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CÉLULAS SOLARES DE SILICIO MONOCRISTALINO DE ALTA EFICIENCIA

⑤ (left) a industrial standard crystalline silicon solar cell termed Al-BSF (Aluminium Back Surface Field)
comprising metal fingers at the front surface, a surface texture % anti-reflection coating; (right) high-
efficiency Interdigitated Back-Contact (IBC) crystalline silicon cell, indicating: FSF (Front Surface Field)
(front phosphorus diffusion), BSF (Back Surface Field)(rear phosphorus diffusion), p + emitter (rear boron
diffusion), passivating layers [SiNx (front), (SiOx/SiNx)(rear)], front side texture, contacts (by screenprint)
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(A) Electron microscopy image of the top surface of a crystalline silicon (c-Si) solar cell, which comprises
a random pyramid texture and a 75nm thick anti-reflection coating to enhance the light absorption– (B)
Electron microscope image of the top surface of a PERL solar cell, showing a broken electroplated finger.
The total finger width < 20μm – (C, D, E) Scanning Electron Microscope (SEM) image of a textured silicon
surface. Source: School of Photovoltaic&Renewable Energy Engineering, University of New South Wales

Vista de los contactos frontales en una célula solar de contactos enterrados (BCSC): (A)Vista transversal
del surco (groove) tras la 1ª capa metálica depositada (cross-section of a partially plated laser groove);
(B) vista superior tras la formación del contacto completo, donde puede verse el surco lleno de metal.

 Célula PERL: ① Texturizado (↓ pérdidas ópticas), superficie frontal texturizada a base de pirámides
invertidas y revestida con una capa anti-reflectante, que en conjunto permite [↓ (reflexión, pérdidas
por sombreado), mejorar la captación de la radiación solar incidente] – ② Pasivación del emisor,
mediante un óxido ( SiO2 ) de calidad, en la superficie frontal y una capa/s de pasivación en la
superficie posterior, lo que ↓ ( bastante ) el nº portadores recombinados en ambas superficies – ③
Dopado local, regiones con dopaje en las zonas de contacto (metal–semiconductor), en la cara
posterior (dopado con B) y en la frontal (emisor fuertemente dopado con P, en la zonas cercanas a
los contactos metálicos); limita la recombinación, manteniendo a la vez un buen contacto eléctrico.
 Célula IBC (Interdigitated Back-Contact): Todos los contactos metálicos en la cara posterior, evitando
sombreados; muchas uniones localizadas en lugar de una sola unión PN. Los pares (e–, h+) generados
al incidir la radiación sobre la superficie frontal, pueden recolectarse en la superficie posterior. Las
interfaces (metal–semiconductor) se mantienen lo más pequeñas posible para ↓recombinación. Dedos
metálicos con sección transversal para ↓ pérdidas resistivas de los contactos. Un contacto metálico
recoge la I de la capa n, y el otro, la I de la p. Superficie frontal con dopado-n para ↓ recombinación
superficial. El dopado ↓ a través de la región con dopado-p según nos acercamos a la parte posterior.
Superficie frontal con capa pasivadora (mediante un óxido) revestida con una capa anti-reflectante.
Célula SHJ-IBC (Silicon-Heterojunction Interdigitated-Back-Contact): Están siendo desarrolladas por
diversas empresas, pueden alcanzar η =26%; usan obleas de (m-Si) como substrato y capas de (a-Si)
 Célula de contactos enterrados [ Buried Contact ( BC ) solar cell ]: El procesamiento inicial de las
obleas es similar al de las células de serigrafía. Después de (limpieza, decapado, texturizado) de las
superficies, se producen las difusiones (más ligeras que en las células convencionales). Los profundos
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surcos/ranuras se forman mediante láser o sierras de disco; le sigue un ataque químico de los surcos
y una 2ª difusión, de mayor dopaje, confinada en ellos. En la cara posterior se deposita Al (bien por
serigrafía, o por evaporación) y se trata térmicamente para su difusión al Si. A continuación, se crean
los contactos metálicos (frontal, posterior) mediante una triple capa (Ni, Cu, Ag), por inmersión en
baños químicos. Los bordes de la célula se atacan para aislar las capas (frontales, posteriores), como
en el proceso convencional y se procede a su medida y clasificación. La innovación es la formación
de los surcos frontales y las técnicas de enmascaramiento con óxido para permitir las difusiones y
metalizaciones. La anchura típica de un surco es de 20m. El estar los contactos metálicos laminados
dentro de unas ranuras, permite mayor nº dedos metálicos espaciados y mejor aprovechamiento de
la superficie de captación de radiación. (Efecto de sombreado, Resistencia serie) de la metalización
frontal hacen ↓ η; pero al estar enterrados y tener mayor sección transversal, ↑ FF y ↓ resistencia serie.
Este tipo de célula se debe a un diseño de la UNSW que ha sido implementado a escala industrial con
gran éxito. La ηmax obtenida a escala industrial, usando substratos obtenidos mediante el método de
cristalización de Czochralski, es del 18%, aunque las η típicas de producción se sitúan en torno al 16%
Los resultados de producción revelan que el coste por unidad de área es similar al caso de las células
por serigrafía, lo que se traduce en menor (coste/W) para esta tecnología, a la vista de sus mejores η.

