: Par Cascode 2 (pequeña señal)
Un transistor en emisor común y otro en base común

R−1
P1 =h oe1 + h−1
ib2≈ h−1
ib2
R−1
P2 =h ob2 + R−1
Q + R −1
L
N ·V T hoe2 −1
V AF2
Z I N =h ie1≈
IQ
Z OUT =h
−1
ob2 =
(1+ h fe2 ) =( 1+ h fe2 )
IQ
R P1 · R P2 −h fe1 · h fe2 R P2 h fe2 RP2
AV =h fe1 · h fb2 · ≈ · AI ≈−h fe1 · · ≈−h fe1
hie1 · hib2 1+ h fe2 h ie1 1+ h fe2 R L
RESULTADOS SIMILARES AL ANTERIOR SALVO RQ
44/51
Configuraciones típicas CMOS: Configuraciones CD-CS y Darlington
Ambas configuraciones buscan incrementar la impedancia de entrada...
Drenador común – Fuente común Darlington
CON POCA UTILIDAD PRÁCTICA: ZIN → ∞ EN TECNOLOGÍAS CMOS
45/51
Configuraciones típicas CMOS: Configuración Cascode
Uso similar al equivalente BJT.
Notas
●Se busca crear un TRANSCONDUCTOR

con ALTA impedancia de salida.
● El punto de operación viene fijado por la

fuente de corriente IQ.
● Pueden añadirse más y más cascodes.
UTILIZADO EN LA CREACIÓN DE ICs (AMP. TELESCÓPICOS)
46/51
Configuraciones típicas CMOS: Configuración Cascode (Pequeña señal)
Notas
● VG1 = VIN → vGS1 = vIN

●V = VB → vG2 = 0 → vGS2 = -vA
G2
● v = -vA
BS2
K =g m2+ g mb2 G P =R−1

Q + R−1
L
g m1 1+ g −1
O2 · K
AV =− ·
g O1 1+ G P · ( g −1 −1 −1 −1
O1 + g O2 + K · g O1 · g O2 )
UTILIZADO EN LA CREACIÓN DE ICs (AMP. TELESCÓPICOS)
47/51
Configuraciones típicas CMOS: Configuración Cascode (Impedancia salida)
1 1 g O1 · g O2
= +
Z OUT RQ g O1+ g O2 + g m2 + g mb2
En general, RQ es muy grande
Z OUT = g−1
O1 + g −1
O2 + g −1
O1 · g −1
O2 · ( g m2 + g mb2 )
−1
g m1 1+ g O2 · K
→ AV =− ·
g O1 1+ G P · Z OUT
Equivalente en pequeña señal,
simplificado y puesto como i OUT AV g m1 1+ g −1
O2 · K
→ Gm = = ≈− ·
equivalente Thévenin. v I N RL g O1 Z OUT
INCREMENTO ESPECTACULAR DE LA RESISTENCIA
48/51
Configuraciones típicas CMOS: Configuración Cascode Activo
Un amplificador operacional aísla el transistor 1 de la carga.
Funciona como un cascode normal

pero la tensión drenador-fuente del
1 permanece constante.
Recordemos que AD, en un Op Amp, es del orden de 104-106
49/51
Configuraciones típicas CMOS: Configuración Cascode Activo (pequeña señal)
Notas
V S2=V D1
( V B1=V S1=0V
) (
V G1=V I N
v =v
→ GS1 I N
v BS1=0 ) ( V B2 =0V
)(
V G2= AD · ( V B −V D1 ) V I N
v =−A D · v D1
→ GS2
v BS2 =−v D1 )
50/51
Configuraciones típicas CMOS: Configuración Cascode Activo (pequeña señal)
Notas
Se obtienen los mismos
resultados que en cascode
normal ya que solo hay que
reemplazar gm2 por AD·gm2
−1 −1 −1 −1
Z OUT = g O1+ g O2 + g O1 · g O2 · ( A D · g m2+ g mb2 ) K = AD · g m2 + g mb2
g m1 1+ g −1
O2 · K Aumento espectacular de la
→ AV =− · resistencia de salida.
g O1 1+ G P · Z OUT
La transconductancia no
i OUT AV g m1 1+ g −1
O2 · K mejora sensiblemente
→ Gm = = ≈− ·
v I N RL g O1 Z OUT
¡Vigilar frecuencia de trabajo!
51/51

