UNIVERSIDAD CATÓLICA SANTIAGO

DE GUAYAQUIL
FACULTAD TÉCNICA PARA EL
DESARROLLO

INGENIERIA EN
TELECOMUNICACIONES

DOCENTE:
ING. CARLOS ROMERO

ELECTRONICA II

INTEGRANTE:
LUIS ROMERO
 CIRCUITO EQUIVALENTE

Un circuito equivalente es un circuito que conserva todas las características eléctricas de un

circuito dado. Con frecuencia, se busca que un circuito equivalente sea la forma más simple de
un circuito más complejo para así facilitar el análisis. Por lo general, un circuito equivalente
contiene elementos pasivos y lineales.

¿Para qué se usa un circuito equivalente?

Se usan circuitos equivalentes más complejos para aproximar el comportamiento no lineal del
circuito original. Estos circuitos complejos reciben el nombre de macromodelos del circuito
original. Un ejemplo de un macromodelo es el circuito de Boyle para el amplificador
operacional.

Hay dos circuitos equivalente que son muy reconocidos:

1. Equivalente de Thévenin
2. Equivalente de Norton

Bajo ciertas condiciones, los circuitos de cuatro terminales, se pueden establecer como un
cuadripolo. La restricción de la representación de los circuitos de cuatro terminales es la de un
puerto: la corriente entrante de cada puerto debe ser la misma que la corriente que sale por ese
puerto. Al linealizar un circuito no lineal sobre su corriente de polarización, se puede representar
como un cuadripolo.

Los circuitos equivalentes también pueden describir y modelar las propiedades eléctricas de los
materiales o sistemas biológicos como la membrana celular. Este último es modelado como un
condensador en paralelo con una combinación de una batería y una resistencia.
 MODELO HIBRIDO DEL BJT

El modelo hibrido o equivalente hibrido del transistor es un modelo circuital que combina
impedancias y admitancias para describir al dispositivo, de allí el nombre de hibrido.

La obtención de los parámetros híbridos involucrados dentro del modelo se hace en base a la
teoría de cuadripolos o redes de dos puertos.

La sustitución del símbolo del BJT por su modelo hibrido durante el análisis en C.A, permite la
obtención de ciertos valores de interés como son: la ganancia de voltaje (Av), ganancia de
corriente (Ai), impedancia de entrada (Zi) y la impedancia de salida (Zo).

Estos valores dependen de la frecuencia y el símbolo circuital por sí solo no considera este
aspecto, de allí la utilidad del modelo hibrido quien si lo considera.

MODELO HIBRIDO DEL BJT EN CONFIGURACION EMISOR COMUN

CIRCUITO RC

Circuito RC en configuración filtro paso bajo.

Un circuito RC es un circuito eléctrico compuesto de resistencias y condensadores. La forma
más simple de circuito RC es el circuito RC de primer orden, compuesto por una resistencia y un
condensador. Los circuitos RC pueden usarse para filtrar una señal alterna, al bloquear ciertas
frecuencias y dejar pasar otras. Los filtros RC más comunes son el filtro paso alto, filtro paso
bajo, filtro paso banda, y el filtro de rechazo de banda. Entre las características de los circuitos
RC está la de ser sistemas lineales e invariantes en el tiempo.

El circuito RC de la figura se encuentra alimentado por una tensión de entrada Ue. Está en
configuración de filtro paso bajo, dado que la tensión de salida del circuito Ua se obtiene en
bornes del condensador. Si la tensión de salida fuese la de la resistencia, nos encontraríamos ante
una configuración de filtro paso alto.

Este mismo circuito tiene además una utilidad de regulación de tensión, y en tal caso se
encuentran configuraciones en paralelo de ambos, la resistencia y el condensador, o
alternativamente, como limitador de subidas y bajas bruscas de tensión con una configuración de
ambos componentes en serie. Un ejemplo de esto es el circuito Snubber.
 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Los transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor) son particularmente
interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de
unión o JFET y transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET).

Son dispositivos controlados por tensión con una alta impedancia de entrada (1012 ohmios).
Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analógicos como amplificador o como
conmutador. Sus caracterísitcas eléctricas son similares aunque su tecnología y estructura física
son totalmente diferentes.

Ventajas del FET

1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (107 a
1012 ohmios).

2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.

3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.

4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten
integrar más dispositivos en un CI.

5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión valores pequeños de tensión
drenaje-fuente.

6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para
permitir su utilización como elementos de almacenamiento.

7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Desventajas que limitan la utilización de los FET

1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.

2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.

3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática. En este apartado se estudiarán
brevemente las características de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus
aplicaciones analógicas.

Características eléctricas del JFET

El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n
con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal
cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).

En la figura 1.10.a se describe un esquema de un JFET de canal n, en la 1.10.b el símbolo de este

dispositivo y en la 1.10.c el símbolo de un JFET de canal P
La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente polarizadas. En un
JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que
exista un flujo de corriente a través de canal. Además, la puerta debe tener una tensión más
negativa que la fuente para que la unión p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas
polarizaciones se indican en la figura 1.11.

Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los
transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensión a
diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente.

Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o drenador a source o
fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensión drain o drenador a source
o fuente). Se definen cuatro regiones básicas de operación: corte, lineal, saturación y ruptura. A
continuación se realiza una descripción breve de cada una de estas regiones para el caso de un
NJFET.

BIBLIOGRAFIA:
Richard C. Dorf (1997). The Electrical Engineering Handbook. Nueva York: CRC Press. Fig.
27.4, p. 711