Amplificador en contrafase cuasicomplementario:

En circuitos de amplificador de potencia prcticos es preferible usar transistores

npn para ambos dispositivos de alta corriente de salida. Debida a que la conexin en
contrafase requiere dispositivos complementarios, se debe usar un transistor pnp de alta
potencia. Un medio prctico para obtener operacin complementaria, mientras se
empleen los mismos transistores npn pareados para la salida se proporciona por un
circuito cuasicomplementario, como se muestra en la figura siguiente, la operacin en
contra fase se logra con los transistores complementarios (Q 1 y Q2) antes de los
transistores de salida npn pareados (Q3 y Q4). Obsrvese que los transistores Q1 y Q3
forman una conexin darlington que proporciona la salida a partir de un emisor seguidor
de baja impedancia, la conexin de los transistores Q2 y Q4 forman un par
retroalimentado que ofrece en forma similar un manejo de baja impedancia a la carga la
resistencia R2 puede ajustarse para minimizar la distorsin de cruce mediante el ajuste
de la condicin de polarizacin. La nica seal de entrada aplicada a la etapa en
contrafase resulta luego en una salida de ciclo completo ente la carga. El amplificador
en contrafase cuasicomplementario es en la actualidad la forma ms popular del
amplificador de potencia.

Amplificadores simtricos complementarios:

Con el uso de los transistores complementarios (npn y pnp) es posible obtener
una salida de ciclo completo a travs de una carga usando medios ciclos de operacin de
cada transistor, como se muestra en la siguiente figura:
 Mientras se aplica una sola seal de entrada a la base de ambos transistores, los
transistores de tipo opuesto conducirn en medios ciclos opuestos de la entrada. El
transistor npn conducir en el medio ciclo positivo de la seal, con un medio ciclo de
seal resultante a travs de la carga, tal como se muestra en la figura:

Durante el medio ciclo negativo de la seal, el transistor pnp conduce cuando la

entrada es negativa, como se muestra en la figura:

Durante un ciclo completo de la entrada se desarrolla un ciclo completo de la

seal de salida a travs de la carga. Una desventaja del circuito es la necesidad de dos
voltajes de alimentacin separados. Otra desventaja menos obvio con el circuito
complementario se muestra en la distorsin de cruce resultante en la seal de salida (ver
la figura siguiente). La distorsin de cruce se refiere al hecho de que durante el cruce de
la seal de positivo a negativo (o viceversa) existe una falta de linealidad en la seal de
salida. Esto es resultado del hecho de que el circuito no proporciona una conmutacin
exacta de un transistor apagado y otro encendido en la condicin de cero voltaje. Ambos
transistores pueden estar parcialmente apagados, por lo que el voltaje de salida no sigue
a la entrada cerca de la condicin de voltaje cero. Polarizar los transistores en clase AB
mejora esta operacin, puesto que polarizan ambos transistores para que permanezcan
encendidos por un poco ms de medio ciclo.
Anlisis en continua:
Procederemos ahora a realizar el anlisis en continua de la malla de salida del
amplificador para obtener la recta de carga, y visualizar su dependencia con los
elementos pasivos cuyo valor desconocemos. Esta malla la podemos visualizar en la
figura 1.
Aplicando la ley de Kirchoff de los voltajes tenemos:

IC = -( Vcc - Vce )/Rc. Donde desconocemos el valor de la resistencia de

emisor.

Estudio en alterna :
Para realizar el estudio en alterna, cortocircuitaremos las fuentes de tensin de
voltaje continuo, consideraremos los condensadores cortocircuitos,(gran capacidad), y
utilizaremos el modelo de pequea seal del transistor. Esto se muestra en el esquema
de la fig.2.

