Unión P-N

Cuando los materiales de tipo p y tipo n se colocan en contacto uno con otro, la unión se comporta de manera muy
diferente a como lo hacen cada uno de los materiales por si solos. Específicamente, la corriente fluirá fácilmente
en una dirección (polarización directa) pero no en la otra (polarización inversa), creando un diodo básico. Este
comportamiento no reversible, surge de la naturaleza del proceso de transporte de carga en los dos tipos de
materiales.

Los círculos vacíos en el lado izquierdo de la unión de arriba a la derecha, representan "huecos" o deficiencias de
electrones que pueden actuar como portadores de carga positiva.

Los círculos sólidos a la derecha de la unión representan los electrones disponibles desde el dopante de tipo n.
Cerca de la unión, los electrones se difunden a su través y se combinan con los agujeros, creando una "región de
depleción".

El croquis de nivel de energía de arriba a la derecha, es una forma de visualizar la condición de equilibrio de la unión
P-N. La dirección ascendente en el diagrama representa la energía creciente de electrones.

Región de Depleción

Cuando se forma una unión p-n, algunos de los electrones libres en la región n, se difunden a través de la unión y
se combinan con los huecos para formar iones negativos. De esta manera dejan detrás iones positivos en los lugares
donantes de impurezas.

Detalles de la Región de Depleción

En la región de tipo p hay huecos en las impurezas aceptadoras

En la región de tipo n hay electrones adicionales.
 Cuando se forma la unión p-n, algunos electrones de la región n que han alcanzado la
banda de conducción están libres para difundirse a través de la unión y se combinan con
agujeros.

Al llenar un agujero se crea un ion negativo y deja tras de sí un ion positivo en el lado
n.
Con ello se acumula una carga espacial, creando una región de depleción, la cual impide
más transferencia de electrones a menos que sea ayudado por medio de una
polarización directa sobre la unión.

Efecto de la Polarización sobre los Electrones de la Zona de Depleción

Equilibrio de la unión

La fuerza de Coulomb de los iones, previene de una mayor

migración a través de la unión p-n.

Los electrones que han migrado a través desde la región N hasta

la región P en la formación de la capa de depleción han alcanzado
ahora el equilibrio.

Otros electrones desde la región N no pueden migrar porque son

repelidos por los iones negativos de la región P y atraidos por los
iones positivos de la región N.

Polarización inversa

La aplicación de voltaje con la polaridad indicada impide más

flujo de electrones a través de la unión.

Para la conducción en el dispositivo, los electrones de la región

N se deben mover hacia la unión y combinarse con los agujeros
de la región P. Una tensión inversa impulsa a los electrones
hacia afuera de la unión, evitando la conducción.
 Polarización directa

Una tensión aplicada en la dirección de avance, como se indica

electrones asistencias para superar la barrera de Coulomb de la
carga espacial en la región de agotamiento.

Los electrones fluirán con una resistencia muy pequeña en la

dirección de avance.

La aplicación de voltaje con la polaridad directa tal como se

indica, ayuda a los electrones a superar la barrera de Coulomb de
la carga espacial en la región de depleción. Los electrones fluirán
con muy poca resistencia en la polarización directa.

Diodo Varicap

Utiliza una unión p-n con polarización inversa, y tiene una estructura tal que la capacidad del diodo varía con el
voltaje inverso. Una capacidad controlada por voltaje es útil en aplicaciones de sintonización.

La capacidad se controla por el método de dopar la capa de depleción. Los valores típicos van de decenas a cientos
de picofaradios.

Diodo Gunn

El efecto Gunn es un instrumento eficaz para la generación de oscilaciones en el rango de las microondas en los
materiales semiconductores. Gunn observó esta característica en el Arseniuro de Galio (GaAs) y el Fósforo de Indio
(InP)
Este efecto es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unión misma, ni de los contactos,
tampoco depende de los valores de voltaje y corriente y no es afectado por campos magnéticos.
 Cuando se aplica un pequeño voltaje continuo a través de una plaquita delgada de Arseniuro de Galio (GaAs), ésta
presenta características de resistencia negativa. Todo esto bajo la condición de que el voltaje en la plaquita sea
mayor a los 3.3 voltios/cm.
Ahora, si esta plaquita es conectada a un circuito sintonizado (cavidad resonante), se producirán oscilaciones y todo
el conjunto se puede utilizar como oscilador.
Este efecto sólo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones) y las oscilaciones se dan sólo cuando
existe un campo eléctrico. Estas oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan
para atravesar una plaquita de material tipo N cuando se aplica el voltaje en continua.

Resistencia negativa en el diodo Gunn

El Arseniuro de Galio (GaAs) es uno de los pocos materiales semiconductores que en una muestra con dopado tipo
N, tiene una banda de energía vacía más alta que las que se encuentran ocupadas parcial o totalmente.

- Funcionamiento de resistencia positiva: Cuando se aplica un voltaje a la plaquita (tipo N) de Arseniuro de Galio
(GaAs), los electrones, que el material tiene en exceso, circulan y producen una corriente al terminal positivo. Si
se aumenta la tensión, la velocidad de la corriente aumenta.
- Funcionamiento de resistencia negativa: Si a la plaquita anterior se le sigue aumentando el voltaje, se les comunica
a los electrones una mayor energía, pero en lugar de moverse más rápido, los electrones saltan a una banda de
energía más elevada, que normalmente está vacía, disminuyen su velocidad y por la corriente. De esta manera
una elevación del voltaje en este elemento causa una disminución de la corriente.

Diodo Zenner

Es un tipo especial de diodo, que siempre se utiliza polarizado inversamente. Los diodos comunes, como el diodo
rectificador (en donde se aprovechan sus características de polarización directa y polarización inversa), conducen
siempre en el sentido de la flecha. En este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el diodo. Si
el diodo zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificador común. Cuando el diodo zener
funciona polarizado inversamente mantiene entre sus terminales un voltaje constante.

Se debe tomar en cuenta que cuando éste se polariza en modo inverso si existe una corriente que circula en sentido
contrario a la flecha del diodo, pero de muy poco valor.
 Diodo Túnel

Se comporta de una manera muy interesante conforme se le va aumentando una tensión aplicada en sentido
directo.
 Cuando se aplica una pequeña tensión, el diodo empieza a conducir (la corriente empieza a fluir).
 Si se sigue aumentando esta tensión la corriente aumentará hasta llegar un punto después del cual la corriente
disminuye.
 La corriente continuará disminuyendo hasta llegar al punto mínimo de un “valle” y ….
 Después volverá a incrementarse. En esta ocasión la corriente continuará aumentando conforme aumenta la
tensión.

 Vp: Tensión pico

 Vv: Tensión de valle
 Ip: Corriente pico
 Iv: Corriente de valle

La región en el gráfico en que la corriente disminuye cuando la tensión aumenta (entre Vp y Vv) se llama zona de
resistencia negativa.
Tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rápidamente, cambiando de estado de
conducción al de no conducción incluso más rápido que los diodos Schottky. Desgraciadamente, este tipo de
diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de fuga muy grande cuando están
polarizados en inversa. Así estos diodos sólo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de
alta frecuencia.

Diodo avalancha.

Es un diodo semiconductor diseñado especialmente para trabajar en tensión inversa.

En estos diodos, poco dopados, cuando la tensión en polarización inversa alcanza el valor de la tensión de ruptura,
los electrones que han saltado a la banda de conducción por efecto de la temperatura se aceleran debido al
campo eléctrico incrementando su energía cinética, de forma que al colisionar con electrones de valencia los
liberan; éstos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liberándolos también,
produciéndose una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin
apenas incremento de la tensión.

Efecto Avalancha

Aumenta la tensión inversa y curre lo siguiente dentro del diodo: Justo en el límite antes de llegar a Ruptura, la
pila va acelerando a los electrones. Y estos electrones pueden chocar con la red cristalina, con los enlaces
covalentes. Choca el electrón y rebota, pero la velocidad es muy grande y por ello la energía cinética es tan grande
que al chocar cede energía al electrón ligado y lo convierte en libre. El electrón incidente sale con menos velocidad
que antes del choque. O sea, de un electrón libre obtenemos dos electrones libres. Estos 2 electrones se aceleran
otra vez, pueden chocar contra otro electrón de un enlace covalente, ceden su energía y se repite el proceso y se
crea una Multiplicación por Avalancha.

Un diodo de avalancha utiliza

El voltaje de referencia: La tensión de ruptura después varía muy poco con la corriente cambiante. Esto hace que
el diodo de avalancha útiles como un tipo de referencia de tensión. Diodos de referencia de tensión nominal
superior a aproximadamente 5,5 voltios son diodos de avalancha.

Generación de ruido de RF: Son comúnmente utilizados como fuentes de ruido en equipos de radio y hardware
generador de números aleatorios.

Generación de frecuencia de microondas: Si se coloca en un circuito resonante, diodos de avalancha pueden

actuar como dispositivos de resistencia negativa. El diodo IMPATT es un diodo de avalancha optimizado para la
generación de la frecuencia.