Para ↓ pérdidas por sombreado de la rejilla frontal (contacto superior), los 2 contactos (superior, inferior)
están en la parte inferior  Dopaje (tipo p, tipo n )[para formar las bandas de (conducción, valencia)] en
la cara posterior. Para ↓ área de contacto de las superficies conductoras, el contacto se hace puntualizado,
logrando ↓ pérdidas por recombinación en dichas superficies; para un buen atrapamiento de la luz solar,
el área que no forma parte de los contactos eléctricos posteriores se cubre con capa reflectante de la luz.

①Sin rejilla metálica conductora en la superficie frontal sin [busbars, cintas de interconexión eléctrica
(entre células) soldadas] – ② Superficie posterior de Cu revestida de Sn, le da a la célula resistencia
ante esfuerzos y a la corrosión – ③ Conectores especiales (hueso de perro)(dog-bone) de Cu, flexibles,
diseñados para soportar (expansiones, contracciones) térmicas debidas a cambios bruscos de T diarios.
La célula convencional tiene una rejilla de dedos metálicos muy finos en su cara frontal, susceptibles de
sufrir corrosión. Las uniones de soldadura entre [cintas (largas) de Cu de interconexión entre células–
Si] están sometidas a gran estrés; cuando el módulo se calienta durante el día y se enfría por la noche, el
Cu se expande, pero el Si no, este estrés repetitivo causa fracturas en las células y rotura de las uniones;
la pasta de metal (del busbar) no tiene suficiente fuerza para mantener unida la célula cuando el Si rompe.
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① Fracturas debidas a ciclos de T (caliente/frío) repetitivos – ② Daño típico debido a un mal proceso
de soldadura de las interconexiones eléctricas entre células y también por ciclos de T (frío/caliente) – ③
En el lado izquierdo (zona oscurecida) se han roto las cintas de Cu de interconexión entre un par de células
④ Incluso con una rotura, las partes de la célula funcionan ( sigue generando IDC )(no está oscurecida)

└> SunPower: NREL data. Progress in Photovoltaics: Research and Applications, Solar cell efficiency tables (2010)
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Screen-printed front junction n-type silicon solar cell: (A) Major components of series resistance ( RS )
(B) Typical mechanisms of optical loss: ① reflection/shading at the screen‐printed front metal contact;
② reflection at the cell front surface; ③ reflection from the rear side out of cell; ④ absorption in the
front passivation and antireflection coating layers; ⑤ absorption via free carrier absorption in the p+
emitter layer; ⑥ absorption via free carrier absorption in the [ n+–Back Surface Field ( BSF )] layer; ⑦
absorption in the rear passivation layers; ⑧ absorption in the screen‐printed rear metal contact; ⑨
transmission without being absorbed in the cell  these optical losses need to be reduced – ( C ) textured
silicon surface for a n-type ( m-Si ) wafer under a scanning electron microscope using alkaline texturing.
Cell fabrication process: ①saw damage removal & texturing (front, back); ② Boron emitter formation
[to form the pn‐junction of n‐type Si solar cells, boron atoms diffuse into the silicon wafers, by depositing
boron‐doped silicon oxide via Plasma-Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) or Atmospheric
Pressure Chemical Vapour Deposition (APCVD), and annealing at T; ③ formation of phosphorus-
doped back surface field (n+– BSF); ④ surface passivation (reduce recombination)( SiO2 or Al2O3 )[via
(chemical or field-effect) passivation] & antireflection coating ( ARC )[ to reduce reflection losses at the
textured front side, a layer of hydrogen-rich silicon nitride ( SiNx:H ) is deposited by PECVD on top of
the passivation layer]; ⑤ screen-printed metallization (front & back)(widely used for PV applications)
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 Célula de Si bifacial: Capta radiación solar por ambas caras (frontal, trasera/posterior)
 [ Bifacial + Tecnología CELLO (LG)(se sustituyen los 3 busbars (barras colectoras de IDC) por 12 (hilos
/alambres) circulares muy finos, para mejorar la captación de radiación (la dispersan de forma más
efectiva); ↓ pérdidas eléctricas (IDC se distribuye entre 12 alambres)]  Mejor (η, fiabilidad ) + plus
(25%) de P comparado con monofacial  A igual P, ahorro en (espacio, mano de obra) ↓(€ / kWh)
S Entorno urbano Hierba Hierba fresca
A 0.14–0.22 0.15–0.25 0.26
S Nieve fresca Nieve húmeda Teja roja
A 0.82 0.55–0.75 0.33
S Asfalto seco Asfalto húmedo Concreto
A 0.09–0.15 0.18 0.25–0.35
S Aluminio ( Al ) Cobre ( Cu ) Acero
(Aluminium) (Copper) galvanizado
A 0.85 0.74 0.35
 Luz solar directa sobre la cara frontal  Ifront  ISTC  [ 1  α ( T  25º C ) ]  ( G t / 1000 W / m 2 ) 
 
