COMPONENTES Y

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
Curso adaptación a Ingeniería Electrónica.
1er cuatrimestre

Juan Antonio Jiménez Tejada

1. 1
HORARIO 1er CUATRIMESTRE:
Martes, miércoles y jueves 13-14h; aula C22

TEMARIO TEORÍA 1er CUATRIMESTRE

INTRODUCCIÓN 1 HORA
TEMA 1. COMPONENTES ELECTRÓNICOS (I) 4 HORAS Calendario de prácticas
Primer cuatrimestre
TEMA 2. CIRCUITOS FUNDAMENTALES.CONCEPTOS BÁSICOS.4
HORAS MARTES 4.30-7.30

TEMA 3 AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEAL 6 HORAS 1 18-oct-11

TEMA 4 DIODOS 7 HORAS 2 8-nov-11
TEMA 5 AMPLIFICADOR OPERACIONAL. APLICACIONES NO 3 22-nov-11
LINEALES. 5 HORAS 4 13-dic-11
Total: 27 horas
5 17-ene-12

Segundo cuatrimestre
PROFESORADO: MARTES 4.30-7.30 (no definitivas)
Prof. Juan Antonio Jiménez Tejada. Teoría, prácticas y problemas 1er
1 10-abr-12
Cuatr., prácticas laboratorio 2º Cuatr. (JAJT)
2 24-abr-12
Prof. Salvador Rodríguez Bolívar. Teoría, problemas, prácticas 2º
Cuatr. (SRB) 3 8-may-12
4 15-may-12
5 22-may-12
COMPONENTES Y CIRCUITOS ELECTRONICOS
PRIMER CUATRIMESTRE
Conceptos básicos:
Notación y tipo de señales.
Espectro de Fourier.
Componentes pasivos, parámetros característicos.
Concepto de amplificación e inversor lógico.
Herramientas de simulación de circuitos: SPICE
PRÁCTICA 1: Repaso conceptos circuitos pasivos: señal dc, ac, respuesta transitoria, diagrama de Bode, medida de
equivalente Thèvenin. Simulación con SPICE.
Amplificador operacional.
Modelo ideal. Configuraciones básicas (inversor, no inversor, sumador, derivador, integrador, diferencial).
Modelo real (ancho de banda-ganancia, slew-rate, tensión Offset, corrientes de polarización).
PRÁCTICA 2. Filtro paso alta con amplificador operacional real. Bode. Respuesta a señales de pulsos y triangulares a
distintas frecuencias.
Semiconductores en equilibrio.
Electrones de conducción, niveles energéticos, bandas de energía.
Impurificación, tipos de portadores de carga y de semiconductores.
Concepto de nivel de Fermi. Densidad de carga móvil y fija. Ecuación neutralidad.
Concepto corriente de arrastre (conductividad) y de difusión.
Diodos.
Funcionamiento de una unión pn. Curva I-V cualitativa.
Carga espacial: relación con tensión aplicada.
PRÁCTICA 3: Relación densidad de carga móvil con el nivel de Fermi y la temperatura. Relación carga espacial con la
tensión aplicada y dopado (estudio cualitativo).
Conducción en inversa.
Dispositivos basados en uniones.
Modelos de gran y pequeña señal.
PRÁCTICA 4. Circuitos básicos con diodos (respuesta transitoria permanente).
Aplicaciones no lineales con amplificador operacional.
Limitadores y comparadores.
Rectificadores.
Generadores de tramos.
Concepto de realimentación positiva.
PRÁCTICA 5. Detector de pico.
CRITERIOS DE EVALUACIÓN

PARA APROBAR LA ASIGNATURA SE HARÁ MEDIA ENTRE LAS NOTAS DE PRÁCTICAS, PROBLEMAS Y EXAMEN DE
ASIGNATURA SEGÚN EL PORCENTAJE QUE SE VE A CONTINUACIÓN

PRÁCTICAS
INDIVIDUALES
25%
EXAMEN ORAL DE PRÁCTICAS SEGÚN CALENDARIO

PROBLEMAS
INDIVIDUALES
OBLIGATORIOS
15%
EXAMENES ORALES DE PROBLEMAS

EXAMEN DE ASIGNATURA
60%

ACTIVIDADES PRÁCTICAS
LAS PRACTICAS Y PROBLEMAS PRESENTADOS FUERA DE PLAZO ESTARÁN PENALIZADOS. (Nota máxima de 10 puntos si
se entrega en plazo, hasta 7 puntos si se entrega dentro de una semana después, hasta 5 puntos pasado una semana y hasta 7 días antes del
examen oficial de cuatrimestre, “No Presentado” pasada esa fecha).

Se mantiene la nota de problemas y prácticas en la convocatoria de septiembre.

Guión obligatorio de una práctica por cuatrimestre asignada a cada estudiante por los profesores de prácticas. Plazo de entrega: hasta 14
días después de la finalización de la última sesión de prácticas.

EXÁMENES
Exámenes ordinarios: 1er parcial, 2º parcial-final, exámenes orales de actividades prácticas a lo largo del curso.
Examen de septiembre 2011: Examen de teoría, problemas y de prácticas. Se mantendrá la nota de problemas y de prácticas para la
convocatoria de Septiembre.
Examen de diciembre 2010: Examen de asignatura (75%) + prácticas de primer cuatrimestre (25%).

1. 4
 SEÑALES ELÉCTRICAS.
CONCEPTOS BÁSICOS
Señal física Transductor Señal eléctrica

Teoremas Thevenin,
Procesamiento de señales eléctricas. Norton
Funciones más significativas:
•Amplificador (electrónica analógica)
•Inversor lógico (electrónica digital)
•Conversores A/D, D/A

Componentes
1. 5
 Señal física: espectro de Fourier, suma de armónicos
∞ T
1
∑ce
Representación dominio Tiempo
f (t ) = n
jnω0t
, cn = ∫ f (t )e − jnω0t dt: señal periódica ω0 ≡ 2π / T
T0
↔ n =−∞
∞ ∞
1
Representación dominio Frecuencia. f (t ) = ∫ F (ω )e dω , F(ω ) = jωt
∫ f (t )e − jωt dt: señal arbitraria
−∞
2π −∞

Señal Cuadrada Periódica

Aplicando el desarrollo en Serie de Fourier:

Espectro discreto de la
onda cuadrada.
ω0=2π/T armónico fundamental.

AC
4V ⎛ 1 1 ⎞
V (t ) = ⎜ 0 + sen ( ω t ) + sen ( 3ω t ) + sen ( 5ωo t ) + ... ⎟ 1
T
c0 = ∫ f (t )dt = 〈 f (t )〉
π ⎝ o
3
o
5 ⎠ T 0
DC 1. 6
Notación señales. Fuente de alimentación DC.

Magnitudes dc ≡ I A , VC ;
Señal Salida procesada.
entrada (AC) Consumo de energía
Magnitudes ac ≡ ia (t ), vc (t )
Valor instantáneo total: iA (t ) = I A + ia (t ); vC (t ) = VC + vc (t )
Señales armónicas: ia (t ) = I a exp( j (wt + φa ))
Fasor: Ia = I a exp( jφa )
Valor "Root mean square": < V 2 (t ) >
Si V (t ) = Vo sin(ωt ) ⇒ Vo,rms = Vo / 2
Potencia instantanea: P(t ) = i(t )v(t ) = Im sin(ωt + φ )Vm sin(ωt )
T
1 1 1
Potencia media: Pa = P(t ) = ∫ P(t )dt = Vm,rms I m,rms cos φ = Vm Im cos φ = Re( I V )
*

T0 2 2
Notación fasorial ⇒ relación I-V en componentes pasivos ⇒
definición de impedancias ⇒ análisis de circuitos

dv A d (Va exp( jωt ))

iA = I a exp( jωt ) = C =C = jωCVa exp( jωt ); I a = jωCVa ≡ Va / Z C
dt dt
1. 7
 Señales analógicas y digitales. Conversores A/D, D/A.

Señal analógica:
Señal continua.
Toma cualquier valor.

Muestreo de una
señal continua

Señal discreta en
el tiempo (no tiene por
que ser digital)

Vmax
101
Cuantificación.
10 110
0
11
001
000
Codificación
100
...

...

00 111
1 100
010
01 011
Vmin
niveles
1
2
2
2
3
2
N
... 2 Señal digital:
D = b020 + b121 + ... + bN−12N−1 donde bi = 0/1 Toma dos valores.
Número binario: bN-1, bN-2,...,b1, b0
Niveles: 2N, (resolución, error de cuantificación)
1. 8
TEMA 1. COMPONENTES
ELECTRÓNICOS (I)

COMPONENTES PASIVOS

1. 9
 COMPONENTES.
CLASIFICACIÓN.
• Componentes • Componentes
electrónicos: cumplen auxiliares.
funciones eléctricas. o Cables
o Resistores o Sistemas de interconexión
o Condensadores o Interruptores
o Inductores o Conmutadores
o Transformadores o Conectores
o Relés o Radiadores
o Diodos o Sistemas de refrigeración
o Transistores o Bastidores
o Circuitos integrados o Tornillos

1. 10
 COMPONENTES
ELECTRÓNICOS
• Pasivos (no necesitan • Activos
polarización, I-V sencilla) o Diodos
o Resistores o Transistores
o Condensadores o Circuitos integrados
o Inductores
Fuente de alimentación DC.

Señal Salida procesada.

entrada Consumo de energía

1. 11
 COMPONENTES PASIVOS
Componente Magnitud Valor Unidades
electrónico eléctrica
característica
Resistor Resistencia R Ω

Condensador Capacidad C F

Inductor Coeficiente de L H
autoinducción.

1. 12
 Características comunes

• Valor nominal: Valor de la magnitud eléctrica del

componente medida en unas condiciones determinadas (temperatura,
frecuencia, tensión).
• Tolerancia: máxima diferencia que puede existir entre el valor
real de un componente y su valor nominal (variables aleatorias
elaboración del componente).
• Valores normalizados: Valores nominales empleados en
los componentes. No son fruto del azar. Series de números entre 1 y 10
generados por progresión geométrica (espaciados uniformemente en
escala logarítmica). Razón de la serie tal que el número de valores sea
de 3, 6, 12, 24, 48, 96, 192.

Ejercicio: generar las series y calcular la tolerancia de cada una.

1. 13
 Variación de parámetros
• Con la temperatura. - Relación lineal:
P (T ) = P0 (1 + α (T − T0 )),
P0 valor nominal, T0 temperatura nominal
Coeficiente de temperatura:
α = 1/ P(dP / dT ) = d (ln P) / dT
(% / K , ppm / K )
- Relación no lineal: α =α (T) (uso de gráficas)

• Con la tensión. - Relación lineal. Coeficiente de tensión:

β = 1/ P(dP / dV ) = d (ln P) / dV
(% / K , ppm / K )
- Relación no lineal: β =β (T) (uso de gráficas)

• Con la frecuencia - Normalmente no lineal (gráficas)

1. 14
 Limitaciones de funcionamiento

• Por temperatura:
o Temperatura ambiente
o Temperatura y tiempo soldadura
o Potencia disipada en componente

• Por tensión: campo eléctrico de ruptura

o Disrupción dieléctrica.
o Alta corriente

1. 15
 Especificaciones y estándares

• Completas
• Veraces
• Normalizadas
o Condiciones de medida.
o Metodología.
o Terminología
o Estándares [UNE (E), DIN (D), UTE (F)]

1. 16
 Comportamiento térmico.
Papl=Pdis+dEalm/dt Régimen estacionario: Papl=Pdis

Flujo de calor: Pdis=Gth(TC-Tamb)

Gth: conductancia térmica
Rth=1/Gth: Resistencia térmica
P dis
TC=RthPdis+Tamb
Pmax=(Tmax-Tamb)/Rth TC

θjc
θ jc ⎛ 30 C / W (TO99) ⎞
o

⎜ o ⎟ Rth=θjc+θca
silicio - cápsula ⎝ 4 C / W (TO 3) ⎠
θca
θ ca ⎛100 C / W (TO99) ⎞
o

⎜ ⎟
cápsula - ambiente o
⎝ 40 C / W (TO3) ⎠ T amb

θ ca
2 - 30 oC / W
con disipador
1. 17
Régimen no estacionario:

Variación temperatura ambiente C th

P apl
Variación potencia aplicada a componente
TC
Papl=Pdis+dEalm/dt
θjc
Papl=(TC-Tamb)/Rth+CthdTC/dt R th= θjc+ θca

Ealm=CthTC, Cth: capacidad térmica (J/K) θca

T amb
TC=RthPapl+Tamb+A·exp(-t/RthCth)
Constante de tiempo térmica, τth= RthCth

1. 18
Ejemplo:

ƒ Resistencia en régimen continuo.

