Apuntes de Ingeniería de Materiales – ESIME Ticomán IPN

Autores: Ing. Antonio Mosqueda Sánchez, Ing. Alfonso Espinosa Picazo

UNIDAD 2

2.1 DEFECTOS DE LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS

Los ordenamientos cristalinos no son perfectos ya que contienen varios tipos de defectos o imperfecciones que afectan a muchas de las
propiedades físicas y mecánicas, que a su vez afectan a muchas propiedades importantes de materiales para ingeniería como la
conformación en frío de aleaciones, la conductividad eléctrica de semiconductores, la velocidad de migración de átomos en aleaciones y la
corrosión de metales.

Estas imperfecciones solo representan “defectos” en, o desviaciones, respecto a los arreglos atómicos perfectos o ideales, en una
estructura cristalina dada. El material no se considera defectuoso desde un punto de vista de la aplicación. En muchas aplicaciones es útil
la presencia de esos defectos. Sin embargo, hay unas pocas aplicaciones en donde se trata de minimizar determinada clase de defecto. Por
ejemplo los defectos llamados dislocaciones son útiles para aumentar la resistencia de los metales y las aleaciones; sin embargo, en el
silicio monocristalino, que se usa para fabricar chips de computadora, no es deseable la presencia de dislocaciones. Con frecuencia, se
pueden crear en forma intencional los defectos para obtener determinado conjunto de propiedades electrónicas, ópticas y mecánicas. Por
ejemplo el hierro puro es relativamente suave; sin embargo, cuando se le agrega una pequeña cantidad de carbono se crean defectos en el
arreglo cristalino del hierro y se convierte en un acero al carbono, que tiene una resistencia bastante mayor. De igual modo, un cristal de
alúmina pura (Al2O3) es transparente e incoloro, pero cuando se agrega una pequeña cantidad de cromo se crea un defecto especial que
produce un bello cristal de rubí rojo.

En el procesamiento de los cristales de silicio para microelectrónica, se agregan concentraciones muy pequeñas de átomos de fósforo o
boro al silicio. Estas adiciones producen defectos en el arreglo de los átomos del silicio. Esto, a su vez, nos permite obtener dispositivos
útiles, como los transistores, que son los bloques de construcción básicos que permitieron la revolución de las computadoras y la tecnología
de la información.

Casi siempre, pequeñas concentraciones de elementos elementos en un metal, por lo demás puro, bajan su conductividad eléctrica. Cuando
se desea usar cobre como conductor en microelectrónica, se usa la máxima pureza posible. Esto se debe a que aún cantidades pequeñas
de impurezas causan un aumento de varios ordenes de magnitud en la resistividad del cobre, por consiguiente, el efecto de los defectos
puntuales no siempre es deseable.

La presencia de límites de grano ayuda en realidad a endurecer los materiales metálicos.

Las imperfecciones en la red cristalina se clasifican según su forma y geometría: 1) defectos puntuales, 2) defectos de línea, 3) defectos de
superficie y 4) defectos de volumen.

2.2 DEFECTOS PUNTUALES (VACANCIAS E INTERSTICIOS)

El defecto puntual más sencillo es la vacancia, que es un sitio atómico en el que ha desaparecido el átomo que lo ocupaba ( ver figura). Las
vacancias pueden producirse durante la solidificación como resultado de perturbaciones locales durante el crecimiento de cristales, o
pueden ser debidas a reordenamientos atómicos en un cristal ya existente debido a la movilidad de los átomos. En los metales se pueden
introducir vacancias durante la deformación plástica, por enfriamiento rápido desde elevadas a bajas temperaturas y por bombardeo con
partículas energéticas como son los neutrones. Las vacancias pueden moverse cambiando su posición con sus vecinas. Este proceso es
importante en la migración o difusión de los átomos en estado sólido, particularmente a temperaturas elevadas donde la movilidad de los
átomos es mayor.

Otro defecto puntual son los átomos intersticiales, que ocurre cuando un átomo se introduce en un hueco o intersticio de una celda
unitaria, estos defectos se pueden introducir en la estructura por irradiación.

