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Introduccin a la Electrnica de Potencia

Jeisson Harvey Martinez Florez
Ingeniera Mecatrnica
Facultad de Ingenieras y Arquitectura, Universidad de Pamplona
Villa del Rosario, Colombia
jeisson_mar_flo@hotmail.com

Resumen Este artculo pretende dar introduccin a la proceso vital para la aplicacin de la electrnica de
Electrnica de Potencia como rea de la tecnologa y el potencia.
desarrollo industrial en el manejo y transformacin de la
energa elctrica. Busca dar un repaso general de los 1) La Potencia: incorpora los sistemas de potencia
conceptos, historia, tipos de dispositivos y aplicaciones de la mviles y estticos para la generacin,
electrnica de potencia que permitan entender mejor los
alcances de esta tecnologa y a su vez exponer algunos
transmisin y distribucin de la potencia
estudios que se estn realizando actualmente en esta materia. elctrica.

Palabras Clave Bloqueo, Convertidores, Control, 2) El Control: se encarga de las caractersticas

Conduccin, Diodo, Electrnica, Potencia, Semiconductor, estticas y dinmicas de los sistemas en lazo
transistor, tiristor. cerrado.

I. INTRODUCCIN 3) La Electrnica: es la encargada del tratamiento

de las seales a travs de componentes de estado
En la actualidad cada vez son ms los desarrollos, slido y circuitos con el objetivo de obtener el
dispositivos, invenciones e innovaciones que se dan en control necesario.
la tecnologa, y sin duda alguna gran porcentaje de esos
desarrollos tienen que ver o incluyen en alguna de sus
etapas de funcionamiento el uso de la energa elctrica.
Se basan pues, en accionamientos que consisten en
general en procesos que transforman la energa elctrica
en otro tipo de energa, o en el mismo tipo pero con
diferentes caractersticas. Para tal labor existen los
sistemas de potencia. Es de inters entonces estudiar la
electrnica de potencia en todos sus mbitos y apreciar
sus caractersticas, sus generalidades y el campo de
aplicacin inmenso que tiene esta rea. Fig. 1. Representacin de las reas que integran a la Electrnica de
Potencia.
II. DESARROLLO DE CONTENIDOS
B. Historia (Basado en [1],[2]):
Convertidores mecnicos -Conmutadores-
A. Concepto: Rectificadores: Desde la fase inicial de sistemas
elctricos se buscaba la conversin de la CA en CC
La electrnica de Potencia como disciplina es la
(rectificacin) y la CC en CA (inversin), as como crear
rama de la Electrnica que estudia los sistemas de
salidas variables a partir de una entrada fija, estas fueron
conversin, procesamiento y control de la energa
las bases para que naciera la electrnica de aplicacin en
elctrica a travs de circuitos y dispositivos
altas potencias. La tecnologa precursora de este tipo de
semiconductores de potencia (Basado en [3]). El
conversiones y aplicaciones de alta potencia fue el
objetivo de la electrnica de potencia es poder entregar
motor-generador el cual tena como propiedad valiosa su
energa elctrica en las mejores condiciones a una
resistencia a seguir funcionando gracias a la energa
determinada carga o para ser utilizada en alguna
cintica de la masa giratoria. Sin embargo presentaba
aplicacin. Para esto es necesario que haya una
inconvenientes mecnicos como el mantenimiento de
integracin entre 3 reas importantes que son: la
las partes mviles, lubricacin y sustitucin de
potencia, la electrnica y el control, tal como se puede
escobillas y los tamaos de construccin.
representar en la Fig. 1. En cada una se realiza un

La electrnica de potencia consigue la conversin
cambiando solo el recorrido de la corriente en momentos
discretos por medio de acciones de conmutacin
provocadas desde el exterior. En el motor-generador la
conmutacin era mecnica, dependiente de
mantenimientos y adems generaba una forma de onda
cuadrada y no sinusoidal. La superacin de este
problema fue uno de los puntos principales de progreso
en la electrnica de potencia moderna.
Vlvulas de arco de mercurio (1900-1950):
(rectificador de arco de mercurio rectificador de
taque metlico- rectificador de tubo de vaco controlado
por rejilla- el ignitrn- el fanotrn y el tiratrn).
En 1902, el inventor americano Peter Cooper
Hewitt present una configuracin con un electrodo
hecho de mercurio y el otro de acero encerrados en una
ampolla de cristal que contena vapor de mercurio. La
corriente se transmita desde el electrodo de carbono al
de mercurio pero no a la inversa. La vlvula de arco de
mercurio era utilizada para la conversin de CA en CC
y en transmisin de corriente continua de alto voltaje.
Semiconductores (1930-1960) (diodo-transistor):
La semiconductividad que fue descubierta por primera
vez en el sulfuro de plata por Michael Faraday en 1833,
pero el fenmeno no se comprendi totalmente hasta los
primeros aos 1930 cuando surgi la teora de la banda
de conduccin. Se descubri la propiedad de materiales
como germanio y silicio de tener niveles intermedios de
conductividad. Las alteraciones hechas con impurezas a
cristales de estos materiales dieron como resultado a los
materiales tipo n y tipo p, que juntos formaron la unin
pn llamada hoy en da diodo.
En 1947 en los laboratorios Bell Telephone fue
creado el primer Transistor de unin bipolar por Walter
H. Brattain, John Bardeen y William Shockley que
mejora la estabilidad y el rendimiento. Utilizaba un
campo elctrico para controlar la disponibilidad de
portadores de carga en un cristal de germanio. La
invencin del transistor inici un desarrollo rpido y
muy visible que inicio la primera revolucin de la
electrnica.
Tiristor (1956): debido a que la electrnica de
potencia requera interruptores que estuvieran
idealmente activados y desactivados con un periodo de
transicin corto se desarroll un semiconductor de
potencia inicial conmutable que fue el tiristor, cuyo
principio fue propuesto por William Shockley en 1950
y desarrollado en 1956 en los laboratorios Bell al cual
llamaron rectificador controlado de silicio (SCR). En
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1958 se inici la segunda revolucin electrnica con
la fabricacin y comercializacin del tiristor por
ingenieros de General Electric. Fue el principio de la
nueva era de la electrnica de potencia y de la
microelectrnica.
A partir de la dcada de 1960 varios tipos de
semiconductores de potencia fueron desarrollados y
comercializados, entre ellos estn: Diodos de potencia,
BJT, Mosfet, IGBT, SIT, GTO, RCT, LASCR, MCT
entre otros que mejoraron la velocidad de conmutacin
y que permiti el desarrollo de diferentes convertidores
de alta frecuencia.
En la dcada de los 70 se introduce los circuitos
integrados (miniaturizacin) con caractersticas de
dispositivos de menor tamao y peso, menor costo,
consumo y ms fiabilidad. En 1976 los MOSFET de
potencia fueron desarrollados y puestos
comercialmente. En 1982 se introdujo el transistor
bipolar de puerta aislada. En 1975 nacen los
microprocesadores. En 1990 aparicin del motor de
velocidad variable AC.
C. Caractersticas de semiconductores de potencia:
Un equipo moderno de electrnica de potencia
emplea 2 clases de elementos:
1) Semiconductores de Potencia: se considera
como el msculo.
2) La Microelectrnica: se considera como el
cerebro.
Los semiconductores de potencia se basan
principalmente en la conmutacin. El principio bsico
ms usual de funcionamiento de estos semiconductores
de potencia es el de operar como un interruptor que se
cierra y se abre.
Los semiconductores de potencia deben tener las
siguientes caractersticas indispensables:
1) Tener dos estados definidos:
Bloqueo de corriente y soporte de la cada de
tensin correspondiente (estado de alta
impedancia).
Conduccin de corriente con cada de tensin
mnima (estado de baja impedancia).
2) Capacidad de soportar altas tensiones de bloqueo
y altas intensidades de conduccin, para poder
controlar potencias altas.
3) Bajo consumo de potencia necesaria para
conmutar.
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4) Rapidez en el cambio de un estado a otra (alta

frecuencia).
5) Debe ser capaz de manejar cambios rpidos de
voltaje a travs de l y aumentos rpidos de
corriente que lo atraviesa.
6) Es importante que el costo sea bajo, para
construir equipos electrnicos de potencia de
bajo costo.