P=IdcVdc=Idc2R
ΔT=T-Tamb=PRth
Pmax=(Tmax-Tamb)/Rth

ƒ Resistencia en régimen alterno

T<< τth:
ΔT=T-Tamb=PRth=(Vrms2/R)Rth= ΔT
V T/2 Τ<<τ th
=(Vpp2/2)(Rth/R)=50oC
10 V

T>> τth: t

ΔT=T-Tamb=PRth=(V2/R)Rth t
ΔT Τ>>τ th
T
=100oC, nivel alto R=100Ω
Rth=100 oC/W
= 0oC, nivel bajo τt h=0.1s
T

1. 19
 RESISTORES FIJOS.
Clasificación por aspecto físico.
Tipo de resistor
Composición de carbón
Película de carbón (pirolíticos)
Película de metal o de óxido-
metal
Bobinado
Construcción típica
Polvo de carbón mezclado con
adhesivos y moldeado en forma
cilíndrica con los terminales
embutidos en el cuerpo.
Carbón puro depositado sobre un
cilindro de cerámica o vidrio y
sellado herméticamente con
epoxy o pintura.
Película de metal puro o mezcla
de metal con aislantes depositada
sobre sustrato de cerámica o
vidrio, y sellado herméticamente.
Hilo de aleación metálica
bobinado sobre un núcleo
aislante, y recubierto con una
capa vítrea, de silicona o de
barniz.
Aplicaciones y comentarios
Uso general, particularmente si
no hay necesidad de exactitud y
no es necesario trabajar en
condiciones de alta temperatura o
humedad. De bajo coste.
Uso general cuando se necesitan
mejores prestaciones por las
condiciones de humedad y
temperatura.
Utilizados cuando se necesita
bajo coeficiente de temperatura y
gran exactitud para un circuito
crítico. Más caras que las
anteriores.
Utilizados para alta disipación de
potencia o para alta precisión.
Ocupan mucho espacio y son los
más caros.
1. 20
 Resistores fijos.
Clasificación por su uso.
Uso general Composición, de película.
Cilindro lacado con 4 bandas de
colores (resistencia nominal +
tolerancia)

Precisión Película metálica, bobinados. 5 ó 6 bandas de colores,

indicando coeficiente de
temperatura. Se pueden encontrar
también los datos impresos.

Potencia Mayor tamaño, de gran variedad Impresos el valor óhmico y la

de aspectos. potencia nominal.

1. 21
Códigos de resistores
• R: ohmio
• K: kilo
• M: Mega

• F: 1% tolerancia
• G: 2% tolerancia
• J: 5% tolerancia
• K: 10% tolerancia
• M: 20% tolerancia

• Ejemplos: 6K8G 6.8kΩ, 2%

220RK 220Ω, 10%

1. 22
 Códigos de resistores
Figures Tolerance Color
Multiplier Temp. Coeff.

0.01 10% Silver

0.1 5% Golg Figures

0 1 200 Black Multiplier (Ω) -6

Temp. Coeff (10 /K)

1 10 1% 100 Brown
2 100 2% 50 Red
3 1K 15 Orange
4 10K 25 Yellow
Tolerance
5 100K 0.5% Green
6 1M 0.25% 10 Blue
7 10M 0.1% 5 Violet
8 1 Grey
9 White

1. 23
 Comportamiento en frecuencia
Modelo real de resistor
C

R L
Ejercicio: a) Representar el módulo de la impedancia real del resistor
normalizada (|Z(jw)|/R) en función de la frecuencia, admitiendo que la
capacidad parásita es de 1 pF y la inductancia parásita L=1nH. Representarlo
para diferentes valores de R (100Ω, 1kΩ, 10kΩ, 100kΩ, 1MΩ. b) Buscar hojas
características de resistores donde se muestre el comportamiento en frecuencia
y determinar el valor de C y de L.

1. 24
 RESISTORES VARIABLES.
+
VO
-
• Potenciómetro:
• Reostato: 9 Divisor de tensión.
9 R variable. 9 Corriente solo por
9 Toda la corriente por pista resistiva.
contacto central. 9 F(θ) ley de variación
-Lineal (salida fuente
R (θ ) = RT G (θ ), 0 < G (θ ) < 1 alimentación)
θ posición, -Logarítmica
RT resistencia entre terminales fijos (volumen salida
amplificador)
EO (θ ) = ET F (θ ) = ET β ,
0 < β = F (θ ) < 1

1. 25
 Clasificación
• Por uso:
• Retoques de ajuste (envejecimiento componentes, “preset
potentiometers”, “trimming potentiometers”)
• Control (potenciómetro ajuste audio)

• Por construcción:
• Modo de accionar el cursor (una vuelta o multivuelta).
• Naturaleza pista conductora (similar a resistores fijos: bobinado, pista
continua)
Parámetros específicos
• Eléctricos:
• Resistencia mínima absoluta, resistencia terminal, relaciones de voltaje
mínimo y final, resistencia de contacto, corriente máxima por cursor,
ajustabilidad.

• Mecánicos:
• Ángulo mecánico de rotación, ángulo de conmutación, ángulo muerto
de rotación. 1. 26
 RESISTORES NO LINEALES
• Resistores cuya I-V es no lineal.

• Tipos:
– Termistor (variación con temperatura)
– Varistor (variación con campo eléctrico)
– Sensores resistivos (variación con otras magnitudes
físicas: magnetorresistores, fotorresistores)
V
R est = = R( I )
• Resistencia estática I

dV d [ Rest ( I ) I ] dRest
• Resistencia dinámica Rdin = = =I + Rest
dI dI dI

1. 27
 Termistores.

• “Negative temperature coefficient resistors” (NTC)

• Óxidos metálicos con características de semiconductores intrínsecos.
• Modelo empírico
1 1
B( − )
RT = RN e T TN

RT: valor a T
RN: valor a TN (temperatura nominal, 298K)
B (K): constante o variable con T: B(T)=B0(1+β(T-TN))

1. 28
 Característica I-V. Disipación de potencia.

T − Tamb = Rth P
1 1
V B( − )
RthVI + Tamb TN
R= = RN e
I
10
298 K
323 K
Determinación de parámetros. 8 Im,Vm 348 K
373 K

•R(Ti): pendiente a bajas I 6

T2

Tensión (V)
T1
•B: cociente R(T1)/R(T2) 4

•Rth: (T1-T2)/ImVm 2

•Potencia máxima disipable, temperatura 0

máxima o resistencia mínima. -0,02 0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14 0,16 0,18
Corriente (A)

Ejercicio: a) Calcular los valores de R298, R323, B, Rth, la resistencia mínima, y la temperatura
máxima del punto caliente a partir de las curvas de la figura. b) Generar una serie de curvas como la de
la figura a las mismas temperaturas para un NTC con los siguientes parámetros:
RN=5kΩ, TN=298 K, B=3800 K-1, Rth=100 K/W.
1. 29
 Polarización.
Recta de carga. Punto de trabajo.
R
+ 10

Q1

Vi NTC V 8
Q2
recta de carga

Tensión (V)
6

- 4
Vi = IR + V
Q3

1 1
Q1, Q2, Q3: puntos de trabajo 2

V B( − )
RthVI + Tamb TN
Q1, Q3: puntos estables 0
= RN e
I
Q2: punto de trabajo inestable -0,02 0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14 0,16 0,18

Corriente (A)

Aplicaciones:
•Termometría (polarización baja potencia, automóvil).
•Retardo temporal (inercia térmica, τth=RthCth, t=0 R NTC Bobina relé
alta, t→∞ R baja).
•Compensación de componentes con coef. de
temperatura positivo.
1. 30
• “Positive temperature coefficient resistors” (PTC)
• Estructuras metálica multigrano. (BaTiO3)
• Curvas R(T) más modelos empíricos.

R(T) IV En la práctica dos zonas:

a) I y II valor constante
III
b) Valor empírico para III
I II
Rref
Rmin
B (T −Tref )
T1 Tref T fin T RT = Rref e Tref ≤ T ≤ T fin

• Característica I-V Rmin

I

T − Tamb = Rth P 298 K

V 308 K
R = = Rref e BRthVI Rmax

I V
• Polarización similar a NTC.
• Aplicaciones
- Protección circuitos contra sobre corrientes (PTC en serie con circuito, motores)
I↑⇒T↑⇒R↑⇒I↓
- Calefactor
- Retardador (en paralelo con bobina relé)
- Termómetro.
1. 31
 VARISTORES
• “Voltage dependent resistor” VDR
• Estructuras multigrano. Conducción limitada por fronteras de grano.
• Relación I-V no lineal, empírica
I R
I = kV α α >1
Vd
V = CI β β < 1
V
V 1
R = = V 1−α = CI β −1
Vd V
I k

• Barrera de grano
-> tensión de disparo
-> zona R(V)

1. 32
• Resistencias estática y dinámica:
V 1 1−α
R e st = = V = CI β −1
I k
dV
Rdin = = β CI β −1 = β R e st
dI
• Disipación de potencia (VefIef), problema no lineal:
V (t ) = Vo sin(ωt )
I = kV α = kVoα (sin(ωt ))α
T T
I ef = 1/ T ∫ I (t )dt = 1/ T ∫ k 2Vo 2α (sin(ωt )) 2α dt
2

0 0

• Caso de interés (régimen pequeña señal):

V (t ) = Vdc + Vac sin(ωt ), Vac Vdc
V = Rdin I ⇒
2
Vdc 2 Vace ff
P= +
R e st R din

• Aplicaciones: supresión picos de tensión en dispositivos conmutados

de carga inductiva (motores, bobinas de relés, transformadores)
1. 33
 CONDENSADORES
• Característica principal, capacidad: C=Q/V. C=εrε0A/d (plano
paralelo).
• Variaciones con temperatura, frecuencia..., determinadas por
dieléctrico.
• Clasificación:
plástico εr≈2-3, εr= εr(T,f,V)
cerámicos εr≈104
electrolíticos (Al2O3) εr≈9
• Tipos
Polarizados (electrolíticos)
No polarizados (electrostáticos)

1. 34
 Especificaciones

• Capacidad nominal (25oC, 103 Hz), (25oC, 100 ó 120 Hz electrolíticos).

