ELECTRÓNICA

ANALÓGICA

TEMA 4: RESPUESTA EN BAJA Y

ALTA FRECUENCIA
4.1. RECORDATORIO DE CUADRIPOLOS.
4.2. RESPUESTA EN FRECUENCIA DE UN
AMPLIFICADOR
4.3. ETAPAS AMPLIFICADORAS CON
TRANSISTORES.
4.4. RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA DE UNA
ETAPA DE EMISOR COMÚN.
4.5. MÉTODO APROXIMADO DE CÁLCULO DE LA
FRECUENCIA DE CORTE INFERIOR.
4.6. MODELOS DEL TRANSISTOR EN ALTA
FRECUENCIA
4.7. EL TEOREMA DE MILLER.
4.8. APROXIMACIÓN DEL POLO DOMINANTE.
4.9. MÉTODO DE LAS CONSTANTES DE TIEMPO EN
CIRCUITO ABIERTO.
4.10. FRECUENCIAS DE CORTE DE UN
AMPLIFICADOR.
4.11. PRODUCTO GANANCIA-ANCHO DE BANDA.

Dpto de Tecnología Electrónica

 Electrónica Analógica 4

1.- RECORDATORIO DE CUADRIPOLOS

 Un cuadripolo es un circuito que se comunica con el “mundo exterior” sólo a través de
los puertos de entrada y salida.

i1 i2
v1 CUADRIPOLO v2
i1 i2

 Cada uno de estos puertos es un par de terminales con las corrientes y tensiones
definidas por el convenio estándar de la figura.

 Es esencial en la definición de puerto que la corriente que entra por uno de los
terminales también salga por el otro, como pueda ser el caso de la corriente i1.
 En esta asignatura trabajaremos con cuadripolos lineales.

 Los cuadripolos que estudiaremos en esta asignatura tienen en común un nodo de

entrada con uno de salida (líneas de trazos de la figura).

 Las principales características de la teoría de cuadripolos radican en que:

 Permite transformar circuitos complejos en uno sencillo y de formato estándar.
 Facilita la omisión de detalles innecesarios.
 Proporciona ecuaciones simplificadas de dispositivos y circuitos.
 Se aplica ala descripción en régimen permanente tanto ssenoidal como en
continua de dispositivos y circuitos.
 Describe correctamente SÓLO las variables externas del cuadripolo.

 Estudiaremos cuatro posibles representaciones de cuadripolos y para un determinado

circuito podrían existir alguna o todas de ellas:

∙ 1 ∙
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Parámetros z.

i1 i2
v1 || z || v2
i1 i2

v1 = z11 · i1 + z12 · i2
v2 = z21 · i1 + z22 · i2

v1
z11 = i . Tiene dimensiones de impedancia [].
1 i2 0

v1
z12 = i . Tiene dimensiones de impedancia [].
2 i 0
1

v2
z 21 = i . Tiene dimensiones de impedancia [].
1 i2  0

v2
z22 = i . Tiene dimensiones de impedancia [].
2 i1 0

i1 z11 z22 i2
+ +
v1 v2
z12 ·i2 z21 ·i1

∙ 2 ∙
Electrónica Analógica 4

Parámetros y.

i1 i2
v1 || y || v2
i1 i2

i1 = y11 · v1 + y12 · v2
i2 = y21 · v1 + y22 · v2

i1
y11 = v . Tiene dimensiones de admitancia [-1 = siemens].
1 v 2 0

i1
y12 = v . Tiene dimensiones de admitancia [-1 = siemens].
2 v1 0

i2
y 21 = v . Tiene dimensiones de admitancia [-1 = siemens].
1 v 2 0

i2
y22 = v . Tiene dimensiones de admitancia [-1 = siemens].
2 v1 0

i1 i2

v1 y11 y12 ·v2 y21 ·v1 y22 v2

∙ 3 ∙
Electrónica Analógica 4

Parámetros h (parámetros híbridos).

