Electrnica de potencia (parte 1)

Cada da los profesionales de la electricidad conviven ms intensamente con

equipamiento que contiene componentes electrnicos para su
funcionamiento, por lo que consideramos necesario la publicacin
de una serie de artculos que les permitirn tomar conocimiento sobre el
semiconductor, principal actor de las nuevas tecnologas elctricas.

riales semiconductores como el ger- entre una verdadera red de tomos.

C omo sabemos, existen materiales
capaces de conducir la corriente
elctrica mejor que otros. Generali-
zando, se dice que los materiales que
presentan poca resistencia al paso de
la corriente elctrica son conductores.
Analgicamente, los que ofrecen
mucha resistencia al paso de esta, son
llamados aislantes. Sin embargo no
existe el aislante perfecto y prctica-
mente tampoco el conductor perfecto.
Tambin existe un tercer tipo de mate-
riales, que cambia en mayor o menor
medida la caracterstica de los anterio-
res y son denominados por ello semi-
conductores, siendo su caracterstica
principal la de conducir la corriente
slo bajo determinadas circunstancias,
y evitar el paso de ella en otras.
Es, precisamente, en este tipo de
materiales en los que la electrnica de
estado slida est basada. La estruc-
tura atmica de dichos materiales pre-
senta una caracterstica comn: est
formada por tomos tetravalentes (es
decir, con cuatro electrones en su lti-
ma rbita), por lo que les es fcil ganar
cuatro o perder cuatro.
La Figura 1 nos muestra que los mate-
manio y el silicio presentan una con-
ductividad elctrica menor que la de
los metales pero mayor que la de los
aisladores.
Figura 1. Conductividad de los materiales.
Conductores
Lo que diferencia a cada grupo es su
estructura atmica. Los conductores
son, generalmente, metales. Esto se
debe a que poseen pocos tomos en
sus ltimas rbitas y, por lo tanto, tie-
nen tendencia a perderlos con facili-
dad. De esta forma, cuando varios to-
mos de un metal se acercan los elec-
trones de su ltima rbita, se despren-
den y circulan desordenadamente
Este hecho (libertad de los electrones)
favorece en gran medida el paso de la
corriente elctrica.
Aislantes
Los aislantes, en cambio, estn forma-
dos por tomos con muchos electro-
nes en sus ltimas rbitas (cinco a
ocho), por lo que, no tienen tendencia
a perderlos fcilmente y a no estable-
cer una corriente de electrones. De ah
su alta resistencia.
Semiconductores
Los componentes semiconductores se
fabrican principalmente de germanio y
de silicio. Posteriormente, se empeza-
ron a emplear tambin componentes
de combinaciones de otros elementos,
por ejemplo, de galio y Arsenio
(Arseniuro de galio).
Los tomos se componen del ncleo y
de una serie de capas de electrones
concntricas con l. Estas capas estn
ocupadas por distinto nmero de elec-
trones, segn cul sea la capa y el ele-
mento qumico en cuestin.
contina en pgina 10 u

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u viene de pgina 8
Los materiales semiconductores pose-
en cuatro electrones de valencia, que
son los de la capa ms exterior.
Cuando los tomos de germanio y de
silicio se unen formando una red crista-
lina, precisan todos sus electrones de
valencia para enlazarse. Este tipo de
enlace se denomina enlace atmico.
Por consiguiente, no existen en princi-
pio electrones libres en los semicon-
ductores, al contrario de lo que ocurre
en los metales. En la Figura 2 vemos
como los tomos de los materiales
semiconductores forman una red cris-
talina uniforme.
Figura 2. Reprentacin en un plano.
Origen de la conductividad de los
semiconductores.
Conduccin intrnseca
Enfriando un material semiconductor a
una temperatura de aproximadamente
-273 C (0 Kelvin) puede comprobarse
que no conduce la corriente elctrica.
Este hecho puede explicarse teniendo
en cuenta que en los semiconductores
todos los electrones de valencia son
precisos para constituir la estructura
cristalina y que por tanto, a diferencia
de lo que sucede en los metales no
existen electrones libres para la con-
duccin.
Si en cambio se calienta un cristal
semiconductor puede observarse que
el material empieza a conducir la
corriente. Una temperatura de, por
ejemplo, 0C significa ya un gran
calentamiento del cristal, pues la dife-
rencia de temperatura entre 0 K y 0C
representa un valor de 273 K. Puede
adems observarse que al aumentar la
temperatura tambin aumenta la con-
ductividad del semiconductor.
Electrnica de potencia (Parte 1)
La explicacin de por qu la conducti- por efecto trmico es posible que algu-
vidad que presenta un material semi- nos de ellos se encuentren casualmen-
conductor cuando se lo calienta radica te con huecos. En estos casos, el elec-
en que al calentar el cristal sus tomos trn llenar el hueco en cuestin y el
dejan de estar en posicin de reposo y tomo correspondiente volver a ser
empiezan a efectuar movimientos de elctricamente neutro y este fenme-
vibracin en todas direcciones y es no se denomina recombinacin.
debido a ello que se rompen algunos
enlaces con tomos vecinos, y los
correspondientes electrones de valen-
cia se separan y liberan de sus tomos
por lo que la conductividad de los
semiconductores depende de la tem-
peratura.
Figura 4. Recombinacin de huecos y electrones.
A partir de esta situacin, todo electrn
recombinado ha dejado en algn punto
una laguna de la cual se desprendi
dando la sensacin que los huecos se
muevan a travs del cristal en direc-
cin al polo negativo de la fuente de
tensin aplicada. Para simplificar este
concepto, se supone que tambin los
huecos contribuyen a la conduccin a
travs del semiconductor. Este tipo de
transporte de cargas se denomina con-
duccin por huecos y se superpone a
la conduccin por electrones.
Figura 3.
Cuando se aplica una tensin a un La conductividad de un cristal semi-
cristal semiconductor, los electrones conductor puro que puede observarse
liberados se movern a travs del cris- ya a temperatura ambiente, se deno-
tal en direccin al polo positivo de la mina conductividad intrnseca.
fuente. En aquellos puntos de los to-
mos donde se encontraban los electro-
nes ya liberados faltan las cargas
negativas. Estos puntos con defecto
de electrones se denominan huecos o
lagunas.
Como ahora la carga positiva del
ncleo atmico es mayor que la del
conjunto de sus electrones resultar
que los huecos aparecern siempre
cargados positivamente. La carga
positiva de un hueco es de igual valor
absoluto que la carga negativa del
electrn.
Cuando los electrones se mueven a
travs del cristal bajo la influencia de la
tensin o cuando realizan vibraciones
Figura 5.
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