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Examen Diciembre Solucion
Examen Diciembre Solucion
TEORÍA
Ejercicio 1.- a) Explique la diferencia entre potencial eléctrico y energía potencial electrostática.
Decimos que una partícula cargada colocada en un campo eléctrico tiene una energía
potencial electrostática debido a que el campo realiza un trabajo cuando desplaza la
partícula de un punto a otro. La energía potencial electrostática se puede definir debido al
carácter conservativo de la fuerza de interacción electrostática. Por ser una energía su
unidad será el julio. La diferencia de energía potencial entre dos puntos vendrá dada por
dU F d b
b
U F d QE d
F QE a a
b) Si una carga se traslada una pequeña distancia en el sentido de un campo eléctrico, ¿ aumenta o
disminuye su energía potencial electrostática?, ¿qué ocurre con el potencial eléctrico?, ¿dependen
estas respuestas del signo de la carga?.
Cuando una carga se mueve en el sentido de un campo eléctrico disminuye su energía
potencial si es una carga positiva y aumenta si es una carga negativa, pero en ambos
casos se desplazará hacia una zona de menor potencial eléctrico.
c) ¿En qué dirección podemos movernos respecto a un campo eléctrico de modo que el potencial
eléctrico no varíe?. (10 puntos)
Habríamos de movernos perpendicularmente al campo eléctrico ya que en este caso
se cumplirá que:
b
Ed V E d 0 V ( a ) V (b)
a
F qv B B
F
qv sen
N ms 1
T ,
Ejercicio 3
a) ¿Cuál es la diferencia entre la estructura de bandas de un aislante, un semiconductor y un metal?.
En un aislante, la banda de valencia está completamente llena y separada de la banda de conducción
por un una banda prohibida (gap) muy grande (típicamente Eg > de 5 eV) de forma que incluso a
temperatura ambiente es muy difícil encontrar portadores con energía suficiente parar saltar a la
banda de conducción. La estructura de bandas de un semiconductor es análoga a la de un aislante
pero con un gap menor (Eg 1 eV ).
b) Explicar por qué un semiconductor actúa como aislante a 0 K y por qué su conductividad
aumenta con la temperatura.
En el cero absoluto en un semiconductor, la banda de valencia está completa y la
banda de conducción está vacía de forma que a esa temperatura el material se comporta
como un aislante, pero, por ser pequeña la anchura de banda prohibida, conforme aumenta
la temperatura cada vez mas electrones adquieren la energía suficiente para superarla,
gracias a las vibraciones térmicas de la red, y el material aumenta su conductividad al revés
de los que ocurre en los conductores. Una consecuencia de esto es que los semiconductores
tengan un coeficiente de resistividad negativo.
c) ¿ Cuál es la distinción entre un semiconductor intrínseco y un semiconductor extrínseco?.
Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro, sin impurezas, en este
tipo de semiconductores a temperatura constante se produce el equilibrio entre la
generación y la recombinación de pares electrón-hueco de forma que habrá el mismo
número medio de electrones en la banda de conducción que de huecos en la banda de
valencia. Designando por p y n a la concentración de huecos y electrones respectivamente
se verifica:
p n ni
Los semiconductores tipo P están dopados con impurezas de elementos del tercer grupo
de forma que les queda un enlace por átomo por completar. Esto da como resultado la
aparición de niveles energéticos próximos a la banda de valencia, que se denominan niveles
aceptores.
Problema 1 V3
c d
En el circuito de la figura, una vez alcanzado el estado
estacionario,
R1 R2 Ib R3
Ia
a) Determine la corriente en cada rama (8 puntos).
Datos: V1= 2 V; V2= 3 V; V3= 5 V; C =1 F; C1 h R5
b e
R1= 1 k; R2= 2 k; R3= 5 k; R4= 1 k; R5= 3 k;
- 1 3 2 0 I a
5 2 10 3 I b
3 0 3 4 I
c
de esta forma, las corrientes que circulan por cada rama serán
I R1 I a 0.69 mA; I R 2 I a I b 0.16 mA; I R 3 I b 0.53 mA;
I R 4 I c 0.35 mA; I R 5 I b I c 0.88 mA; I V 2 I a I c 1.04 mA;
b) Calcule el potencial en cada punto suponiendo que el potencial en el punto a es cero. (4 puntos).
