PANELES SOLARES DE SILICIO POLICRISTALINO
Universidad Nacional de Ingeniera
Facultad de Ingeniera Geolgica, Minera y Metalrgica
Curso: Cristalografa
Camacho Lojas Csar, Durand Veli Abel, Jimnez Romn Jennifer, Macucachi
Chaupn Carlos, Oscanoa Vargas Jheanmarco, Pizarro Len Kevin, Ruiz Torres Jos,
Santivaez Milla Cristian
RESUMEN
En forma breve, se da a conocer la tecnologa
convencional de la celda solar de silicio
policristalino. Damos a conocer el fundamento
interno de estos paneles solares donde se le
aade impurezas a un cristal y con ello el
mejoramiento de sus propiedades. Se describe la
curva caracterstica de estos en funcin de sus
parmetros elctricos, donde podemos indicar la
potencia mxima y as la eficiencia de la misma.
Finalmente, se da a conocer algunas de las
aplicaciones que se pueden dar con estos
paneles solares.
INTRODUCCIN
Durante mucho tiempo en la industria de los
paneles. Las Celdas solares son dispositivos que
convierten directamente la radiacin solar a
electricidad. Desde mediados del siglo XX,
comenz su desarrollo continuo y primeramente
para alimentar a los satlites. Actualmente
alcanza una extensa variedad de aplicaciones y
contribuye en la generacin masiva o aislada de
energa elctrica. El silicio cristalino, es un
material bien estudiado y su tecnologa es
madura. La produccin mundial de las celdas
solares incrementa rpidamente y la cantidad de
silicio empleado rebasa al conjunto de los
dispositivos semiconductores como son los
diodos, transistores, tiristores, circuitos
integrados o memorias de su serie. En el ao
2009, la produccin de los mdulos fotovoltaicos,
rebas los 7,500 mega-Watts de produccin, en
donde el 80% de las celdas solares se fabricaron
en silicio mono- y multi-cristalinos. Para el 2010,
Se prev una produccin hasta de 15,200 mega-
Watts (Solar Buzz 2010).
Tanto el silicio policristalino - como el silicio
monocristalino, tiene un ancho de banda Eg de
1 .1 eV (electrn- Volt), mientras que el silicio
amorfo, (en pelculas delgadas) debido a su
estructura hidrogenada su Eg es del orden de 1
.7 eV.
En general, las celdas solares puede clasificarse
en tres grupos de materiales: 1) silicio; 2)
compuestos y 3) orgnicos. Aqu, tocaremos
nicamente a las celdas solares de silicio, y
especficamente poli-cristalinas.
CELDAS SOLARES DE SILICIO
POLICRISTALINO
Este tipo de celda contiene varias regiones de
silicio cristalino que se mantienen juntas a travs
de un enlace covalente y separados por lmites
degrano.
El silicio pasa a travs de un menor nmero de
ciclos de filtracin intensiva de energa que los
procesos de separacin de las clulas
monocristalinas y por lo tanto son un material
menos costoso para los fabricantes.
Estas celdas son fabricadas en una forma
cuadrada. Esto es debido a que el lquido fundido
en los lingotes (cuadrado) no es para ser extruido
o ir a travs de otro proceso, sino para producir
un bloque de silicio fuera de los cuales las
pequeas clulas son cortadas. (Las uniones
entre los granos tienen un efecto interesante en
la eficiencia de la celda solar.
Las celdas solares de Si-m (silicio multicristalino
o policristalino) fueron tomadas con mayor
importancia para su desarrollo con miras a
alcanzar altas eficiencias de conversin y bajo
costo. Para responder a esta necesidad,
surgieron diversas investigaciones para estudiar
en detalle las propiedades de los materiales,
estructuras y procesos de fabricacin del
dispositivo.
Figura 1. Progreso en la eficiencia de conversin
de las celdas solares de silicio. Alcanza 24.7% a
nivel laboratorio en reas de 4 cm2.
OBJETIVOS
- Esbozar la grfica de la curva caracterstica de
los paneles solares de silicio y compararlas
con los ya obtenido.
- Demostrar la eficiencia que han alcanzado los
paneles solares a travs de los aos.
