ESCUELA SUPERIOR POLITÉCNICA DE CHIMBORAZO

FACULTAD: (NOMBRE DE FACULTAD)

ESCUELA (NOMBRE DE LA ESCUELA)
CARRERA: (NOMBRE DE LA CARRERA

GUÍA DE LABORATORIO DE ELECTRONICA

PRÁCTICA No.3 – Configuración de Diodos

1. DATOS GENERALES:

NOMBRE: (estudiante(s) CÓDIGO(S): (de estudiante(s)

Mentor Cruz 935

Flavio Jaramillo 8

Andrés Sanango 8

GRUPO No.: ………….

FECHA DE REALIZACIÓN: FECHA DE ENTREGA:

17/11/17 17/11/24
2. OBJETIVO(S):

2.1. GENERAL

2.2. ESPECÍFICOS

Describir en forma estructurada el o los objetivo(s) que persigue la práctica que

responda a ¿Qué se hace….?; ¿Cómo se hace….?; ¿Para qué se hace….? Y ¿su
grado de calidad ?.

3. METODOLOGÍA

Describir la metodología utilizada para el desarrollo de la práctica, que incluye una

descripción secuencial de los pasos a seguir.
4. EQUIPOS Y MATERIALES:

Listar los equipos, instrumentos, materiales, reactivos, y demás implementos que se

requieren para la práctica.

Incluir representaciones gráficas de equipos, instrumentos a utilizar (diagramas,

planos, fotografías, otros

5. MARCO TEÓRICO:

RECTIFICACION DE MEDIA ONDA

El análisis de los diodos se ampliará para incluir las funciones variables en el

tiempo tales como la forma de onda sinusoidal

Figura 1 Rectificador de Media Onda

A través de un ciclo completo, definido por el periodo T de la figura 1, el valor

promedio (la suma algebraica de las áreas arriba y abajo del eje) es cero. El circuito
de la figura No. 1, llamado rectificador de media onda, generará una forma de onda
Vo , la cual tendrá un valor promedio de uso particular en el proceso de conversión
de ac a dc. Cuando un diodo se usa en el proceso de rectificación, es común que se
le llame rectificador. Sus valores nominales de potencia y corriente son
normalmente mucho más altos que los diodos que se usan en otras aplicaciones,
como en computadores o sistemas de comunicación.

Figura 2 Región de conducción (0-T/2)

Durante el intervalo t= 0 T/2 en la figura No. 1, la polaridad del voltaje aplicado Vi

es como para establecer "preciso" en la dirección que se indica, y encender el diodo
con la polaridad indicada arriba del diodo. Al sustituir la equivalencia de circuito
cerrado por el diodo dará por resultado el circuito equivalente de la figura No. 2,
donde parece muy obvio que la señal de salida es una réplica exacta de la señal
aplicada. Las dos terminales que definen el voltaje de salida están conectadas
directamente a la señal aplicada mediante la equivalencia de corto circuito del
diodo.
Para el periodo T/2 T, la polaridad de la entrada Vi es como se indica en la figura
No. 3, y la polaridad resultante a través del diodo ideal produce un estado "apagado"
con un equivalente de circuito abierto. El resultado es la ausencia de una trayectoria
para el flujo de carga y Vo= iR= (0)R=0 V para el periodo T/2 T. La entrada Vi y la
salida Vo se dibujaron juntas en la figura No. 4 con el propósito de establecer una
comparación. Ahora, la señal de salida Vo tiene un área neta positiva arriba del eje
sobre un periodo completo, y un valor promedio determinado por:
Vdc = 0.318 Vm Media onda(1.0)

Figura 3 Región de no conducción (T/2 – T).