i1 i2
v1 || h || v2
i1 i2

v1 = h11 · i1 + h12 · v2
i2 = h21 · i1 + h22 · v2

v1
h11 = hi= hinput = i . Tiene dimensiones de impedancia [].
1 v 2 0

v1
h12 = hr= hreverse = v . Es adimensional (Ganancia de tensión).
2 i1 0

i2
h21 = hf= hforward = i . Es adimensional (Ganancia de corriente).
1 v 2 0

i2
h22 = ho= houtput = v . Tiene dimensiones de admitancia [-1 = siemens].
2 i1 0

EMISOR COMÚN
i1 hie i2
B C

+ hfe ·i1
v1 hoe v2
hre ·V2
E E

∙ 4 ∙
 Electrónica Analógica 4

Modelo en parámetros híbridos para transistores bipolares (baja frecuencia y pequeña

señal):

Nota: En los transistores bipolares, la mayor parte de las veces es posible trabajar con un
modelo simplificado haciendo hr=0 y ho = 0.

Modelo en parámetros híbridos para transistores FET (baja frecuencia y pequeña señal):

Nota: Debido a la elevada impedancia de entrada que presentan los transistores FET, es habitual
considerar RG como infinito, por lo que no aparecería en el modelo final.

∙ 5 ∙
Electrónica Analógica 4

Parámetros g.

i1 i2
v1 || g || v2
i1 i2

i1 = g11 · v1 + g12 · i2
v2 = g21 · v1 + g22 · i2

i1
g11 = v . Tiene dimensiones de admitancia [-1 = siemens].
1 i2  0

i1
g12 = i . Es adimensional (Ganancia de corriente).
2 v1 0

v2
g 21 = v . Es adimensional (Ganancia de tensión).
1 i2  0

v2
g22 = i . Tiene dimensiones de impedancia [].
2 v1 0

i1 g22 i2
g12 ·i2 +
v1 g11 v2
g21 ·v1

∙ 6 ∙
 Electrónica Analógica 4

2.- RESPUESTA EN FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR

La variación de la ganancia con la frecuencia recibe el nombre de respuesta en

frecuencia del amplificador.

En la descripción de la respuesta en frecuencia de un amplificador suelen aparecer

los siguientes términos.

o Ganancia a frecuencias medias: Ganancia del amplificador a la mitad del campo

normal de frecuencia de funcionamiento.

o Frecuencia de corte superior: Mínima frecuencia, por encima de la cual la

ganancia del amplificador cae por debajo de 3 dB.

o Frecuencia de corte inferior: Máxima frecuencia, por debajo de la cual la

ganancia del amplificador cae por debajo de 3 dB.

∙ 7 ∙
Electrónica Analógica 4

Frecuencia de corte inferior.

Efecto de los condensadores de acoplamiento.

En algunos montajes es habitual colocar en serie los denominados condensadores
de acoplamiento para pasar la señal de una etapa a otra. Si se eligen de forma
adecuada, éstos tienen poco efecto sobre las señales alternas en el intervalo de
frecuencias para el que se diseñó el amplificador, pero bloquean cualquier componente
continua de la señal (un condensador en continua se comporta como un cortocircuito).

Los condensadores
serie presentan un
efecto filtro paso alto

∙ 8 ∙
Electrónica Analógica 4

Frecuencia de corte superior.

Mientras que los condensadores de acoplamiento se introducen en el circuito por

decisión del diseñador, a menudo se presenta una capacidad paralela como efecto
lateral indeseable del método de diseño del circuito.
Cualquier par de conductores adyacentes presenta una capacidad. Cuando ésta no
es intencional, se denomina capacidad parásita. En consecuencia, existe inevitablemente
cierta cantidad de capacidad parásita entre el camino de las señales y tierra.

superior

Los condensadores en
paralelo presentan un
efecto filtro paso bajo

∙ 9 ∙
Electrónica Analógica 4

Efectos combinados de las frecuencias de corte.

Efecto de la resistencia de la fuente.

La presencia de una resistencia

en la fuente cambia no sólo la
ganancia de la red, sino también
su frecuencia de corte

∙ 10 ∙
 Electrónica Analógica 4

Causas de la pérdida de ganancia con la frecuencia.