Es casi imposible encontrar u obtener un

semiconductor que tenga todas las caractersticas de
manera ptima, por tal motivo existen diferentes tipos
adecuados para las diferentes aplicaciones.

La curva caracterstica esttica directa e inversa de

estos dispositivos es de vital importancia ya que
relaciona la corriente con la cada de tensin en el
semiconductor. Otro factor de relevancia son las Fig. 2. Clases principales de semiconductores de potencia.
caractersticas dinmicas que proporcionan informacin Diodos de potencia: es un dispositivo electrnico
sobre las prdidas, los tiempos de conmutacin y los
que permite el paso de corriente en un solo sentido, tiene
picos de tensin y corriente que se generan en
dos terminales: ctodo y nodo. Como caracterstica
conmutacin.
principal se tiene que un diodo conduce cuando el
Los semiconductores de potencia se pueden voltaje del nodo es mayor que del ctodo. Y entra en
clasificar segn su grado de control en:
estado de bloqueo cuando el voltaje del ctodo es mayor
que en el nodo. La cada de voltaje directo de un diodo
1) Dispositivos no controlables: pertenecen a este
de potencia es muy pequea de 0.5 a 1.2 V. Hay tres
tipo los diodos de potencia en los cuales el tipos de diodos de potencia:
estado de conduccin o cierre y de bloqueo o
abertura dependen del circuito de potencia, por
1) De propsito general: capacidad hasta para
lo tanto no cuentan con ningn terminal de
6000V y 4500A.
control. 2) De recuperacin rpida: capacidad hasta
2) Dispositivos semicontrolables: pertenecen a
6000V y 1100A, con tiempos de recuperacin
este tipo los Tiristores (SCR y TRIAC) en los
inversa entre 0.1 y 5 microsegundos. Son
cuales el estado de conduccin depende de una
esenciales en aplicaciones de alta frecuencia de
seal externa que se aplica a un terminal de convertidores de potencia.
control. Y para el estado de bloqueo depende del
3) Los schottky: capacidades hasta de 100V y
circuito de potencia.
300A. Tienen bajo voltaje de conduccin y
3) Dispositivos totalmente controlados:
tiempo de recuperacin del orden de los
pertenecen a este grupo los transistores (BJT, nanosegundos.
MOSFET e IGBT) y el tiristor GTO, entre otros.
Los estados de conduccin y de bloqueo se
Tiristores: es un dispositivo electrnico que consta
realizan mediante una seal de externa en el
de 3 terminales que son un nodo, un ctodo y una
terminal de control. compuerta. Su funcionamiento se basa en hacer pasar
una corriente pequea por el terminal de la compuerta
Existen diferentes tipos dispositivos
para que exista conduccin entre el nodo y el ctodo
semiconductores: diodos, transistores y tiristores. Sus
siempre y cuando el nodo tenga mayor potencial que el
principales clases se muestran en la Fig. 2.
ctodo. Una vez que el tiristor est en estado de
conduccin, cualquier modificacin en el circuito de
D. Descripcin general de los dispositivos control del terminal de la compuerta no afectar el
semiconductores de potencia [3] estado de conduccin. Para poner en estado de bloqueo
(apagar) el tiristor hay que hacer que el nodo y el