• Valores preferidos: serie tolerancia 5%
• Tolerancia en condensadores mayor que en resistores.
D:±.5pF F :±1% G :±2%
H:±2% J :±5% K :±10%
M:±20% P :+100%-0% Z :+80%-20%
• Temperaturas máxima, mínima, rango.
• Tensiones
Tensión nominal (rated voltage) VN≥Vdc+Vacpico (Valores usuales 10/16/25/40/63)
Tensión límite (peak voltage). Valor de ruptura dieléctrica (20%VN, 1.2 VN...)
Voltage category: máximas Vdc y Vac
Max. Voltage rate: máxima pendiente de tensión, dV/dt, para evitar picos de
corriente.
• Fugas (comportamiento dc)
Resistencia de aislamiento RI=Vdc/Ifdc
Constante de tiempo de autodescarga, τ(T)=RI(T)C
Corriente de fugas Ifdc

1. 35
•Pérdidas (comportamiento ac)

Q(t ) = ∫ i (t )dt ⇒ C=
Q
=
∫ i(t )dt ⇒ i (t ) = C
dV (t )
V (t ) V (t ) dt

Si V(t)=V0sin(ωt) -> corriente adelantada 90o

T

∫ V (t )i(t )dt = 0
0
⇒ no se disipa potencia

Si existen pérdidas -> desfase ≠90o + i

I
Cs
tanδ: factor de pérdidas,
v δ
Cs
-
Q=1/ tanδ : factor de calidad
i Rs

Valores buenos: tanδ≈10-4 Ideal Real

Valores regulares: tanδ≈10-2 v v
Valores malos: tanδ≈1
V = I ( Rs + 1/ jωCs ) = I ( Rs − j / ωCs )
v
R

Rs
D = tan δ = = ω Rs Cs
1/ ωCs
Z c = Rs2 + (1/ ωCs ) 2 i δ

desfase V-I ⇒ φ = π / 2 − δ = π / 2 − tan −1 (ω Rs Cs ) 1/ωCs

1. 36
 Modelo alternativo: 1
I =V( + jωC p )
Rp
i
ωCp 1/ R p 1
D = tan δ = =
ωC p ω RpC p
1
δ
Rp Cp Pérdidas únicas, modelos equivalentes ⇒ = ω Rs Cs
ω RpC p
1
Z = ( + jωC p ) −1 = Rs + 1/( jωCs ) ⇒
v 1/Rp Rp
R p = Rs ( D 2 + 1) / D,
C p = Cs /(1 + D 2 )
En buen condensador D 1(∼ 10−3 ), C p ≈ Cs , R p ≈ Rs / D 2

Modelo más completo:

Rp
L Rc

Contactos
C
1. 37
Ejercicio: Buscar en las hojas características de un condensador sus parámetros L, Rc, Rp, C.
Representar |Z| y tanδ en función de la frecuencia

1000 1 103
módulo impedancia en función de f

Z
ij
100
Comportamiento
10 inductivo
Comportamiento 1
capacitivo 1
10 100 1 10
3
1 10
4
1 10
5
1 10
6
1 10
7
1 10
8
1 10
9
10 w
ij .
1 10
9

2 .π
frecuencia (Hz)

27.692285
tangente de pérdidas en función de f
100

10
tan(delta)

tandel 1
ij
0.1

0.01
3.475158 .10
3
3
1 10
3 4 5 6 7 8 9
10 100 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10
10 w
ij .
1 10
9

2 .π
frecuencia (Hz)

tanδ= 1/(ωCRp), (ωCRs), Rs/(ωL)

1. 38
Potencia disipada en condensador:

• ω ≠ 0, Pérdidas a través de R s =tanδ /(ω Cs )

⇒ Wac =I rms 2 R s

I rms = Vac / Z = Vac / Rs 2 + 1/(ωCs ) 2 = Vac /( Rs 1 + 1/ D 2 ) = Vac /( Rs ( D 2 + 1) / D 2 )

D2 1
Wac = Vac 2

D 2 + 1 Rs
si tan δ 1 ⇒ Rs 1/ ω Rs , Z ≈ 1/ ωCs , Wac = Vac 2ω 2Cs 2 Rs

• ω =0
Wdc =Vdc If =If 2 R I (corriente de fugas, resistencia de aislamiento)

• WT = Wdc + Wac = ∑ W f
f

1. 39
Tipos de condensadores:
•No polarizados
•De plástico (acetato de celulosa, poliéster, poliestireno, policarbonato,
polipropileno, teflón): aplicaciones normales, buenas prestaciones,
bajo precio.
•Cerámicos (tipo lenteja), óxidos metálicos: valor alto de εr, alta C
o Comportamiento estable con temperatura
o Comportamiento inestable con temperatura
•Otros: papel, vidrio, variables (de aplicaciones más específicas).
•Polarizados electrolíticos.
-Gran valor de la capacidad (tox pequeño)
-Uso de metales sobre los que se crece óxido si la corriente circula en
un sentido, en el otro sentido se descompone el óxido.
-Deficientes en cuanto a fugas, pérdidas, márgenes útiles de
frecuencia, tolerancias>50%
-Útiles en filtros paso banda en fuentes de alimentación
-Al2O3: εr=9, Ta2O5: εr=22

1. 40
 Bibliografía:
•Juan A. López Villanueva, Juan A. Jiménez Tejada, ”Fundamentos de circuitos
para electrónica”, Universidad de Granada.
•J. Sangrador García et al. “Componentes electrónicos pasivos”. Universidad
Politécnica de Madrid.

1. 41
APÉNDICE.
Tierra

El término tierra (en inglés earth), como su nombre indica, se refiere al potencial de la superficie de la
Tierra.
El símbolo de la tierra en el diagrama de un circuito es:

Para hacer la conexión de este potencial de tierra a un circuito se usa un electrodo de tierra, que puede ser
algo tan simple como una barra metálica anclada el suelo, a veces humedecida para una mejor conducción.
Es un concepto vinculado a la seguridad de las personas, porque éstas se hallan a su mismo potencial por
estar pisando el suelo. Si cualquier aparato está a ese mismo potencial no habrá diferencia entre el aparato
y la persona, por lo que no habrá descarga eléctrica peligrosa.
Por último hay que decir que el potencial de la tierra no siempre se puede considerar constante,
especialmente en el caso de caída de rayos. Por ejemplo si ha caído un rayo a una distancia de 1 kilómetro,
la diferencia de potencial entre dos puntos separados por 10 metros será de más de 150 V.

Masa
La definición clásica de masa (en inglés ground) es un punto que servirá como referencia de
tensiones en un circuito (0 voltios). El problema de la anterior definición es que, en la práctica, esta tensión
varía de un punto a otro, es decir, debido a la resistencia de los cables y a la corriente que pasa por ellos,
habrá una diferencia de tensión entre un punto y otro cualquiera de un mismo cable.
Una definición más útil es que masa es la referencia de un conductor que es usado como retorno común de
las corrientes.
La masa y la tierra en un circuito no tienen porque tener la misma tensión. Incluso la forma de onda de la
masa respecto a la tierra puede ser variable, por ejemplo en un convertidor Buck.
El símbolo de la masa en un circuito es el siguiente (también es aceptable sin el rayado):

1. 42
APÉNDICE: El Relé
El Relé es un interruptor operado magnéticamente. Este se activa o desactiva (dependiendo de la conexión) cuando el
electroimán (que forma parte del Relé) es energizado (le damos tensión para que funcione). Esta operación causa que
exista conexión o no, entre dos o más terminales del dispositivo (el Relé).
Esta conexión se logra con la atracción o repulsión de un pequeño brazo, llamado armadura, por el electroimán. Este
pequeño brazo conecta o desconecta los terminales antes mencionados.
Ejemplo: Si el electroimán está activo jala el brazo (armadura) y conecta los puntos C y D. Si el electroimán se desactiva,
conecta los puntos D y E.
De esta manera se puede tener algo conectado, cuando el electroimán está activo, y otra cosa conectada, cuando está
inactivo
Es importante saber cual es la resistencia del bobinado del electroimán (lo que esta entre los terminales A y B) que activa
el relé y con cuanto voltaje este se activa.
Este voltaje y esta resistencia nos informan que magnitud debe de tener la señal que activará el relé y cuanta corriente se
debe suministrar a éste.
La corriente se obtiene con ayuda de la Ley de Ohm: I = V / R.
donde:
- I es la corriente necesaria para activar el relé
- V es el voltaje para activar el relé
- R es la resistencia del bobinado del relé
Ventajas del Relé:
- Permite el control de un dispositivo a distancia. No se necesita estar junto al dispositivo para hacerlo funcionar.
- El Relé es activado con poca corriente, sin embargo puede activar grandes máquinas que consumen gran cantidad de
corriente.
- Con una sola señal de control, puedo controlar varios Relés a la vez.

1. 43
 TEMA 2. CIRCUITOS
FUNDAMENTALES.
CONCEPTOS BÁSICOS.
AMPLIFICADORES.
INVERSOR LÓGICO DIGITAL

2. 1
 AMPLIFICADORES
Importante: linealidad vO(t)=AvvI(t), Av =Ganancia
No linealidad: distorsión

Curva característica vO-vI.

Ganancias:
vO
Ganancia de tensión: A v ≡ = A v e jφv 20log( A v )
vI
iO
Ganancia de corriente: A I ≡ = A I e jφI 20log( A I )
iI
PL i O vO
Ganancia de potencia: A P ≡ = 10log(A P )
PI iI vI

Conservación de Energía: Pdc+Pi = PL+Pdisp

Pdc=ΣIiVi;
Pi=Pot. de la señal en la entrada.
PL=Pot. Entregada a al carga;
Pdis= Pot. disipada en forma de calor.
Eficiencia del amplificador η≡PL/Pdc× 100
2. 2
Saturación del amplificador
Caso vO-vI lineal entre valores de fuentes de alimentación
La salida nunca puede exceder los valores de las fuentes de
alimentación.

Para evitar la distorsión

debe cumplirse:

L− L+
≤ Vi ≤
AV AV

2. 3
Saturación del amplificador
Caso real: vO-vI no perfectamente lineal
Solución:
1. Elección de la región donde varía la señal en zona lineal (Polarización,
elección del punto de trabajo adecuado).
2. Amplitud de la señal ac pequeña.
Redefinición de ganancia:
dvO Δv O
Av ≡ ≈ (pequeña señal)
dv I enQ
Δv I
vO (t ) = VO + vo (t ) = VO + ΔvO (t )

En laboratorio medimos:
V(V)

V O(t)
VO

V I(t)

φV Vopp
Av = φV = φVo − φVI
VIpp

2. 4
Modelos de circuitos para amplificadores.

Circuitos Modelos simples. Medidas de laboratorio.

complejos Unilaterales. Análisis de circuitos.
Obtención modelos
Amplificador de Tensión:
Ri : Resistencia de Entrada; RO : Resistencia de Salida;
AVOvi : Fuente de tensión controlada por tensión.
vi v
Ri = ; RO = x
ii ix vi = 0

Ri
vi = v s
Ri + Rs
RL
v O = AVO vi
R L + RO

Para un amplificador de tensión es recomendable Ri grande y RO pequeño.

Amplificador Buffer = Adaptador de impedancias, (AVO≈1).
Existen cuatro tipos de amplificadores dependiendo de la relación
tensión/corriente – entrada/salida:

2. 5
2. 6
 Respuesta en frecuencia de amplificadores.
Existencia de componentes Z=Z(ω) (ZC =1/jωC; ZL = jωL.) ⇒ AV= AV(ω) ¡No tiene
Función de transferencia T(ω)=vo/vi (ω)=|T(ω)|exp(jφV) sentido!
|vo|= |vi| |T(ω)|
φVo= φVi+ φV(ω) V(V)

V O(t)
VO
Vopp
En laboratorio medimos: V I(t) Av = φV = φVo − φVI
VIpp
t

φV

Ancho de Banda (BW)

ω1 y ω2 son las frecuencias de corte

20 log T (ω C ) = 20 log T (ω max ) − 3dB

T (ω max )
T (ω C ) =
2

El ancho de banda debe coincidir con el espectro de las señales a amplificar.

