República Bolivariana de Venezuela.

Ministerio del Poder Popular para la Defensa.

Universidad Nacional Experimental Politécnica de las Fuerzas Armadas.
Núcleo Carabobo. Extensión Guacara.
Ingeniería de Telecomunicaciones.

“Transistor Efecto de Campo”

Profesora: Bachiller:

Katiuska Sánchez. Yendrick Sequeda

“Electrónica I” c.i: 24.644.161

Guacara, abril de 2018.

 Introducción

En la actualidad la electrónica forma parte fundamental en nuestras vidas de

una manera abrumadora, ya que no es difícil notar que cualquier decisión humana
puede ser realizada por un sistema electrónico. Y con el pasar del tiempo este
sistema es modificado, renovado, e incluso mejorado; esta última siendo la más
constante.

Cabe destacar que en el principio de los tiempos estas “soluciones” que hoy
tomamos con simple electrónica no existían, y si lo hacían, su desarrollo era muy
pobre. Pero como todo en este mundo, el estudio constante de la duda sobre ello
hizo que hoy en día los avances en estos inventos tecnológicos sean increíbles, y
nos brinden soluciones a problemas dentro de sus ramas de estudio.

Sabiendo que este mundo que pertenece a la electrónica deriva sus

funcionamientos en base a distintos componentes que la conforman, podemos
centrarnos en algunos de ellos, pero precisamente hoy lo haremos acerca del
causante de muchos desarrollos en el área de audio, video, e incluso
comunicaciones de datos; el muy famoso Transistor, específicamente el FET.

Entraremos un poco en el mundo explicativo de este invento que hoy en día

juega un rol importante en cualquier circuito electrónico.
Historia de los FET:

Julius Edgar Lilienfeld en 1925, diseño un dispositivo que es considerado el

antecesor de los conocidos transistores de la actualidad, esto lo hizo al solicitar en
Canadá una patente para dicho dispositivo, el cual el describió en su solicitud como
“un método y un aparato para controlar las corrientes eléctricas”. Luego de esto, este
físico realizo también peticiones de patentes en Estados Unidos en los años 1926 y
1928, pero con estos últimos no realizó ningún énfasis en publicar algún artículo
referente a la investigación y desarrollo de estos dispositivos. y por Oskar Heil en
1934, pero los dispositivos semiconductores fueron desarrollados en la práctica
mucho después, en 1947 en los Laboratorios Bell, cuando el efecto transistor pudo
ser observado y explicado. El equipo detrás de estos experimentos fue galardonado
con el Premio Nobel de Física. Desde 1953 se propuso su fabricación por Van
Nostrand (5 años después de los BJT). Aunque su fabricación no fue posible hasta
mediados de los años 80’s.