ctodo sean iguales en potencial, o que el nodo tenga
menor potencial que el ctodo. La cada de tensin
directa en estado de conduccin es muy pequea del
orden entre 0.5 y 2V. Una caracterstica importante es el
tiempo de abertura que es el intervalo de tiempo entre el
instante en el que la corriente principal baja a cero
despus de una interrupcin externa del circuito de
voltaje principal, y el instante cuando el tiristor es capaz
de sostener un voltaje principal de respaldo especificado
sin encenderse. Se pueden dividir en 12 tipos:
1) Tiristor conmutado forzado: se ponen en estado de
bloqueo con un circuito adicional llamado circuito
de conmutacin.
2) Tiristor conmutado por lnea: con capacidades
hasta 6000V y 4500A. Se ponen en estado de
bloqueo debido a la naturaleza senoidal del voltaje
de entrada.
3) Tiristor de abertura de compuerta (GTO): de
autoabertura. Se activan con un pulso positivo
corto y se apaga (bloquea) con un pulso negativo
corto en la compuerta. Usados en conmutacin
forzada de convertidores. Con capacidades hasta
6000V y 6000 A.
4) Tiristor de conduccin inversa (RCT): Usado en
aplicaciones de traccin de alta velocidad. Con
capacidades hasta 4000V y 2000A en directa y en
inversa de 800A. Con un tiempo de recuperacin
de 40 s.
5) Tiristor de induccin esttica (SITH): de
autoabertura. Usados en convertidores de potencia
intermedia y frecuencias del orden de los cientos
de kHz. Con capacidades hasta 1200V y 300 A.
6) Tiristor de abertura de compuerta asistida
(GATT): con capacidades hasta 1200V y 400A con
tiempo de conmutacin de 8s.
7) Rectificador fotoactivado controlado de silicio
(LASCR): usados en sistemas de potencia de alto
voltaje directo. Con capacidades hasta 600V y
1500 con tiempo de conmutacin de 200 a 400s.
8) Triodo de Corriente Alterna (TRIAC): usado en
aplicaciones de CA de baja potencia como en
controladores de temperatura, de iluminacin,
motores e interruptores.
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9) Tiristor abierto por MOS (MTO): es la
combinacin de un GTO y un MOSFET, con
estructura parecida al GTO. Usados en
aplicaciones de gran potencia hasta de 20MVA.
Con capacidades de 10kV y 4000 A.
10) Tiristor abierto por emisor (ETO): tiene dos
compuertas donde una es para abertura (conducir)
y una con una serie de mosfet para cerrado
(bloqueo). Con capacidad hasta 6kV y 4kA.
11) Tiristor conmutado por compuerta integrada
(IGCT): Se enciende aplicando a su compuerta la
corriente de apertura. Se apaga por medio de la
tarjeta de circuito que suministra una abertura
rpida.
12) Tiristor controlados por MOS (MCT): es como un
GTO pero con ganancia en abertura muy alta. Se
enciende con un pulso pequeo de voltaje negativo
a la compuerta MOS y se apaga con un pequeo
pulso de voltaje positivo. Con capacidad hasta
4500V y 250 A.
Transistores de potencia: es un dispositivo
electrnico que consta de 3 terminales: base, emisor y
colector. Su funcionamiento bsico se presenta en la
configuracin emisor comn. Para que est en estado de
conduccin (en un transistor NPN) se debe tener mayor
potencial en la base que en el emisor, y que la corriente
de base sea la suficiente para activar el transistor en la
regin de saturacin. Para poner en estado bloqueo basta
con retirar el voltaje de activacin de la base. La cada
de tensin directa en un transistor est en el orden de 0.5
a 1.5 V. Hay cuatro clases de transistores de potencia:
1) BJT de alta potencia: usados en convertidores de
potencia con frecuencias menores de 10kHz y con
capacidades hasta 1200V y 400 A.
2) MOSFET de potencia: usados en convertidores de
potencia y tienen capacidades hasta de 1000V y
100 A.
3) IGBT: son transistores de potencia de voltaje
controlado. Adecuados para alto voltaje hasta
1700V y 2400 A con frecuencias hasta 20kHz.
4) SIT: Tiene poco ruido, poca distorsin y alta
potencia en audiofrecuencia. Los tiempos de
abertura y cerrado son de 20s. Adecuados para
aplicaciones de gran potencia y alta frecuencia
como amplificadores de audio y microondas. Con
capacidades hasta 1200V y 300 A con velocidades
de conmutacin de 100kHz.
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Caractersticas: Sistema de transferencia de energa