De lo contrario se produce una distorsión de la señal.
2. 7
 Circuitos de una única constante de tiempo. Cte. de tiempo
τ =RC

Paso Bajo Paso Alto

Diagrama de Bode Respuesta del tipo Paso-bajo.

Diagrama de amplitudes

ω0 = Frecuencia de corte

Diagrama de fases

2. 8
Clasificación de los amplificadores según su respuesta en frecuencia.
(a) ¿Paso bajo?: ganancia plana + (b) Paso bajo: ganancia plana +
efectos condensadores (C internas efectos condensadores (C internas
limitan en alta frecuencia y las limitan en alta frecuencia y las
externas (C grande, acoplo) en baja. externas (C bajas en CIs) también.
Acoplamiento capacitivo. Acoplamiento directo

(c) Amplificadores sintonizados paso banda

(receptores de radio o TV).
2. 9
 INVERSOR LÓGICO DIGITAL
•Elemento básico en diseño de CI digitales.
•Función: Vi Vo
0 1
1 0
•Característica de transferencia (Voltage transfer characteristic, VTC)
ƒVIL = Máximo valor de la tensión de entrada que es
considerado 0 lógico
ƒVIH = Mínimo valor de la tensión de entrada que es
considerado 1 lógico
ƒLa salida permanece cte. e independiente de la
entrada dentro de un intervalo.
ƒMargen de ruido para nivel alto NMH =VOH –VIH
ƒMargen de ruido para nivel bajo NML=VIL –VOL
ƒEl circuito digital elimina las fluctuaciones (ruido)
en la entrada siempre que estén dentro de los
márgenes.
ƒDiseño Ideal : VIH =VIL =VDD /2 NMH =NML
=VDD /2

2. 10
Características Fundamentales de una Tecnología:

1.- Potencia disipada :

Pot. Dinámica: Consumo producido durante las
conmutaciones,
Pot. Estática: Consumo en reposo, originada por
corrientes de perdidas Ileak

Vi
2.- Retardo en la Propagación:
t1 = Cambio en la entrada → t2 = Cambio en la salida;
Retardo ≡ t2 – t1. t
• Los transistores presentan un tiempo de
conmutación no nulo. Vo tpLH
tpHL
• Presencia de una capacidad en el nodo de salida que 50% 50%
hay que cargar y descargar hasta alcanzar los valores
VOH , VOL. t

2. 11
2. 12
 Bibliografía:

• A.S. Sedra y K.C. Smith, "Microelectronics Circuits", 5ª ed.,Oxford

University Press, 2003

2. 13
 COMPONENTES
ELECTRÓNICOS (II)
COMPONENTES ACTIVOS

Tema 3. Amplificador operacional

Tema 4. Diodos
Tema 5. Aplicaciones

3. 1
 Tema 3. Amplificadores operacionales (A.O.)
•Circuito integrado, complejo, más de 20 transistores.
•Comportamiento terminal ideal muy sencillo ⇒ elemento de circuito.
•Muchas aplicaciones: operaciones matemáticas, computación analógica.

Símbolo y terminales.
Advertencia: ±VPP corresponden a las
fuentes dc de valor ±15V o ±12V y no
suelen representarse.
Otros terminales: ajuste del Offset,
compensación en frecuencia, etc.

A.O. ideal. v+ vO
vO = A(v+ − v− )
RO = 0
v-
v+
-
+
vO ⇒ +
-
A(v +-v-)
Ri = ∞ (i+ = 0, i− = 0)
A → ∞ (ganancia en lazo abierto) v-
B → ∞ (ancho de banda)
Amplificador diferencial: Rechazo en modo común.
A → ∞ , vO finito ⇒ v+ = v− (cortocircuito virtual)
3. 2
 Aplicaciones. Análisis de circuitos con A.O.
Configuración inversora.
R2
G ≡ vO / vI , ganancia en lazo cerrado.
R1
Análisis con A finita:
vI
- vO
vO = A(v + − v − ) = − Av ⎫ − +
R
⎪ − 2
( vi − v − ) = ( v− − vO ) ⎬ ⇒ G = vO = R1
⎪ vi 1⎛ R ⎞
R1 R2 ⎭ 1 + ⎜1 + 2 ⎟
A⎝ R1 ⎠
Análisis con A → ∞
v− ≈ v+ = 0 ⎫
⎪
(v − v )
i −
=
( v− − vO ) ⎬ ⇒ G = vO = − R2
⎪ vi R1
R1 R2 ⎭

R2
Válido para 1 + A
R1
Resistencia de entrada: Ri = vI / iI = R1 ; iI = (vI − v− ) / R1 = vI / R1
Resistencia de salida: RO = (vO / iO ) vI =0 = 0

3. 3
 Z2
•Configuración inversora con impedancias.
Z1
VO ( s ) Z (s) -
=− 2 vI
vO
Vi ( s ) Z1 ( s ) +

•Integrador inversor. C

t
VO 1 1 R

RC ∫0
=− , vO (t ) = − vI (t )dt -
Vi sRC vI vO
+
VO 1
Respuesta en frecuencia: = , φ = +90o
Vi ω RC

Rf
•Integrador Miller: para evitar la saturación de la
salida si existe componente dc a la entrada R
C
-
v I(t) vO(t)
+

3. 4
•Derivador inversor.
VO dv (t )
= − sRC , vO (t ) = − RC I
Vi dt
V La amplitud aumenta con
Respuesta en frecuencia: O = ω RC , φ = −90o 20dB/dec o 6dB/oct.
Vi

Problema: El circuito amplifica en la salida las variaciones bruscas de la entrada (ruido).

Circuito inestable.
Solución: Derivador no ideal (Se puede añadir una resistencia en serie con la capacidad).
R

Rf C

vI(t)
-
vO(t)
+

3. 5
•Sumador ponderado. •Amplificador No Inversor •Seguidor de Tensión
vO=vi. Se utiliza como
⎛ R2 ⎞
N
vi (t ) v O (t ) = ⎜ 1 + ⎟ v (t ) adaptador de impedancias.
v O (t ) = − R F ∑ ⎝ R1 ⎠ i (Amplificador Buffer)
i =1 Ri Ri=∞, RO=0.
Ri=∞ ya que Ii=0. Suponer A finita:
El A.O. nos permite realizar
diferentes “operaciones” ⎛ R2 ⎞
⎜1 + ⎟
matemáticas. vO ⎝ R1 ⎠
Computación analógica. G= =
vi 1⎛ R ⎞
1+ ⎜1 + 2 ⎟
A⎝ R1 ⎠

3. 6
•Amplificador diferencial.
Aplicando superposición:
R
v a =0 ⇒ vO1 = − 2 vb
R1
R4 R
v b =0 ⇒ vO 2 = va (1 + 2 )
R3 + R4 R1
R2 1 + R2 / R1
vO = − vb + va
R1 1 + R3 / R4
Salida diferencial: rechazo modo común.
vO = 0 cuando va = vb ⇒
R2 R4 R
= , vO = 2 (va − vb )
R1 R3 R1
R2
R1
Cálculo resistencia de entrada -
-
v2 − v1 = R1i + 0 + R3i v2-v1 +
+ vO

Rin = R1 + R3 R3 Señal: ΔV=1mV. Procesar

R4

Sistema
Desventajas: baja Rin, mal ajuste de ganancia. Transductor
instrumentación
Solución: amplificador de instrumentación
Interferencia con tierra
común 1V. Eliminar
3. 7
•Amplificador de instrumentación.

v2 − v1 v1 − v3 ⎫
=
R R1 ⎪⎪
⎬⇒
v2 − v1 v4 − v2 ⎪
=
R R1 ⎪⎭
2R
( v4 − v3 ) = (v2 − v1 )( 1 + 1)
R
R
vO = 0 ( v4 − v3 )
R2
R0 ⎛ 2 R1 ⎞
vO = − ⎜1 + ⎟ ( v1 − v2 )
R2 ⎝ R ⎠

•Ri=∞.
•La ganancia la determina la primera etapa. R es un potenciómetro que permite fijar la
ganancia al valor deseado.
•La segunda etapa elimina el modo común. Su ganancia es unidad y las cuatro
resistencias se suelen elegir del mismo valor.

3. 8
•Efecto de la ganancia y ancho de banda finito.

El comportamiento real del A.O. difiere del ideal. La ganancia en lazo abierto
es finita y disminuye con la frecuencia.

Open-Loop-Gain A(f)

La ganancia dc es 105
A(f) disminuye 20dB/dec.
Comportamiento típico
de A.O. con compensación
interna

A0
A ( s) = ; A0 = 10 5 ω b = 2π × 10 rad / s
s
1+
ωb
ωt=A0ωb Ancho de banda de ganancia unidad.
Parámetro especificado en las hojas características.

3. 9
•Respuesta en Frecuencia para Lazo Cerrado. Configuración Inversora.
R2 R2
− −
vO R1 R1 ⎛ R ⎞
= = ; A0 >> ⎜1 + 2 ⎟
vi 1 ⎛ R2 ⎞ 1 ⎛ R2 ⎞ s ⎛ R2 ⎞ ⎝ R1 ⎠ R2
1+ ⎜ 1 + ⎟ 1 + ⎜ 1 + ⎟ + ⎜1 + ⎟
A⎝ R1 ⎠ A0 ⎝ R1 ⎠ A0ωb ⎝ R1 ⎠ R1
R -
− 2 vI vO
vO R1 AVO Aω R +
= = ; ω3dB = 0 b ; AVO = − 2
vi s ⎛ R2 ⎞ 1 + s +
R2 R1
1+ ⎜ 1 + ⎟ 1
A0ωb ⎝ R1 ⎠ ω3dB R1

El inversor presenta una respuesta paso-bajo con una única cte. de tiempo.
Producto Ganancia-Ancho de Banda ≡ AVOω3dB ≅ A0ωb = Cte.
Compromiso entre ganancia y ancho de banda.

•Configuración no Inversora.

⎛ R2 ⎞ ⎛ R2 ⎞ ⎛ R2 ⎞
⎜1 + ⎟ ⎜ 1 + ⎟ ⎜1 + ⎟
= ⎝
R1 ⎠ ⎝ 1 ⎠
=⎝
vO R R1 ⎠
≈
vi 1 ⎛ R2 ⎞ s ⎛ R2 ⎞ 1 + s
1 + ⎜1 + ⎟ 1 + ⎜1 + ⎟
A⎝ R1 ⎠ A0ωb ⎝ R1 ⎠ ω3dBb
⎛ R ⎞
A0  ⎜1 + 2 ⎟
⎝ R1 ⎠
3. 10
•Slew Rate (Rapidez de respuesta). Tiempo de subida. Efectos de gran señal.
Parámetro que define la máxima velocidad de respuesta de un A.O.

dvO
SR ≡
dt max

Respuesta a un escalón de tensión. Seguidor de tensión.

VO 1
( s) = ; ( R1 → ∞ R 2 = 0 Conf . No − inversora )
Vi s
1+
ωt

Vi ( s ) =
V
Suponer respuesta lineal del circuito. Vωt>SR
s
V 1 ⎛1 1 ⎞ −1
VO ( s ) = =V ⎜ − ⎟ ⎯⎯⎯⎯
Laplace
→
s 1+ s ⎝ s s + ωt ⎠
ωt
(
vO (t ) = V 1 − e − tωt )
dvO (t ) dvO (t ) ⎞
= V ωt e − tωt , ⎟ = V ωt
dt dt ⎠t =0

Tiempo de subida ≡ Tiempo que tarda 2.2

t r ≡ t 90% − t 10% =
en pasar del 10% al 90% del valor final. ωt
(Vωt<SR)
3. 11
•Slew Rate (Rapidez de respuesta). Ancho de banda a plena potencia.
Parámetro que define la máxima velocidad de respuesta de un A.O.

dvO
SR ≡
dt max

Respuesta a una señal senoidal.

dvi
vi = V sen(ωt ); = ωV cos(ωt )
dt

El máximo se alcanza en los cruces

por cero.
•No distorsión: Vω<SR
•Distorsión: Vω>SR.