- Encontrar la utilidad de estos paneles solares
en los distintos rubros de la industria.
DESCRIPCION DEL PROBLEMA
Se ha tratado de realizar un estudio exhaustivo de
minerales semiconductores que son elementos
que tienen una conductividad elctrica inferior a la
de un conductor metlico pero superior a la de un
buen aislante. El semiconductor ms utilizado es
el silicio, que es el elemento ms abundante en la
naturaleza, despus del oxgeno. Otros
semiconductores son el germanio y el selenio.
Los tomos de silicio tienen su orbital externo
incompleto con slo cuatro electrones,
denominados electrones de valencia. Estos
tomos forman una red cristalina, en la que cada
tomo comparte sus cuatro electrones de
valencia con los cuatro tomos vecinos, formando
enlaces covalentes. A temperatura ambiente,
algunos electrones de valencia absorben
suficiente energa calorfica para librarse del
enlace covalente y moverse a travs de la red
cristalina, convirtindose en electrones libres.
En la prctica, para mejorar la conductividad
elctrica de los semiconductores, se utilizan
impurezas aadidas voluntariamente con ello
aumentara la eficiencia.
Para hallar su eficiencia hemos tenido que medir
la intensidad de corriente de la celda analizada
como tambin el potencial y graficar la curva
caracterstica y encontrar la potencia mxima de
la misma.
DESCRIPCIN DE LA SOLUCIN
Para entender el funcionamiento interno del panel
solar tendriamos que explicar la teoria de las
bandas.
La teora de bandas est basada en la mecnica
cuntica y procede de la teora de los orbitales
moleculares (TOM). En esta teora, se considera
el enlace metlico como un caso extremo del
enlace covalente, en el que los electrones de
valencia son compartidos de forma conjunta y
simultnea por todos los cationes. Desaparecen
los orbitales atmicos y se forman orbitales
moleculares con energas muy parecidas, tan
prximas entre ellas que todos en conjunto
ocupan lo que se franja de denomina una banda
de energa.
Aunque los electrones van llenando los orbitales
moleculares en orden creciente de energa, estas
son tan prximas que pueden ocupar cualquier
posicin dentro de la banda.
La banda ocupada por los orbitales moleculares
con los electrones de valencia se llama banda de
valencia, mientras que la banda formada por los
orbitales moleculares vacos se llama banda de
conduccin. A veces, ambas bandas se solapan
energticamente hablando.
Este modelo explica bastante bien el
comportamiento elctrico no solo de las
sustancias conductoras sino tambin de las
semiconductoras y las aislantes.
En los metales, sustancias conductoras, la banda
de valencia se solapa energticamente con la
banda de conduccin que est vaca, disponiendo
de orbitales moleculares vacos que pueden
ocupar con un mnimo aporte de energa, es decir,
que los electrones estn casi libres pudiendo
conducir la corriente elctrica.
figura 2.Teoria de las Bandas
En los semiconductores y en los aislantes, la
banda de valencia no se solapa con la de
conduccin. Hay una zona intermedia
llamada banda prohibida.
En los semiconductores, como el Silicio o el
Germanio, la anchura de la banda prohibida no es
muy grande y los electrones con suficiente
energa cintica pueden pasar a la banda de
conduccin, por esa razn, los semiconductores
conducen la electricidad mejor en caliente. Sin
embargo, en los aislantes, la banda prohibida es
tan ancha que ningn electrn puede saltarla. La
banda de conduccin est siempre vaca.
Los semiconductores existen de 2 tipos; los
semiconductores intrnsecos y los extrnsecos; los
semiconductores intrnsecos son los que estn
hechos de un solo elemento, es decir un
semiconductor puro; a diferencia de los
extrnsecos que son los semiconductores con
impurezas y poseen una mayor conductividad
elctrica; estos ltimos semiconductores existen
de 2 tipos los cuales son:
Semiconductores P y N
Para mejorar la conductividad elctrica de los
semiconductores, se utilizan impurezas aadidas
voluntariamente. Esta operacin se denomina
dopado, utilizndose dos tipos:
Impurezas pentavalentes. Son elementos
cuyos tomos tienen cinco electrones de
valencia en su orbital exterior. Entre ellos se
encuentran el fsforo, el antimonio y el
arsnico.
Impurezas trivalentes. Son elementos
cuyos tomos tienen tres electrones de
valencia en su orbital exterior. Entre ellos se
encuentran el boro, el galio y el indio.
Cuando un elemento con cinco electrones de
valencia entra en la red cristalina del silicio, se
completan los cuatro electrones de valencia que
se precisan para llegar al equilibrio y queda libre
un quinto electrn que le hace mucho mejor
conductor. De un semiconductor dopado con
impurezas pentavalentes se dice que es de tipo
N.
En cambio, si se introduce una impureza
trivalente en la red cristalina del silicio, se forman
tres enlaces covalentes con tres tomos de silicio
vecinos, quedando un cuarto tomo de silicio con
un electrn sin enlazar, provocando un hueco en
la red cristalina. De un semiconductor dopado con
impurezas trivalentes se dice que es de tipo P.
Unin PN Cuando a un material semiconductor se
le introducen impurezas de tipo P por un lado e
impurezas tipo N por otro, se forma una unin PN. RESULTADOS
Los electrones libres de la regin N ms prximos
a la regin P se difunden en sta, producindose Anlisis de la curva caracterstica:
la recombinacin con los huecos ms prximos V (V) I (mA) P (mW)
de dicha regin. En la regin N se crean iones 3.401 0.02 0.06802
positivos y en la regin P se crean iones 3.402 0.03 0.10206
negativos. Por el hecho de formar parte de una 3.401 0.03 0.10203
red cristalina, los iones mencionados estn 3.4 0.04 0.136
interaccionados entre s y, por tanto, no son libres 3.4 0.04 0.136
para recombinarse. Por todo lo anterior, resulta 3.399 0.06 0.20394
una carga espacial positiva en la regin N y otra 3.399 0.06 0.20394
negativa en la regin P, ambas junto a la unin. 3.398 0.09 0.30582
Esta distribucin de cargas en la unin establece 3.396 0.15 0.5094
una barrera de potencial que repele los huecos 3.395 0.29 0.98455
de la regin P y los electrones de la regin N 3.394 0.32 1.08608
alejndolos de la mencionada unin. Una unin 3.393 0.38 1.28934
PN no conectada a un circuito exterior queda 3.392 0.46 1.56032
bloqueada y en equilibrio electrnico a 3.391 0.54 1.83114
temperatura constante. 3.39 0.68 2.3052
3.388 0.91 3.08308
La curva caracterstica de un panel fotovoltaico, 3.385 1.41 4.77285
tambin llamada curva de intensidad-voltaje 3.376 2.6 8.7776
(abreviadamente curva I-V), representa los 3.24 22.27 72.1548
valores de tensin y corriente, medidos 3.371 3.24 10.92204
experimentalmente, de un tpico panel 3.369 3.63 12.22947
fotovoltaico sometido a unas determinadas 3.366 4.05 13.6323
condiciones constantes de insolacin y 3.363 4.58 15.40254
temperatura. 3.36 5.03 16.9008
3.351 6.35 21.27885
Variando la resistencia externa desde cero a 3.351 6.38 21.37938
infinito, se pueden medir diversos valores de 3.341 7.65 25.55865
pares (i-V), que interpolndolos forman la curva 3.341 7.75 25.89275
caracterstica (ver figura). 3.332 9.2 30.6544
3.298 14.21 46.86458
3.212 25.39 81.55268
3.18 29.02 92.2836
3.155 32.99 104.08345 0.457 81.7 37.3369
3.13 36.49 114.2137 0.356 81.5 29.014
3.075 43.25 132.99375 0.258 81.6 21.0528
2.993 52.1 155.9353 0.177 81.6 14.4432
2.905 60 174.3 0 81.7 0
2.872 65 186.68
2.872 65 186.68
2.812 70 196.84
2.795 71 198.445
2.756 74.5 205.322 CURVA CARACTERISTICA DEL PANEL SOLAR
2.705 77.2 208.826 DE SILICIO
2.642 79.4 209.7748 90
2.62 79.6 208.552 80
2.59 79.9 206.941 70

INTENSIDAD (mA)
2.54 80.1 203.454 60
2.44 80.5 196.42 50
2.356 80.6 189.8936
40
2.15 80.9 173.935
30
2.057 81 166.617
20
1.98 81.1 160.578
10
1.707 81.2 138.6084
1.605 81.2 130.326 0
0 1 2 3 4
1.45 81.3 117.885
1.371 81.3 111.4623 VOLTAJE (V)
1.348 81.3 109.5924
1.241 81.5 101.1415
1.174 81.5 95.681
1.074 81.5 87.531
1.097 81.6 89.5152 Pmax
=
1.016 81.7 83.0072 AxI
0.975 81.7 79.6575
0.981 81.5 79.9515
0.853 81.6 69.6048 209.7748 x 103 x 0.755
= = 6.44 %
0.764 81.6 62.3424 24.6 x 104 x 1000
0.761 81.7 62.1737
0.801 81.6 65.3616
0.824 81.7 67.3208
0.746 81.6 60.8736 Pmax
F. F. =
0.849 81.4 69.1086 Voc Isc
0.726 81.6 59.2416
0.685 81.5 55.8275 209.7748
F. F. = = 0.755
0.781 81.3 63.4953 3.402 x 81.7
0.72 81.5 58.68
0.731 81.7 59.7227
0.728 81.7 59.4776
0.737 81.6 60.1392
0.672 81.6 54.8352
0.826 81.5 67.319
0.792 81.7 64.7064
0.625 81.6 51
0.529 81.7 43.2193
 Donde: ANEXOS
Pmax : Potencia maxima = 209.7748 mW
A: Area de la celda
W
I: Radiacion = 1000 2
m
ISC : Corriente de corto circuito = 81.7 mW
Voc : Voltaje de circuito abierto = 3.402 V
: Eficiencia
F. F. : Factor de Forma

CONCLUSIONES

- Obtuvimos la grfica de la curva

caracterstica I-V similar a la grfica terica.

- Concluimos que a mayor rea del panel solar

tendremos una mayor eficiencia.

- Podremos obtener variedad de aplicaciones

respecto a los semiconductores en la
conductividad elctrica, por ejemplo en los
paneles solares.

REFERENCIAS

[1] Anbal Valera Palacios. Energa Solar Bsica

I. 1ra edicin, 1993.

[2] Aden B. Meinel y Marjorie P. Meinel.

Aplicaciones de la Energia Solar. Editorial
Revert, s.a. 1982. Espaa.

[3] CELDAS SOLARES recuperado de

http://paginas.fisica.uson.mx/horacio.munguia/au
la_virtual/Cursos/Electronica/Documentos/Celds
_Solares1.pdf.

[4] Caracterizacin estructural y elctrica de

celdas Fotovoltaicas de doble y triple capa. -Tesis
Joselyn Inguanzo Saucedo, Leobardo Gmez
Morales, Alberto de la Torres Moya, Oscar
Inguanzo Saucedo.pdf. Centro de investigacin
en materiales avanzados departamento de
estudios de posgrado.