 Luz solar reflejada incidente  2 
sobre la cara posterior/ trasera   I rear  ISTC  [1  α ( T  25º C )]  (G rear / 1000 W / m )  BFF
  
 A ( Albedo ): Fracción de GHI que es reflejada por la superficie ( suelo )( S )
Grear = f [ H, φ, A, GHI (Global Horizontal Irradiance), DHI (Difuse Horizontal Irradiance) ]
 Measurement of front side [ 1000W/m2, 25ºC, back side covered ] – Measurement of rear side: [(
1000W/m2, 25ºC, front side covered ); ( 400W/m2, 25ºC, front side covered )]
BFF ( Bifacial Factor ) = ( ISC,back@1000 / ISC,front@1000 ); ISC,max = ( ISC,front@1000 + ISC,back@400 )
 SOURCE: IEC qualification testing of bifacial PV modules–May2014, INES,Chambery. TÜV Rheinland.
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SMARTWIRE CONNECTION TECHNOLOGY (SWCT)-(SolarTech UNIVERSAL-QUANTUM)

 ①( SmartWire Technology )( SWT ): Basada en una unión de hilo conductor (wire bonding)(método
de interconexión para semiconductores). Los conductores de Cu están revestidos(*) con una aleación
de punto de fusión para ser unidos a la metalización (rejilla) de la célula, creando puntos de contacto
eléctrico. (Foil-Wire Assembly)(FWA)[ 18 micro-hilos robóticamente posicionados en | | y sujetos en
sus posiciones mediante una lámina (foil) transparente]. La forma redonda de los micro-hilos mejora
el atrapamiento de la luz solar, reduciendo las pérdidas ópticas (un 25%) comparado con el busbar.
 ② Interconexión de células automatizada. Las células se unen robóticamente con el FWA para formar
una rama (string) de células, eliminando el proceso de soldadura tradicional de las células a las cintas
de interconexión. El FWA interconecta la cara frontal de una célula con la cara trasera de la siguiente.
Todas las capas individuales se unen aplicando (pvacío + calor), formando un laminado solar duradero.
 ③ Recolección de IDC avanzada: La SWT permite a los e– viajar una distancia más corta (4.3mm entre
2 hileras de conductores) para ser recolectados, lo que ↓ pérdidas resistivas. Con una estructura de
busbar (BB), la distancia a recorrer por los e– es mayor (26mm, célula con 3BB)  mayores pérdidas.
La resistencia más baja del SWT permite la extracción de más IDC de cada dedo metálico de la rejilla
de la célula, además de que ↑ densidad de P, en comparación con las células tradicionales con busbar.
④La SWT ejerce menos estrés (esfuerzos) sobre las células que las tecnologías de soldadura estándar,
gracias a que es un proceso a T reducida y a la mayor flexibilidad de los hilos conductores muy finos.
⑤Las micro-fracturas tienen un mínimo efecto en los módulos que disponen de SWT, permite a una
célula con micro-fracturas seguir conectada, manteniendo así la recolección de IDC a unos niveles.
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 PERC ( Passivated Emitter Rear Cell ): célula monocristalina de Si avanzada que captura más Esolar
mediante la adición de una capa extra entre el Si y el revestimiento trasero (back coating). Esta capa
crea una reflectividad interna efectiva, al mismo tiempo que previene la recombinación de e–; refleja
la radiación solar a través del Si, creando una oportunidad adicional para seguir generando IDC  ↓
cantidad de radiación solar absorbida por la superficie metálica posterior, que no se canlentaría tanto
(produciría menos calor interno dentro de la célula/módulo) y por tanto la célula operaría a menor T.
 HJT bi-facial: genera IDC por ambas caras (frontal, trasera). Combina las ventajas del [N-type (c-Si)]
con las buenas características de (absorción, pasivación) del (a-Si:H). El (c-Si) tipo N hace a la célula
inmune al LID ( Light Induced Degradation ), la capa ITO protege la célula del PID ( Power Induced
Degradation ) por sus 2 caras. Genera más IDC, menor coeficiente de T que una célula convencional.