Ancho de banda a plena potencia:

Vomax: voltaje nominal de salida
ωMVomax ≡ SR
Para amplitudes V< Vomax la frecuencia a la que aparece la distorsión será mayor
3. 12
•No idealidades dc.
Dispositivo de acoplamiento directo. Gran ganancia dc ⇒ Problemas
Son consecuencia de los desajustes inevitables en la etapa diferencial situada en la entrada del A.O.

oTensión de offset VOS

Si cortocircuitamos las entradas conectándolas a tierra V+=V–=0 , la salida no se anula VO ≠ 0.
VOS ≡ Tensión aplicada a los terminales del A.O. que hace cero la salida.
VOS ≈ 1-5 mV. Depende de la Temperatura y se especifica en μV/oC.
No tiene polaridad definida (suceso aleatorio).
R1 R2
Modelo:
-
R2
+
-

vO = VOS (1 +
V OS -
VOS + vO )

+
-
+ R1

Soluciones prácticas:

Entradas adicionales en el Inversor capacitivamente Integrador Miller

A.O. para ajuste del offset. acoplado Rf
R2
+V
- C R1 R
C
+ -V
vI - vO
-
vI(t) vO(t)
+ +

3. 13
oCorrientes de polarización, IB, IOS
I B1 + I B 2
Input bias current: I B = ≈ 100nA
2
Input offset current: I OS = I B1 − I B 2 ≈ 10nA
Modelo:
I OS
−vO = (− I B + ) R2  − I B R2
IB
IOS/2
+ IB
IOS/2
+ 2

vO

IB
- R1

IB
-
R2
I
−( I B + OS ) R3
Solución: 2
I OS R3 I I R v
(I B + ) + ( OS − I B ) = −( I B + OS ) 3 − O
+
R3
2 R1 2 2 R2 R2
IB
vO I R R I
IOS/2
vO = −( I B + OS ) 3 ( 2 + 1) − ( OS − I B )

IB
- R2 2 R2 R1

si R3 = R2 // R1 ⇒
vO
2
I I
= −( I B + OS ) − ( OS − I B ) = − I OS
R2 2 2
R2
vO = − I OS R2
3. 14
Modelo completo del amplificador operacional

3. 15
 Bibliografía:
•A.S. Sedra y K.C. Smith, "Microelectronics Circuits", 5ª ed.,Oxford University
Press, 2003.

3. 16
 TEMA 4. DIODOS
4.1. Fundamento físico de los semiconductores.
4.2. Fundamento físico de la unión
semiconductora.Característica I-V.
4.3. Modelos de circuito.

4. 1. 1
4.1 Fundamento físico de los semiconductores.
1. ¿De que están hechos la mayoría de los dispositivos electrónicos?
SEMICONDUCTORES CRISTALINOS
2. ¿Quién participa en la corriente eléctrica? ELECTRONES,...
3. ¿Dónde se encuentran esos electrones? ESTADOS ELECTRÓNICOS
AGRUPADOS EN BANDAS DE ENERGÍA.
Átomo aislado Molécula Red periódica

Banda de conducción
EG
Banda de valencia

4. ¿Participan todos los electrones del cristal en la conducción?

SOLO LOS DE LAS BANDAS DE MAYOR ENERGÍA
5. ¿Qué materiales son conductores de corriente eléctrica? METALES.
SEMICONDUCTORES A T≠0
Aislantes y
Metales semiconductores

EC EC
Si
EC EC F>0 EG EV
EG T=0 K EG F.0 EG - Si Si Si
EV EV Semiconductor.
EV
Conducción por
Si 1
Aislante e- y huecos 2
Conducción por electrones No conducción

6. ¿Hay conducción en la banda de valencia?

HUECOS
4. 1. 2
 7. ¿Es necesario aplicar conceptos de mecánica cuántica para describir el movimiento de
electrones y huecos en el semiconductor? EN LA MAYORÍA DE LOS CASOS SE
DESCRIBEN CLÁSICAMENTE. LOS EFECTOS DE LAS FUERZAS INTERNAS DEL
CRISTAL SE INCLUYEN EN LA MASA DE ELECTRONES Y HUECOS (MASA
EFECTIVA). E
Electrón libre: EC Electrón en cristal:
dp d( =k) E
F = -qE = = = ma EV
dt dt F = -qE + F int = ... = ma
p
2 2 2
=k * dp*
E= = ¿¿ - qE = m a = ??
2m 2m dt
k k
000 100

1 d 2E 2
E(k)= E( k 0 )+ 2
(k - k 0 ) + ..
2 dk
2 2
= ( k n - k min )
E n( k n )= E c + + ...
2 m*n
2 2
= kp
E p( k p )= E v + + ...
2m*p

4. 1. 3
 8. ¿Se pueden conseguir semiconductores con n≠p? ¿Se puede aumentar la conductividad
intrínseca de un semiconductor?
AÑADIENDO IMPUREZAS. SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS

SEMICONDUCTORES CON MÁS ELECTRONES

Ejemplo: Silicio dopado con fósforo en posición sustitucional

n1 = p
EC - Ión fijo positivo Y Impureza donadora
Si n2 = N D+
- ED - n>p
Si P Si n = n1 + n2 - Caso de semiconductor tipo N
- electrones: mayoritarios.
Si EV - huecos: minoritarios
n = p + N D+

SEMICONDUCTORES CON MÁS HUECOS

Ejemplo: Silicio dopado con boro en posición sustitucional
EC n = p1
- Ión fijo positivo Y Imp. aceptadora
Si −
N = p2
A - p>n
Si B Si n = p1 + p2 - Caso de semiconductor tipo P
EA - huecos: mayoritarios.
Si EV - electrones: minoritarios
- - n + N A− = p

4. 1. 4
9. ¿Podemos definir cuándo un semiconductor en equilibrio tiene más energía que otro? En cuyo
caso habrá un flujo de partículas desde donde hay más energía a donde hay menos.
NIVEL O ENERGÍA DE FERMI.
1, E« E F
1 1
E E E
f(E) = E-EF
= , E = EF
C C C

1 + e KT 2
0, E» E F
E V E V E V

Función de ocupación de Fermi-Dirac

10. ¿Cuál es la densidad de electrones y huecos de conducción? E

a. Densidad de estados por unidad de energía.

1 3
g n (E) = c n (E - E c )2 cn ∝ *2
mn EC
1 3
g(E)
g p (E) = c p ( E v - E )2 cp ∝ * 2
mp EV
b. Ocupación de cada estado f(E).
c. n,p=Σbandaf(E)g(E)

E c max Ev
n= ∫ g n (E)f(E)dE p= ∫ g p (E)(1 - f(E))dE
Ec E v min

4. 1. 5
Cálculo de la densidad de electrones y huecos en las situaciones más corrientes.
SEMICONDUCTORES NO DEGENERADOS (Ev<EF<Ec)

a) En banda de conducción E$Ec>EF b) En la banda de valencia: E#Ev<EF

E- E F E- E F E- E F E- E F
e KT >> 1 ⇒ f(E) ≈ e -
KT e KT << 1 ⇒ f(E) ≈ 1 - e KT

E c max →∞ ∞ Ev

∫
E- E F
∫ g n(E)f(E)dE ≈ ∫ c n(E - E c ) e
1
n= 2 -
KT dE p= g p(E)(1 - f(E))dE
Ec Ec E v min

≈ ∫c ( E - E ) e
Ev
E - Ec E- E F
u≡
1

p v 2
KT dE
KT -∞
∞
E c- E F E c- E F π Ev - E
∫u 2 e du = c n(KT )2 e
3 1 3
n = c n(KT ) 2 e - u≡
-u -
KT KT
0 2 KT
∞
E v- E F
∫u 2 e du
3 1
-u
p = c p(KT ) e 2
KT
EC − EF
− 0
KT
n = NC e EV − EF
3/ 2 KT
⎛ T ⎞ p = NV e
N c(T)= cte ⋅ T 2 = N c( 300 K) ⎜
3
⎟ 3/ 2
⎝ 300 ⎠ ⎛ T ⎞
NV (T)= cte ⋅ T 2 = NV ( 300 K) ⎜
3
⎟
Nc, NV=densidad efectiva de estados en la banda ⎝ 300 ⎠
de conducción y valencia respectivamente.
E
− G

np = N C (T)NV (T)e
KT
= ni 2 (Ley de acción
de masas)
4. 1. 6
 Ejemplos de uso de las ecuaciones del semiconductor en equilibrio

M SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS M SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS:

n=p=ni n≠p, n⋅p=ni2
! Con impurezas donadoras:
E
- G
n=p+ND+
n i = N c (T) N v (T) e 2KT
Depende del material y de la temperatura -Grado de ocupación del nivel creado por las
ni(Si,300K).1010cm-3 impurezas: función de ocupación de Fermi-Dirac.
o +
ND = 1 ND = 1
- -
- Posición del nivel de Fermi: N D 1 + e E DKTE F N D 1 + e E FKTE D

E c - E Fi E v - E Fi
n = p ⇒ N ce- KT = N ve KT ⇒
-Hipótesis: a temperaturas de interés ND+.ND
E c + E v KT N v en casos prácticos ND>>ni Y n>>p
E Fi = + ln
2 2 Nc
-Ejemplo: ND=1016cm-3 en Si (((1ppm!!), T=300K
N c = 2.8 ⋅ 10 cm 3 ⎫
19 -

⎪ n=p+ND+. ND=1016cm-3
En Si, T = 300K : N v = 1.1 ⋅ 10 19 cm -3 ⎬ p=ni2/n=104cm-3
E G = 1.12eV ⎪⎭ p<<n pero p≠0
Ec-EF=KTln(Nc/n)=205.6meV
Ec + Ev Advertencia: a bajas temperaturas ND+≠ ND
⇒ E Fi ≈ - 12meV
2
-Ejercicio: Ec-ED=40meV. Calcular temperatura para
que ND+= ND/2

4. 1. 7
! Con impurezas aceptadoras p=n+NA- !Semiconductores parcialmente compensados.
Semiconductores tipo P y tipo N
-Grado de ocupación del nivel creado por las
impurezas: función de ocupación de Fermi-Dirac. si N +D > N -A ⇒ tipo N ; N +Deff = N +D - N -A
si N +D < N -A ⇒ tipo P; N -Aeff = N -A - N +D
- o
NA = 1 NA = 1
- -
N A 1 + e E AKTE F N A 1 + e E FKTE A • Ecuación de neutralidad general y
ecuaciones básicas de un semiconductor
-Hipótesis: a temperaturas de interés no degenerado en equilibrio:
NA- ≈ NA>>ni Y p>>n Y
p≈NA n ≈ ni2/NA
n + N -A = p + N +D
- Advertencia:( COMPROBAR SIEMPRE LAS EC − EF
−
HIPÓTESIS! KT
n = NC e
EV − EF
-Ejemplo: NA=1016cm-3 en Si , T=300K,
KT
EA-Ev=40meV p = NV e
p=n+NA- ≈ NA=1016cm-3
n=ni2/p=104cm-3 np = ni2
n<<p pero n≠0 -
EF-Ev=KTln(Nv/p)=181.4meV NA = 1
NA-=0.996 NA (99.6%) EC E A- E F
N A 1+ e KT
+
EF ND = 1
EA E -E
EV
N D 1+ e FKT D
4. 1. 8
 11. TRANSPORTE DE ELECTRONES Y HUECOS. CONTRIBUCIONES A LA CORRIENTE.
• Aplicación de un campo eléctrico. • Existencia de un gradiente de
concentración de portadores.
dV(x) -
E(x) = - Y Flujo de portadores en sentido contrario
dx al gradiente
E c (x) = -qV(x) + cte
EC Y Corrientes de difusión de electrones y de
EFn huecos:
• Durante un vuelo libre
(Dn,Dp: coeficientes de difusión)
d
- qE(x) = = k n E(x) EV dn dp
dt J n = qD n J p = - qD p
dx dx
• Interrupciones del vuelo libre
(mecanismos de dispersión): • Corriente total.
- vibraciones de la red
- impurezas ionizadas
- defectos dn
- otros portadores, etc J n = qn μ n E + qD n
dx
• jn=qnvn vn: velocidad media de los portadores.
dp
• vn=μnE transporte óhmico J p = qp μ p E - qD p
μn: movilidad de los electrones dx
(depende de los mecanismos de dispersión, J = J n+ J p
"scattering")

• Corriente de arrastre: jn=qnμnE=σnE

jp=qnμpE=σpE
j=jp+jn=(σp+σn)E 4. 1. 9
 12. CONCENTRACIONES DE PORTADORES DE CARGA EN DESEQUILIBRIO .
GENERACIÓN-RECOMBINACIÓN.

- En desequilibrio no es aplicable el nivel de Fermi.

- Electrones en equilibrio entre sí.
- Huecos en equilibrio entre sí.
E ( r )- E Fn( r ) E v ( r )- E Fp ( r )
- Definición de un nivel de Fermi para cada tipo de n( r ) = - c
p( r ) = N v e
Nce KT KT
partículas y con carácter local.
EFn, EFp: pseudoniveles de Fermi.

Situaciones:

E Fn - E c E v - E Fp E - E E Fn - E Fp
- c v
np = N c e KT ⋅ N v e KT = N c N v e KT e KT

qV np exceso V np > 0 ⇒ np > ni2

np = n i2 e KT
defecto V np < 0 ⇒ np < n i2

- Agente causante de desequilibrio Y reacción del semiconductor.

exceso Y activación de mecanismos de recombinación.

defecto Y activación de mecanismos de generación.

-)Con qué rapidez responde un semiconductor?

Definición de la probabilidad de generación recombinación.

4. 1. 10
Probabilidad de generación recombinación.
N1 de pares electrón hueco que se generan- n1 de pares que se recombinan por unidad de tiempo.
qV np
- U gr ∝ np - n i2 = 2
n i ( e KT - 1)
exceso: np>ni2 Y Ugr<0, domina recombinación
defecto: np<ni2 Y Ugr>0, domina generación

- Caso particular: desequilibrio de bajo nivel (los mayoritarios apenas se ven afectados)

a) TIPO N: b) TIPO P:
n ≈ N D , p = p 0 + δp, n0 ⋅ p 0 = n i2 p ≈ p 0 = N A , n = n0 + δn, n0 = n 2
i
ni2 , p0 =
ND NA
np - n i2 = N D ( p 0 + δp) - N D p 0 = N D δ p ⇒ np - n i2 = N A ( n0 + δn) - N A n0 = N A δ n ⇒
δp δn
U gr = - U gr = -
τp τn
- Si se mantiene el agente externo causante de la generación:
E
δp δn
U gr = G - ó U gr = G - EC
τp τn
EV
τn,τp: constantes de tiempo de recombinación.

- Aumento de la velocidad de respuesta de los dispositivos mediante la

introducción de impurezas metálicas que favorecen la generación- k
recombinación absorbiendo momento (El oro en silicio es la más usada) 000 100
4. 1. 11
 13. CONCENTRACIONES DE PORTADORES DE CARGA EN DESEQUILIBRIO .
ECUACIONES DE CONTINUIDAD.
• Variación de portadores en un elemento de volumen=Los que entran - los que salen
+ los que se generan - los que se recombinan.

• Análisis unidimensional (por unidad de área):

• Entran por unidad de área x x+)x • Salen por unidad de área y tiempo:
y tiempo:

1 1 1 1 ∂J n
- J n (x) - J n(x + Δx) ≈ - J n(x) - Δx ⇒
q ∂x
q
)x q q

∂n 1 ⎛ 1 1 ∂J n ⎞ ⎛ δn ⎞ ∂n 1 ∂ J n n - n0
Δx = - J n(x) - ⎜ - J n(x) - Δx ⎟ + ⎜ G - ⎟ Δx ⇒ = +G -
∂t q ⎝ q q ∂x ⎠ ⎝ τn ⎠ ∂t q ∂x τn
• De forma similar para huecos:

∂p 1 ⎛1 1 ∂J p ⎞ ⎛ δ p⎞ ∂p 1 ∂J p p - p0
Δx = J p(x) - ⎜ J p(x)+ Δx ⎟ + ⎜ G - ⎟ Δx ⇒ =- +G -
∂t q ⎝ q q ∂x ⎠ ⎝ τp ⎠ ∂t q ∂x τp

• Ecuación de Poisson: d 2 V(x) = - ρ (x)

dx 2 εs
4. 1. 12
Caso particular: ∂n ∂n
= 0, ≠ 0
dn ∂t ∂x
E = 0, G = 0 ⇒ J n = q D n
dx
2 ′
∂Jn ∂ 2
n ∂ n n′
= q Dn 2 ⇒ n′ ≡ n - n0 ⇒ 0 = D n -
∂x ∂x ∂ x2 τ n
∂n ∂ 2
n n- ∂ 2
n′
= D n 2 - n0 Ln ≡ Dnτ n ⇒ 0 = L 2n - n′
∂t ∂x τn ∂ x2

x x
EJEMPLO: n′(x) = A e - Ln + B e Ln

Si el semiconductor es infinitamente largo

G x
n′(x) = A e - Ln
∂n x
J n = q Dn = -qn′(0) D n e - Ln
∂x Ln
situación estacionaria pero no homogénea:
En la superficie:

n′
0=G-
τn
n′ = n′(0) = G τ n

4. 1. 13
APÉNDICE. Efecto Hall.

Conducción por electrones. Conducción por huecos.

E E
v
B B v + q·E
-q·E - J EH
J EH
Campo Campo
resultante resultante
q·vvB
-q·vvB
Acumulación de Acumulación de
electrones huecos

F = -qE - qv ∧ B

4. 1. 14
APÉNDICE. Relaciones de Einstein

E c (x)- E Fn(x) dn 1 ⎛ dE dE ⎞ dp 1 ⎛ dV(x) dE Fp ⎞

E v (x)- E Fp (x)
n = N ce- =- n ⎜ c - Fn ⎟ p ⎜ -q
dx ⎟⎠
KT p = N ve KT = -
dx KT ⎝ dx dx ⎠ dx KT ⎝ dx
dn n ⎛ dV(x) dE Fn ⎞ ⎛ dV(x) ⎞ D p ⎛ dV(x) dE Fp ⎞
=- ⎜ -q - ⎟ J p = qp μ p ⎜ - ⎟
KT ⎜⎝ dx ⎟⎠
- pq -q - =
dx KT ⎝ dx dx ⎠ ⎝ dx ⎠ dx
⎛ dV(x) ⎞
2
q dV(x) qn dE Fn dV q p d E Fp
J n = qn μ n ⎜ - ⎟ + n D n + Dn = qp (- μ p + D p )+ q D p
⎝ dx ⎠ KT dx KT dx dx KT KT dx
d E Fn
En equilibrio =0 ,Jn=0 ⇒
dx En equilibrio ⇒
dV(x) ⎛ q ⎞
qn μ n ⎜ n
- μ + D n ⎟=0
dx ⎝ KT ⎠ Dp KT
=
μp q
Dn KT
=
μn q
dE Fp
en general J p = μ p p
dx
se supone válida incluso fuera del equilibrio
dE Fn
J n = μ nn
dx

4. 1. 15
 Bibliografía:
•http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/ Principles of Semiconductor
Devices Bart Van Zeghbroeck.

4. 1. 16
4.2. Fundamento físico de la unión semiconductora
• Unión PN en equilibrio. • Unión PN polarizada en directo.
Unión metalúrgica
N + - P
N + - P
Eint
1 2 2 1
I>0
Jdifusión
V
Jarrastre
EC EC
qRo EFn qV EFp
EF
EV EV
• Campo externo opuesto al interno
Y Disminución de este campo
1: zonas neutras Y Disminución carga que soporta el campo
2: zona de carga espacial (z.c.e.) Y Disminución zona de carga espacial
Ro: potencial barrera
(Ro=Vb) • Disminución de la barrera en al unión
Y Jdifusión>Jarrastre
Y CORRIENTE NETA (muy sensible al decrecimiento
de la barrera). 4. 2. 1
 V
• Unión PN polarizada en inverso. • Característica I-V I = I s ( eV T - 1)

Jdifusión EC
Jarrastre EFp nKT KT
q(Ro+V) EV VT = , = 26mV (300K)
N + - P q q
qV
n: factor de idealidad, refleja situaciones no
EFn ideales:
I= 0
- generación recombinación en z.c.e. a bajas
V corrientes.
- alta inyección de portadores (caída de
potencial en z. neutra)
Campo externo del mismo signo que el interno
V
Y aumento neto del campo, aumento de la Directo : V > 0 V >> V T ⇒ I ≈ I s e
barrera VT
Y sólo participan los minoritarios en la corriente Inverso : V < 0 − V >>
V T ⇒ I ≈ I s cuando V → -∞
(corriente muy débil)

2 2
I = I s=α n i
+β n i
ND NA
I s α n i (T), I S se duplica cada 10 C
2 o

4. 2. 2
Análisis de una unión PN en inverso

• Cálculo del potencial barrera (V=0V)

qRo
-W1 0 W2
qVn P N
qVp - +
qψ 0 = E G - q V n - qV p

= E G - KT ln N c - KT ln N v
n p
N c N v ⇒ q = KT ln np VR
E G = KT ln ψ0
ni2 n i2
EFp
Ejemplo: Caso particular (dopados uniformes n=ND, p=NA):

ψ 0 = V T ln N D 2N A qVR
ni
• Condición de neutralidad q(Ro+VR) EC
0 W2 EFn
∫ - q N A (x)dx = ∫ q N D (x)dx EV
-W 1 0

Dopados uniformes : N A W 1 = N D W 2

4. 2. 3
• Relación anchura de la z.c.e. con la
qN D W 22 qN A W 12
barrera de potencial (R0+VR) ψ 0 + V R = V( W 2 ) - V(-W 1 )= +
εs 2 εs 2
- Ecuación de Poisson + condiciones de q ⎫
contorno en los extremos de la z.c.e. ψ 0 +V R = N DW 2( W 1 + W 2 ) xN A ⎪
2ε s ⎪
⎬
q
- Caso unidimensional y dopados ψ 0 +V R = N AW 1( W 1 + W 2 ) xN D ⎪
uniformes. 2ε s ⎪⎭
⎛ qN A ⎞
⎜ -W 1 < x < 0 ⎟ q
d 2 V(x) = - ρ (x) = ⎜ ε s ⎟ ( N A + N D )(ψ 0 + V R )= 2
W N AN D
2ε s
dx 2 ε s ⎜ qN D ⎟
⎜- 0 < x <W 2⎟ 2ε s N A + N D
⎝ εs ⎠ W = W 1 +W 2 = (ψ 0 + V R )
q N AN D
dV qN A ⎛ qN A ⎞
-W 1 < x < 0 = x + C 1 E(x) = -⎜⎜ x + C 1 ⎟⎟
dx εs ⎝ εs ⎠ 2ε s ψ 0 + V R 2ε s(ψ 0 + V R )
W 1= =
qN A ⎛ x 2 ⎞ q N AW N
V(x) = ⎜⎜ + W 1 x ⎟⎟ + C 2 q N A(1+ A )
εs ⎝ 2 ND
⎠
qN D ⎛ x 2 ⎞ 2ε s(ψ 0 + V R )
0 < x < W 2 ... V(x) = - ⎜⎜ - W 2 x ⎟⎟ + C 3 W 2=
εs ⎝ 2 ND
⎠ q N D(1+ )
NA
continuidad en x = 0 ⇒ C 2 = C 3

EJEMPLO: Sea una unión PN abrupta, NA=1015cm-3, ND=1016cm-3, 300K, VR=10V Y R0=638mV
W1=3.5μm, W2=0.35μm. Campo máximo: qN A 4 V
E max = - W 1 = -5.4 10
εs cm 4. 2. 4
 Conducción en inversa. Mecanismos de ruptura.