Figura 4 Señal rectificada de media onda

Al proceso de eliminación de la mitad de la señal de entrada para establecer un nivel

dc se le llama rectificación de media onda.
El efecto del uso de un diodo de silicio con VT= 0.7 V se señala en la figura 5 para
la región de polarización directa. La señal aplicada debe ser ahora de por lo menos
0.7 V antes que el diodo pueda "encender". Para los niveles de Vi menores que 0.7
el diodo aún está en estado de circuito abierto y Vo = 0 V, como la misma figura.
Cuando conduce, la diferencia entre Vo y Vi se encuentra en un nivel fijo de VT=
0.7 V y Vo = Vi – VT, según se indica en la figura. El efecto neto es una reducción
en el área arriba del eje, la cual reduce de manera natural el nivel resultante del
voltaje dc. Para las situaciones donde Vm >> VT, la siguiente ecuación puede
aplicarse para determinar el valor promedio con un alto nivel de exactitud.

Vdc = 0.318 (Vm – VT) (2.0)

Figura 5 Efecto de VT sobre la señal rectificada de media onda.

Si Vm es suficientemente más grande que VT, la ecuación (1.0) es a menudo

aplicada como una primera aproximación de Vdc.
RECTIFICACION DE ONDA COMPLETA
Puente de diodos
El nivel de dc que se obtiene a partir de una entrada senoidal puede mejorar al 100% si se
utiliza un proceso que se llama rectificación de onda completa, La red más familiar para
llevar a cabo la función aparece en la figura 6 con sus cuatro diodos en una configuración
en forma de puente. Durante el periodo t= 0 a T/2 la polaridad de la entrada se muestra en
la figura 7. Las polaridades resultantes a través de los diodos ideales también se señalan en
la figura 7 para mostrar que D2 y D3 están conduciendo, en tanto que D1 y D4 se hallan en
estado "apagado". El resultado neto es la configuración de la figura 8, con su corriente y
polaridad indicadas a través de R. Debido a que los diodos son ideales, el voltaje de carga
Vo = Vi, según se muestra en la misma figura.

Figura 6 Puente rectificador de onda completa

Figura 7 Red de la figura 6 para el periodo 0 – T/2 del voltaje de entrada Vi

Figura 8 Trayectoria de conducción para la región positiva de Vi

Para la región negativa de la entrada los diodos conductores son D1 y D4, generando la
configuración de la figura No. 9. El resultado importante es que la polaridad a través de la
resistencia de carga R es la misma que en la figura 7, estableciendo un segundo pulso
positivo, como se indica en la figura 9. Después de un ciclo completo los voltajes de
entrada y de salida aparecerán según la figura. 10.
 Figura 9 Trayectoria de conducción para la región negativa de Vi.

Figura 10 Formas de onda de entrada y salida para rectificador de onda completa

Debido a que el área arriba del eje para un ciclo completo es ahora doble, en comparación
con la obtenida para un sistema de media onda, el nivel de dc también ha sido duplicado y
Vdc = 2( Ec. 2.7) = 2(0.318 Vm) O Onda completa (3.0)
Si se emplea diodos de silicio en lugar de los ideales como se indica en la figura 11, una
aplicación de la ley de Kirchhoff alrededor de la trayectoria de conductancia resultaría
Vi – VT – Vo – VT = 0
Vo = Vi - 2VT
Y El valor pico para el voltaje de salida Vo es, por tanto, Vo max = Vm - 2VT (4.0)
Para las situaciones donde Vm >> 2VT,. Puede aplicarse la ecuación (4.0) para el valor
promedio con un nivel relativamente alto de precisión.

Figura 11 Determinación de Vomax para los diodos de silicio en la configuración puente.

Si Vm es lo suficiente más grande que 2VT, entonces la ecuación (3.0) a menudo se

aplica como una primera aproximación para Vdc.
6. PROCEDIMIENTO:

7. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:

Describir en forma lógica las conclusiones a que conlleven la práctica y las

recomendaciones que sean pertinentes

8. BIBLIOGRAFÍA:

Citar la fuente bibliográfica general, específica que sustentan la práctica con

bibliografía existente en bibliotecas y debidamente actualizada.
ANEXOS