Los átomos impurezas de tipo sustitucional o intersticial son también defectos de punto y se presentan en cristales con enlaces
metálicos o covalentes. Por ejemplo, cantidades muy pequeñas de impurezas atómicas sustitucionales en silicio puro pueden afectar mucho
su conductividad eléctrica para su uso en dispositivos electrónicos.

En cristales iónicos los defectos puntuales son más complejos debido a la necesidad de mantener la neutralidad eléctrica. Cuando dos iones
de carga opuesta faltan en un cristal iónico, se crea una divacante aniónica- catiónica que se conoce como defecto de Schottky. Ahora, si
un catión se mueve a un hueco intersticial del cristal iónico, se crea una vacante catiónica en la posición inicial del catión. Este par de
defectos vacante-intersticio se llama defecto de Frenkel. La presencia de estos defectos en cristales iónicos aumenta su conductividad
eléctrica.

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Fig. 2.1 Defectos puntuales más comunes que se presentan en los ordenamientos
cristalinos.

2.3 DEFECTOS LINEALES (DISLOCACIONES)

Los defectos lineales o dislocaciones en sólidos cristalinos, son defectos que provocan una distorsión de la red centrada en torno a una
línea. Las dislocaciones se crean durante la solidificación de los sólidos cristalinos. También se pueden formar en la deformación plástica o
permanente de sólidos cristalinos, por condensación de vacantes y por desajuste atómico en las disoluciones sólidas.

Fig. 2.2 Defectos de línea: a) dislocaciones de borde, b) dislocaciones de tornillo y c) dislocaciones mixtas.

Los dos principales tipos de dislocaciones son las de tipo de arista (o de borde) y las de tipo helicoidal (tornillo). Una combinación de las
dos da dislocaciones mixtas. Una dislocación de arista se crea por la intersección de un semiplano extra de átomos (fig. 2.2 a). La distancia
de desplazamiento de los átomos alrededor de la dislocación se llama deslizamiento o vector de Burgers b y es perpendicular a la línea de
dislocación de arista. Las dislocaciones no son defectos de equilibrio y almacenan energía en la región distorsionada de la red cristalina
alrededor de la dislocación. La dislocación de arista presenta una región de tensión a compresión donde se encuentra el semiplano extra, y
una región de tensión a tracción debajo del semiplano extra de átomos.

La dislocación helicoidal (o de tornillo) puede formarse en un cristal perfecto aplicando tensiones de cizalladura en las regiones del cristal
perfecto que han sido separadas por un plano cortante, (fig. 2.2 b). Las tensiones de cizalladura introducen en la estructura cristalina una
región de distorsión en forma de una rampa en espiral de átomos distorsionados o dislocación helicoidal. El deslizamiento o vector de
Burgers de la dislocación helicoidal es paralelo a la línea de dislocación. La mayor parte de las dislocaciones en cristales son de tipo mixto,
teniendo componentes de arista y helicoidales (fig. 2.2 c).
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2.4 DEFECTOS SUPERFICIALES (FRONTERAS DE GRANO, FALLAS APILADAS)

Los defectos de superficie son los límites de grano y las maclas. Los límites de grano son defectos de superficie en materiales policristalinos
que separan granos (cristales) de diferentes orientaciones. En metales los límites de grano se originan durante la solidificación cuando los
cristales formados a partir de diferentes núcleos crecen simultáneamente juntándose unos con otros (fig. 2.3a). La forma de los límites de
grano viene determinada por la restricción impuesta por el crecimiento de los granos vecinos. El límite de grano es una región de átomos no
alineados entre dos granos (cristales) adyacentes. Los límites de grano en los materiales metálicos o cerámicos pueden identificarse en una
muestra preparada metalograficamente, como líneas oscuras al observarse en el microscopio. La mayor energía en el límite de grano y su
estructura más abierta hacen la región más favorable para la nucleación y crecimiento de precipitados. El menor empaquetamiento atómico
en los límites de grano también permite una difusión atómica más rápida en estas regiones. También disminuyen la plasticidad dificultando
el movimiento de dislocaciones en la región de límite de grano.

