Ejercicios Resueltos de Dispositivos Electrnicos I

Examen de Septiembre de 2006 - Ejercicio 31

Enunciado
Obtener, razonadamente, el valor de los resistores RB1 y RC1 para que el diodo Zener DZ1 est en zona zener y los
transistores T1 y T2 funcionen en zona activa. Las condiciones de diseo son:

1. La potencia disipada por el diodo Zener DZ1 es de PDZ1 = 150 mW .

2. La tensin UCET1 = 7V .

La fuente de alimentacin UDC = 24V . Los resistores RC2 = 470 , RE2 = 500 , RB2 = 10 k.
Para el diodo Zener: VZ = 10V , V = 0, 78V, R f = RZ = 0, Rr = , IZmin = 6mA, IZmax = 55mA.
Para el transistor T1 : = 80, VBEon = VBEsat = 0, 7V , VCEsat = 0, 21V .
Para el transistor T2 : = 120, VBEon = VBEsat = 0, 7V , VCEsat = 0, 19V .

Figura 1: Circuito del enunciado

Solucin
Los valores a encontrar de los dos resistores implican que es necesario hallar el valor de las corrientes y tensiones en
los transistores, ya que es condicin de funcionamiento que ambos estn en zona activa. El circuito se analiza de derecha
a izquierda. Se sabe que el diodo Zener est regulando, por lo tanto, de la malla inferior derecha:

UDZ1 = UBET 2 + URE2 (1)

despejando y operando
URE2 = 10V 0, 7V = 9, 3V (2)
por lo que la corriente de emisor del transistor T2 vale:
9, 3V
IE2 = IRE2 = = 18, 6 mA (3)
500
Si el transistor T2 est en activa:
IE2 18, 6 mA
IB2 = = = 153, 719 A (4)
2 + 1 121
1 Resuelto por el Prof. Andrs A. Nogueiras Melndez, andres.nogueiras@dte.uvigo.es, 2006

1
 IC2 = IE2 IB2 = 18, 6 mA 153, 719 A = 18, 4468 mA (5)
la caida de tensin en el resistor de colector es:

URC2 = IC2 RC2 = 18, 4468 mA 470 = 8, 67(000)V (6)

y la caida de tensin entre colector y emisor del transistor T2 es:

UCET 2 = UDC URC2 URE2 = 24V 8, 67V 9, 3V = 6, 03V (7)

por lo que se puede establecer el punto de trabajo del transistor en zona activa.
Del diodo Zener se sabe la potencia que disipa, luego:
PDZ1 150 mW
IDZ1 = = = 15 mA (8)
UDZ1 10V

lo que implica que la corriente de emisor del transistor T1 debe ser:

IE1 = IB2 + IDZ1 = 153, 179 A + 15 mA = 15, 1532 mA (9)

y, dado que est en zona activa:

IE1 15, 1532 mA
IB1 = = = 187, 077 A (10)
1 + 1 81
IC1 = IE1 IB1 = 15, 1532 mA 187, 077 A = 14, 9661 mA (11)
De las condiciones de diseo se tiene sabe el valor de UCET1 . Luego:

URC1 = UDC UCET 1 UDZ1 = 24V 7V 10V = 7V (12)

y el valor del resistor RC1 es:

URC1 7V
RC1 = = = 467, 724 (13)
IC1 14, 9661 mA
De la malla inferior central:
URB2 = IRB2 RB2 = UBET1 + UDZ1 (14)
despejando y operando:
UBET 1 + UDZ1 0, 7V + 10V
IRB2 = = = 1, 07 mA (15)
RB2 10 k
En el nudo de la base del transistor T1 :

IRB1 = IB1 + IRB2 = 187, 077 A + 1, 07 mA = 1, 25708 mA (16)

la tensin que soporta el resistor RB1 es

URB1 = URC1 + UCBT1 = URC1 + UCET1 UBET1 = 7V + 7V 0, 7V = 13, 3V (17)

y el valor del resistor es

URB1 13, 3V
RB1 = = = 10, 5801 k (18)
IRB1 1, 25708 mA