 ①Célula poli-cristalina estándar ② Célula con tecnología Q.ANTUM: La cara posterior de la célula
se reviste con una nano-capa especial (power reflector) que funciona como espejo; los rayos solares
que consiguieron atravesar el Si son reflejados y devueltos nuevamente para poder generar más IDC
 ③ LeTID (Light and elevated Temperature Induced Degradation): Modo de degradación presente
en la mayoría de células (c-Si), siendo más intenso en aquellas células que han pasado por un proceso
de manufactura adicional, como en el caso de células PERC ④ Buen comportamiento con radiación

1ª capa hecha de ETFE (de Japón), material con capacidad de absorción de radiación solar; la mayoría
de módulos flexibles usan PET, más barato pero de menor calidad que el ETFE, y refleja más luz ↓ PDC(out)
– Cubierta trasera (backsheet) de Al [resistente a T (más que el PET), combina mejor con el ETFE que
el PET] o de fibra de vidrio [más (ligera, suave) que el Al, combina mejor con el ETFE que el Al o plástico]
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El área amarilla muestra un espectro solar típico*. Las flechas correspondientes al silicio amorfo (a-Si)
y al silicio micro-cristalino (μc-Si) representan la banda del espectro que las células usan para la realizar
la conversión (Esolar → Eeléctrica) (*Osaka-city. Instalación a 5º, orientación Sur, módulos solares Kaneka)
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(a) The nominal maximum output of the solar module is the value at the module temperature of 25ºC.
(b) Measurement: July 8, 2013 Osaka, Kaizuka city, South orientation with 30º angle.

