La deposición física en fase vapor (PVD), consiste básicamente en vaporizar

átomos o moléculas de un material para su subsecuente condensación sobre un

sustrato. Este método se emplea típicamente para depositar películas delgadas con
velocidades de depósito comprendidas entre 1 Å/s y 100 Å/s.

Los pasos que se llevan a cabo en el proceso de PVD se puede describir como:

1. Formación de la fase vapor

Se estudian los principios y métodos en los que se basa la formación de la fase

vapor a partir de una fase condensada y las propiedades del vapor. (Evaporación,
evaporación por haz de electrones, sputtering y desbaste iónico o adelgazado por
bombardeo iónico.)

2. Transporte de los átomos de la fuente al substrato

Se estudia el transporte de átomos o moléculas de la fuente al sustrato y algunas

otras técnicas enfocadas en alterar los átomos evaporados antes de que estos
alcancen el sustrato. (Evaporación reactiva, evaporación reactiva activada,
deposición por resonancia ciclotrónica electrónica asistida con plasma.

3. Depósito de los átomos en el substrato (Nucleación)

Se busca óptimamente que la película delgada crezca adherida al sustrato de

manera epitaxial, de esta forma se tiene un control “a priori” sobre la composición,
la estructura y los defectos que se pueden formar en la película.

4. Crecimiento de los núcleos.

Se refiere aquellos procesos que permiten el re-ordenamiento de los átomos,

controlar la microestructura, la morfología superficial, crear o eliminar defectos para
obtener las propiedades deseadas. Después de crecer la película.

Como tal el PDV no es una técnica por sí solo, es un conjunto de técnicas que
permiten obtener el resultado deseado de diferentes formas, entre las principales
tenemos:

1. -Evaporación en vacío. El material es evaporado y logra alcanzar el sustrato sin

colisión con moléculas de gases.

2. -Sputtering. Este es el proceso más representativo en PDV, debido a que tiene

distintos modos de uso. En este el material es bombardeado por un haz de iones
normalmente de gas argón. El depósito puede ser en alta o baja presión.
Los principales tipos de Sputtering son:

Sputtering por diodo: Es la forma más simple de sputtering, en la que se usa una
diferencia de potencial entre un cátodo y un ánodo para crear un plasma, el cual es
utilizado para pulverizar la superficie del blanco (ubicado en el cátodo). El material
es entonces transportado desde el blanco hacia un sustrato (ubicado en el ánodo)
formando así un recubrimiento. Se pueden depositar así películas de metales puros
o aleaciones usando descargas de gases nobles (típicamente Ar) con blancos
metálicos.

Bias sputtering: La pulverización catódica por voltaje de polarización (Bias) es una

variante del sputtering de diodo en la que los sustratos son bombardeados por iones
durante la deposición, este mecanismo puede hacer que el material que no se halla
unido bien sea re-pulverizado, se implanten iones de bajas energías en el
recubrimiento, desorción de gases o produzca modificaciones en la morfología de
los recubrimientos. La fuente para el sputtering no necesita ser un blanco de
sputtering sino que puede ser tomada desde una fuente de evaporación, un gas
reactivo con constituyentes condensados o una mezcla de gases reactivos con
constituyentes condensados y otros gases que reaccionan con estos constituyentes
condensados para formar compuestos.

Sputtering por haz de iones (ion-beam): En este tipo de pulverización catódica se

utiliza un cañón de iones para desprender el material de los blancos, en este sentido
el plasma no se genera en la cámara de deposición, sino que se produce en la
fuente de los cañones de iones. Este tipo de sputtering es especialmente útil para
controlar el área de deposición de los recubrimientos, pues permite de manera
puntual depositar el material deseado, además no se entra en contacto con los
elementos del plasma, lo que permite obtener una mayor pureza en los
recubrimientos.

3. -Deposición por arco. Se usa un arco de alta corriente y bajo voltaje en una
atmosfera de gas a baja presión para erosionar el cátodo sólido por un arco móvil o
derretir y evaporar el electrodo anódico.

4. -Deposición asistida (ion plating). Se bombardea el sustrato y la película

depositada usando partículas atómicas energizadas para controlar o modificar las
propiedades de la película depositada.
Las Propiedades generales y características que brinda el PVD a los materiales que
recubre son:

 Gran dureza (2.000 – 4.500Hv).

 Resistencia al desgaste abrasión y corrosión.
 Capacidad de deslizamiento debido a un coeficiente de fricción reducido.
 Resistencia a la oxidación térmica.
 Excelente precisión dimensional de las capas (uniformidad).
 Estructura compacta.
 Conductividad eléctrica de las superficies.
 Resistencia de las capas al vacío (bajo nivel de desgasificado).
 Químicamente estables.
 Propiedades antiadhesivas de las superficies.
 Tecnología ecológica.

Algunos tipos de recubrimientos se muestran a continuación:

La utilización del PVD es para la generación de películas delgadas con un alto grado
de control, que impida que la película tenga algún defecto y además que permita
homogeneizar por completo las características de la misma. Sin embargo, aunque
su uso es recomendado para materiales cerámicos, metálicos y semiconductores
no es muy utilizado debido al alto costo que supone a pesar de ser menos dañino
al medio ambiente en comparación con las deposiciones químicas.