1
En los circuitos amplificadores aparecen elementos reactivos tipo condensador : Z C 
jwC
Estos elementos reactivos lo constituyen:
 Condensadores de acoplo y desacoplo.
 Capacidades internas del elemento activo y capacidades parásitas.

La pérdida de ganancia es debida:

 Al aumento de la impedancia de los condensadores de acoplo y desacoplo en bajas
frecuencias.
 Al aumento de las capacidades internas del elemento activo a altas frecuencias.

En consecuencia, el comportamiento del circuito en alta frecuencia difiere del comportamiento en

baja frecuencia. Se acude a modelos diferentes para cada uno de los márgenes de frecuencia:
 Baja frecuencia: Modelo en h
 Baja frecuencia: Modelo en 

∙ 11 ∙
 Electrónica Analógica 4

3.- ETAPAS AMPLIFICADORAS CON TRANSISTORES.

Recordatorio de transistores.

La unión pn que une la región de la base y del colector se llama unión base-emisor.
La unión pn que une la región de la base y la de colector se llama unión base-colector

La dirección de la flecha en el terminal emisor es la dirección de la corriente convencional. La

corriente del emisor es la suma de la corriente de colector y de la pequeña corriente de base.
IE = IC + IB

+ –
+ –
IC IC
IC IC
n IB p IB
IB IB
+ p + – n –
n p
IE IE
IE IE
– +
– +
npn pnp

∙ 12 ∙
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Circuitos de polarización con un transistor.

Circuitos de polarización de c.d. del transistor

La ganancia de corriente de c.d de un transistor( beta de c.d) es la relación de los niveles

de IC e IB.
IC
 CD   hFE Los valores típicos van desde 20 hasta 400.
IB

Alfa de c.d es la relación de IC e IE

IC
 CD  varía de 0.95 hasta 0.99 <1 siempre
IE

∙ 13 ∙
Electrónica Analógica 4

Funcionamiento como amplificador.

Para que opere como amplificador, la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión
base-colector polarizada en inversa.

Para los npn, el colector es más positivo que la base, que a su vez es más positivo que el
emisor.

BC reverse-
biased
+
+
–
+ –
+ –
BE forward-
–
biased

Para los pnp, los voltajes son inversos para mantener la polarización.

BC reverse-
biased
–
+ –
–
– +
+
BE forward-
+ biased

∙ 14 ∙
Electrónica Analógica 4

Configuraciones del transistor.

Posibles configuraciones del transistor:

Emisor común: amplificación
Base común: fuente de corriente
Colector común: adaptar impedancias.

Base común Colector común

Emisor común

∙ 15 ∙
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4.- RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA DE UNA ETAPA

AMPLIFICADORA EN EMISOR COMÚN.

La etapa amplificadora en emisor común.

Fuente de continua
(polarización del Tr.)

Condensador
Condensador de acoplo
de acoplo

Us
Ue Condensador
de desacoplo

Para el estudio de esta etapa amplificadora se hará:

 Se tomará el circuito equivalente en pequeña señal, que se construye sustituyendo el
transistor por su modelo equivalente en parámetros híbridos y apagando las fuentes de
continua.
 Se obtendrá la ganancia correspondiente a frecuencias medias, para lo que
consideraremos como cortocircuitos todos los condensadores de acoplo y desacoplo.
 Se analizará por separado la respuesta en frecuencia de cada condensador de acoplo y
desacoplo, considerando como CORTOCIRCUITOS el resto de condensadores no
estudiados.

∙ 16 ∙
 Electrónica Analógica 4

Circuito equivalente en pequeña señal.

Modelo en h
B ib C

Ue Us
Rb=R1//R2
E E Se apaga la
Se apaga la continua
continua

Circuito equivalente a frecuencias medias.