• Ruptura por avalancha • Ruptura Zéner:

- Solo en uniones muy dopadas.
- Eaplicado > Ecrit - Corriente túnel de electrones
-
EFp -
Y portadores con gran
energía y capacidad
+
-
- para generar pares. EFp
-
-
-
+ EC
EFn
+
+
+ EV
-
+

N = 1015-1016cm-3: Ecrit - 3×105V/cm EC

N - 1018cm-3: Ecrit - 106V/cm
EFn
EV
Expresión I RA = M I R
empírica para 1
la corriente: M= n
⎛ Vr ⎞ • Domina el mecanismo que se
1- ⎜ ⎟
⎝ BV ⎠ produzca a menores tensiones de
polarización.
IRA: corriente con avalancha
IR: corriente sin avalancha
M: factor de multiplicación
n 0 [3, 6]
VR: tensión inversa aplicada
BV: tensión de ruptura (Emax=Ecrit)
4. 2. 5
• Curva I-V • Dispositivos basados en uniones

ID (A)
• Diodo de unión:
Nótense las escalas
15 unión PN con terminales externos.
diferentes de las regiones
directa e inversa
10 Característica
directa
P N
-VZK 5
Ánodo Cátodo
-VZ -30 -20 -10 0
• Diodo Zéner:
Codo
Zener -0.5 -IZK0.5 1.0 1.5
VD (V)
diseñado para conducir en inversa

-1.0

-1.5 -IZT
-2.0
• Diodo Schottky:
Característica -2.5 unión metal semiconductor.
inversa

IZ (A)

4. 2. 6
 •Fotodiodos* • Dispositivos basados en uniones
Dispositivos de dos terminales. Responden a la absorción de fotones.

I - Generación gop pares

hL>EG e-h⋅cm-3 ⋅ s-1
- Campo eléctrico
P - + N Tensión en separa los electrones y
circuito abierto huecos
Huecos
Corriente óptica:
I op = qAg op (L p + Ln + W )
Electrones

gop =0
Ln W Lp V Corriente total:
I g1
R E ⎛ qV ⎞
g2 I = I 0 e − 1⎟ − I op
⎜ KT
⎜ ⎟
- Corriente en cortocircuito ⎝ ⎠
+ V
Aplicaciones: R E R E R

P N P N P N
I I I
+ V - - V + + V -
1er cuadrante 3º cuadrante 4o cuadrante
I·V>0 I·V>0 I·V<0
Fotodetector Célula solar
4. 2. 7
*“Solid state electronic devices” Ben G. Streetman and Sanjay Banerjee Upper Saddle River, NJ : Prentice Hall, 2000
• Dispositivos basados en uniones

•LEDS y láseres

Unión en directo.
Recombinación en zonas
EC -
neutras y z.c.e. EFn EFp
EV +
•Optoacoplador.
Ejemplo de sistema de comunicación óptica:
+
Par optoelectrónico: Láser o LED + fotodiodo
I I
Se puede intercalar información entre emisor y
receptor (CDs)
Perfecto aislamiento
-

4. 2. 8
 Apéndice: El fotodetector
El fotodetector puede funcionar como célula fotovoltaica si no se le aplica tensión externa
tal y como se ve en la figura 1. Si incide luz sobre el diodo los pares electrón hueco generados son
acelerados por el campo eléctrico interno. Se crea por tanto una corriente, IL, que partiendo de la
zona P atraviesa la resistencia y llega a la N (o de la N a la P en el interior del diodo). Aparece una
diferencia de potencial en los extremos de la resistencia que polariza al diodo en directa. Esta
tensión da lugar a su vez a una corriente, ID, que circula por el diodo de la zona P a la N, es decir,
opuesta a la generada por iluminación. Estos dos mecanismos se pueden modelar por una fuente
de corriente de valor IL y un diodo en oscuridad por el que circula una corriente ID. La corriente que
circula por la resistencia es la diferencia de las dos, I=IL-ID, como se ve en la figura 2.
Modificando el valor de la resistencia externa se puede variar el valor de la corriente que
circula por ella, así como la diferencia de potencial que cae en sus extremos. Y por consiguiente la
potencia que se puede extraer de la célula. Existe un valor óptimo para la resistencia para el cual la
potencia es máxima y por tanto el rendimiento es mayor. La relación I-V típica de una célula
fotovoltaica se puede ver en la figura 3.

4. 2. 9
Apéndice: No idealidades en el diodo
Corriente generación-recombinación. Idif
n· p = ni2 exp(qV / KT )
-En directa hay una recombinación de EC -
portadores en la zona de carga espacial n ≈· p ≈ ni exp(qV / 2 KT ) Irec
EFn EFp
y por tanto no llegan a las zonas cn c p NT ( np − n 2
i ) EV
neutras. Para mantener la misma U= +
cn (n + n1 ) + c p ( p + p1 ) I=Idif+Irec
relación campo-carga en la unión y que
llegue la misma corriente de difusión cn c p NT n ( exp(qV / KT ) − 1)
2

≈
i

(cn + c p )ni exp(qV / 2 KT )

P N
debemos aportar más corriente a
igualdad de tensión. Dicho incremento cn c p
coincide con la corriente de = NT ni exp(qV / 2 KT )
(cn + c p )
recombinación. .p
n
I = ∫ qAUdx
- En la z.c.e. hay exceso de portadores
de los dos tipos. Como debe haber qAWni2
= exp(qV / 2 KT )
continuidad de la concentración de τ rec
portadores habrá un punto en el que
n=p. Se puede estimar en promedio que
en la zona de carga espacial se cumple
n=p. Con esta condición podemos EC
I0 EFp
calcular la corriente de recombinación
- EV
que hay que añadir a la de difusión.
+
- En inversa hay defecto de portadores Igen
en la z.c.e. por lo que se generan pares I=I0+Igen
EFn
electrón hueco.
4. 2. 10
 Bibliografía:
•http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/ Principles of Semiconductor
Devices Bart Van Zeghbroeck.

4. 2. 11
 4.3. Modelos de circuito.
• Análisis de circuitos con diodos I
R VD VD
I = I S ( e V T - 1) ≈ I S e V T
V
+ R
V = IR + V D

V I I = -V D +
V
VD R R -1/R
Solución: punto de intersección
- (punto de operación, polarización...) VD

• Modelo lineal a tramos: EJEMPLO:

V
a) Si V < V γ ⇒ D OFF, I = ≈ 0 , V D =V
R + Rr
I
V -V γ
b) Si V > V γ ⇒ V = IR + V γ + I r d , I =
V( rd R+ rd
VD>V(
1/rd Rr (. 4) R +
VD<V( V VD
V( VD -

V=5V, Vγ=0.65V, rd=10Ω, R=2kΩ Y

I=2.16mA 4. 3. 1
• Modelo simplificado (rd=0):
I R
+

V I
VD

-
V( VD Si V>Vγ V=IR + Vγ

• Modelo lineal para el diodo Zéner:

I

V( rd
- En directo,
Vd > Vγ
-VZ VD

-IIZminI
R
+ Rr (. 4)
I -No conducción,
1/rZ V VD -VZ < Vd < Vγ
Hipérbola de máxima
dispación de potencia
-IIZmaxI -
VZ rZ
-En inverso,
Vd < VZ
4. 3. 2
• Modelo de pequeña señal

rd CT Cd
Y
• Resistencia dinámica rd:
-1 -1
⎛ dI ⎞ ⎛ d V ⎞ VT
rd = ⎜ ⎟ ≈⎜ I S eV T ⎟ =
⎝ dV ⎠ ⎝ dV ⎠ I
• Capacidades:

- modificación de la carga en zonas neutras

- modificación de la carga en la zona de carga espacial.

1) Polarización directa

carga dominante: minoritarios en zonas neutras

dQ d d V τ
Cd = = (τ T I 0 e V T ) = T I
dV dV VT
I = Qd / τ T , τ T = L2p / D p : tiempo de tránsito

4. 3. 3
2) Polarización inversa. Carga dominante: carga fija en z.c.e.
⎫ C j0
- Unión abrupta ⎪ - Unión lineal C j= 1
⎪ ⎛ VD ⎞3
⎪ ⎜1 - ⎟
dQ dQ dW 1 ⎪ ⎜ ψ ⎟
CT ≡ C j = = ⎝ 0⎠
dV R dW 1 dV R ⎪
⎪⎪
⎬ C j0
dQ = AqN AdW 1 - Unión cualquiera C j = , VD < 0
1⎪
m
⎛ VD⎞
⎛ ⎞2⎪ ⎜1 - ⎟
⎜ ⎟ ⎪ ⎝ ψ0⎠
dW 1 ⎜ ε ⎟ ⎪ C j ≈ 2C j 0 , VD > 0
s
=
dV R ⎜ ⎛ NA⎞ ⎟ ⎪
⎜ 2 qN A⎜ 1+ ( ψ
⎟ 0 VR ⎟ ⎪
+ )
⎝ ⎝ ND⎠ ⎠ ⎪⎭
1
⎛ qε s N A N D ⎞ 2 1
C j = A⎜ ⎟
⎝ 2( N A + N D ) ⎠ ψ 0 +V R

=
ε sA
W
1
⎛ qε s N A N D ⎞ 2 1 C j0
Si V D ≡ -V R C j = A⎜ ⎟ =
⎝ 2( N A + N D ) ⎠ ψ 0 -V D VD
1-
ψ0

(válido para VD>0 pequeños)

4. 3. 4
Parámetros de modelo SPICE de diodo

Parámetro de Símbolo Nombre SPICE Unidades Valor

modelo predeterminado
Corriente de IS IS A 10-14
saturación
Coeficiente no N N 1
idealidades
Resistencia serie RS RS Ω 0

Tensión barrera ψ0,Vb VJ V 1

Capacidad unión Cj0 CJ0 F 0

sin polarización
Coeficiente m M 0.5
gradualidad de
unión
Tiempo de tránsito τT TT S 0

Tensión de ruptura VZK BV V ∞

Corriente inversa a IZK IBV A 10-10

VZK

4. 3. 5
 Bibliografía:
•A.S. Sedra y K.C. Smith, "Microelectronics Circuits", 5ª ed.,Oxford University
Press, 2003.
• http://deyte.ugr.es
• K.V. Shalimova, Física de los semiconductores, Mir, 1975
•Bart Van Zeghbroeck. Principles of Semiconductor Devices
http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/

4. 3. 6
 Tema 5. Aplicaciones: Funciones analógicas no lineales.
• Puente de Diodos

E1 − Vγ
vx >> 0 D2 y D3 on; vO = R0 ≡ EA
R1 + R0
− E2 + Vγ
vx << 0 D1 y D4 on; vO = R0 ≡ EB
R2 + R0
EB ≤ vx ≤ EA vO = vx

• Circuitos limitadores y comparadores

Diagrama de bloque Característica Diagrama de bloque Característica de transferencia.

de un limitador de transferencia de un comparador ER = Nivel de comparación.
típica K→∞

5. 1
• Circuitos comparadores con diodos Zener

vI > 0, vO = −VZ
vI < 0, vO = +VD

vI > 0, vO = −(VD + VZ 2 )
vI < 0, vO = VZ 1 + VD

inicio conducción hacia derecha

vO ≤ −(VD + VZ 2 ),
vI = −( R1 / RF )vO > ( R1 / RF )(VD + VZ 2 )
inicio conducción hacia izquierda
vO ≥ VZ 1 + VD ,
vI = −( R1 / RF )vO < −( R1 / RF )(VZ 1 + VD )

La presencia de RF transforma el comparador en limitador. 5. 2

Limitador de propósito general (I)

5. 3
Limitador de propósito general

RF
D 1 y D 2 o ff v0 = − v1
R1
RB RA ⎤
e1 = E 1 + v0 ⎥
RA + RB RA + RB
⎥
RC RD ⎥
e2 = − E 2 + v0 ⎥
RC + RD RC + RD ⎦

D 1 c o n d u ce c u a n d o e1 = − Vγ

⎧⎪ V γ E1 v ⎫⎪
v0 = −( R F R B ) ⎨ + + 1 ⎬
⎪⎩ R A R B RA R 1 ⎭⎪

D 2 co n d u ce cu a n d o e2 = + Vγ

⎧⎪ V γ E2 v ⎫⎪
v0 = ( RC R F ) ⎨ + − 1 ⎬
⎪⎩ R C R D RD R 1 ⎭⎪

5. 4
Limitador de propósito general (II)

El cambio de los diodos por transistores reduce la pendiente.