E. Aplicaciones de la Electrnica de Potencia: totalmente automatizado, convertidor de traccin con
convertidor auxiliar integrado y motores de traccin
1) Comerciales: equipos informticos, sistemas de elctricos, como se ve en Fig. 4 y Fig. 5.
alimentacin ininterrumpidas, ascensores.
2) Industrial: bombas, compresores, ventiladores,
motores, maquinas elctricas, robots, hornos, laser
industrial, soldadura.
3) Transporte: control de traccin de vehculos
elctricos, cargadores de bateras, locomocin
elctrica, electrnica del automvil.
4) Energa: transporte de energa de CC en alta
tensin, compensacin de energa reactiva,
Fig. 4. Componentes de la estacin de carga.
energas alternativas.
5) Aeroespacial: sistemas de potencia de aviones,
sistemas de potencia de transbordadores. A travs de la gestin energtica ptima, el sistema
6) Entorno: refrigeracin y congelacin de puede ahorrar hasta 1.000 toneladas de dixido de
alimentos, calefaccin y aire acondicionado, carbono en una lnea que cubre 600.000 kilmetros por
cocinas, lavadoras, aspiradoras, microondas, ao, y que ofrece un ahorro de costes del 30 por ciento
iluminacin, computadores, televisores. en comparacin con un sistema diesel de trnsito
equivalente. Para saber ms del TOSA ir a [5].
F. Actualidad de la Electrnica de potencia:
Algunos desarrollos tecnolgicos actuales que son
posibles gracias a la Electrnica de Potencia:

1) TOSA: (Fig. 3.) Tecnologa inteligente para una

movilidad urbana ms limpia. De ABB compaa
lder global en tecnologas de automatizacin y
energa. Con sede en Zrich, Suiza, opera en 100
pases.

Fig. 5. Dispositivos para la transferencia y almacenamiento de la

energa elctrica en el TOSA

2) SiC-FET2 Investigacin y caracterizacin de

Fig. 3. Bus elctrico TOSA en nuevos dispositivos semiconductores de banda
Este un sistema de bus totalmente electrificado
Holanda. que ancha para el diseo de Inversores modulares
utiliza la tecnologa flash de carga diseado por ABB estndar de alta frecuencia, con controlador
para impulsar la batera mientras el autobs est a mitad flexible embebido para sistemas especficos de
de camino. En cada parada, un brazo se conecta y
proporciona una carga de 600kW en 15 segundos. Ms
recargas significa bateras ms pequeas, que a su vez
significa ms capacidad fsica para las personas. Los
autobuses ya no necesitan recarga durante la noche.
Y lo ms visible, todo esto se puede hacer sin lneas
elctricas areas. Adems, este modelo de autobs
tambin hace uso de recuperacin de energa en las
frenadas para aumentar su eficiencia energtica.
Fig. 6. inversor de 240 kW/400 kHz