Como se ha comentado anteriormente, a frecuencias medias los condensadores que afectan a

baja frecuencia se consideran cortocircuitos.
ib

Ue V* Us

Us  hfe  ib  Rc // RL  V* Rb // hie

A V ( fm)   V *  hie  ib  ib  V*   Ue
Ue Ue hie Rb // hie  Rg
Us  hfe  ib  Rc // RL   hfe  Rc // RL  1 Rb // hie
A V ( fm)       Ue
Ue Ue Ue hie Rb // hie  Rg
 hfe  Rc // RL  Rb // hie
A V ( fm)  
hie Rb // hie  Rg

∙ 17 ∙
 Electrónica Analógica 4

Efecto del condensador de acoplo de entrada Cc1. Zcc2 = 0

ib

Zcc1=1/(jwC1)

Ue V* Us

ZCE = 0

Us  hfe  ib  Rc // RL  V*
A V (Cc1)   V *  hie  ib  ib 
Ue Ue hie

V* 
Rb // hie
 Ue 
Rb // hie   jwC1  Ue
 1  Rb // hie  Rg  jwC1  1
Rb // hie   Rg  
 jwC1 

 hfe  Rc // RL  1 Rb // hie   jwC1  Ue

A V (Cc1)   
Ue hie Rb // hie  Rg  jwC1  1

 hfe  Rc // RL  Rb // hie  Rg Rb // hie   jwC1

A V (Cc1)   
hie Rb // hie  Rg Rb // hie  Rg  jwC1  1
Av(fm)

A V (Cc1)  Av ( fm) 
Rg  Rb // hie   jwC1  Av( fm)  Zthc1 jwC1  Av( fm)  1
1  Rg  Rb // hie   jwC1 1  Zthc1 jwC1 1
1
Zthc1  jwC1

donde Zthc1 es la impedancia Thevenin vista desde los terminales del condensador Cc1.

1 1
Entonces: wc (Cc1)   fc (Cc1) 
Zthc1 C1 2    Zthc1 C1

∙ 18 ∙
 Electrónica Analógica 4

Efecto del condensador de acoplo de salida Cc2. Zcc2 = 1/(jwCc2)

Zcc1 = 0
V**
Ue
V* Us

ZCE = 0

Us RL   1 
A V (Cc 2)  Us  V * V *  hfe  ib  Rc //  RL  
Ue 1 jwC 2
RL    
jwC 2

1 RL  jwC 2  Rc  1  RL  jwC 2  
A V (Cc 2)     hfe  ib 
Ue 1  RL  jwC 2  1  Rc  RL   jwC 2 
V** Rb // hie
V * *  hie * ib  ib  V**   Ue
hie Rg  Rb // hie

 hfe  Rc // RL   Rb // hie  Rc  RL   jwC 2

A V (Cc 2)  
hie  Rb // hie  Rg 1  Rc  RL   jwC 2
Av(fm)

A V (Cc 2)  Av ( fm) 
Rc  RL   jwC2  Av( fm)  Zthc 2  jwC2  Av( fm)  1
1  Rc  RL   jwC 2 1  Zthc 2  jwC 2 1
1
Zthc 2  jwC 2

donde Zthc2 es la impedancia Thevenin vista desde los terminales del condensador Cc2.

1 1
Entonces nuevamente: wc (Cc 2)   fc (Cc 2) 
Zthc 2  C2 2    Zthc 2  C2

∙ 19 ∙
Electrónica Analógica 4

Efecto del condensador de desacoplo CE.

Zcc2 = 0
ib

Zcc1 = 0
V*
Ue
Us
(1+hfe)·ib

ZCE = 1/(jwCE)

Us  hfe  ib  Rc // RL 
A V (CE)  
Ue Ue
 1 
V *  hie  ib  (1  hfe )  ib   RE //   hie  (1  hfe )  Zeq ib
 jwCE 
Rb//Rg
Ue  V * V * Rb  Rg  Ue 
iRg  iRb  ib    ib  V *     ib 
Rg Rb Rb  Rg  Rg 