① SLIM ( N245/ N240 )( VBHN245SJ25 / VBHN240SJ25 )[( 245W, 19.4%, 22%(cell) ) / ( 240W, 19%, 21.6%(cell) )]
② COMPACT N295 [ VBHN295SJ46 ( 295W, 19.1% ) ] – ③ POWERFULL ( N330 / N325 / N320 ) ( VBHN330SJ47
/ VBHN325SJ47 / VBHN320SJ47 )[(330W, 19.7%) / (325W, 19.4%) / (320W, 19.1%) – Bifacial photovoltaic modules:
④ Double 225 [VBHN225DJ06: 225W, 16%, 20.1%(cell)]–⑤ Double 195 [HIP-195DA3: 195W, 16.1%, 19.3%(cell)]
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① Menor coeficiente de T que el (c-Si); ② Mejor eficiencia en condiciones de G (salida / puesta del
Sol, nubosidad) ③ La ( PDC(salida) )módulos CIS ↑ después de su exposición a la radiación solar durante los
primeros días de operación  Su rango P real es mayor comparado con el valor indicado en su etiqueta.
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 CIGS : electrodo trasero de molibdeno (Mo) + capa absorbedora de radiación solar [ semiconductor
tipo p, CIGS ( Cu(InGa)Se2 )] + capa buffer [semiconductor tipo n, sulfuro de cadmio (CdS); usado para
formar la unión pn] + contacto frontal formado por [capa de óxido de zinc intrínseco ( i-ZnO )(evita
la formación de cortocircuitos)( resistividad ) + capa transparente conductora de óxido de zinc (de
resistividad) dopado con aluminio ( ZnO:Al )( AZO )] → Todas las capas de la célula contribuyen a
su eficiencia ( η ) final, pero las propiedades (estructurales, eléctricas, ópticas) de la capa absorbedora
( CIGS ) son importantes para obtener una eficiencia. La composición relativa de los componentes
metálicos del compuesto CIGS es crítica; puede haber un ligero exceso de In pero no de Cu; se han
obtenido células solares CIGS con relaciones: Cu / (Ga + In) = (0.8–0.95), Ga / (Ga + In) = (0.25–0.3)
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Steps for the production of a Cu(In, Ga)Se2 thin-film solar module: ① Substrate (2-4mm)(window glass,
cleaning) – ② Back contact (Mo, DC sputtering) – ③ Pattering line (P1)(laser pattering) – ④ Absorber
(2μm)[CIGS, in-line co-evaporation] – ⑤Buffer layer (0.05μm)(CdS, chemical bath, i-ZnO, RF sputtering)
– ⑥ Pattering line (P2)( mechanical pattering / laser techniques photolithography) – ⑦ Front contact
(1μm)(ZnO:Al, DC sputtering / reactive sputtering) – ⑧ Pattering line (P3)( mechanical pattering / laser
techniques photolithography) – ⑨ Contacts (metal tapes, bonding / ultrasonic welding, soldering) –
⑩ Encapsulation [polymer lamination / glass (frame)][or without glass or flexible encapsulation, BIPV]
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 Tecnología Smart CarbonTM : Para aplicaciones que operan en un estado de carga parcial (EDCP).
Las baterías de ciclo profundo en aplicaciones sin acceso a la red eléctrica o una conexión poco
confiable, se ciclan en un estado de carga parcial. La operación en carga parcial puede causar que la
vida útil de una batería ↓ significativamente, que puede resultar en remplazos frecuentes y costosos.
Para ↓ impacto del EDCP en baterías de ciclo profundo en (aplicaciones de E renovable, inversores,
telecomunicaciones), Trojan Battery incluye esta tecnología como estándar en las líneas Industriales
y Premium, proporciona un mejor η en las baterías que operan en EDCP, mejorando la vida útil de la
batería en aplicaciones donde las baterías frecuentemente no se cargan a su máxima capacidad.
 Tecnología T2 :
①Pasta Alpha Plus® con Tecnología T2 TechnologyTM: De densidad, optimiza el desarrollo de la
porosidad del material activo usado para una mayor efectividad en el funcionamiento de la batería
sobre un período de tiempo mucho mayor. La tecnología introduce un agente de metal patentado en
la pasta para ↑capacidad [Ah], resultando en un suministro mayor de Eeléctrica para sus aplicaciones.
②Tecnología de rejilla: Mezcla (Pb-Sb) formulada para usar la pasta Alpha Plus. La rejilla permite
una gran adhesión estructural entre estos componentes. Rejillas gruesas refuerzan la resistencia del
bastidor y así ↓ corrosión. La configuración de la rejilla está optimizada para mejorar el flujo de I a
través suyo y el funcionamiento de la batería, ↓ (tiempos de inactividad, costos de mantenimiento)
③Separador Maxguard® T2: Exclusivo de baterías Trojan, dispone de una geometría multi-costilla
que mantiene los canales del ácido abiertos más tiempo, mejorando de proceso electroquímico al
tiempo que ↓riesgo de estratificación. Basada en materiales de goma, inhibe la transferencia de Sb
entre (rejillas  –placas); y esta protección no está disponible en las baterías de la competencia.
Una malla reforzada y más gruesa, provee de una fuerza aún mayor en el separador, resultando así
una batería más robusta, con un ↑ protección contra fallas causadas por degradación del separador.
Este separador provee a la batería de una vida más larga y ↓ bastante los costos de mantenimiento.
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BATERÍAS DE (IÓN-LITIO)[(LITHIUM IRON-PHOSPHATE)(LiFePO4)]

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(INVERSOR DE AISLADA)-(INVERSOR/CARGADOR)-(CARGADOR DE BATERÍAS)

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The SolarEdge inverter converts DC power from the modules into AC power that can be fed into the main AC
service of the site and from there to the grid. The inverter also receives the monitoring data from each power
optimizer and transmits it to a central server (the SolarEddge monitoring portal, requieres internet connection)
The SolarEdge power optimizers are DC-DC converters connected to PV modules in order to maximize power
harvesting by performing independent Maximum Power Point Tracking (MPPT) at the module level.
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MICROINVERSORES