Tratamiento Trmico por induccin en la industria
del futuro [6]:
Este proyecto surge de lograr dispositivos
semiconductores de material Carburo de Silicio a travs
de tcnicas de fabricacin mejorado con un rango
mnimo de imperfecciones en las obleas (de material)
que permite mayores tamaos de componentes y
transistores MOSFET de mayores potencias, ver Fig. 6.
Los tamaos de los SiC-MOSFET se sitan en 56mm2
con una resistencia de canal de 5,5 mOhm/cm2,
permitiendo mayores concentraciones de potencia y
mayores temperaturas de funcionamiento que la
tecnologa convencional de Silicio. Dicha tecnologa
ofrece mejoras en la eficiencia del mdulo, capacidad
dv/dt, en la robustez frente a sobre tensiones, y
posibilitan el trabajo a altas temperaturas y frecuencias.
Las Aplicaciones de esta tecnologa en desarrollo son
especficas en altas frecuencias en el campo del
calentamiento por induccin, en concreto: Generadores
de alta potencia de hasta 200kW y 400kHz para
soldadura de tubo y temple superficial, Generador de
baja potencia 25kW para soldadura con aportacin.
3) Generadores elctricos para dispositivos plasma
de desinfeccin de agua [7]:
Fig. 7. Generador Elctrico para lmpara UV
Este proyecto est enfocado al desarrollo de fuentes de
alimentacin capaces de controlar la potencia entregada
por las lmparas excimer de descarga con barrera
dielctrica. Los convertidores desarrollados permiten
cambiar la amplitud, frecuencia y ciclo til de los pulsos
de UV emitidos por la lmpara, ver Fig. 7. La luz
ultravioleta (UV) es una alternativa de desinfeccin al
uso del cloro y ozono en muchas aplicaciones de
tratamiento de aguas potables y residuales. UV provee
desinfeccin efectiva sin produccin de subproductos de
desinfeccin problemticos.
III. CONCLUSIONES
El haber analizado el concepto de electrnica de
potencia y su desarrollo histrico, las reas
involucradas, los diferentes dispositivos por medio de
los cuales se construyen circuitos y sistemas de potencia,
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visualizar sus aplicaciones en diferentes campos y
adems presentar algunos de los avances tecnolgicos
actuales en los que la Electrnica de Potencia juega un
papel primordial, nos da el beneficio de comprender la
importancia de esta ciencia, de obtener las bases para
comprender los sistemas de potencia utilizados hoy en
da, los que se estn desarrollando y los que brindarn
oportunidades en innumerables aplicaciones energticas
en un futuro. Por otra parte el uso de la electrnica de
potencia desde sus inicios ha permitido muchos avances
y desarrollos en el control, procesamiento y conversin
de la energa elctrica lo cual ha permitido mejorar la
calidad de vida de las personas con dispositivos y
mquinas en el mbito cotidiano, de transporte,
entretenimiento, industrial y muchos otros campos
REFERENCIAS
[1] Moglestue Andreas, Corporacin Multinacional
ABB de tecnologas en generacin de energa
elctrica, Del Arco de Mercurio al interruptor
hbrido, Zrich, Suiza, 2013. Tomado de:
https://library.e.abb.com/public/0922b46d8dd25a59
c1257b9e004e6cdf/70-78%202m315_ES_72dpi.pdf
[2] Thelukas Max, Historia de la Electrnica de
Potencia, 2013. Tomado de:
https://prezi.com/wy1x2or0qb9q/historia-de-la-
electronica-de-potencia/
[3] Rashid Muhammad H. Electrnica de Potencia:
circuitos, dispositivos y aplicaciones, Capitulo 1
Introduccin, tercera edicin, 2005
[4] Cruz Daviana Jesmely, Servicio Nacional de
Aprendizaje SENA, Dispositivos Semiconductores
de Potencia, 2010. Tomado de:
https://issuu.com/sanchezdiaz/docs/dispositivos_se
miconductores
[5] ABB Company, Innovaciones, TOSA: Tecnologa
inteligente para la movilidad urbana ms limpia.
Tomado de: http://new.abb.com/future/tosa
[6] Investigacin electrnica 2015, Grupo GH empresa
de aplicaciones en calentamiento por induccin,
Espaa. tomado de
http://www.ghinduction.com/investigacion-
electronica-2015/?lang=es
[7] CEPIT, Grupo de investigacin de la Facultad de
Ingeniera de la Pontifica Universidad Javeriana,
Bogot, Colombia, 2016. Tomado de:
http://ingenieria.javeriana.edu.co/investigacion/grup
os-investigacion/cepit