Rb // Rg   Ue  ib   hie  (1  hfe)  Zeq ib  ib  Rb // Rg


Ue
 Rg  Rb // Rg  hie  (1  hfe)  Zeq Rg
Rb // Rg hie 1 Ue 1 Rb // Rg // hie Ue
ib      
Rb // Rg  hie hie 1
(1  hfe )  Zeq Rg hie
1
(1  hfe )  Zeq Rg
Rb // Rg  hie Rb // Rg  hie
 hfe  Rc // RL  1 Rb // Rg // hie Ue
A V (CE)    
Ue hie (1  hfe )  Zeq Rg
1
Rb // Rg  hie
 hfe  Rc // RL  Rb // hie  Rg   hfe  Rc // RL 
A V ( fm)        Rb // hie // Rg
hie Rb // hie  Rg  Rg  hie  Rg

∙ 20 ∙
 Electrónica Analógica 4

1
A V (CE)  Av ( fm) 
(1  hfe )  Zeq
1
Rb // Rg  hie
Desarrollando Zeq y operando se llega a:
1
1
1 jwCe Re hie  Rg // Rb  jwCe Re
  
(1  hfe )  Zeq wCe Re hie  Rg // Rb  Re·(1  hfe )  (hie  Rg // Rb)
1 1
Rb // Rg  hie (hie  Rg // Rb)· jwCe Re

1 1
1 1
jwCe Re  1  hfe  jwCe Re
   
1  1  hfe  1  1
1
Re·(hie  Rg // Rb)· jwCe Re·(1  hfe)//(hie  Rg // Rb)· jwCe
Re·(1  hfe )  (hie  Rg // Rb) Zthce (1  hfe )

donde Zthce es la impedancia Thevenin vista desde los terminales del condensador Cce.

1
1
jwCe Re
A V (CE)  Av ( fm)·
1
1
Zthce·· jwCe

Una vez más se cumple que:

1 1
wc (Cce )   fc (Cce ) 
Zthce  Ce 2    Zthce  Ce

∙ 21 ∙
 Electrónica Analógica 4

5.- MÉTODO APROXIMADO DE LA FRECUENCIA DE

CORTE INFERIOR.
Cada condensador que se añade introduce un nuevo término en el diagrama de Bode.
Puede ocurrir que este nuevo término tenga una frecuencia de corte que tenga influencia en la
correspondiente a la que introduce otro condensador. En ese caso hay que analizar el efecto
combinado de ambos condensadores en lo que a respuesta en frecuencia se refiere.

Se considera que el comportamiento en frecuencia de dos condensadores no

interacciona entre sí cuando, calculando las frecuencias de corte individuales
de cada uno de ellos, éstas distan como mínimo una década.

Polo dominante en baja frecuencia.

En caso de tener varios polos en baja frecuencia, distantes entre sí una década o más, se
considera polo dominante aquél que introduce la MAYOR frecuencia de corte de todas. Esta
frecuencia de corte se denomina frecuencia de corte inferior del sistema.
Polo dominante en alta frecuencia.
En caso de tener varios polos en alta frecuencia, distantes entre sí una década o más, se
considera polo dominante aquél que introduce la MENOR frecuencia de corte de todas. Esta
frecuencia de corte se denomina frecuencia de corte superior del sistema.
Estimación de la frecuencia de corte inferior cuando existen interacciones. Método de
las constantes de tiempo en cortocircuito.
Para estimar la frecuencia de corte inferior (wL) de un circuito equivalente en baja
frecuencia que contenga N condensadores, calcularemos primero los recíprocos:
1 Rthi = Resistencia Thevenin equivalente vista desde los
w Li 
Rthi  C i terminales del condensador Ci

A continuación estimaremos la frecuencia de corte inferior como:

N
w L   w Li
i1

∙ 22 ∙
 Electrónica Analógica 4

6.- MODELOS DEL TRANSISTOR EN ALTA FRECUENCIA.

Introducción.
Los transistores bipolares y los de efectos de campo, constituyentes fundamentales de los
amplificadores electrónicos, contienen capacidades parásitas no lineales que limitan su
velocidad de respuesta cuando las señales cambian rápidamente; esto es, cuando
trabajan a alta frecuencia.