Tema04 PDF

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Tema04 PDF

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Tema 4

CLASIFICACIÓN Salida Corriente Salida Tensión

Entrada Corriente A. de Corriente Transrresistor

Entrada Tensión Transconductor A. de Tensión

● Ganancia en tensión, AV V OUT I OUT

DEPENDENCIA RESPECTO A LA FRECUENCIA

SIN EMBARGO, QUIZÁS CADA DISEÑADOR IMPONGA SUS CRITERIOS

Ganancia respecto fuente

RELACIONES ÚTILES PARA AGILIZAR CÁLCULOS

● Fijan el punto de operación

● Introducen la señal que amplificar

¡PERO ALTERAN EL PUNTO DE OPERACIÓN!

●SELECCIÓN CUIDADOSA PUNTO OPERACIÓN

A frecuencia elevada, los

Función de los condensadores...

● C1 y C2: En serie con otros, BLOQUEO para señales DC

● Punto de operación fijado por red con degeneración de emisor

Grosso modo, las condiciones de trabajo...

APARECEN CEROS EN S=0 Y EL MISMO NÚMERO DE POLOS

APARECEN POLOS Y CEROS EN AMBAS ETAPAS

● AV: Aumenta con el valor de RC y, generalmente, aumenta con la corriente de

● AI: Dependencia fuerte con ZL.

● ZOUT: Disminuye con RC y si aumenta IC.

COMO BUSCAMOS VALORES ALTOS DE ZIN Y AV Y BAJOS DE ZOUT...

¡HAY QUE LLEGAR A UN COMPROMISO!

● Punto de operación fijado por red con degeneración de fuente

APARECEN POLOS Y CEROS EN AMBAS ETAPAS

● ZIN: Aumenta cuanto mayor R1//R2

● AV: Aumenta con el valor del la corriente de drenador y con RD

● AI: Dependencia fuerte con ZL.

● ZOUT: Disminuye con RD y si aumenta IDS por la influencia en gO.

Todo mejora si aumenta IDS pero...

¡EL CONSUMO SE VE AFECTADO!

● Similar a Emisor común pero sin CE.

● Aumenta considerablemente la impedancia de entrada

● Disminución de la ganancia (Corriente y Tensión)

Degeneración de fuente con FET

● Conclusiones similares a BJT

● Aparición de efecto substrato en MOS

● Punto de operación fijado por red con degeneración de emisor

INNECESARIO EL TEOREMA DE MILLER

● Punto de operación fijado por red con degeneración de fuente

● La tensión de puerta es nula.

● Dos capacidades principales

● Punto de operación fijado por red con degeneración de emisor

Las capacidades se integrarían en RB

● Punto de operación fijado por red con degeneración de fuente

gm gm 1 El cociente gm/gmb vale 0.1-0.3 en

Sin embargo, su uso fuerza el uso de valores de corriente menores.

Utilizar fuentes de corriente para polarizar los circuitos

● Fijan el valor de la corriente de polarización

● En pequeña señal, equivalen a una resistencia muy elevada

SOLUCION SIMILAR PARA CMOS

Los MOSFET pueden ser considerados como resistencias no lineales o fuentes.

Ejemplo de amplificadores inversores

PUEDE PRESCINDIRSE DE LAS RESISTENCIAS

Se busca una mejor amplificación. Suponemos sin acoplo capacitivo y polarizado

●La resistencia RX es opcional para polarizar Q1. Puede

● IQ puede reemplazarse por una simple resistencia.

●Se supone alimentación bipolar. VEE puede reemplazarse

●La tensión de entrada se sitúa en torno a -VEE+ 2·V para

Se combinan ambos modelos de transistor en pequeña señal.

Z I N =h ic1−h fc1 · R P1 · h rc1≈hie1+ (1+ h fe1 )· R P1 Muy elevada