De nuevo aplicando la L.K.V. en la malla de salida obtenemos la ecuacin de la recta de

carga en alterna. Esta recta de carga debe de pasar por el punto de trabajo (Icq, Vceq)
por tanto la ecuacin que nos queda es:

- ( RcRL/(Rc+RL))(Vce-Vceq)=Ic-Iceq

Operando y simplificando podemos comparar el valor absoluto de las dos

pendientes. Llamaremos Mac a la pendiente en alterna y Mdc a la de continua
obteniendo los siguientes resultados Mac= 1+1/RC Y Mdc=1/RC, de esta comparacin
podemos inferir que la pendiente de alterna siempre va a ser mayor que la de continua
para cualquier valor de la resistencia de colector .Esto nos lleva a pensar que por el lado
derecho del punto de trabajo Vceq la que nos va a limitar antes es la pendiente AC.

Procederemos a calcular los parmetros de pequea seal, es decir, la

impedancia de entrada y de salida, la ganancia en tensin, y la resistencia de base del
transistor.

El valor de la impedancia de entrada del amplificador es Zin=(R1//R2//rpi), la

impedancia de salida vale Zout=RC , la ganancia es un parmetro laborioso de calcular
que depende de la de las resistencias de colector y de carga de beta y de rpi su ecuacin
es:

GV=-(Bib(RC//RL))/rpi de esta expresin se deduce que la ganancia se hace mas

grande cuando RC se hace pequea.
Optimizacin del diseo.

Una vez halladas las expresiones de los parmetros en pequea seal nuestro
prximo paso ser el de obtener la mxima excursin de la seal sin distorsin para ello
debemos de recurrir a las rectas de carga en alterna del circuito que son las que nos
caracterizan el comportamiento del transistor
Las dos rectas las representaremos en la figura 3.
ic

Vcc/Rc

Vce1 VceQ Vce2 Vce

En esta grfica los puntos ms significativos para nosotros son el voltaje colector
emisor de polarizacin VceQ ,el valor Vce2 en el que Ic=0, es decir el valor de tensin C-E
en que el transistor se corta debido a la tensin de alterna y continua. Por ltimo nos
interesa el tercer valor que limita la excursin de la seal, es decir, el valor de tensin C-
E en que el transistor entra en saturacin, esto se produce cuando la corriente de
colector tiene un valor de IC=VCC/RC llamemos a este valor VCE1 que est situado a la
izquierda del punto de trabajo. Por lo tanto con estos datos sustituimos en la ecuacin de
la recta de carga en alterna y despejamos Vce1 y Vce2 quedando las siguientes expresiones
en donde hemos sustituido RL=1K.

VCE1=VCEQ (VCEQ/(1+RC))

VCE2=-(VCEQ+VCC)/(1+RC) + VCEQ
Bien, de momento tenemos los puntos que limitan la excursin de la seal, sin embargo,
no conocemos su valor ya que dependen del valor de la resistencia de colector y del
punto de polarizacin que los desconocemos. De todo esto se puede deducir que existen
un valor de RC y VCEQ que hacen que la anchura de este margen sea mximo por lo cual
tendremos que estudiar la expresin |VCE2-VCE1|
Cuyo valor es:

|VCE2-VCE1|=VCC/(1+RC)
De este resultado debemos resaltar dos cosas:

A)La excursin ya no depende de VCEQ.

B)Se logra una mayor excursin disminuyendo RC. Por lo que el valor de RC solo queda
limitado por la potencia mxima que puede disipar el transistor. Por lo tanto recurriendo
a la expresin de la potencia calcularemos la RC mnima a la cual el transistor no se
quema.

Sabiendo que VCEQ=VCE1 + (|VCE1-VCE2|)/2 =VCC/2

Para que el transistor no se queme cogeremos la potencia de trabajo como la mitad de la

potencia mxima siendo sta en nuestro transistor real de 0.5 Watt
La expresin de la potencia es la siguiente:

P(MAX)/2=VCEQICEQ

De esta ecuacin podemos despejar RC sin problemas y su valor exacto es de 144 ohm,
una vez que tenemos el valor de la resistencia podemos calcular la intensidad de
colector cuyo valor es de IC=41.6 miliamperios.
Con este dato podemos saber tambin la intensidad de base ya que estn relacionados
con beta, que en nuestro caso es de 190 teniendo por tanto una
IB=0.215 miliamperios.
Los valores de las resistencias R1 y R2 calculan fcilmente fijando una de ellas
pongamos por ejemplo R1=10K se calcula el equivalente Thevenin y se aplica la
L.K.V. como se muestra en la figura4.

La ecuacin que se obtiene es:

VCCR2/(R1+R2)= IBR1R2/(R1+R2) + 0.7

Obtenemos aqu que R2=0.764K

Para terminar el clculo terico solo nos queda hallar los valores de los
parmetros de pequea seal, que se obtienen sustituyendo en las expresiones de los
apartados anteriores.
GV=210, rpi=116.27ohm ,ZIN=99ohm,ZOUT=144ohm .
 Los condensadores tendrn una capacidad suficiente para que la frecuencia de
corte inferior est muy alejada de la frecuencia de funcionamiento, por tanto una
capacidad de 10 microfaradios para cada uno se considera mas que suficiente.

Anlisis del circuito:

Dividiremos el transistor en dos etapas:

La etapa 1 ser :
 Empezaremos haciendo el anlisis en DC, para obtener hie, modelando
idealmente los condensadores hacen circuito abierto, por lo tanto el circuito quedar de
la siguiente manera:

Como podemos observar existe una estrella conformada con R1, R3 y R5,
entonces hacemos el cambio de estrella a delta, por tanto las resistencias Ra, Rb y Rc
sern de la forma:

R1 R3 R3 R5 R1 R5
Ra
R3
 R1 R3 R3 R5 R1 R5
Rb
R1
R R R3 R5 R1 R5
Rc 1 3
R5

Con estos valores el circuito resultante ser igual a:

Acomodando tenemos:

El voltaje y la resistencia thevenin son como siguen:

 R1 R2 VccR2
Rth y Vth
R1 R2 R1 R 2

Adems:
I1 + I2 = Ib....................(1)

En la malla (I) tenemos:

I 2 Rth V BE I E R 4 Vth

Vth V BE ( 1) R 4 Ib
De donde: I 2 ....................(2)
Rth

En la malla (II) tenemos lo siguiente:

Vcc Vth I 1 RC I 2 Rth IRb

Vcc Vth I 1 RC I 2 Rth I 1 I C Rb
Vcc Vth I 1 ( RC Rb) I 2 Rth IbRb ..................(3)

Reemplazando (2) en (3) tenemos:

Vcc Vth I 1 ( RC Rb) Vth V BE ( 1) IbR4 IbRb

Vcc V BE ( 1) IbR4 IbRb

Despejando I1 tenemos: I 1 ...................(5)
RC Rb
Entonces conociendo los valores de I1 e I2 reemplazamos en (1) y obtenemos:

Vth V BE ( 1) R4 Ib Vcc V BE ( 1) IbR4 IbRb

Ib
Rth RC Rb
Despejando tenemos:
Vth RC Rb VccRth V BE RC R4 Rth
Ib
1 R4 RC R4 Rb R4 Rth RbRth Rth RC Rb

26mV
Con lo cual hallamos: hie Ibq

Seguidamente hagamos el anlisis en A.C., para ello tomemos idealmente el

modelo hbrido, y los condensadores hacen corto circuito, dicho esto tenemos los
siguiente:
 Vi R3
De lo cual llegamos a la relacin: V ' o
hie
Teniendo esta relacin podemos calcular la potencia entregada por la fuente Vi:

Vi
2
V (rms) 2 V (rms) 2 R1 R2 R1 hie R2 hie
PV
Zi R1 R 2 hie 2 R1 R 2 hie
2
R R
1 2 R 1 hie R 2 hie

Conociendo la amplitud o valor pico Vp tenemos Vp = Vl(p)

Vl 2 ( p ) 2Vl ( p )
Entonces: Po1 ( ac) y Pi1 (dc ) Vcc
2 R3 R3
Pi1 Po1
Finalmente la potencia disipada en el transistor ser: PQ!
2
Po1
Adems la eficiencia en esta primera etapa ser: %n1 x100%
Pi1
Para la segunda y ltima etapa utilizaremos el valor de Vo como entrada y
reemplazaremos los pares de transistores por uno equivalente, quedando el circuito de la
segunda etapa de la siguiente manera:
 4
Sabemos que: ' 2 2 3 ( 2 1) y ' 3
( 5 1)

Conociendo la amplitud o valor pico Vp de Vo tenemos Vp = Vl(p)

Vl 2 ( p ) 2Vl ( p )
Entonces: Po(ac ) y Pi (dc ) Vcc
2RL R L
Pi Po
Finalmente la potencia disipada en los transistores ser: PQ
2
Po
Adems la eficiencia en esta primera etapa ser: %n 2 x100%
Pi

%n1 %n 2
Finalmente la eficiencia total ser: %n
2

Simulacin del circuito:

El circuito fue simulado en Pspice obtenindose el siguiente resultado:
**** 12/18/00 04:35:05 *********** Evaluation PSpice (Nov
1999) **************

* C:\Mis documentos\Cuasi-01.sch

**** CIRCUIT DESCRIPTION

***********************************************************
*******************

* Schematics Version 9.1 - Web Update 1

* Mon Dec 18 04:35:02 2000

** Analysis setup **
.OP

* From [PSPICE NETLIST] section of pspiceev.ini:

.lib "nom.lib"

.INC "Cuasi-01.net"

**** INCLUDING Cuasi-01.net ****

* Schematics Netlist *

Q_Q1 $N_0002 $N_0001 $N_0003 Q2N2222

R_R5 $N_0005 $N_0004 1k
R_R1 $N_0001 $N_0005 47k
R_R2 0 $N_0001 10k
R_R4 0 $N_0003 270
R_R3 $N_0002 $N_0005 1.5k
C_C1 0 $N_0005 100uF
C_C3 0 $N_0003 10uF
C_C4 $N_0002 $N_0006 10uF
C_C5 $N_0002 $N_0007 10uF
C_C2 $N_0001 $N_0008 1uF
R_R6 $N_0006 $N_0004 680
R_R7 0 $N_0007 750
V_V2 $N_0004 0 15V
C_C7 $N_0009 $N_0010 1n
R_RL 0 $N_0010 4
V_V1 $N_0008 0 DC 0V AC 20V
Q_Q4 $N_0011 $N_0007 $N_0009 Q2N3906
Q_Q5 $N_0009 $N_0011 0 Q2N2222
Q_Q3 $N_0004 $N_0012 $N_0009 Q2N2222
Q_Q2 $N_0004 $N_0006 $N_0012 Q2N2222
R_R $N_0007 $N_0006 {5k*0.5+.001}

**** RESUMING Cuasi-01.cir ****

.INC "Cuasi-01.als"

**** INCLUDING Cuasi-01.als ****

* Schematics Aliases *

.ALIASES
Q_Q1 Q1(c=$N_0002 b=$N_0001 e=$N_0003 )
R_R5 R5(1=$N_0005 2=$N_0004 )
R_R1 R1(1=$N_0001 2=$N_0005 )
R_R2 R2(1=0 2=$N_0001 )
R_R4 R4(1=0 2=$N_0003 )
R_R3 R3(1=$N_0002 2=$N_0005 )
C_C1 C1(1=0 2=$N_0005 )
C_C3 C3(1=0 2=$N_0003 )
C_C4 C4(1=$N_0002 2=$N_0006 )
C_C5 C5(1=$N_0002 2=$N_0007 )
C_C2 C2(1=$N_0001 2=$N_0008 )
R_R6 R6(1=$N_0006 2=$N_0004 )
R_R7 R7(1=0 2=$N_0007 )
V_V2 V2(+=$N_0004 -=0 )
C_C7 C7(1=$N_0009 2=$N_0010 )
R_RL RL(1=0 2=$N_0010 )
V_V1 V1(+=$N_0008 -=0 )
Q_Q4 Q4(c=$N_0011 b=$N_0007 e=$N_0009 )
Q_Q5 Q5(c=$N_0009 b=$N_0011 e=0 )
Q_Q3 Q3(c=$N_0004 b=$N_0012 e=$N_0009 )
Q_Q2 Q2(c=$N_0004 b=$N_0006 e=$N_0012 )
R_R R(1=$N_0007 2=$N_0006 )
.ENDALIASES

**** RESUMING Cuasi-01.cir ****

.probe

.END
**** 12/18/00 04:35:05 *********** Evaluation PSpice (Nov
1999) **************

* C:\Mis documentos\Cuasi-01.sch

**** BJT MODEL PARAMETERS

***********************************************************
*******************

Q2N2222 Q2N3906
NPN PNP
IS 14.340000E-15 1.410000E-15
BF 255.9 180.7
NF 1 1
VAF 74.03 18.7
IKF .2847 .08
ISE 14.340000E-15
NE 1.307
BR 6.092 4.977
NR 1 1
RB 10 10
RC 1 2.5
CJE 22.010000E-12 8.063000E-12
MJE .377 .3677
CJC 7.306000E-12 9.728000E-12
MJC .3416 .5776
TF 411.100000E-12 179.300000E-12
XTF 3 6
VTF 1.7 4
ITF .6 .4
TR 46.910000E-09 33.420000E-09
XTB 1.5 1.5
CN 2.42 2.2
D .87 .52
**** 12/18/00 04:35:05 *********** Evaluation PSpice (Nov
1999) **************

* C:\Mis documentos\Cuasi-01.sch

**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE =

27.000 DEG C

***********************************************************
*******************

NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE

NODE VOLTAGE

($N_0001) 1.7323 ($N_0002) 5.1191

($N_0003) 1.0521 ($N_0004) 15.0000

($N_0005) 10.9300 ($N_0006) 11.8470

($N_0007) 6.2905 ($N_0008) 0.0000

($N_0009) 7.2394 ($N_0010) 0.0000

($N_0011) 3.8021 ($N_0012) 11.0150

VOLTAGE SOURCE CURRENTS

NAME CURRENT

V_V2 -4.724E+00
V_V1 0.000E+00

TOTAL POWER DISSIPATION 7.09E+01 WATTS

**** 12/18/00 04:35:05 *********** Evaluation PSpice (Nov
1999) **************

* C:\Mis documentos\Cuasi-01.sch

**** OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE =

27.000 DEG C

***********************************************************
*******************

**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS

NAME Q_Q1 Q_Q4 Q_Q5 Q_Q3

Q_Q2
MODEL Q2N2222 Q2N3906 Q2N2222 Q2N2222
Q2N2222
IB 2.25E-05 -6.16E-03 2.87E-01 2.84E-01
2.41E-03
IC 3.87E-03 -2.87E-01 4.42E+00 4.43E+00
2.82E-01
VBE 6.80E-01 -9.49E-01 3.80E+00 3.78E+00
8.32E-01
VBC -3.39E+00 2.49E+00 -3.44E+00 -3.98E+00
-3.15E+00
VCE 4.07E+00 -3.44E+00 7.24E+00 7.76E+00
3.98E+00
BETADC 1.72E+02 4.65E+01 1.54E+01 1.56E+01
1.17E+02
GM 1.48E-01 6.27E+00 8.82E+01 8.84E+01
7.32E+00
RPI 1.25E+03 4.20E+00 9.13E-02 9.21E-02
1.11E+01
RX 1.00E+01 1.00E+01 1.00E+01 1.00E+01
1.00E+01
RO 2.00E+04 7.16E+01 1.72E+01 1.72E+01
2.73E+02
CBE 9.81E-11 6.29E-09 8.76E-08 7.81E-08
4.62E-09
CBC 4.08E-12 4.76E-12 4.76E-12 4.48E-12
4.26E-12
CJS 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00
0.00E+00
BETAAC 1.85E+02 2.63E+01 8.05E+00 8.14E+00
8.12E+01
CBX/CBX2 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00
0.00E+00
FT/FT2 2.30E+08 1.59E+08 1.60E+08 1.80E+08
2.52E+08