5. 5
 RF
Q1 y Q2 off v 0 = − v
R1 1
RB RA ⎤ RC RD ⎤
v B2 = − E2 + v0
v B1 = E 1
R A + RB
+ v0
R A + RB ⎥ RC + R D R D + RC ⎥
⎥ ⎥
RF ⎥ RF ⎥
v0 = − v1 v1 > 0 ⎥ v0 = − v1 v1 < 0 ⎥
R1 ⎦ R1 ⎦

Q1 conduce cuando v B1= − v BE Q2 conduce cuando v B 2=+v BE

E1 v1 ⎛ 1 1 ⎞ E2 V1 ⎛ 1 1 ⎞
+ + v BE ⎜ + ⎟ − + v BE ⎜ + ⎟
R A ( 1 + β)R1 ⎝ R A RB ⎠ R D ( 1 + b)R1 ⎝ RC R D ⎠
v 0= v 0=
1 1 1 1
+ +
R B ( 1 + β)R F RC ( 1 + b)R F

5. 6
 Limitador de propósito general (III)

Límites del puente:

RF RL ⎫
E + = ( E1 − V γ ) ⎪
RA + RF RL ⎪
⎬
RF RL ⎪
E − = −( E 2 − V γ )
RB + RF RL ⎭⎪

v0,vA
v0=v A vA V Z5+V γ
v0
V Z5+V γ E+
Slope = -RF/R1 Caso: Slope = -R F/R 1 Caso:
VZ5+Vγ<E+ VZ5+Vγ>E+
VZ6+Vγ<E- VZ6+Vγ>E-
v1 v1 El puente conduce
El puente conduce
cuando vO=vA. No
-(VZ6+V γ) siempre (vO=vA) E-
conduce cuando
-(V Z6+V γ)
vO≠vA.
5. 7
 • Circuitos rectificadores Problemas: 12.46 al 12-56 Sedra-Smith

Rectificadores de media Onda (Limitadores de Cero)

vI < Vγ , D off , vO = −vI vI < −Vγ , D on, vO = Vγ

vI > Vγ , D on, vO = −Vγ vI > −Vγ , D off , vO = −vI
Nota: La caída de tensión en el diodo no permite un límite preciso en cero. No permite trabajar
con señales de poca amplitud.

Rectificador de media onda de precisión

v1 > 0 va = −V γ v0 = 0 D1 off D2 on
RF
v1 < 0 v0 = − v1 D1 on D2 off
R1

5. 8
Rectificadores de media Onda (Voltímetro)

1 V pico R2 RF
 ωmin ⇒ vO =
CF RF π R1 R3

Controlando los valores de las resistencias

podemos dar lectura de valores rms.

Rectificador de onda completa

(Generador de valor absoluto)
R4 ⎫
v1>0 D1 on D2 off v2= − v1 ⎪
R3 ⎬
v1<0 D1 off D2 on v2 = 0 ⎪
⎭
RF R
v0 = − v1 − F v2
R1 R2
RF ⎫
R3 = R4 = R v1 < 0 v0 = −v1
R1 ⎪⎪
⎬ Si RF = R1 → vO = v 1
R RF
R2 = 1 v1 > 0 v0 = v1 ⎪
2 R1 ⎪⎭
RF R
v0 = − v1 + 2 F v1
R1 R1 5. 9
• Generadores de función a tramos lineales
Suma de
RF
Segmentos lineales S1 = − ;
R1
⎛R R ⎞
S2 = − ⎜ F + F ⎟ ;
⎝ R1 R2 ⎠
⎛R R R ⎞
S3 = − ⎜ F + F + F ⎟
⎝ R1 R2 R3 ⎠

D1 Limitador en paralelo ⎛R R ⎞
S1 = − ⎜ F + F ⎟ ;
⎝ 2 R1 R3 ⎠
⎛ R R ⎞
S3 = − ⎜ F + F ⎟
⎝ 2 R2 R3 ⎠
D2 ⎛R R R ⎞
S2 = − ⎜ F + F + F ⎟
⎝ 2 R1 2 R2 R3 ⎠
⎛R RF ⎞
Limitador en serie S1 = − ⎜ F + ⎟;
D1 ⎝ R2 R5 ⎠
⎛R ⎞
S2 = − ⎜ F ⎟;
⎝ R5 ⎠
D2 ⎛R R ⎞
S3 = − ⎜ F + F ⎟
⎝ R1 R5 ⎠ 5. 10
 • Amplificadores logarítmicos. Amplificador logarítmico básico.
Este circuito presenta una
Función logarítmica dependencia muy fuerte frente a
variaciones de temperatura.
R
vI - vO
+

vI −qvO
= I = I s exp( )
R nKT
v
vO = − nKT ln( I ), vI > 0
RI S

Para vBE no muy elevadas:

⎛ qv ⎞⎫
Símbolo asociado al diagrama de bloque. IC = αF IES exp ⎜ BE ⎟⎪
⎝ kT ⎠⎬
v1 vBE = −v0 ⎪
K 2 v1
⎭
vO = − K1 ln
v2 vO kT ⎛ IC ⎞
v2 ⇒ v0 = vEB ≈ − ln ⎜ ⎟ ; v1 = IC R
q ⎝ aF IES ⎠
kT ⎛ v1 ⎞
⇒ v0 ≈ − ln ⎜ ⎟
q ⎝ αF IES R ⎠
5. 11
Implementación de un amplificador logarítmico.

v1 ⎛ qv3 ⎞ ⎫
= I C1 = αF I ES exp⎜ − ⎟ ⎪
R5 ⎝ kT ⎠ ⎪ I C1 R3v1 ⎛ qv ⎞
⎬ ⇒ = = exp⎜ − 5 ⎟
v2 ⎛ q(v5 − v3 ) ⎞ ⎪ I C2 R5v2 ⎝ kT ⎠
= I = αF I ES exp⎜ ⎟
R3 C2 ⎝ kT ⎠ ⎪⎭
R2 kT ⎛ R3v1 ⎞ ⎛ K2v1 ⎞
v5 = v0 = − ln⎜ ⎟ ⇒ v0 = −K1 ln⎜ ⎟
R1 + R2 q ⎝ R5v2 ⎠ ⎝ v2 ⎠
⎛ R1 ⎞ kT R3
donde K1 = ⎜1 + ⎟ y K2=
⎝ R2 ⎠ q R5
5. 12
 • Amplificadores antilogarítmicos. Amplificador antilogarítmico

Función antilogarítmica
R

vI - vO
+

vO −qvI
− = I = I s exp( )
R nKT
−qvI
−vO = RI s exp( ), vI > 0
nKT
v2 ⎛q ⎛ R2 ⎞⎞ ⎫
I C1 = = αF I ES exp⎜ ⎜ v1 − v3 ⎟ ⎟ ⎪
R3 ⎝ kT ⎝ R1 + R2 ⎠⎠ ⎪
Símbolo asociado al diagrama de bloque. ⎬
v0 ⎛ qv3 ⎞ ⎪
I C2 = = αF I ES exp⎜ − ⎟ ⎪
v1 R5 ⎝ kT ⎠ ⎭
vO = K1v2 exp(− K 2 v1 )
IC 2 v0 R3 ⎛ qv R2 ⎞
vO = K1v2 10 − K 2 v1 = = exp ⎜ − 1 ⎟
v2 vO IC1 v2 R5 ⎝ kT R1 + R2 ⎠
→ vO = K1v2 exp ( −K2 v1 )
R5 q R2
donde K1 = y K2 =
R3 kT R1 + R2
5. 13
Aplicaciones de los amplificadores logarítmicos:
Generadores de función.

Exponencial

División en
un cuadrante

Multiplicación
en un cuadrante

Operador general
mulipropósito

5. 14
 Multiplicadores analógicos. Aplicaciones.

Multiplicación y División Raíz Cuadrada

5. 15
 Generadores de Señal. Circuito generador de señales cuadradas (vS) y triangulares (vT).
vT vS
+ =I
R1 R2
⎧⎪I > 0 V0 ( A2 ) = −Vγ I ( R = 100k ) < 0
vS = ⎨
⎪⎩I < 0 V0 ( A2 ) = +Vγ I ( R = 100k ) > 0
vO(A2) ⎧ vS − Vγ Vγ 15 + Vγ
I
⎪⎪ I > 0 = + vS =VH >> 0
2 100 3.2
R1 ⎨
⎪I < 0 Vγ + 15 + Vγ = −Vγ − vS v =V << 0
⎪⎩ 100 3.2 2
S L

t
1 vS t
RC ∫0
vT = − vS dt = − + vT ( 0 )
R2 RC
vT = Señal triangular
R1 ⎛ −1 1 ⎞
T = ΔV RC ⎜ + ⎟
R2 ⎝ VL VH ⎠
R
vT = − 1 vS ΔV = (VH − VL )
R2

Los diodos de A2 conmutan cuando I=0.

5. 16
• Multivibrador biestable Problemas: 12.24 al 12-29 Sedra-Smith

Realimentación Positiva. Comparación con Histéresis

Carácter inversor

Característica para
Vi crecientes
⎧ R1 ⎫
L
⎪ + R +R = VTH ⎪
Circuito Biestable R1 ⎪ ⎪
v+ = vO =⎨
1 2
⎬
R1 + R2 ⎪ R1
L− = VTL ⎪
⎩⎪ R1 + R2 ⎭⎪

Característica para Característica de transferencia completa.

Vi decrecientes

5. 17
Carácter no inversor.

vI − v+ v+ − vO
=
R1 R2
vO 1 1
vI = R1 ( − + v+ ( + ))
R2 R1 R2
− R1 − R1
VTH = L− ; VTL = L+ ;
R2 R2

5. 18
 Bibliografía:
•J.V. Wait, L.P. Huelsman, G.A. Korn “Introducción al amplificador
operacional. Teoría y aplicaciones”, Ed. Gustavo Gili, S.A.
•A.S. Sedra y K.C. Smith, "Microelectronics Circuits", 5ª ed.,Oxford University
Press, 2003.

5. 19