Diodo Schottky

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A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unión P–N, el diodo
schottky tiene una unión Metal-N.

Estos diodos se caracterizan por su velocidad de conmutación, una baja caída de voltaje
cuando están polarizados en directo (típicamente de 0.25 a 0.4 voltios). El diodo Schottky está
más cerca del diodo ideal que el diodo semiconductor común pero tiene
algunas características que hacen imposible su utilización en aplicaciones de potencia.
Estas son:

 El diodo Schottky tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo (en sentido
de la flecha). Esta característica no permite que sea utilizado como diodo rectificador. Hay
procesos de rectificación (por ejemplo fuentes de alimentación) en que la cantidad de
corriente que tienen que conducir en sentidodirecto es bastante grande y supera la
capacidad del diodo Schottky.
 El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR).
El proceso de rectificación antes mensionado también requiere que la tensión inversa que
tiene que soportar el diodo sea grande.

Símbolo del diodo Schottky

Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran cantidad de aplicaciones en circuitos de alta
velocidad como encomputadoras. En estas aplicaciones se necesitan grandes velocidades de
conmutación y su poca caída devoltaje en directo causa poco gasto de energía. El diodo
Schottky o diodo de barrera Schottky, se llama así en honor del físico alemán Walter H.
Schottky.
 Diodo varicap. El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de
diodo que basa su funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la
barrera de potencial en una unión PN varíe en función de la tensión inversa aplicada
entre sus extremos.

Contenido
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 1 Funcionamiento
o 1.1 Aplicación
 2 Curva característica y simbología del diodo Varicap.
 3 Fuentes

Funcionamiento
El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa
su funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera de
potencial en una unión PN varíe en función de latensión inversa aplicada entre sus
extremos. Al aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de esa barrera,
disminuyendo así la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensado
variable controlado por tensión. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a
500 pF. La tensión inversa mínima tiene que ser de 1 V.
La capacidad formada en extremos de la unión PN puede resultar de suma utilidad
cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca precisamente
utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual está situado el diodo.
Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, además de las zonas
constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia
de muy bajo valor óhmico, lo que conforma un condensador de elevadas pérdidas.
Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia paralelo que
aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda comportar como
un condensador con muy bajas pérdidas. Si aumentamos la tensión de polarización
inversa las capas de carga del diodo se espacian lo suficiente para que el efecto se
asemeje a una disminución de la capacidad del hipotético condensador (similar al
efecto producido al distanciar las placas de un condensador estándar).
La capacitancia es función de la tensión aplicada al diodo. Si la tensión aplicada al
diodo aumenta la capacitancia disminuye, Si la tensión disminuye la capacitancia
aumenta.

Aplicación
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Diodos varicap
La utilización más solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a complejos
sistemas mecánicos de condensador variable en etapas de sintonía en todo tipo de
equipos de emisión y recepción.
Ejemplo, cuando se actúa en la sintonía de un viejo receptor de radio se está
variando (mecánicamente) el eje del condensador variable que incorpora éste en su
etapa de sintonía; pero si, por el contrario, se actúa sobre la ruedecilla o, más
comúnmente, sobre el botón (pulsador) de sintonía del receptor de TV a color lo que
se está haciendo es variar la tensión de polarización inversa de un diodo varicap
contenido en el módulo sintonizador del equipo.

Curva característica y simbología del diodo

Varicap.
Su modo de operación depende de la capacitancia que existe en la unión P-N
cuando el elemento está polarizado inversamente. En condiciones de polarización
inversa, se estableció que hay una región sin carga en cualquiera de los lados de la
unión que en conjunto forman la región de agotamiento y definen su ancho Wd. La
capacitancia de transición (CT) establecida por la región sin carga se determina
mediante:
CT = E (A/Wd) donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A
es el área de la unión P-N y Wd el ancho de la región de agotamiento.
Conforme aumenta el potencial de polarización inversa, se incrementa el ancho de
la región de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transición. El
pico inicial declina en CT con el aumento de la polarización inversa. El intervalo
normal de VR para [diodo]s varicap se limita aproximadamente 20V. En términos de
la polarización inversa aplicada, la capacitancia de transición se determina en forma
aproximada mediante: CT = K / (VT + VR)n
dónde:

 K = constante determinada por el material semiconductor y la técnica de construcción.

 VT = potencial en la curva según se definió en la sección
 VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado
 n = ½ para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión