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Estructura fcc hcp bcc NaCl CsCl ZnS cubica

ESTRUCTURA CRISTALINA A 14.454 14.455 12.253
Red: Conjunto de puntos del espacio con vectores de posicion B 12.122 12.132 9.114
1.748 1.763 1.638
R~ = u1~ a1 + u2~ a2 + u3~ a3 y los ui barren todos los enteros. (1) Tabla1. Sumas A, B y para algunas estructuras.
Numero de defectos de Schottky en un cristal de N atomos a
temperatura T : i(ksat)
/k T Solucion us = uk e (modo normal) es posible si (23)
n N e v B . v = energa de formacion de un defecto. (2) 2 X
2 2 lka
Numero de defectos de Frenkel (vacantes-atomos intersticiales) en un (k) = Cl sen (relacion de dispersion). (24)
M l 2
cristal de N atomos y N intersticios a temperatura T :
/k T En la aproximacion a primeros vecinos (pp.vv.) l = 1
n N N e F B . F = energa de formacion de un defecto. (3)
Fuerza sobre el atomo s: Fs = C(us+1 us ) + C(us1 us ). (25)
RED RECIPROCA Y DIFRACCION DE RAYOS X 1/2
Red recproca (asociada a una red directa dada por la Ec. (1)): Red Relacion de dispersion: = (4C/M ) |sen(ka/2)| . (26)
formada por los puntos definidos por los vectores Cadena lineal diatomica. Dos atomos (a distancia d) en celda unitaria
~ = v1~b1 + v2~b2 + v3~b3 de parametro a con desviaciones us y vs respecto a sa y s(a + d):
G (4)
i(ksat) i(ksat)
donde los vi son todos los enteros y los ~b s cumplen Para modos normales us = uk e , vs = vk e (27)
~bi ~ atomos de masas diferentes M1 , M2 y constantes de acoplamiento C
aj = 2ij , con ij = 1 si i = j o 0 si i 6= j. (5)
iguales, la relacion de dispersion en la aproximacion a pp.vv. es
Unos posibles vectores primitivos de la red recproca son " s #
C(M1 + M2 ) 4M1 M2 ka
~b1 = 2 ~ a2 ~a3 ~
a3 ~a1 ~
a1 ~ a2 2
, ~b2 = 2 , ~b3 = 2 (6) = 1 1 2
sen2 . (28)
~
a1 (~
a2 ~a3) ~
a1 (~
a2 ~a3) ~
a1 (~
a2 ~ a3) M1 M2 (M1 + M2 ) 2
base red Para M1 = M2 =M y constantes C1 , C2 :
X i~ ~ ~
rj (k k)
X iR ~ ~
~ n (k k)
Amplitud de dispersion: A fj e e . (7) 2 1 q 
j n = (C1 + C2 ) (C1 + C2 eika ) (C1 + C2 eika ) (29)
~ n (k~ ~
A 6= 0 R ~ n k~ ~
k) = 2m con m entero, R ~
k = G. M
base
Fonon. La energa de vibracion de cada modo de vibracion posible
X i~ ~
r j G esta discretizada, siendo sus posibles valores para cada rama p
Factor de estructura de la base: SG ~ = f j e . (8)
j p (~
k) = [np (~ k) + 1/2]hp (~k), (30)
Ley de Bragg: 2d sen = n, con n entero. (9) donde np (~ k) = 0, 1, 2, ... es el numero de ocupacion. El cuanto de energa
Indexacion de maximos: Para el sistema cubico, de vibracion hp (~ k) se denomina fonon.
En el lmite n 1 (aproximacion semiclasica):
p
2a sen = h2 + k2 + l2 con h, k, l enteros. (10)
2 2
q q N M (~ k)uk = 2n(~ k)h(~k). (31)
hkl h2 + k 2 + l 2 / h2 2 2
1 + k 1 + l1
sc bcc fcc dia.
PROPIEDADES TERMICAS RETICULARES
100 1 Condiciones de contorno. Cristal de dimensiones Ni~ ai (i = 1, 2, 3),
110 2 =1.41 1 ~ ~
~
u(R~ + Ni ~ai , t) = u ~ t) = ~
~ (R, ei(kRt)
111 3 =1.73 1 1
~ ~ n1 ~ n2 ~ n3 ~
200 4 =2 1.41 1.15 ~
u(R) k= b1 + b2 + b3 con ~ ai ~bj = 2ij . (32)
210 5 =2.24 N1 N2 N3
211 6 =2.45 1.73 Densidad de modos. Determina para cada rama p el numero de estados
220 8 =2.83 2 1.63 1.63
221/300 9 =3
con frecuencia comprendida entre y + d:

L/ S dL V dS
Z Z
310 10 =3.16 2.24
311 D1d () = ; D2d () = ; D 3d () =
11 =3.32 1.91 1.91
|~ ~ | 2 ~
L 4 | | 8 3 ~
|
222 ~ S ~ |
12 =3.46 2.45 2 k k k
320 13 =3.61 Aproximacion de Debye. Para 0 = ck D = ckD
321 14 =3.74 2.65 2 2 3 2
400
3d : DD () = 3V /2 c , 2d : DD () = S/c , 1d : DD () = L/c.
16 =4 2.83 2.31 2.31
2 1/3 1/2
322/410 17 =4.12 3d : kD = (6 zN/V ) , 2d : kD = (4zN/S) , 1d : kD = zN/L.
330/411 18 =4.24 3
331
z = num.de atomos de la base y N = N1 N2 N3 = num. de celdas primitivas.
19 =4.36 2.52 2.52
Ocupacion de modos a temperatura T. Numero medio de ocupacion
420 20 =4.47 3.16 2.58
421 21 =4.58 de un modo (~ k, p): D
332 22 =4.69 3.32
E 1
422 24 =4.90 3.46 2.83 2.83 np (~
k) = ~
(33)
ENLACE CRISTALINO ehp (k)/kB T 1
Energa y capacidad termica. Energa media de cada modo (~ k, p):
Interaccion de van der Waals-London. Energa de cohesion de dos
atomos a distancia R enlazados ! debido a esta interaccion: < Up (~
k) >= [< np (~ k) > +1/2]hp (~ k) (34)
2 E XZ pmax D
q2
XD E
1 Ze2 (cgs) ~ Up (~

2 Energa media total: U = Up (k) = k) Dp ()d.
E h0 con q = (11)
2 CR3 Ze2 /40 (mks)  p ~
k,p
0
0 es la frecuencia propia de vibracion de la nube electronica de cada atomo 3V h D 1 1
Z 
3
y C = M 02 su constante elastica. M y Z son la masa y el numero atomico. En la aprox. de Debye: UD = h/k T
+ d. (35)
2 2 c3 0 e B 1 2
Potencial de Lennard-Jones. La interaccion atractiva de van der Waals- dUD
London mas la repulsiva de corto alcance determinan un potencial por par Capacidad termica
 en la
 aprox. de Debye (Figura 1): CV
T 3 D /T
Z
x4 e x dT
de atomos i, j a distancia rij CV = 9zN kB dx con x = h/k T. (36)
12 6 B
U (rij ) = 4[(/rij ) (/rij ) ]. (12) D 0 (ex 1)2
Energa potencial total: N N Para T D (lmite clasico): CV 3zN kB . (37)
12 6 12 6
X X
U = 2N [B(/R) A(/R) ], con B = pij , A = pij , (13) 3
Para T D , CV 234zN kB (T /D ) . (38)
j6=i j6=i Conductividad termica. En la aprox. del tiempo de relajacion, ,
donde R es la distancia entre atomos mas proximos y pij = rij /R. Las
= cV c/3, cV = CV /V, = c. (39)
sumas A y B dependen de la estructura cristalina (Tabla 1).
Distancia entre atomos mas proximos R0 y energa U0 en el equilibrio
1/6 2
R0 = (2B/A) y U0 = U (R0 ) = N (A /2B) (14)
Interaccion de Coulomb: Cristales ionicos. Potencial de interaccion 6
CV (cal mol-1 K-1

por par de iones monocargados a distancia rij 

q 2 B 2 e2 (cgs)
U (rij ) = + n , con B > 0, n 1, q = 2 (15)
rij rij e /40 (mks) 4 Al NaCl
Energa potencial total para los N iones del! cristal):
CaF2 Pb
N BAn q 2
U = , (16) Cu Zn
2 Rn R 2
X n X 1 rij KCl
An = pij , = pij , pij = , (17) Figura 1:
j6=i j6=i
R
se conoce como constante de Madelung (Tabla 1). 0
En el equilibrio, R0 y U0 = U (R0 ) son  1.4 1.8 0.2
2.2 2.6 0.6 1.0
N q 2 1 N q 2 T/TD
q 
R0 = n1 nBAn /q 2 , U0 = 1 . (18)
2 R0 n 2 R0 GAS DEFig11
FERMI DEfuncin
C en de T/T . TLIBRES
ELECTRONES para cada uno de los
El exponente n se determina de medidas de la compresibilidad K: Estado fundamental del gas de Fermi en un volumen V = L1 L2 L3 .
4 2
n = 1 + 18R0 /Kq . (19) Funcion de ondas monoelectronica, energa e impulso:
DINAMICA DE REDES 1/2 i~
k~
r 2 2
~ (~
r) = V e , = h k /2m, p
k
~ = h~
k. (40)
Aproximacion armonica. Los atomos ocupan posiciones ~ r (t):
Condiciones de contorno sobre ~k (~ r)
~
r (t) = R~ +~
u(t), con |~ u(t)| |~ ~
r (t)| |R|. (20)
~
k = 2(n1 /L1 , n2 /L2 , n3 /L3 ) (n1 , n2 , n3 enteros). (41)
Cadena lineal monoatomica. Potencial armonico para una cadena de
atomos de masa M separados a, con desviaciones us en sa y constante de Radio de Fermi para una concentracion electronica n N/V :
2 1/3
fuerza Cl entre dos atomos separados la: kF = (3 n) . (42)
1 XX 1 2 2d: kF = (2n)1/2 , n N/S; 1d: kF = (n/2, n N/L.
Uarm = Cl (us+l us ) . (21)
2 s l 2 2 2
Energa de Fermi: F h kF /2m. (43)
2
d us Uarm X
Velocidad de Fermi: vF (2F /m)
1/2
. (44)
Para cada atomo M = Fs = Cl (us+l us ). (22)
dt2 us l
Temperatura de Fermi: TF F /kB . (45)
 2

1/2 3/2
Densidad de estados: D() = 1.5N /F . (46) MAGNETISMO DE SOLIDOS
X ~
Energa de N electrones libres a T = 0 K: U0 = (3/5)N F . (47) Magnetizacion: M ~ = ~
= H.
V
V
Distribucion de Fermi-Dirac. Probabilidad de ocupacion de un estado
de energa a temperatura T : ! Diamagnetismo atomico.
1 2 T 2 2 2
Orbita electronica de radio r: = e r B/4m. (78)
fF D (~
k) = h ~ i , con (T ) F 1 2
F . (48)
exp k T
(k)
+1 12 TF para concentracion n de atomos de numero atomico Z:
B 2 2
Capacidad termica electronica: Cel = N kB T /2TF .
2
(49) 0 nZe < r > /6m. (79)
d~p(t) p
~(t) ~ Paramagnetismo atomico.
Ecuacion dinamica. Modelo de Drude: = + f (t). (50) Momento magnetico atomico: ~ = gB J~ = gB hL
~ + hS.
~
2 dt J(J + 1) + S(S + 1) L(L + 1)
Conductividad electrica dc: 0 = ne /m. (51) Factor de Lande: g = 1 + .
Campo Hall: EH = RH jx Bz , con RH = 1/ne. (52) 2J(J + 1)
2 2 Energa de un momento ~ bajo B~ k z:
Conductividad termica electronica: el = nkB T /3m. (53)
2 2 2 U = ~ ~ = gB J~ B
B ~ = gB Jz B; Jz = J, J + 1, , J. (80)
Constante de Lorentz: L el /T = kB /3e . (54)
Conductividad electrica ac: () = 0 /(1 i ). (55) Magnetizacion M = ngB JBJ (x), con x gB JB/kB T. (81)
Indice de
q refraccion, reflectividad y permitividad electrica relativa: 2J +1

2J +1

1 x
 
2 F. de Brillouin BJ (x) = coth x coth . (82)
n = (), r = |(n 1)/(n + 1)| , () = 1 + i()/0 . (56) 2J 2J 2J 2J
2 1/2
Frecuencia de plasma: p (ne /0 m) . (57)
T alta o B bajo (x 1), BJ (x) (J + 1)x/3J Ley de Curie:
ELECTRONES EN UN POTENCIAL PERIODICO q
Funcion de onda electronica (~ r ) en un potencial U (~ r ) = U (~ ~
r + R). 2 2
= M/H 0 M/B = np B 0 /3kB T = C/T (p = g J(J +1)). (83)
1
Z
i~
k~
r ~ r
iG~ ~ r
iG~ 3
X X
(~r) = C~k e r ) = UG
; U (~ ~e , con UG ~ = e U (~
r )d ~r. T baja o B alto (x 1), BJ (x) 1 Magnetizacion de saturacion.
~ ~
V V Paramagnetismo de los electrones de conduccion.
k G
Electrones cuaslibres. Ecuacion central para cada ~ k PZB: 2
m
Susceptibilidad de Pauli: 3n0 B /2kB TF . (84)
[(~
k) 0 (~ ~ i )]C~ ~ =
X
kG kG
UG ~ G ~ C~ kG ~ , i = 1, . . . , m. (58) Susceptibilidad de Total: =
2
n0 B /kB TF . (85)
i j i j
j=1
Interaccion de intercambio.
~ i {G
Los vectores G ~ 1, . . . , G
~ m } representan estados casi degenerados: T > Tc = C Ley de Curie-Weiss:
2 2
|0 (~ ~ i ) 0 (~
kG ~ j )| < U, j 6= i, ~
kG k PZB. = M/H 0 M/B = C/(T C), ( zJ /ng B 0 ). (86)

|0 (~ ~ 0 (~
k G) ~ i )| U, G
kG ~ = ~ i {G
6 G ~ 1, . . . , G
~ m }. T < Tc Magnetizacion espontanea (m = M/nB ; t = T /TC ):
Solucion de 58 para m = 2 Para J = S = 1/2, L = 0: M = nB tanh(m/t). (87)
T Tc Magnetizacion de saturacion:
v !2
0 (~
k)0 (~ ~
u
1 h i u k G)
(~
k) = 0 (~
k)+0 (~ ~ t
k G) +|UG 2
~| . (59) Ms = ngB J, J (Experimentalmente Ms = nB nB ). (88)
2 2
SUPERCONDUCTIVIDAD
~ 0 }:
Electrones fuertemente ligados. Bandasparavecinosmasproximos{R 2
Campo magnetico crtico: Hc (T ) = Hc (0)[1 (T /Tc ) ] (89)
~ ~ ~ ~
X
(k) s (R0 )cos(k R0 ). (60) Termodinamica. Energa libre de Gibbs, entropa y calor especfico.
~ }
{R 0 2
0
gn (T, 0) gs (T, 0) = H (T ). (90)
DINAMICA SEMICLASICA DE ELECTRONES BLOCH 2 c
Ecuacion dinamica del electron Bloch: Ec.(50). Hc
1 ~ ss sn = (gs gn ) = 0 Hc 0. (91)
Velocidad del electron Bloch: ~v = h ~
k
. (61) T T
2
2 Hc

1 1
Tensor de masa: mij (~
= 2 k) (i, j = 1, 2, 3). (62) c (cs cn )Tc = 0 Tc (formula de Rutgers). (92)
h ki kj T Tc
2 1
X 1
Conductividad electrica: ij = e V mij (~k). (63) Ecuaciones de London (L = (m /0 e2 n)1/2 ).
~
kocupados
d~j ne2 ~ 2 2~ ~ =0
Cerca de cada extremo (localizado en ~ k0 ) de las bandas: 1a : = E. 2a : L B B (93)
dt m
1
m ij = 0 si i 6= j y mi h2 ( 2 /ki2 )~k (masas efectivas). Parametros GL y campos crtico inferior y superior.
0
Banda de energa: s
2
h (k1 k01 ) 2 2
h (k2 k02 ) 2
h2 (k3 k03 )2 h2 1/2
(~
k) = (~
k0 )+ + + . (64) Longitud de coherencia: GL (T ) = (Tc T ) . (94)
2m 2m 2m 2m ||
1 2 3
s s
B12 m 2
1 + B2 m 2 + B3 m 3
2
m 1/2
Frecuencia ciclotron: c = e (65) Longitud de penetracion: GL (T ) = (Tc T ) . (95)
m 1 m m
2 3 0 e2 ||
Densidad de corriente, magnetoresistencia y RH bajo campos E ~ y B:
~
0 ln GL
Campo inferior: Hc1 = ln = Hc , = (96)
~j=E E~ +B (B ~ = Ex =
~ E), E
, R H =
Ey
=
B
. (66) 40 2GL 2 GL
j x E 2 + 2B 2 j x B E 2 + 2B 2
B B 0 22
ne2 /m e Campo superior: Hc2 = 2
= 2Hc = Hc1 . (97)
Para electrones cuasilibres: E = , B = E (67) 20 GL ln
1 + (eB /m )2 m
Cristal g (0 K) g (300 K) ml mt mh mh
CRISTALES SEMICONDUCTORES Si 1.17 1.12 0.98 0.19 0.52 0.16
Concentraciones de electrones n (B.C). y de huecos p (B.V): Ge 0.75 0.66 1.57 0.082 0.34 0.043
Z Z v
InSb 0.23 0.17 0.015 0.015 0.39 0.021
n= dc ()fF D (, T )d; p = dv ()[1 fF D (, T )]d (68) GaAs 1.52 1.43 0.066 0.12 0.5 0.082
c 3/2 b Tabla 2: Gaps de energa (eV) y masas efectivas (en uu. de me ).
q mc,v 3/2
X 1/2 d (102 eV) a (102 eV)
con dc,v () = 2| c,v | 3 2 , mc,v = (m1 m2 m3 )i , (69)
h i=1
Cristal/Dopante P As Sb Bi B Al Ga In Tl
b es el numero de bandas que contribuyen a la conduccion. Si 4.4 4.9 3.9 6.9 4.6 5.7 6.5 16 26
Ge 1.2 1.27 0.96 1.04 1.02 1.28 1.12 1.0
Semiconductores no degenerados (c , v kB T ): Tabla 3: Niveles dadores y aceptores.
(c )/kB T v B ( )/k T
n = Nc (T )e ;
p = Nv (T )e (70)
!3/2 !3/2  Magnitud Smbolo Valor
m m
3/2
c,v kB T T (K)
c,v 19 3 velocidad de la luz c 3,00 108 m/s
con Nc,v = 2,5 10 cm . (71)
21/3 h2 me 300 carga del proton e 1,60 1019 C
constante de Planck h 1,05 1034 Js
Semiconductores intrnsecos: n = p ni
numero de Avogadro NA 6,02 1023 mol1
/2kB T 1 3 m 9,11 1031 Kg
; i = v + g + kB T ln v
p
ni = Nc Nv e g . (72) masa del electron m
2 4 m magneton de Bohr B 9,27 1024 JT1
c

Semiconductores dopados: n + NA = p + ND .
+
(73) constante de Boltzmann kB 1,38 1023 JK1
permitividad del vaco 0 8,85 1012 C2 N1 m2
NA + ND
NA = ; ND = . (74) permeabilidad del vaco 0 4 107 Hm1
1 + 2e(A )/kB T 1 + 2e(D )/kB T electron volt eV 1,60 1019 J
Conductividad electrica y coeficiente Hall RH , B.V. + B.C.: Tabla 4: Algunas constantes universales.

ne2 e pe2 h p2p n2n

=
+
= enn +epp . RH = . (75)
mc mv e(pp +nn )2
3/2 3/2
Baja T : imp T ; Alta T : fon T . (76)
En regimen intrnseco (Alta T ): eg /2kB T
Corriente a traves de una union p-n sometida a un potencial V :
I = I0 [exp(eV /kB T ) 1], I0 exp(g /kB T ). (77)