Fig. 2.3 Límites de grano y maclas son defectos de superficie.

Una macla o borde de macla (falla apilada), es un plano que separa dos partes de un grano que tienen una pequeña diferencia en la
orientación cristalográfica. Estas partes de la red parecen formar una imagen especular en el plano del borde de macla. (fig. 2.3b). Las
maclas se producen cuando una fuerza de corte hace que los átomos cambien de posición. Las maclas ocurren durante la deformación o el
tratamiento térmico de ciertos metales. Los bordes de macla interfieren con el proceso de deslizamiento incrementando la resistencia del
metal y también pueden hacer que el metal se deforme.

Tamaño de grano

El tamaño de grano de metales policristalinos es importante dado que la cantidad de superficie de los límites de grano tiene un efecto
significativo en muchas propiedades de los metales, especialmente en la resistencia mecánica. A bajas temperaturas los límites de grano
refuerzan los metales por restricción del movimiento de dislocaciones bajo tensión. A temperaturas elevadas los límites de grano pueden
deslizarse y se convierten en regiones de debilidad en metales policristalinos. Un método para medir el tamaño de grano es el método
ASTM, en el que el número de tamaño de grano n se define por:
N = 2 n-1

Donde N es el número de granos por pulgada cuadrada en una superficie pulida y atacada de un material a unos aumentos de 100x y n es
un entero arbitrado como el número de tamaño de grano ASTM.

Fig. 2.4 A mayor número de tamaño de grano corresponde un mayor número de granos Fig. 2.5 La resistencia de un material se incrementa cuando el tamaño de
por pulgada cuadrada. grano ASTM se incrementa, es decir, cuando el grano es más pequeño.
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La ecuación de Hall-Petch.

Un método para controlar las propiedades de un material es controlando el tamaño de los granos. Reduciendo el tamaño de estos se
incrementa su número y, por tanto, aumenta la cantidad de fronteras de grano. Cualquier dislocación se moverá solamente una distancia
corta antes de encontrar una frontera de grano, incrementando así la resistencia del metal. La ecuación de Hall-Petch relaciona el tamaño
de grano con el esfuerzo de cedencia del material.
σy = σ0 + K d -1/2
donde σy es el esfuerzo de cedencia, d es el diámetro promedio de los granos y σ0 y K son constantes del metal.

2.5 DEFECTOS DE VOLUMEN

Los defectos de volumen son precipitados o fases que aparecen en la matriz de la aleación, estos precipitados pueden tener un
ordenamiento cristalino que puede ser coherente (empatar perfectamente con el ordenamiento cristalino de la matriz) o puede ser
incoherente, es decir, con ordenamiento cristalino muy distinto al de la matriz que lo aloja.

Fig. 2.6 Las fases precipitadas en la matriz son llamados defectos de volumen, pueden ser coherentes e incoherentes.

2.6 EFECTO EN LAS PROPIEDADES MECÁNICAS

Concentración o
Defectos Tipo dimensión característica Influencia
Vacancias ~ 10-4 a θ Difusión en el estado sólido
~ 10-15 a θ

Átomos intersticiales ~ 10-10 a θ Propiedades mecánicas, conductividad

1.- Puntuales Átomos extraños ~ 10-30 a θ eléctrica de aislantes y de
semiconductores

Defectos de Frenkel y de Schottky ~ 10-15 a θ Conductividad eléctrica de cristales iónicos

Densidad (metales):
~ 106 a 1012 cm/cm3
2.- De línea Propiedades mecánicas, ductilidad,
Dislocaciones Densidad (cristales tenacidad
iónicos):
~ 104 cm/cm3
Tamaño de los granos:
3.-De superficie Maclas; Propiedades mecánicas, ductilidad.
Límites de garno De 1 μm a 1 cm
Dimensiones:
4.- De volumen Precipitados Propiedades mecánicas, tratamientos
De 5 nm a 0.10 mm térmicos, propiedades magnéticas.

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