JOB CONCLUDED

TOTAL JOB TIME 2.06

**** 12/18/00 04:36:13 *********** Evaluation PSpice (Nov
1999) **************

* C:\Mis documentos\Cuasi-01.sch

**** CIRCUIT DESCRIPTION

***********************************************************
*******************

* Schematics Version 9.1 - Web Update 1

* Mon Dec 18 04:36:11 2000

** Analysis setup **
.OP

* From [PSPICE NETLIST] section of pspiceev.ini:

.lib "nom.lib"

.INC "Cuasi-01.net"

**** INCLUDING Cuasi-01.net ****

* Schematics Netlist *

Q_Q1 $N_0002 $N_0001 $N_0003 Q2N2222

R_R5 $N_0005 $N_0004 1k
R_R1 $N_0001 $N_0005 47k
R_R2 0 $N_0001 10k
R_R4 0 $N_0003 270
R_R3 $N_0002 $N_0005 1.5k
C_C1 0 $N_0005 100uF
C_C3 0 $N_0003 10uF
C_C4 $N_0002 $N_0006 10uF
C_C5 $N_0002 $N_0007 10uF
C_C2 $N_0001 $N_0008 1uF
R_R6 $N_0006 $N_0004 680
R_R7 0 $N_0007 750
V_V2 $N_0004 0 15V
C_C7 $N_0009 $N_0010 1n
R_RL 0 $N_0010 4
V_V1 $N_0008 0 DC 0V AC 20V
Q_Q4 $N_0011 $N_0007 $N_0009 Q2N3906
Q_Q5 $N_0009 $N_0011 0 Q2N2222
Q_Q3 $N_0004 $N_0012 $N_0009 Q2N2222
Q_Q2 $N_0004 $N_0006 $N_0012 Q2N2222
R_R $N_0007 $N_0006 {100*0.5+.001}

**** RESUMING Cuasi-01.cir ****

.INC "Cuasi-01.als"

**** INCLUDING Cuasi-01.als ****

* Schematics Aliases *

.ALIASES
Q_Q1 Q1(c=$N_0002 b=$N_0001 e=$N_0003 )
R_R5 R5(1=$N_0005 2=$N_0004 )
R_R1 R1(1=$N_0001 2=$N_0005 )
R_R2 R2(1=0 2=$N_0001 )
R_R4 R4(1=0 2=$N_0003 )
R_R3 R3(1=$N_0002 2=$N_0005 )
C_C1 C1(1=0 2=$N_0005 )
C_C3 C3(1=0 2=$N_0003 )
C_C4 C4(1=$N_0002 2=$N_0006 )
C_C5 C5(1=$N_0002 2=$N_0007 )
C_C2 C2(1=$N_0001 2=$N_0008 )
R_R6 R6(1=$N_0006 2=$N_0004 )
R_R7 R7(1=0 2=$N_0007 )
V_V2 V2(+=$N_0004 -=0 )
C_C7 C7(1=$N_0009 2=$N_0010 )
R_RL RL(1=0 2=$N_0010 )
V_V1 V1(+=$N_0008 -=0 )
Q_Q4 Q4(c=$N_0011 b=$N_0007 e=$N_0009 )
Q_Q5 Q5(c=$N_0009 b=$N_0011 e=0 )
Q_Q3 Q3(c=$N_0004 b=$N_0012 e=$N_0009 )
Q_Q2 Q2(c=$N_0004 b=$N_0006 e=$N_0012 )
R_R R(1=$N_0007 2=$N_0006 )
.ENDALIASES

