Circuitos de Radiofrecuencia

MODELADO DE ELEMENTOS ACTIVOS

Ing. Alcides Araujo Pacheco

Modelaje de elementos activos

Introducción
Diodo
BJT
FET
Medición de parámetros de dispersión

12/1/2018
Introducción

➢ Casi todos los circuitos con cierta complejidad tienen que ser modelados con la ayuda de
un programa CAD, como paso previo a su realización práctica para verificar si cumplen o
no con los requerimientos de diseño. Existen varios paquetes de software con este
propósito.

➢ Se han establecido modelos para los diferentes elementos para representar su

comportamiento en alta y baja frecuencia.

➢ Nuestro propósito ahora será examinar varios circuitos equivalentes para representar
diodos y transistores, y entender la forma en que estos son simulados en un programa de
software.

➢ Con relación a los modelos para el BJT, limitaremos el estudio solamente a los modelos
más populares como Ebers-Moll y Gummel-Poon. Modelos que utilizan simuladores como
SPICE, ADS y QUCS.
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Introducción: juntura pn

El flujo de corriente a través de un diodo, esta dado por la ecuación del diodo de Shockley (ver Apéndice F
del texto de Ludwig).

𝑉𝐴
𝐼 = 𝐼0 ( 𝑒 𝑉𝑇 − 1)

Donde 𝐼0 es la corriente de saturación inversa o

corriente de ruptura. La característica corriente-
voltaje, a menudo llamada curva I-V tiene la
forma mostrada. 𝑉𝑇 = 26 𝑚𝑉 es el potencial
térmico.

La curva revela que para voltajes negativos, una pequeña, corriente independiente del voltaje fluirá,
12/1/2018 − 𝐼0 , mientras que para voltajes positivos se observa un crecimiento exponencial de la corriente.
Introducción: juntura pn

La dependencia de la capacitancia de juntura con respecto al voltaje aplicado es como se muestra en la

figura.

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Introducción: juntura pn

La existencia de la capa de deplexión, crea una capacitancia de juntura, cuando 𝑉𝐴 < 𝑉𝑑𝑖𝑓𝑓 . Pero bajo
condiciones de polarización directa, se tiene en cuenta una capacitancia adicional, la “capacitancia de
difusión” debido a la presencia de cargas de difusión 𝑄𝑑 (portadores minoritarios) almacenados en las
capas semiconductoras.

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Introducción: juntura pn

Esta carga es cuantificada calculando la carga 𝑄𝑑 como el producto de la corriente en el diodo por
el tiempo medio de tránsito de portadores a través del diodo:

𝑉𝐴
ൗ
𝑄𝑑 = 𝐼 𝜏 𝑇 = 𝜏 𝑇 𝐼0 (𝑒 𝑉𝑇 − 1)

Entonces la capacitancia de difusión asume una relación no lineal con el voltaje aplicado y la temperatura de
la juntura. La capacitancia de difusión es calculada como:

𝑑𝑄𝑑 𝐼0 𝜏 𝑇 𝑉𝐴ൗ𝑉
𝐶𝑑 = = 𝑒 𝑇
𝑑𝑉𝐴 𝑉𝑇

Se observa la fuerte dependencia del voltaje de operación. 𝑉𝑇 = 26 𝑚𝑉 es el potencial térmico 𝑉𝑇 = 𝑘𝑇/𝑞

a una temperatura ambiente de 300 K.

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Introducción: juntura pn

En general, la capacitancia total 𝐶 de un diodo 𝑝𝑛 puede ser dividida en tres regiones:

1. 𝑉𝐴 < 0: solamente la capacitancia de deplexión es significativa: 𝐶 = 𝐶𝐽

2. 0 < 𝑉𝐴 < 𝑉𝑑𝑖𝑓𝑓 : las capacitancias de difusión y deplexión se combinan: 𝐶 = 𝐶𝐽 + 𝐶𝑑

3. 𝑉𝐴 > 𝑉𝑑𝑖𝑓𝑓 : solamente la capacitancia de difusión es significativa: 𝐶 = 𝐶𝑑

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Modelos para el diodo: Modelo no Lineal

El típico modelo para gran señal tanto para diodos pn y Schottky tienen la misma forma:

Este modelo toma en cuenta las características no lineales I – V de la ecuación del diodo de Shockley:

𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 ( 𝑒 𝑉𝐴Τ 𝑛 𝑉𝑇 − 1)
12/1/2018
Modelos para el diodo: Modelo no Lineal

Donde el coeficiente de emisión 𝑛 se elige como un parámetro adicional para ajustar el modelo de manera
más cercana a las mediciones reales. Este valor, para la mayoría de las aplicaciones es 1.0. El efecto de las
capacitancias 𝐶𝑑 y 𝐶𝐽 se combinan en una capacitancia 𝐶.

Para la capacitancia de juntura, tenemos que considerar la carga espacial 𝑄𝐽 , que se deriva con relación al
voltaje aplicado, obteniéndose:

𝑑𝑄𝐽 𝐶𝐽0
𝐶𝐽 = =
𝑑𝑉𝐴 (1 − 𝑉𝐴 Τ𝑉𝑑𝑖𝑓𝑓 )𝑚

Donde m se conoce como el coeficiente de graduación de la

juntura. Se asume un valor de 0.5 para una juntura abrupta que
es sujeto de nuestro análisis. Para situaciones más realistas m
podría estar en el rango: 0,2 ≤ 𝑚 ≤ 0,5. Esto para voltajes
aplicados positivos.

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Modelos para el diodo: Modelo no Lineal

Si el voltaje aplicado 𝑉𝐴 se aproxima al voltaje interno 𝑉𝑑𝑖𝑓𝑓 , la capacitancia calculada de la juntura se

aproxima al infinito, lo que obviamente, es físicamente imposible. En la práctica, la capacitancia de la juntura
se vuelve casi linealmente dependiente del voltaje aplicado una vez que se excede un potencial de umbral
𝑉𝑚 , que usualmente es igual a la mitad del potencial interno, 𝑉𝑚 ≈ 0,5 𝑉𝑑𝑖𝑓𝑓 . De esta manera, la fórmula
aproximada capaz de describir la capacitancia de juntura sobre el rango completo de los voltajes aplicados
esta dado por:

𝐶𝐽0
𝑚, 𝑉𝐴 ≤ 𝑉𝑚
(1 − 𝑉𝐴 Τ𝑉𝑑𝑖𝑓𝑓 ) 𝑉𝑚 ≈ 0,5 𝑉𝑑𝑖𝑓𝑓
𝐶𝐽 =
𝐶𝐽0 𝑉𝐴 − 𝑉𝑚
1 + 𝑚 , 𝑉𝐴 ≥ 𝑉𝑚
(1 − 𝑉𝑚 Τ𝑉𝑑𝑖𝑓𝑓 )𝑚 𝑉𝑑𝑖𝑓𝑓 − 𝑉𝑚

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Modelos para el diodo: Modelo no Lineal

Se observa también que la capacitancia de difusión 𝐶𝑑 es dependiente de 𝑉𝐴 :

𝑑𝑄𝑑 𝐼𝑆 𝜏 𝑇 𝑉 Τ(𝑛 𝑉 ) 𝐼𝐷 𝜏 𝑇
𝐶𝑑 = = 𝑒 𝐴 𝑇 ≈
𝑑𝑉𝐴 𝑛 𝑉𝑇 𝑛 𝑉𝑇

Siendo 𝜏𝑇 el tiempo de tránsito de la corriente a través del diodo.

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Modelos para el diodo: Modelo no Lineal

En un diodo realista la inyección y extracción de cargas provocan una caída de voltaje. Esta caída de voltaje
se modela como una resistencia en serie 𝑅𝑆 . Así, en la figura, el voltaje total está compuesto por dos
contribuciones:

𝑉 = 𝑅𝑆 𝐼𝐷 + 𝑛 𝑉𝑇 ln(1 + 𝐼𝐷 Τ𝐼𝑆 )

La dependencia de la temperatura se puede introducir en este modelo. Además del voltaje térmico, que es
obvio, 𝑉𝑇 = 𝑘 𝑇/𝑞, la corriente de saturación inversa 𝐼𝑆 se halla fuertemente influenciada por la temperatura
de acuerdo a:

𝑝𝑡ൗ
𝑛 𝑊𝑔 𝑇
𝑇 𝑇
𝐼𝑆 𝑇 = 𝐼𝑆 𝑇0 𝑒𝑥𝑝 − 1 −
𝑇0 𝑉𝑇 𝑇0

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Modelos para el diodo: Modelo no Lineal

𝑇0 es una temperatura de referencia a la cual la corriente de saturación es registrada. Es una práctica general
utilizar 𝑇0 = 300 𝐾 ( es decir 270 𝐶 ). EL coeficiente de temperatura de corriente inversa 𝑝𝑡 es 3 o 2
dependiendo de si el diodo modelado es un pn o Schottky.

También la energía de bandgap 𝑊𝑔 (𝑇) ( energía de brecha de banda) es considerada. A medida que la
temperatura crece, la brecha de banda decrece, haciendo más fácil a los portadores de carga pasen del
balance a la banda de conducción. La siguiente fórmula empírica asume una energía de brecha de banda
𝑊𝑔 (0) tomada a 𝑇 = 0 𝐾. Y luego se puede ajustar este valor como sigue:

𝛼𝑇 𝑇 2
𝑊𝑔 𝑇 = 𝑊𝑔 0 −
𝛽𝑇 + 𝑇

Los parámetros determinados experimentalmente para el Silicio son 𝑊𝑔 0 = 1.16 𝑒𝑉; 𝛼 𝑇 =

𝑒𝑉
7.02 𝑥 10−4 𝐾
; 𝛽𝑇 = 1108 𝐾

Otras dependencias de la temperatura que afecten las capacitancias son usualmente pequeñas y se desprecian.
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Modelos para el diodo: Modelo no Lineal
Correspondencia de parámetros con SPICE

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Modelos para el diodo: Modelo no Lineal
Correspondencia de parámetros con SPICE

EL término SPICE es por “Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis”. El programa
originalmente desarrollado en Berkley fue realizado para simular elementos de circuitos activos y pasivos
interconectados.

SPICE es el punto de partida de muchos desarrollos actuales como PSPICE, OrCAD, HSPICE. Y también los
muy conocidos programas como QUCS, ADS y Multisim.

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Modelos para el diodo: Modelo Lineal
Modelo de pequeña señal

El modelo No Lineal del Diodo que hemos visto puede ser utilizado para análisis estático y dinámico, en casi
cualquier condición de un circuito. Sin embargo, si el diodo es operado en un punto de polarización DC
específico y las variaciones alrededor de este punto son pequeñas, podemos desarrollar un modelo lineal, o
modelo de pequeña señal.

El concepto de linealización implica la aproximación de las características exponenciales 𝐼 − 𝑉 a través de

una tangente en el punto de polarización, o punto Q.

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Modelos para el diodo: Modelo Lineal
Obtención del modelo de pequeña señal para el diodo pn

La tangente en el punto Q es la conductancia diferencial 𝐺𝑑 , la cual se puede hallar como:

1 𝑑𝐼𝐷 𝐼𝑄 + 𝐼𝑆 𝐼𝑄
𝐺𝑑 = = ቤ= ≅
𝑅𝑑 𝑑𝑉𝐴 𝑛 𝑉𝑇 𝑛 𝑉𝑇
Q

La capacitancia diferencial es ahora la capacitancia de difusión en el punto de polarización 𝑉𝑄 , es decir:

𝐼𝑆 𝜏𝑇 𝑉 /(𝑛 𝑉 ) 𝐼𝐷 𝜏 𝑇
𝐶𝑑 = 𝑒 𝑄 𝑇 ≈
𝑛 𝑉𝑇 𝑛 𝑉𝑇

12/1/2018
Diodo: modelo en pequeña señal

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Diodo: modelo en pequeña señal: modelo de un diodo pn

Un diodo convencional de Silicio pn opera a 3000 𝐾 y tiene los siguientes parámetros

eléctricos a esta temperatura: 𝜏 𝑇 = 500 𝑝𝑠 , 𝐼𝑆 = 5𝑥10−15 𝐴 , 𝑅𝑆 = 1.5 Ω , 𝑛 = 1.16 . Las
condiciones de operación en DC de manera que 𝐼𝑄 = 50 𝑚𝐴 . Para caracterizar el
desempeño de un sistema particular en RF en el cual se utiliza este diodo, se necesita
obtener:

a) El comportamiento de la impedancia del diodo en el rango de frecuencias de 10 𝑀𝐻𝑧 ≤

𝑓 ≤ 1 𝐺𝐻𝑧, a 3000 𝐾
b) La respuesta de impedancia del diodo en el mismo rango de frecuencias a las
temperaturas de 2500 K , 3500 K , 4000 K .

12/1/2018
Diodo: modelo en pequeña señal: modelo de un diodo pn

Solución:
➢ A 3000 K , a partir de 𝐼𝑄 = 50 𝑚𝐴 hallamos el correspondiente 𝑉𝑄

𝐼𝑄
𝑉𝑄 = 𝑛 𝑉𝑇 ln 1 + = 0.898 𝑉
𝐼𝑆

➢ Luego calculamos la resistencia diferencial (resistencia de pequeña señal), y la capacitancia

𝑛 𝑉𝑇
𝑅𝑑 = = 0.6 Ω
𝐼𝑄

𝐼𝑆 𝜏𝑇 𝑉 /(𝑛 𝑉 )
𝐶𝑑 = 𝑒 𝑄 𝑇 = 832.9 𝑝𝐹
𝑛 𝑉𝑇

12/1/2018
Diodo: modelo en pequeña señal: modelo de un diodo pn

Solución:
Conociendo estos parámetros, podemos hallar la impedancia del diodo como una resistencia en serie 𝑅𝑆
conectada con una combinación en paralelo de 𝑅𝑑 y 𝐶𝑑

𝑅𝑑
𝑍 = 𝑅𝑆 +
1 + 𝑗 𝜔 𝐶𝑑 𝑅𝑑

12/1/2018
Diodo: modelo en pequeña señal: modelo de un diodo pn

Solución:

Si la temperatura cambia y la corriente de polarización 𝐼𝑄 se mantiene constante, el voltaje de polarización 𝑉𝑄

debido a la dependencia de la temperatura del potencial térmico 𝑉𝑇 = 𝑘𝑇/𝑞, energía de banda , y corriente de
saturación. Los resultados dados por el texto guía son los siguientes.

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Ejercicio

Para el circuito mostrado calcular los parámetros S del circuito cuando el voltaje de control es +5V o -5V, y
la frecuencia varia de 1 MHz a 10 GHz. Los parámetros del modelo de diodo son: 𝐼𝑠 = 5𝑥10−15 𝐴, 𝑛 = 1.2,
𝜏𝑇 = 100 𝑝𝑠, 𝑚 = 0.5; 𝐶𝑗0 = 10𝑝𝐹, 𝑉𝑑𝑖𝑓𝑓 = 0.7 𝑉, 𝑅𝑠 = 10 Ω. La temperatura de operación es de 300°𝐾, y se
tienen valores infinitos de los capacitores de bloqueo y RFCs.

12/1/2018
Ejercicio

12/1/2018
Modelo de Pequeña Señal del Diodo y
su Aplicación
(Resumen, un segundo enfoque)

Ing. Alcides Araujo Pacheco

Modelos de Transistor

➢ Se han desarrollado varios modelos para el transistor BJT. Tal vez el más conocido sea el
modelo Ebers-Moll, que inicialmente se introdujo para caracterizar los modos de operación
estático y de baja frecuencia.

➢ La necesidad de ampliar el modelo para frecuencias de RF y MO y aplicaciones de potencia

requieren que se tomen en cuenta efectos adicionales. Dando como resultado un modelo más
completo como el de Gummel-Poon.

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BJT: Modelo de gran señal

El modelo Ebers-Moll a pesar de haber sido introducido en 1954, es todavía indispensable para el
entendimiento de los requerimientos de un modelo básico y su extensión a modelos de gran
señal más sofisticados.

El gráfico muestra un transistor npn genérico con el modelo de circuito Ebers-Moll asociado en la
llamada versión de inyección.
BJT: Modelo de gran señal

El modelo contempla dos diodos conectados con polarización directa y otro con polarización inversa.
Adicionalmente dos fuentes de corriente controladas. Las ganancias de corriente directa y reversa, 𝛼𝐹 y 𝛼𝑅 ,
tienen valores típicos de 𝛼𝐹 = 0.95 … . 0.99 y 𝛼𝑅 = 0.02 … … 0.05. Las ecuaciones para el modelo Ebers-Moll
de dos diodos toman la siguiente forma:

𝐼𝐸 = 𝛼𝑅 𝐼𝑅 − 𝐼𝐹
𝐼𝐶𝑆 y 𝐼𝐸𝑆 cuyos valores numéricos están en el
𝐼𝐶 = 𝛼𝐹 𝐼𝐹 − 𝐼𝑅 rango de 10−9 a 10−18 se relacionan con la
corriente de saturación del transistor como sigue:

Con corrientes de diodo:

𝑉𝐵𝐶
𝐼𝑅 = 𝐼𝐶𝑆 ( 𝑒 𝑉𝑇 − 1)
𝑉𝐵𝐸
𝛼𝐹 𝐼𝐸𝑆 = 𝛼𝑅 𝐼𝐶𝑆 = 𝐼𝑆
𝐼𝐹 = 𝐼𝐸𝑆 ( 𝑒 𝑉𝑇 − 1)

12/1/2018
BJT: Modelo de gran señal

En algunos casos el modelo puede ser simplificado:

Modo activo directo

𝑉𝐶𝐸 > 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.1 𝑉, 𝑉𝐵𝐸 ≈ 0.7 𝑉. Con el diodo base-emisor 𝐼𝐹 conduciendo, y el diodo base-colector
polarizado inversamente, se puede concluir que 𝐼𝑅 ≈ 0, y que 𝛼𝑅 𝐼𝑅 ≈ 0. El diodo base-colector y la
fuente de corriente pueden ser despreciadas.

12/1/2018
BJT: Modelo de gran señal

Modo activo inverso

𝑉𝐶𝐸 < −0.1 𝑉, 𝑉𝐵𝐶 ≈ 0.7 𝑉. Ahora el diodo base-colector 𝐼𝑅 esta conduciendo, y el diodo base-emisor
esta polarizado en dirección inversa ( es decir 𝑉𝐵𝐸 < 0 𝑉), lo que resulta en 𝐼𝐹 ≈ 0 y 𝛼𝐹 𝐼𝐹 ≈ 0.

12/1/2018
BJT: Modelo de gran señal

El modelo puede ser modificado para tener en cuenta

la operación dinámica incluyendo las capacitancias
base-emisor y base-colector y las capacitancias de
las junturas de los diodos. Pero a diferencia del
análisis de un diodo simple, para el BJT se requiere
un análisis más elaborado.

Modelo Ebers-Moll para

un BJT en chip

12/1/2018
BJT: Modelo de gran señal

Refinamientos adicionales para la

operación en RF se realizan a veces
incluyendo las propiedades resistivas
e inductivas de los terminales de
alambre, así como las capacitancias
entre los puntos terminales.

12/1/2018
 BJT: Modelo de gran señal
Modelo Ebers-Moll: forma de inyección versus forma de transporte

Siendo la forma de transporte del modelo la que encuentra aplicaciones en las simulaciones SPICE, se
deducirá esta representación.

Comencemos con el modelo estático del BJT, dado que las capacitancias de difusión y de juntura se pueden
incorporar luego.
Primero demostremos que el modelo de inyección (a) es equivalente al de transporte (b)

(a)
(b)
12/1/2018
BJT: Modelo de gran señal
Modelo Ebers-Moll: forma de inyección versus forma de transporte

La equivalencia de ambos modelos se establece si volvemos a expresar las corrientes de colector y emisor
como sigue:
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝐶 − 𝐼𝐸𝐶 /𝛼𝑅 𝐼𝐶𝐶
𝐼𝐸 = − + 𝐼𝐸𝐶
𝛼𝐹

Con las fuentes de corriente controladas ahora dando:

𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐶
𝐼𝐶𝐶 = 𝐼𝑆 ( 𝑒 𝑉𝑇 −1) 𝐼𝐸𝐶 = 𝐼𝑆 ( 𝑒 𝑉𝑇 −1)

Se puede obtener una forma algo diferente si ambas fuentes se combinan en una sola: 𝐼𝑐𝑜𝑚 = 𝐼𝐶𝐶 − 𝐼𝐸𝐶 ,
y las corrientes de los diodos se re expresan como:

𝐼𝐸𝐶 1 − 𝛼𝑅 𝐼𝐸𝐶 𝐼𝐶𝐶 1 − 𝛼𝐹 𝐼𝐶𝐶

→ 𝐼𝐸𝐶 = → 𝐼𝐶𝐶 =
𝛼𝑅 𝛼𝑅 𝛽𝑅 𝛼𝐹 𝛼𝐹 𝛽𝐹
12/1/2018
BJT: Modelo de gran señal
Modelo Ebers-Moll: forma de inyección versus forma de transporte

El modelo se muestra en la figura con las

resistencias de base, colector y emisor. También se
muestran las capacitancias combinadas de difusión
y juntura 𝐶𝑏𝑒 y 𝐶𝑏𝑐 asociadas a los diodos base-
emisor y base-colector.

Esta configuración es útil dado que conduce

directamente al modelo de gran señal del BJT bajo
la condición de polarización directa. Esta
polarización nos permite despreciar la corriente del
diodo base-colector, pero no su efecto capacitivo.
Renombrando los parámetros eléctricos arribamos
al nuevo modelo.

12/1/2018
BJT: Modelo de gran señal
Modelo Ebers-Moll: forma de inyección versus forma de transporte

Renombrando los parámetros eléctricos arribamos al nuevo modelo, donde reemplazamos el diodo de
polarización directa con una fuente de corriente equivalente. Siendo esta la forma que hallamos en las
librerías SPICE.

12/1/2018
BJT: Modelo de gran señal
Modelo Estático Gummel-Poon

El modelo Ebers-Moll fue una de las primeras representaciones circuitales del BJT, y ha mantenido su
popularidad y amplia aceptación. Sin embargo, muy pronto se puso en evidencia que algunos fenómenos
físicos no se tomaban en cuenta. Específicamente, las investigaciones mostraron que:

1. 𝛽𝐹 y 𝛽𝑅 son dependientes de la corriente

2. La corriente de saturación 𝐼𝑆 es afectado por el voltaje base colector (Early Effect)

Ambos efectos afectan significativamente el

comportamiento del BJT, por lo que se
introdujeron refinamientos al modelo Ebers-
Moll original, dando como resultado el modelo
Gummel-Poon.

12/1/2018
BJT: Modelo de gran señal
Modelo Estático Gummel-Poon

➢ Se puede ver la adición de dos diodos extras para representar la dependencia de 𝐼𝐶 de las ganancias
directa e inversa 𝛽𝐹 (𝐼𝐶 ) y 𝛽𝑅 (𝐼𝐶 ). La figura es una curva típica de 𝛽𝐹 .

12/1/2018
BJT: Modelo de gran señal
Modelo Estático Gummel-Poon
𝑉𝐵𝐸
Los dos diodos de fuga, L1 y L2, proveen cuatro nuevos parámetros de diseño 𝐼𝑆1 , 𝑛𝐸𝐿 en 𝐼𝐿1 = 𝐼𝑆1 (𝑒 𝑛𝐸𝐿 𝑉𝑇 − 1)
𝑉𝐵𝐶
para operación en modo normal de baja corriente, y , 𝐼𝑆2 , 𝑛𝐶𝐿 en 𝐼𝐿2 = 𝐼𝑆2 (𝑒 𝑛𝐶𝐿 𝑉𝑇
− 1) para operación en modo
inverso de baja corriente.

Adicionalmente el modelo Gummel-Poon puede manejar el efecto Early, por lo cual con el incremento del
voltaje colector-emisor , el dominio de la carga espacial comienza a extenderse en la región base. Resultando
en un incremento de la corriente de colector para una corriente de base fija. Si dibujamos tangentes a cada
una de las curvas de corriente de colector , todas convergen aproximadamente en un punto, −𝑉𝐴𝑁 conocido
como Early Voltage directo.

12/1/2018
 BJT: Modelo de gran señal
Modelo Estático a Dinámico Gummel-Poon

El modelo Gummel-Poon permite especificar una resistencia de base dependiente de la corriente y de una
capacitancia de juntura base-colector 𝐶𝑗𝑏𝑐 , convirtiendo el modelo estático en un modelo dinámico.

El circuito es similar al visto anteriormente, pero con la diferencia de que la

resistencia de base 𝑅𝐵𝐵′ es dependiente de la corriente, la corriente de colector
toma en cuenta el efecto Early, y se considera la capacitancia 𝐶𝑗𝑏𝑐 . En SPICE se
puede invocar el modelo de BJT con 26 parámetros si es Ebers-Moll, y 41 si es
12/1/2018 Gummel-Poon.
BJT: Modelo de pequeña señal

A partir de la ecuaciones para el modelo de gran señal de Ebers-Moll, es fácil obtener el modelo de pequeña
señal en modo activo directo. Con este fin, el modelo de gran señal es convertido en un modelo lineal híbrido 𝜋 .

Modelo BJT Ebers-Moll de pequeña señal híbrido-𝝅

12/1/2018
BJT: Modelo de pequeña señal
comentarios

Vemos que el diodo base emisor es reemplazado por el modelo de diodo de pequeña señal, y que la fuente de
corriente de colector es sustituida por una fuente de corriente controlada por voltaje. Para hacer al modelo más
realista , un resistor 𝑟𝜇 es conectado en paralelo al capacitor de realimentación 𝐶𝜇 . Para este modelo, podemos
directamente establecer los parámetros de pequeña señal expandiendo el voltaje de entrada 𝑉𝐵𝐸 y la corriente
de salida 𝐼𝐶 alrededor del punto de polarización Q en términos del pequeño voltaje alterno 𝑣𝑏𝑒 y corriente 𝑖𝐶 , de
la siguiente manera:

Truncando la expansión en series de la expresión exponencial

𝑄 después del termino lineal, hallamos para la corriente de colector en
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑣𝑏𝑒 pequeña señal:
𝑄
𝑉𝐵𝐸 + 𝑣𝑏𝑒
𝑄 𝑉𝑇
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶 + 𝑖𝑐 = 𝐼𝑆 𝑒
𝑄
𝐼𝐶
2 𝑖𝑐 = 𝑣𝑏𝑒 = 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒
𝑄 𝑣𝑏𝑒 1 𝑣𝑏𝑒 𝑉𝑇
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶 [1+ + + …..]
𝑉𝑇 2 𝑉𝑇

12/1/2018
BJT: Modelo de pequeña señal
comentarios

En donde se identifica:
𝑄
Transconductancia: 𝑑𝐼𝐶 𝑑 𝐼
𝑔𝑚 = ቤ= 𝐼 𝑒 𝑉𝐵𝐸 Τ𝑉𝑇 ห ≈ 𝐶
𝑑𝑉𝐵𝐸 Q 𝑑𝑉𝐵𝐸 𝑆 Q 𝑉𝑇

Ganancia de corriente de 𝑑 𝐼𝐶
pequeña señal 𝛽𝐹 ȁ = ቤ = 𝛽0
𝑄 𝑑𝐼𝐵 𝑄

Resistencia de entrada: determinada

𝑑𝑉𝐵𝐸 𝑑𝐼𝐶 𝑑𝑉𝐵𝐸 𝛽0
con la regla de la cadena 𝑟𝜋 = ቤ = ቤ ቤ =
𝑑𝐼𝐵 𝑄 𝑑𝐼𝐵 𝑄 𝑑𝐼𝐶 𝑄 𝑔𝑚

𝑄
1 𝑑𝐼𝐶 𝑑 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶
Conductancia de salida = ቤ = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝐵𝐸 /𝑉𝑇 1+ ቤ ≈
𝑟0 𝑑𝑉𝐶𝐸 𝑄 𝑑𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐴𝑁 𝑄 𝑉𝐴𝑁
12/1/2018
BJT: Modelo de pequeña señal
comentarios

Se ve directamente que en su forma más simple en los terminales B’–C’–E’ se reduce al caso de baja
frecuencia, y si despreciamos la resistencia colector-emisor, a nuestro modelo muy familiar de baja
frecuencia. Aquí, la corriente de salida puede ser simplemente expresada en términos del voltaje de entrada
𝑣𝑏𝑒 como

𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑏𝑒
𝑖𝑐 = 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 = 𝑔𝑚 𝑟𝜋 = 𝛽0
𝑟𝜋 𝑟𝜋

Se pueden desarrollar también circuitos modelos de BJT en base a parámetros h.

𝑣𝑏𝑒 = ℎ11 𝑖𝑏 + ℎ12 𝑣𝑐𝑒

𝑖𝑐 = ℎ21 𝑖𝑏 + ℎ22 𝑣𝑐𝑒

12/1/2018
BJT: Modelo de pequeña señal
Efecto Miller

Si la resistencia de realimentación 𝑟𝑏𝑐 es despreciada, resulta un modelo de alta frecuencia como el que se
observa en la figura. Lo que también se muestra en esta figura es un circuito convertido tal que la
capacitancia de realimentación 𝐶𝑐𝑏 aparece como la capacitancia de Miller tanto a la entrada, como a la
salida. El efecto Miller permite desacoplar el puerto de entrada del puerto de salida mediante la redistribución
de la capacitancia de realimentación. (ver ejemplo 7-3 de Ludwig).

12/1/2018
BJT: Modelo de pequeña señal
Ganancia de corriente de cortocircuito

Otro factor que esta relacionado directamente con el comportamiento en frecuencia del BJT es la ganancia de
corriente de corto circuito ℎ𝑓𝑒 (𝜔), que implica la conexión del colector con el emisor.

Dado que la salida esta cortocircuitada ( 𝑣𝑐𝑒 = 0 ), el efecto Miller no entra en el análisis. Podemos hallar ℎ𝑓𝑒 (𝜔)
calculando la razón entre las corrientes:

𝐶𝜇
𝑖𝑐 𝑔𝑚 𝑍𝑖𝑛 (1 − 𝑗 𝜔 𝑔 )
ℎ𝑓𝑒 𝜔 = = 𝑚 𝑟𝜋
𝑖𝑏 1 + 𝑗 𝜔 𝐶𝜇 𝑍𝑖𝑛 Siendo: 𝑍𝑖𝑛 =
1 + 𝑗 𝜔 𝑟𝜋 𝐶𝜋

12/1/2018
BJT: Modelo de pequeña señal
Ganancia de corriente de cortocircuito

Entonces: 𝐶𝜇
𝛽0 (1 − 𝑗 𝜔 𝑔 ) 𝛽0 1 − 𝑗 𝑓/𝑓0
𝑚
ℎ𝑓𝑒 𝜔 = =
1 + 𝑗 𝜔 𝑟𝜋 (𝐶𝜋 + 𝐶𝜇 ) 1 + 𝑗 𝑓/𝑓𝛽

Con la máxima frecuencia 𝑓0 y la frecuencia de corte 𝑓𝛽

𝑔𝑚
𝑓0 = 1
2 𝜋 𝐶𝜇 𝑓𝛽 =
2 𝜋 𝑟𝜋 𝐶𝜋 + 𝐶𝜇

12/1/2018
BJT: Modelo de pequeña señal
Ganancia de corriente de cortocircuito

La frecuencia de transición 𝑓𝑇 denota el punto donde la magnitud de la ganancia de corriente es la unidad ( o

0 dB) bajo una condición de salida de cortocircuito. Haciendo ℎ𝑓𝑒 (𝜔) = 1, podemos hallar:

1 𝛽02 − 1
𝑓𝑇 =
2𝜋 𝑟𝜋2 (𝐶𝜋2 + 2 𝐶𝜋 𝐶𝜇 )

Dado que por lo general 𝛽0 ≫ 1 y 𝐶𝜋 ≫ 𝐶𝜇 , se puede

simplificar:

𝛽0 𝑔𝑚
𝑓𝑇 ≈ =
2 𝜋 𝑟𝜋 𝐶𝜋 2 𝜋 𝐶𝜋

12/1/2018
BJT: Parámetros SPICE del transistor BJT

12/1/2018
BJT: Ejm: Polarización, determinación de impedancias de entrada y salida, y calculo de
parámetros S para el BJT

Diseñar un amplificador para un sistema de comunicación portátil. Se supone que el Sistema va a trabajar con una batería
de 3.6 V. Tomando en consideración la máxima corriente disponible y el tiempo de vida de la batería, se requiere que el
amplificador no exceda de 10 mA. Asumiendo que 𝑉𝐶𝐸 = 2 𝑉, e 𝐼𝐶 = 10 𝑚𝐴 como condiciones de polarización del
transistor, y los parámetros del BJT son los de la tabla anterior, determinar el modelo 𝜋 hibrido. Además determinar las
impedancias de entrada y salida, y los parámetros S en el rango 1 𝑀𝐻𝑧 < 𝑓 < 100 𝐺𝐻𝑧.

Solución:

Comencemos este diseño con una red simple de

polarización con divisor de voltaje:

12/1/2018
BJT: Ejm: Polarización, determinación de impedancias de entrada y salida, y calculo de
parámetros S para el BJT

Entonces:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 3.6 − 2
𝑅𝐶 = = = 160 Ω
𝐼𝐶 0,01
Considerando que 𝛽0 = 145, y que la corriente de colector es 𝐼𝐶 = 10 𝑚𝐴,
hallamos:
𝐼𝐶
𝐼𝐵 = = 69 𝜇𝐴
𝛽0
La corriente en 𝑅𝐵1 es igual a la suma de la corriente en 𝑅𝐵2 y en 𝐼𝐵 . En la práctica,
estas dos resistencias se seleccionan de manera que 𝐼𝐵 sea un 10% de la
corriente en el resistor 𝑅𝐵2 . Con esto en mente, y considerando que 𝑉𝐵𝐸 es
aproximadamente igual a 𝑉𝑑𝑖𝑓𝑓𝐵𝐸 , calculamos:
𝑉𝑑𝑖𝑓𝑓𝐵𝐸 0,9
𝑅𝐵2 = = ≈ 1300 Ω
10 𝐼𝐵 10 (0,000069)

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑑𝑖𝑓𝑓𝐵𝐸 3,6 − 0,9

𝑅𝐵1 = = ≈ 3560 Ω
12/1/2018 11 𝐼𝐵 11 𝑥 0,000069
BJT: Ejm: Polarización, determinación de impedancias de entrada y salida, y cálculo de
parámetros S para el BJT

Calculemos ahora los parámetros del modelo híbrido 𝜋:

𝐼𝐶 0,01 𝑘𝑇
𝑔𝑚 = = = 385 𝑚𝑆 𝑉𝑇 =
𝑞
≈ 26 𝑚𝑉 𝑎 300𝐾
𝑉𝑇 0,026

𝛽0 145
𝑟𝜋 = = = 377 Ω
𝑔𝑚 0,385

𝑉𝐴𝑁 30
𝑟0 = = = 3000 Ω
𝐼𝐶 0,01

Para hallar 𝐶𝜇 y 𝐶𝜋 tenemos que regresar al análisis de la juntura pn. Dado que el voltaje base-colector
es negativo, la capacitancia base-colector está determinada solamente por la capacitancia de la
juntura:
𝐶𝐽𝐶0
𝐶𝜇 = = 13 𝑓𝐹
(1 − 𝑉𝐵𝐶 Τ𝑉𝑑𝑖𝑓𝑓𝐵𝐶 )𝑚𝐶
12/1/2018
BJT: Ejm: Polarización, determinación de impedancias de entrada y salida, y cálculo de
parámetros S para el BJT

Debido a que el voltaje base-emisor es positivo, 𝐶𝜋 es una combinación de las capacitancias de

juntura y difusión. Tenemos que regresar al análisis de la juntura pn. Dado que el voltaje base-colector
es negativo, la capacitancia base-colector está determinada solamente por la capacitancia de la
juntura:

Para esto se ha asumido que

𝐶𝐽𝐸0 𝑉𝐵𝐸 − 0,5 𝑉𝑑𝑖𝑓𝑓𝐵𝐸 𝑉𝑚𝐸 = 0,5 𝑉𝑑𝑖𝑓𝑓𝐵𝐸
𝐶𝜋𝑗𝑢𝑛𝑐𝑡 = 1 + 𝑚𝐸 = 55 𝑓𝐹
0,5𝑚𝐸 0,5

Además:

𝐼𝑆 𝜏𝑇 𝑉 Τ𝑉
𝐶𝜋𝑑𝑖𝑓𝑓 = 𝑒 𝐵𝐸 𝑇 = 1,085 𝑝𝐹
𝑉𝑇

De modo que la capacitancia total base-emisor

𝐶𝜋 = 𝐶𝜋𝑗𝑢𝑛𝑐𝑡 + 𝐶𝜋𝑑𝑖𝑓𝑓 = 1,14 𝑝𝐹
será:
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BJT: Ejm: Polarización, determinación de impedancias de entrada y salida, y cálculo de
parámetros S para el BJT

Luego de establecer todos los parámetros del modelo 𝜋 hibrido, podríamos calcular los correspondientes
parámetros h. Los resultados tomaran en cuenta solamente los parámetros del modelo 𝜋 sin incorporar las
resistencias de base, colector, emisor, y las inductancias parásitas.