Va 0; Vb Va V1 2 V; Vc Vb R 1 I R1 2 V (1k)( 0.69 mA ) 2.69 V;
Vd Vc V3 2.31 V; Ve Vd R 3 I R 3 2.31 V (5k)( 0.53 mA ) 0.34 V;
Vf Ve R 4 I R 4 0.34 V (1k)( 0.35 mA ) 0 mA Vg ; Ve Vg V2 3 V
Problema 2
Por el conductor rectilíneo largo de la figura 2 circula una corriente de 20 A. Las dimensiones de la
espira rectangular son a=5 cm y b= 10 cm y la distancia que lo separa del conductor rectilíneo d=2
cm.
i) Si la espira rectangular está recorrida por una intensidad de 5 A calcule la fuerza que actúa sobre
cada segmento. ¿Cuál es la fuerza neta sobre la espira?. (15 puntos).
El campo magnético que crea el hilo
indefinido de la figura lo podemos determinar b
teniendo en cuenta las consideraciones de
simetría y la ley de Ampere, por tanto
a
C
B dl o I B 2r o I
I d
dU F d b b
donde se ha tenido en cuenta que el campo
dU F d b b U F d EQ d
F QE a a
F EQ a a
U F d EQ d
magnético es paralelo al vector Figura 2
desplazamiento sobre la curva C y que su r
módulo permanece constante. Por tanto, el
C
campo viene dado por I
I
B o kˆ
2r
La fuerza que sufre el segmento de hilo 1 debido a éste campo magnético será
b dF1 I 2 d l B F1 I 2 d l B I 2 l1 B
1
l
II a
(4) l1 aˆj F1 o 1 2 ˆi
(1) (2) 2d
a
I d (3)
Para el segmento 3, el campo magnético no permanece constante a lo largo del hilo por
lo que tendremos para un diferencial de hilo
o I 1 I 2 kˆ o I 1 I 2
dF3 I 2 dl B l3 dxiˆdF3 I 2 dxiˆ
dxˆj
2x 2x
y por tanto, para todo el hilo basta con integrar
d b o I1I 2 II
F3 dx ˆj o 1 2 ln 1 b d ˆj
d 2x 2
Análogamente, para el segmento 4 se tiene
II
F4 o 1 2 ln1 b d ˆj
2
Finalmente la fuerza neta que sufre la espira es
I I b
F F1 F2 F3 F4 o 1 2 iˆ
2 b d
ii) Si por la espira rectangular no circula ninguna intensidad, calcule el flujo magnético que la
atraviesa. Si el conductor rectilíneo estuviese recorrido por una intensidad variable I = I0sen(2t)
calcule la fuerza electromotriz inducida y la inductancia mutua M. (10 puntos)
Datos: I0=20 A, 0=410-7 H/m
El flujo magnético que atraviesa la espira será:
I Ia d b dx o Ia
d B dS B // dS d o adx o ln1 b d
2x 2 d x 2
Teniendo en cuenta la dependencia funcional de la intensidad con el tiempo, el flujo será,
I sen 2t a b
finalmente ( t ) 0 0 ln1
2 d vt
La fuerza electromotriz la calculamos aplicando directamente el principio de inducción
d b
de Faraday. ( t ) 0 I 0 cos 2t a ln1 .
dt d vt
Problema 3
10 0.1 F
+
vi(t) A
100 0.01 F
Figura 3
Para calcular la relación que nos piden agrupamos la resistencia de 10 (R1) con el condensador de
0.1 F (C1) y la resistencia de 100 (R2) con el condensador de 0.01 F (C2). De forma que
1 1 10
j C 1 Z 1
Z1 Z1 R 1 1 j10 6
V0 I A 1 1 100
jC 2 Z 2
Z2 R 2 1 j10 6
Z2
Para calcular la tensión entre A y B hemos de conocer el fasor
B de la intensidad que circula por Z2 que será:
V0 V
I 0 1 j10 6 A
Z1 Z 2 110
con lo que finalmente
V0
VAB Z 2 I
100
1 j10 6 100 V0 VAB 100
1 j10 110
6
110 V0 110
La tensión de Thevenin es precisamente VAB que en función del tiempo estará dada por:
100
v AB t V0 cos(t )
110
Para calcular la impedancia Thevenin cortocircuitamos la fuente de tensión y determinamos la
impedancia entre los terminales A y B. Según esto
Z1 Z 2 A
Z T Z1 || Z 2
Z1 Z 2 Z2
Z1
con lo que finalmente
B
1000 1 j10 6
ZT
110 1 2 10 12