**** RESUMING Cuasi-01.cir ****

.probe

.END
**** 12/18/00 04:36:13 *********** Evaluation PSpice (Nov
1999) **************

* C:\Mis documentos\Cuasi-01.sch

**** BJT MODEL PARAMETERS

***********************************************************
*******************

Q2N2222 Q2N3906
NPN PNP
IS 14.340000E-15 1.410000E-15
BF 255.9 180.7
NF 1 1
VAF 74.03 18.7
IKF .2847 .08
ISE 14.340000E-15
NE 1.307
BR 6.092 4.977
NR 1 1
RB 10 10
RC 1 2.5
CJE 22.010000E-12 8.063000E-12
MJE .377 .3677
CJC 7.306000E-12 9.728000E-12
MJC .3416 .5776
TF 411.100000E-12 179.300000E-12
XTF 3 6
VTF 1.7 4
ITF .6 .4
TR 46.910000E-09 33.420000E-09
XTB 1.5 1.5
CN 2.42 2.2
D .87 .52
**** 12/18/00 04:36:13 *********** Evaluation PSpice (Nov
1999) **************

* C:\Mis documentos\Cuasi-01.sch

**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE =

27.000 DEG C

***********************************************************
*******************

NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE

NODE VOLTAGE

($N_0001) 1.7323 ($N_0002) 5.1191

($N_0003) 1.0521 ($N_0004) 15.0000

($N_0005) 10.9300 ($N_0006) 8.1081

($N_0007) 7.6013 ($N_0008) 0.0000

($N_0009) 7.7361 ($N_0010) 0.0000

($N_0011) .2305 ($N_0012) 7.9666

VOLTAGE SOURCE CURRENTS

NAME CURRENT

V_V2 -1.420E-02
V_V1 0.000E+00

TOTAL POWER DISSIPATION 2.13E-01 WATTS

**** 12/18/00 04:36:13 *********** Evaluation PSpice (Nov
1999) **************

* C:\Mis documentos\Cuasi-01.sch

**** OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE =

27.000 DEG C

***********************************************************
*******************

**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS

NAME Q_Q1 Q_Q4 Q_Q5 Q_Q3

Q_Q2
MODEL Q2N2222 Q2N3906 Q2N2222 Q2N2222
Q2N2222
IB 2.25E-05 1.48E-12 1.23E-11 1.24E-11
-1.90E-13
IC 3.87E-03 -1.23E-11 1.27E-10 1.26E-10
1.26E-11
VBE 6.80E-01 -1.35E-01 2.31E-01 2.31E-01
1.42E-01
VBC -3.39E+00 7.37E+00 -7.51E+00 -7.03E+00
-6.89E+00
VCE 4.07E+00 -7.51E+00 7.74E+00 7.26E+00
7.03E+00
BETADC 1.72E+02 -8.32E+00 1.03E+01 1.02E+01
-6.60E+01
GM 1.48E-01 1.35E-11 4.54E-09 4.50E-09
1.44E-10
RPI 1.25E+03 1.65E+13 2.47E+09 2.47E+09
3.52E+10
RX 1.00E+01 1.00E+01 1.00E+01 1.00E+01
1.00E+01
RO 2.00E+04 5.53E+11 3.78E+11 3.80E+11
8.10E+11
CBE 9.81E-11 8.67E-12 2.53E-11 2.53E-11
2.38E-11
CBC 4.08E-12 2.46E-12 3.22E-12 3.29E-12
3.31E-12
CJS 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00
0.00E+00
BETAAC 1.85E+02 2.22E+02 1.12E+01 1.11E+01
5.07E+00
CBX/CBX2 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00
0.00E+00
FT/FT2 2.30E+08 1.93E-01 2.53E+01 2.51E+01
8.46E-01

JOB CONCLUDED

TOTAL JOB TIME 2.82