Los modelos que se estudiarán en este tema son modelos en pequeña señal y alta
frecuencia. Se trata de versiones linealizadas de los modelos no lineales de gran señal del
transistor. Como en aquellos, son funciones dependientes del punto de trabajo (Q) y sólo
son válidos cuando las señales tienen amplitudes pequeñas. Estos modelos permiten
comprender el funcionamiento en alta frecuencia de los circuitos electrónicos lineales y
hacer estimaciones manuales en el análisis y el diseño.

Uno de los modelos lineales más usados en alta frecuencia es el denominado modelo en
. En este tema se van a estudiar cómo se representan con este modelo cada uno de los
diferentes tipos de transistores básicos.

En este tema se demostrará que estas capacidades internas de los transistores, producen
frecuencias de corte superior en los amplificadores.

∙ 23 ∙
Electrónica Analógica 4

Modelo de los transistores FET.

El FET como cuadripolo.

Modelo equivalente en pequeña señal y BAJA frecuencia.

Modelo equivalente considerando el cuerpo Modelo equivalente sin considerar el cuerpo

∙ 24 ∙
Electrónica Analógica 4

Modelo equivalente en pequeña señal y ALTA frecuencia.

Las capacidades internas del transistor influyen en alta frecuencia.

Esta influencia conduce a un nuevo modelo: el modelo en .

∙ 25 ∙
Electrónica Analógica 4

Modelo de los transistores BJT.

Modelo equivalente en pequeña señal y BAJA frecuencia.

∙ 26 ∙
Electrónica Analógica 4

Modelo equivalente en pequeña señal y ALTA frecuencia.

Las capacidades internas del transistor influyen en alta frecuencia.

Esta influencia conduce a un nuevo modelo: el modelo en .

rbb’ = Resistencia lateral de base. rce = Resistencia dinámica salida C-E.

rb’e = Resistencia dinámica de la unión B-E. Cce = Capacidad parásita de cableado C-E.
Cb’e = Efecto capacitivo de la unión B-E. gm= Transconductancia.
rb’c = Resistencia de modulación de base. Cb’c= Efecto capacitivo de la unión C-B.

∙ 27 ∙
Electrónica Analógica 4

Normalmente se suelen despreciar los efectos de rbb’, rce, rb’c y Cce. En ese caso, se acude al
siguiente modelo simplificado.

Inconveniente del análisis en alta frecuencia.

Una vez conocido el modelo del transistor, sustituyendo éste en el circuito del amplificador y aplicando la
teoría de circuitos se podría llegar a una expresión de la ganancia.

El principal inconveniente es que aparece un condensador que une las redes de entrada y de salida,
complicando mucho los desarrollos.

Este condensador complica

mucho los desarrollos.

∙ 28 ∙
 Electrónica Analógica 4

7.- TEOREMA DE MILLER.

Enunciado.

El teorema de Miller proporciona un método para sustituir una

impedancia (Z), situada entre dos nodos con tensiones Vx y Vy
(ambas diferentes de la referencia), en otras dos impedancias (Z1
y Z2) localizadas entre los nodos X e Y anteriores y el punto de
referencia o masa. Estas nuevas impedancias dependen del valor
de la impedancia original (Z) y de un nuevo término (A),
denominado “ganancia de Miller”.

Existe un problema en el teorema de Miller: la única forma de hallar el verdadero valor de

la ganancia de Miller en un circuito completo sería analizar la red original y es justamente
lo que queremos evitar. La alternativa consiste en realizar la denominada aproximación
de Miller, que consiste en considerar que las tensiones Vx y Vy son las que se originan
considerando el análisis de la red original sin la impedancia Z.

Esto conduce a dos circuitos (original y equivalente) que tienen la misma ganancia de
tensión e impedancia de entrada. Sin embargo, la impedancia de salida depende de
aplicar la excitación a la salida; por lo que puede ser distinta en ambos equivalentes.

∙ 29 ∙
Electrónica Analógica 4

Aplicación del teorema de Miller al análisis de alta frecuencia.

Dado el esquema de un circuito amplificador, lo primero que se hace es sustituir el
transistor por su modelo equivalente.

Hecho esto, se aplica el teorema de Miller, a fin eliminar el condensador que une las
redes de entrada y salida (Cgd en este caso).

Nota: Observe cómo la aplicación del teorema de Miller, hace aparecer en la red de
entrada un nuevo condensador con una capacidad multiplicada por un término en el que
aparece la transconductancia, que suele ser de elevado valor. Esta nueva capacidad
suele ser la que genera la frecuencia de corte superior.

∙ 30 ∙
 Electrónica Analógica 4

8.- APROXIMACIÓN DEL POLO DOMINANTE.

Una vez que se tiene el equivalente en pequeña señal del circuito, este método de
análisis consiste en lo siguiente:

Análisis en BAJA frecuencia.

Se analizarán los individualmente los condensadores que afectan en baja
frecuencia (acoplo y desacoplo). Para ello los condensadores de alta frecuencia se
consideran circuitos abiertos y los de baja frecuencia que no sean el condensador
que se analiza en cada momento se considerarán cortocircuitos.

Cada condensador de baja frecuencia aportará una frecuencia candidata a ser

considerada la frecuencia de corte inferior. La MAYOR de todas ellas será
considerada la frecuencia de corte inferior del circuito, si dista de las demás como
una distancia igual o superior a 1 década.

∙ 31 ∙
Electrónica Analógica 4

Análisis en ALTA frecuencia.

Se analizarán los individualmente los condensadores que afectan en alta
frecuencia (paralelo). Para ello los condensadores de baja frecuencia (acoplo y
desacoplo) se consideran cortocircuitos y los de alta frecuencia que no sean el
condensador que se analiza en cada momento se considerarán circuitos abiertos.

Cada condensador de alta frecuencia aportará una frecuencia candidata a ser

considerada la frecuencia de corte superior. La MENOR de todas ellas será
considerada la frecuencia de corte superior del circuito, si dista de las demás
como una distancia igual o superior a 1 década.

En el circuito anterior, el método del polo dominante daría la siguiente frec. de corte
superior:

∙ 32 ∙
 Electrónica Analógica 4

9.- MÉTODO DE LAS CONSTANTES DE TIEMPO EN

CIRCUITO ABIERTO.

Para estimar la frecuencia de corte superior (wH) de un circuito equivalente en alta

frecuencia con M condensadores, calcularemos primero M constantes de tiempo

1 Ci = Capacidad del condensador considerado.

Rth i  C i  Rthi = Resistencia Thevenin equivalente vista
w Hi desde las bornas del condensador
considerado.

Una vez hecho esto, es posible estimar la frecuencia de corte superior aplicando la
ecuación:
M M
1 1
   Rthi  Ci
wH i1 wHi i1

Ejemplo:

∙ 33 ∙
 Electrónica Analógica 4

10.- FRECUENCIAS DE CORTE DE UN AMPLIFICADOR.

El amplificador va a tener diferentes comportamientos, según la zona de

frecuencia en la que estemos.

Es habitual utilizar la aproximación del polo dominante para expresar la función de

transferencia de un amplificador de la siguiente forma:

jw  w E 1 1 1
A( jw )  A ( fm)   wL   
jw  w L 1  j w i Zthi  C i
wH
1 1
wH  
 j  Zth j  C j
Donde C es la capacidad de cada condensador y Zth la impedancia Thevenin vista
desde las bornas de cada condensador.

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 Electrónica Analógica 4

11.- PRODUCTO GANANCIAxANCHO DE BANDA.

 El producto Ganancia·Ancho de Banda es un factor de mérito o de calidad de un

amplificador.

|A(frec.medias) · Anch Banda| = |A(fm) · (fcs-fci)|  |A(fm) · fcs)|

ya que fcs >> fci.

 El producto depende de las resistencias de carga y del generador, y es constante para

unos valores determinados de estas resistencias.

 No podremos disminuir la ganancia para aumentar el ancho de banda, ya que ambos

dependen de estas resistencias.

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