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Procesos Fundamentales en la Fabricación de

Semiconductores
Universidad Técnica Luis Vargas Torres (UTELVT), Esmeraldas – Ecuador.

Resumen— Desvelar los procesos de fabricación de un
semiconductor a partir de la materia prima en este caso el Silicio
(Si), el cual ha revolucionado el mundo, no solamente de la
electrónica si no en todos los campos de la vida desde las sociedad
en que vivimos hasta los más grandes acontecimientos que la
humanidad haya vivido, este documento explica cómo se lleva el
proceso de manufactura de estos a un nivel básico y entendible
explicando procesos fundamentales que se llevan a cabo en la
producción de un semiconductor especialmente en este caso un
circuito integrado (IC).
Índice— Introducción, Elaboración del material
semiconductor, Lingote de silicio, Proceso de litografía, Dopado,
Referencia, Biografía.
I. INTRODUCCIÓN
II. ELABORACIÒN DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR
El primer paso en el proceso de fabricación de semiconductores
es obtener la materia prima en este caso el Silicio (Si). El silicio
es el segundo elemento más abundante del planeta después del
oxígeno, se lo encuentra en las rocas, piedras preciosas, arena
de la playa y muchos otros lugares más, pero a pesar de ser un
material abundante es muy difícil encontrarlo en su forma pura
que es como se lo necesita para la fabricación de
semiconductores, por eso las fabricas proceden a procesar la
materia prima tomada directamente de la naturaleza o mejor
dicho en bruto para transformarla en un cristal policristalino
con el nivel de pureza requerido. Para esto se llevan a cabo una
serie de procesos químicos y mecánicos los cuales quitaran las
impurezas de nuestro elemento y esos procesos son:

1) Refinación por zona

E n electrónica un semiconductor es un material capaz de
actuar como conductor o aislante, esto se significa que el
material permite el paso de electrones y también lo prohíbe, a
Este proceso se utiliza para quitar las impurezas del
material utilizando un recipiente lleno de cuarzo y bobinas
simple vista no parece algo novedoso pero el hombre ha sacado de Radio Frecuencias utilizadas para calentar regiones del
provecho de este principio y se le ocurrió la grandiosa idea de elemento para aprovechar su pureza.
aprender a controlar este efecto, cuando pasa y cuando no pasa
la corriente lo cual causo una revolución y es donde el hombre
empezó a emprender en el mundo de la microelectrónica,
formando diodos, rectificadores, capacitores, circuitos
integrados y muchos más.

Al principio era difícil y hasta casi imposible trabajar con

escalas muy pequeñas, pero mediante pasaba el tiempo las
maquinas iban mejorando en precisión y en la creación de
nuevas técnicas, se mejoraron los diseños y se implementaron
controles muy estrictos que requerían ser implementados
Figura 1. Refinación por zona
porque los semiconductores se hicieron tan pequeños que
siquiera una sola partícula de polvo puede causar lo equivalente
a un descarrilamiento y eso derrocharía parte importante de la
2) Técnica Czochralski
producción diaria y por ende dinero también, por eso las
Este proceso se utiliza para la conservación de un solo cristal o
grandes fábricas toman muy enserio cada punto de la
silicio monocristalino, utilizando bobinas de inducción para
fabricación de un semiconductor porque esta se percibe en el
calentar el policristal de silicio a altas temperaturas y agregar
rendimiento y la durabilidad de este dispositivo.
una “semilla” de un cristal único para así transformarlo en
El silicio es el elemento más utilizado por su costo pero no es
monocristalino, y por consiguiente se retira el cristal frio el cual
el más eficiente, pero en este documento solo se hablara sobre
tiene forma de tubo llamado lingotes, los cuales se proceden a
los semiconductores de Silicio y el procesamiento que conlleva
rebanar y cortar, este proceso se apreciara mejor en los
convertir un montón de arena en un semiconductor.
siguientes transformaciones para conseguir un semiconductor.