Para considerar la influencia efectos resistivos e inductivos, podríamos emplear análisis de redes.
Específicamente, podríamos dividir el circuito equivalente del transistor en cuatro redes de dos puertos:

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BJT: Ejm: Polarización, determinación de impedancias de entrada y salida, y cálculo de
parámetros S para el BJT

A partir de esta red podríamos proceder de la siguiente forma: Para obtener los parámetros Z de todo el
transistor, primero convertimos los parámetros h del modelo hibrido 𝜋 en una representación ABCD. Luego,
este modelo hibrido 𝜋 convertido es multiplicado por la matriz ABCD que representa los terminales de base y
colector:

𝐴 𝐵 1 𝑟𝐵 + 𝑗𝜔𝐿𝐵 𝐴 𝐵 1 𝑟𝐶 + 𝑗𝜔𝐿𝐶
=
𝐶 𝐷 tr 0 1 𝐶 𝐷 0 1
base Modelo h Colector

Finalmente convertimos la representación ABCD en parámetros Z. Y posteriormente, se podrían calcular

los parámetros S.

𝑍11 𝑍12 𝑍11 𝑍12 𝑟𝐸 + 𝑗𝜔𝐿𝐸 𝑟𝐸 + 𝑗𝜔𝐿𝐸

= +
𝑍21 𝑍22 𝑍21 𝑍22 𝑟𝐸 + 𝑗𝜔𝐿𝐸 𝑟𝐸 + 𝑗𝜔𝐿𝐸
trans tr emisor
12/1/2018
BJT: Impedancias de entrada y salida en función de la frecuencia

12/1/2018
BJT: Respuestas de 𝑺𝟏𝟏 y 𝑺𝟐𝟏 de un BJT para varias configuraciones del modelo

12/1/2018
 FET: Modelo de gran señal

Los FETs presentan varias ventajas, pero también desventajas con relación a los BJTs. En la
elección del dispositivo apropiado para un circuito particular deberíamos considerar los siguientes
beneficios de los FETs:

✓ Los FET presentan un mejor comportamiento con la temperatura

✓ Características superiores con relación a la respuesta de ruido
✓ La impedancia de entrada de los FET normalmente es muy alta
✓ La corriente de drain del FET muestra una función cuadrática comparada con la respuesta
exponencial de la corriente de colector del BJT
✓ Limite de frecuencia superior excede a la del BJT
✓ Menor consumo de potencia.

A veces se citan algunas desventajas:

✓ Menor ganancia
✓ Debido a su alta impedancia de entrada, es más difícil construir las redes de acoplamiento
✓ Ganancia de potencia menor si comparamos con el BJT.
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FET: Modelo de gran señal

El desarrollo que viene se centrará en un FET de gate no aislado. De hecho se tomará en cuenta un
MESFET, usualmente identificado como GaAs FET. En la figura podemos ver algunas características de un
modelo de MESFET de canal n.

12/1/2018
FET: Modelo de gran señal

12/1/2018
FET: Modelo de gran señal

Las ecuaciones para la corriente de drain en modo de operación directo o normal, constituyen el punto de
partida para obtener el modelo para el FET.

(a) Región de saturación 𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇0 > 0 𝑉𝑑 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑏𝑎𝑟𝑟𝑒𝑟𝑎 ≈ 0.9𝑉

𝑉𝑝 2 3Τ2
𝐼𝐷𝑠𝑎𝑡 = 𝐺0 − 𝑉𝑑 − 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑑 − 𝑉𝐺𝑆
3 3 𝑉𝑝

Si en esta ecuación sustituimos el voltaje de umbral y de pinch-off (estrangulamiento), es decir 𝑉𝑑 = 𝑉𝑇0 +

𝑉𝑝 , obtenemos una forma alternativa.

3Τ2
𝑉𝑝 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇0 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇0
𝐼𝐷𝑠𝑎𝑡 = 𝐺0 1 −3 1 − + 21 −
3 𝑉𝑝 𝑉𝑝

12/1/2018
FET: Modelo de gran señal

Haciendo una expansión binomial hasta el segundo término:

2
𝑉𝑝 3 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇0
𝐼𝐷𝑠𝑎𝑡 = 𝐺0 3 4 𝑉𝑝

Agrupamos términos constantes para definir el parámetro de conducción 𝜷𝒏

1 𝐺0 𝜇𝑛 𝜀 𝑍
𝛽𝑛 = =
4 𝑉𝑝 2𝐿𝑑

Donde se han usado las definiciones para conductancia y voltaje de pinch off:

𝜎𝑍𝑑 𝜇𝑛 𝑁𝐷 𝑞 𝑍 𝑑 𝑞 𝑁𝐷 𝑑 2
𝐺0 = = 𝑉𝑝 =
𝐿 𝐿 2𝜀

12/1/2018
FET: Modelo de gran señal

Si el efecto de modulación de canal es incluido, arribamos a la ecuación:

2
𝐼𝐷 = 𝛽𝑛 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇0 1 + 𝜆 𝑉𝐷𝑆

Aquí, el parámetro 𝜆 ≈ 0,01 𝑎 0,1 𝑉 −1 modela el pequeño incremento en la corriente de drain para un
incremento del voltaje drain-source en la región de saturación.

12/1/2018
FET: Modelo de gran señal

(b) Región lineal o triodo 0 < 𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇0

Idénticos pasos al realizado para la región de saturación se pueden realizar para la corriente de drain,
obteniéndose:
2
𝐼𝐷 = 𝛽𝑛 2 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇0 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆 1 + 𝜆 𝑉𝐷𝑆

El FET también puede operar en modo reverso, o invertido, esto es para 𝑉𝐷𝑆 < 0. Se obtienen los
siguientes resultados:

(c) Región de saturación inversa −𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝐷 − 𝑉𝑇0 > 0

2
𝐼𝐷 = −𝛽𝑛 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇0 1 + 𝜆 𝑉𝐷𝑆

12/1/2018
FET: Modelo de gran señal

(d) Región lineal o tríodo reversa 0 < −𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐺𝐷 − 𝑉𝑇0

2
𝐼𝐷 = 𝛽𝑛 2 𝑉𝐺𝐷 − 𝑉𝑇0 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆 1 + 𝜆 𝑉𝐷𝑆

El FET también puede operar en modo reverso, o invertido, esto es para 𝑉𝐷𝑆 < 0.

Para hacer la transición desde el modelo estático al dinámico del FET solamente requerimos incluir las capacitancias
gate-drain, y gate-sorce. También se muestran en este modelo las resistencias de drain y source asociadas con las
resistencias de canal source-gate y drain-gate. La resistencia de gate es típico no incluirla debido al bajo valor de la
resistencia de la conexión metálica.

Modelo dinámico de un FET

12/1/2018
FET: Parámetros de la modelación en Spice para un MESFET

12/1/2018
FET: Modelos de pequeña señal de un FET

Un circuito de pequeña señal para el FET se puede obtener directamente a partir del modelo de gran señal
del FET. Para el efecto, simplemente reemplazamos los diodos gate-drain y gate-source por sus
representaciones de pequeña señal. Además, la fuente de corriente controlada por voltaje es modelado con
la transconductancia 𝑔𝑚 y una conductancia shunt 𝑔0 = 1/𝑟𝑑𝑠 .

12/1/2018
FET: Modelos de pequeña señal de un FET

Este modelo puede ser descrito como una red de dos puertos con parámetros Y en la siguiente forma:

𝑖𝑔 = 𝑦11 𝑣𝑔𝑠 + 𝑦12 𝑣𝑑𝑠

𝑖𝑑 = 𝑦21 𝑣𝑔𝑠 + 𝑦22 𝑣𝑑𝑠

En condiciones de baja frecuencia, la conductancia de entrada de 𝑦11 y la conductancia de realimentación

de 𝑦12 son muy pequeñas y pueden ser despreciadas. Este hecho es consistente dado que la corriente de
gate es muy pequeña. Sin embargo para altas frecuencias se los suele incluir, resultando el siguiente
modelo.

Modelo del FET en alta frecuencia

12/1/2018
FET: Modelos de pequeña señal de un FET

Para operación en DC y en bajas frecuencias, el modelo se simplifica de manera que la entrada esta
completamente desacoplada de la salida. La transconductancia 𝑔𝑚 y la conductancia de salida 𝑔0 se pueden
calcular fácilmente a partir de ecuaciones previas:

𝑑𝐼𝐷 𝑄 𝑄
𝑦21 = 𝑔𝑚 = ቤ = 2𝛽𝑛 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇0 1 + 𝜆 𝑉𝐷𝑆
𝑑𝑉𝐺𝑆
Q

1 𝑑𝐼𝐷 𝑄 2
𝑦22 = = ቤ = 𝛽𝑛 𝜆 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇0
𝑟𝑑𝑠 𝑑𝑉𝐷𝑆
Q

𝑄 𝑄
Con el punto de operación, o punto Q, denotado por 𝑉𝐷𝑆 y 𝑉𝐺𝑆

12/1/2018
FET: Modelos de pequeña señal de un FET (respuesta de frecuencia)

Las capacitancias gate-source y gate-drain juegan un role fundamental en la determinación del desempeño
con la frecuencia. Para la frecuencia de transición 𝑓𝑇 , tenemos que considerar otra vez la ganancia de
corriente de cortocircuito para la situación en la que magnitud de la corriente de entrada 𝐼𝐺 es igual a la
magnitud de la corriente de salida 𝐼𝐷 , o específicamente:

𝐼𝐺 = 𝜔𝑇 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑔𝑑 𝑉𝐺𝑆 = 𝐼𝐷 = 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆

Lo que lleva a determinar:

𝑔𝑚
𝑓𝑇 =
2𝜋 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑔𝑑

Revisar el ejemplo 7-5 de Ludwig

12/1/2018
Topologías de amplificadores con transistor

Topologías de un amplificador con transistor simple: (a) Emisor común (CE), (b) CE con degeneración
de emisor, (c) Base común (CB), y (d) Colector común (CC).

12/1/2018
Topologías de amplificadores con transistor

12/1/2018
Caracterización de un dispositivo con parámetros S

La medición de parámetros S simplifica enormemente la caracterización de un dispositivo utilizando un

adecuado esquema de medición y la utilización de un voltímetro vectorial o un analizador de redes para
registrar los cuatro parámetros S como dependientes de la frecuencia y del punto de polarización. A pesar que
actualmente el uso del VNA es generalizado, revisaremos los dos casos.

Para medición de parámetros en DC y en AC referirse al numeral 7.3 del libro de Ludwig

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Caracterización de un dispositivo con parámetros S
Medición con voltímetro vectorial

12/1/2018
Caracterización de un dispositivo con parámetros S
Acoplador direccional dual

Para otras aplicaciones referirse a la nota aplicativa anexa

12/1/2018
Acoplador direccional dual
digresión

12/1/2018
Acoplador direccional dual
digresión

12/1/2018
Divisor de potencia
digresión

12/1/2018
Diagrama de bloques de un analizador de red con el set de pruebas de
parámetros S

12/1/2018
Diagrama de bloques de un analizador de red con el set de pruebas de
parámetros S

Ejercicios:

Modelar en ADS los transistores BJT y FET utilizando los esquemas de las figuras 7-36 y 7-37 del libro
de Ludwig

12/1/2018
Diagrama de bloques de un analizador de red con el set de pruebas de
parámetros S

12/1/2018
Diagrama de bloques de un analizador de red con el set de pruebas de
parámetros S

12/1/2018
Modelaje de elementos activos

Introducción
Diodo
BJT
FET
Medición de parámetros de dispersión

12/1/2018
Bibliografía

[1] Pozar David. “Microwave Engineering”. John Wiley & Sons, 2012, USA.
[2] Ludwig Reinhold, “RF Circuit Design, Theory and Applications”, Pearson Prentice Hall, 2009,
USA.

12/1/2018
Bibliografía

[1] Pozar David. “Microwave Engineering”. John Wiley & Sons, 2012, USA.
[2] Ludwig Reinhold, “RF Circuit Design, Theory and Applications”, Pearson Prentice Hall, 2009,
USA.
[3] Sedra A, Smith K. “Microelectronics Circuits”, The Oxford Series in Electrical and Computer
Engineering, 2009.

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