UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

Apellidos y Nombres: Nº de Matrícula:

Ochoa salcedo julio cesar 14192042

Curso: Tema:

LABORATORIO
TRANSISTOR BIPOLAR NPN
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

Informe: Fechas: Nota:

previo Realización: Entrega:

Número:
4 de junio 4 de junio
7

Grupo:6 Profesor:

Número: Horario:

jueves Ing. Luis Paretto Quispe

6
2pm a 4pm
3. Determinar el punto de operación del circuito del experimento. (Valores
teóricos Tablas 2, 3 y 5)
DATOS:

 𝑅𝑒 = 220 Ω
 𝑅𝑐 = 1 𝐾Ω
 𝑅1 = 56 𝐾Ω (TABLA 2)

 𝑅1 = 68 𝐾Ω (TABLA 3)
 𝑅2 = 22 𝐾Ω
 𝑉𝑐𝑐 = 12 𝑣.

De los manuales tenemos para el transistor 2SC784(NPN-Ge):

*Por ser de Germanio: 𝑉𝐵𝐸 = 0,2 𝑣 𝛽 = 30

Hallando el punto Q:

TABLA 2.
Valores(R1=56KΩ) Ic (mA) Ib (μA) Β Vce (v.) Vbe (v.) Ve (v.)
Teóricos 3.671𝑚𝐴 122.382µ𝐴 30 7.521𝑣 0,2 v 0.835𝑣

𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= = = 3.385𝑣
𝑅1 + 𝑅2 56𝑘 + 22𝑘

𝑅1 × 𝑅2 56𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 15.795𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 56𝑘 + 22𝑘

𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 3.385 − 0.2

𝐼𝑏 = = = 122.382µ𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 15.795𝑘 + (30 + 1)330

𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 122.382µ × 30 = 3.671𝑚𝐴

𝑉𝑒 = (𝐼𝑏 + 𝐼𝐶 )𝑅𝑒 = (122.382µ + 3.671𝑚)220 = 0.835𝑣

𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − {3.671𝑚(1000 + 220)} = 7.521𝑣

TABLA 3.
Valores(R1=68KΩ) Ic (mA) Ib (μA) β Vce (v.) Vbe (v.) Ve (v.)
Teóricos 3.498𝑚𝐴 116.586µ𝐴 30 7.732𝑣 0,2 0.793𝑣

𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= = = 2.933𝑣
𝑅1 + 𝑅2 68𝑘 + 22𝑘

𝑅1 × 𝑅2 68𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 16.622𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 68𝑘 + 22𝑘

𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 2.933 − 0.2

𝐼𝑏 = = = 116.586µ𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 16,622𝑘 + (30 + 1)220

𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 116.586µ × 30 = 3.498𝑚𝐴

𝑉𝑒 = (𝐼𝑏 + 𝐼𝐶 )𝑅𝑒 = (116.586µ + 3.498𝑚𝐴)220 = 0.793𝑣

𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − {3.498𝑚(1000 + 220)} = 7.732𝑣

TABLA Nº05

 Para P=100 kΩ:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:

𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 100𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟏𝟓𝟔𝑲𝜴

Hallando los siguientes valores:

𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= ′ = = 1.483𝑣
𝑅1 + 𝑅2 156𝑘 + 22𝑘

𝑅1 × 𝑅2 156𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 19.281𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 156𝑘 + 22𝑘

𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 1.483 − 0.2

𝐼𝑏 = = = 49.155µ𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 19.281𝑘 + {(30 + 1)220}

𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 49.155µ × 30 = 1.475𝑚𝐴

𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − 1.475𝑚(1000 + 220) = 10.201𝑣

 Para P=250 kΩ:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:

𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 250𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟑𝟎𝟔𝑲𝜴

Hallando los siguientes valores:

𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= ′ = = 0.805𝑣
𝑅1 + 𝑅2 306𝑘 + 22𝑘

𝑅1 × 𝑅2 306𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 20.524𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 306𝑘 + 22𝑘

𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 0.805 − 0.2

𝐼𝑏 = = = 22.125µ𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 20.524𝑘 + {(30 + 1)220}

𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 22.125µ × 30 = 0.664𝑚𝐴

𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − {0.664𝑚(1000 + 220)} = 11.189𝑣

 Para P=500 kΩ:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:

 𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 500𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟓𝟓𝟔𝑲𝜴

Hallando los siguientes valores:

𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= ′ = = 0.457𝑣
𝑅1 + 𝑅2 556𝑘 + 22𝑘

𝑅1 × 𝑅2 556𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 21.163𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 556𝑘 + 22𝑘

𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 0.457 − 0.2

𝐼𝑏 = = = 9.184µ𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 21.163𝑘 + (30 + 1)220

𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 9.184µ × 30 = 0.275𝑚𝐴

𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − {0.275𝑚(1000 + 220)} = 11.665𝑣

 Para P= 1MΩ:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:

𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 1000𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟏𝟎𝟓𝟔𝑲𝜴

Hallando los siguientes valores:

𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= ′ = = 0.245𝑣
𝑅1 + 𝑅2 1056𝑘 + 22𝑘

𝑅1 × 𝑅2 1056𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 21.551𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 1056𝑘 + 22𝑘

𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 0.245 − 0.2

𝐼𝑏 = = = 1.586µ𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 21.551𝑘 + (30 + 1)220

𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 7.773µ × 110 = 0.0476𝑚𝐴

𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − 0.0476𝑚(1000 + 220) = 11.942𝑣

P1 100kΩ 250kΩ 500kΩ 1MΩ
Ic(mA) 1.475𝑚𝐴 0.664𝑚𝐴 0.275𝑚𝐴 0.0476𝑚𝐴
Ib(µA) 49.155µ𝐴 22.125µ𝐴 9.184µ𝐴 1.586µ𝐴
Vce 10.201𝑣 11.189𝑣 11.665𝑣 11.942𝑣