Carlos Rodríguez

Transistor Bipolar

1. Definición:

Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy

cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de
controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de
bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de
gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes,
entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

2. Tipos y estructura:

Representación gráfica transistor bipolar P-N-P y N-P-N

El emisor (E) ha de ser una región muy dopada (de ahí la indicación p+). Cuanto más
dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.

La base (B) ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca
recombinación en la misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de emisor
pase a colector, como veremos más adelante. Además, si la base no es estrecha,
el dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos
diodos en oposición se tratase.

El colector (C) ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las
características de esta región tienen que ver con la recombinación de los portadores
que provienen del emisor. En posteriores apartados se tratará el tema.
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3. Funcionamiento:

En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa,

mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el
emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de
portadores, y la mayoría pasa al colector.

El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un

dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen
que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo
inverso. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el
emisor y el colector. La unión colector-base está polarizada en inversa durante la
operación normal. Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-
emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie
significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensión o
corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente
controladas por tensión, pero son caracterizados más simplemente como fuentes de
corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja
impedancia de la base.

 ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO

Se diferencian tres estados de funcionamiento, que dependen de las características

dinámicas del circuito en el que va conectado. Estas características son:

a) Saturación: El transistor permite el paso de corriente desde el colector al

emisor. De todas formas esta corriente no puede ser demasiado elevada, ya
que la propia corriente calienta al transistor por efecto Joule y si se calienta
excesivamente, puede estropearse de forma permanente. Para un transistor de
silicio que se encuentra en saturación la tensión entre la base y el emisor es de
0,7 V y entre la base y el colector de unos 0,5 V, de donde se deduce que la
tensión entre el colector y el emisor será de unos 0,2 V.

b) Corte: En este estado el transistor no permite el paso de corriente entre el

colector y el emisor, se comporta como si fuera un interruptor abierto. Para un
transistor de silicio que se encuentra en corte las corrientes de emisor y de
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colector son nulas y las tensiones entre la base y el emisor y entre la base y el
colector son ambas menores de 0,7 V.

c) Amplificación: Cuando un transistor se encuentra en este estado de

funcionamiento, permite amplificar la potencia de una señal.

4. Aplicaciones:

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

 Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)

 Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de
radiofrecuencia)
 Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de
alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de
impulsos PWM)
 Detección de radiación luminosa (fototransistores).

5. Ejemplo

6. Ejercicio
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Transistor efecto de campo

1. Definición:

Los transistores de efecto de campo, conocidos generalmente como TEC (o FET

por sus siglas en ingles), son un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto
en forma de electrones como de huecos. En un FET de canal n, la corriente se debe a
electrones, mientras que en un FET de canal p, se debe a huecos. Ambos tipos de
FET se controlan por una tensión entre la compuerta y la fuente.

2. Tipos y estructura:

Transistores de efecto de Campo (TEC) con sus símbolos

correspondientes

Los símbolos ilustrados se refieren al transistor de efecto de campo de

juntura. Los TEC a y b han sido indicados como tipos N y P de acuerdo al empleo
de los materiales tipo N y P en la fabricación de estos dispositivos.

El TEC tiene tres elementos. El terminal ánodo se conoce como el drenaje y

el terminal cátodo se conoce como fuente. El drenaje equivale al colector. La
fuente equivale al emisor de un transistor bipolar. La puerta equivale a la base.
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3. Funcionamiento:

Se consideran tres tipos principales de FET:

El primero de ellos, el JFET, ya no se trata de una combinación tan sencilla

entre los semiconductores como en el caso de los transistores N-P-N, P-N-P.
Ahora la forma de obtenerlos es algo más rebuscada. Sin embargo, sus
propiedades hacen que merezca la pena su construcción, ya que son utilizados en
gran medida por los fabricantes de circuitos electrónicos.

A su vez existen dos tipos de transistores JFET. La razón es sencilla, si

tomamos uno de ellos y cambiamos los tipos de semiconductores, es decir, donde
hay semiconductores de tipo P ponemos semiconductores de tipo N y viceversa,
obtenemos otro transistor JFET pero de características distintas.

Así pues, para distinguirlos, llamamos FET de canal p al primero y FET de

canal n al segundo. Veremos cómo las propiedades de ambos no sólo son distintas
sino que son más bien opuestas.

Para aplicar su funcionamiento hay que tener en cuenta que tenemos dos
tipos distintos de voltajes. Esto es debido a que el FET consta de tres
semiconductores unidos y por tanto existen dos zonas de unión entre ellos. Así
pues, vamos a considerar la diferencia de potencial entre drenaje y fuente a la que
llamaremos Vds, y la diferencia de potencial entre puerta y fuente la cual estará
representada por Vgs.

Estudiar las características de un transistor consta en “jugar” con las dos

tensiones de que disponemos, aumentándolas, disminuyéndolas y observando qué
pasa con la corriente que lo atraviesa.
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Para estudiar su comportamiento, vamos a dejar fija la tensión entre la

puerta y la fuente, Vgs, y vamos a suponer que variamos la tensión entre el
drenador y la fuente, Vds.

Se pueden distinguir tres zonas según vamos aumentando el potencial Vds,

estas son: zona óhmica, zona de saturación y zona de ruptura.

En la zona óhmica, el transistor se comporta como una resistencia (óhmica),

es decir, si aumentamos el potencial, Vds, crece la corriente (y) en la misma
proporción, esta situación se mantiene así hasta que el potencial alcanza un valor
aproximadamente de unos cinco voltios. A partir de este valor, si seguimos
aumentando esa diferencia de potencial entre drenador y fuente, es decir, si
seguimos aumentando Vds, el transistor entra en la zona de saturación. Aquí su
comportamiento es totalmente distinto al anterior, ya que, aunque se siga
aumentando Vds, la corriente permanece constante. Si seguimos aumentando el
potencial Vds de nuevo, llagamos a un valor de éste a partir del cual el
comportamiento del transistor vuelve a cambiar. Este valor tiene que ser del orden
de 40 voltios. Decimos entonces que hemos entrado en la zona de ruptura. A
partir de este punto la corriente i puede circular libremente, independientemente
de que sigamos aumentando el valor de Vgs. Es esta la razón por la cual los JFET
se pueden utilizar como interruptores de encendido y apagado, propiedad esta
fundamental en la computación. Un JFET se encuentra en estado OFF (interruptor
cerrado) cuando Vds es cero, ya que no pasa corriente alguna, y en estado ON
(interruptor abierto) cuando Vds pasa de los 40 voltios. Evidentemente, estos
valores reales dependerán del tipo de transistor del que hablemos, ya existen FET
para circuitos integrados y FET de potencia, estos últimos con valores algo
mayores que los primeros.

4. DIFERENCIAS ENTRE FET Y LOS BJT:

Las diferencias más resaltantes entre estos dos dispositivos son:

 La independencia de entrada de los FET es considerablemente mayor que la

de los BJT.
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 Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.

 Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
 Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT, pues suelen
requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones.
 La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el
tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de
almacenamiento, al contrario de los BJT.