Figura 2. Técnica Czochralski
III. LINGOTE DE SILICIO
El siguiente paso es el procesamiento de los lingotes de Silicio
ya obtenidos a partir de los procesos de purificación y
fundición. Los lingotes de Silicio son tubos esféricos
monocristalinos que comúnmente tienen una extensión de entre
1000 y 3000 milímetros (mm) y un diámetro de hasta 300
milímetros.
Después de que un lingote ya se ha formado se procede a
rebanar el mismo en discos llamados obleas muy finos con un
espesor de hasta el 1/5 del grosor de una hoja de papel, estos
discos son llevados a una maquina mecánica de lastrado la cual
pule para quitar cualquier impureza no deseada, luego estos
discos de Silicio son llevados a otra máquina la cual los
volverá a pulir mediante un proceso químico, después de pasar
y repetir una y otra vez todos estos pasos para obtener una muy
plana y lisa oblea ya podemos pasar al siguiente paso.
Figura 3. Lingote rebanado en obleas
IV. PROCESO DE LITOGRAFIA
Antes de empezar con este procedimiento primero cierto tipo de
ingenieros desarrollan el diseño del circuito integrado esto
conlleva a integrar en una parte muy pequeña millones y
millones de transistores conectados entre sí, haciendo grupos y
grupos de conexionados, por eso el proceso de diseño es hecho
por una computadora inteligente y luego copias son sacadas
para ser revisadas por el ojo humano. En el proceso de litografia
buscamos imprimir los diseños ya estructurados en las obleas
de silicio (Si), esto se lleva a cabo formando capas en la oblea
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sometiéndola a varios procesos como la de exponerlas
físicamente al vapor y la exposición química de vapor para
luego utilizar una protección o mascarilla hecha de cuarzo, esto
permite proteger algunas áreas de la oblea y exponer a las cuales
se quiere grabar el diseño, y luego exponemos este conjunto a
hazes de luz ultravioleta (UV) los cuales definen según el
diseño a nuestro circuito integrado.
Figura 4. Implantacion de circuitos en la oblea
El proceso de litografia conlleva un desarrollo minuciosamente
preciso para evitar errores o daños, por eso es importante
acondicionar la superficie de la oblea con la extrema necesidad
de que la oblea este estrictamente plana y lisa sin rugosidades,
por eso se tomó muy en cuenta el pulido y la purificación del
material en los procesos anteriores, es tanta la rigurosidad del
proceso que la oblea no debe exceder los un nanómetros de
rugosidad, para adherir o aplicar un material que impida que la
oblea sea dañada por la luz este químico debe ser fotoresistente,
una maqina de precisión muy exacta continua alineando la
máscara de protección con la oblea, para luego de ser
intersectada por los hazes de luces UV, seguimos a una parte
llamada revelado de la resistencia que consiste en dejar en
descubierto la parte que fue intervenida por los haces de luz UV
y dejar el resto protegido esto se hace para formar las
conexiones y los transistores en la oblea, existen más procesos
como:
:
Figura 5. Exposición de la oblea a luces UV
1. litografía ultravioleta extrema (EUV)
2. litografía con haz de electrones (haz E)
3. litografía con rayos X
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Para la fabricación de semiconductores existen muchos

procesos que pueden ser elegidos a conveniencia de los
procesos que se quieran llevar a cabo, no todos los procesos son VII.
buenos para todas las condiciones, unos procesos son más
rápidos y otros constan un poco más de tiempo, existen
empresas que utilizan procesos de acuerdo a su nivel económico
porque las maquinaria empleada en la fabricación de los
mismos es altamente costosa y existen procesos donde la mano
de obra humana no puede ingresar si no el proceso debe ser
automatizado.
V. DOPADO
BIOGRAFÍA
Marcos Rodriguez Bone, nació en Esmeraldas
-Ecuador el 11 de Marzo de 1998. Realizó sus
estudios secundarios en el Instituto técnico
“Luis tello”. Se graduó obteniendo el título de
bachiller Electricidad y mantenimiento de
máquinas eléctricas actualmente planea
graduarse de ingeniería eléctrica en la
universidad “Luis Vargas Torres”.
(marcosantos09@outlook.es)

El dopado es la adicion de impurezas en el compuesto

semiconductor para alterar las propiedades electricas del
Silicio( Si), las impurezas aderidas deben ser trivalentes(3
electrones de valencia) o pentabalentes (5 electrones de
valencia), esto se hace para formar semiconductores de tipo P o
de tipo N para asi proseguir a unirlos, los atomos mas utilizados
para este proceso de dopado de silicio (Si) son el Boro (B) para
los del tipo P y fósforo (P), arsénico (As) y el antimonio (Sb)
para los del tipo N, las tecnicas implementadas para este
proceso de dopado son la difusion y la implantacion de iones la
cual se realiza por medio de maquinas ionicas.

Figura 3. Proceso del Silicio

VI. REFERENCIAS
[1] L. N. Robert L. Boylestad, Electronica Teoria de Circuitos,
sexta edicion ed., Calle 4 Nl 2S·2º piso Fracc. Ind. Alce
Blanco,Naucalpan de Juárez, Edo. de México.: Dave Garza,
1997.

[2] M. P. Groover, Fundamentos de Manufactura Moderna, tercera

edicion ed., S. D. C. S. o. M. C. I. EDITORES, Ed., Edificio
Punta Santa Fe Prolongación Paseo de la Reforma 1015, Torre
A Piso 17, Colonia Desarrollo Santa Fe Delegación Álvaro
Obregón C.P. 01376, México, D. F.: Ricardo A. del Bosque
Alayón, 2007, p. 1038.

[3] Ciencia, Revista Cientifica Investigacion y tecnologia,

Semiconductores y superconductores, Edicion Española
Scientific American ed., PRENSA CIENTIFICA, 2004, p. 96.